CN108733121A - 温度补偿电路 - Google Patents

温度补偿电路 Download PDF

Info

Publication number
CN108733121A
CN108733121A CN201810404693.9A CN201810404693A CN108733121A CN 108733121 A CN108733121 A CN 108733121A CN 201810404693 A CN201810404693 A CN 201810404693A CN 108733121 A CN108733121 A CN 108733121A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compensating module
module
connect
temperature
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810404693.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108733121B (zh
Inventor
向伟
蓝永海
吴光胜
冯军正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Huaxun Fangzhou Intelligent Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Huaxun Ark Technology Co Ltd
China Communication Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Huaxun Ark Technology Co Ltd, China Communication Microelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Huaxun Ark Technology Co Ltd
Priority to CN201810404693.9A priority Critical patent/CN108733121B/zh
Publication of CN108733121A publication Critical patent/CN108733121A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108733121B publication Critical patent/CN108733121B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本申请适用于晶体管技术领域,提供了一种温度补偿电路,包括:分压模块,适于与外部电源连接,还与第一补偿模块连接,将外部电源的电压分压为第一电压输出给第一补偿模块;第一补偿模块,与第二补偿模块连接,根据第一电压向第二补偿模块输出第一静态电流;第二补偿模块,适于与外部电源连接,还与第三补偿模块连接,根据外部电源的电压和第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向第三补偿模块输出调整后的第一偏置电压;第三补偿模块,根据调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压,进而调整自身的温度变化改变的静态工作点。本申请可以实现更好的温度补偿效果,同时避免了对晶体管工作性能的影响。

Description

温度补偿电路
技术领域
本申请属于晶体管技术领域,尤其涉及一种温度补偿电路。
背景技术
晶体管具有温度特性,随着温度的升高,晶体管的导通压降会变小,因此在偏置保持不变的情况下,晶体管的静态工作点会变高;反之,温度降低,晶体管的导通压降变大,晶体管的静态工作点会变小,为了改善晶体管的温度稳定性,通常会采取电流或电压负反馈的方式。
其中,电流负反馈的工作原理是:温度升高,晶体管的集电极的电流会变大,从而导致发射极接地电阻的压降增大,而晶体管的基极的偏置电压又是恒定的,因此晶体管的发射极上的偏置电压变小,最终导致晶体管的集电极电流变小,实现了温度稳定性;缺点是:极限温度时,即使施加很大的负反馈也不能达到较好的温度补偿效果。
电压负反馈的工作原理是:温度升高,晶体管的集电极的电流会变大,从而导致集电极负载上的压降变大,又因供电电压不变,则晶体管基极的偏压变小,抑制集电极电流的增大,从而实现了温度稳定性;缺点是极限温度条件下不能达到较好的温度补偿效果。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种温度补偿电路,以解决现有温度补偿电路在处于极限温度状态下不能达到较好的温度补偿效果的问题。
本申请实施例提供了一种温度补偿电路,包括:分压模块、第一补偿模块、第二补偿模块和第三补偿模块;
所述分压模块适于与外部电源连接,还与所述第一补偿模块连接,用于将所述外部电源的电压分压为第一电压并输出给所述第一补偿模块;
所述第一补偿模块还与所述第二补偿模块连接,用于根据所述第一电压向所述第二补偿模块输出第一静态电流;
所述第二补偿模块适于与所述外部电源连接,还与所述第三补偿模块连接,用于根据所述外部电源的电压和所述第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向所述第三补偿模块输出调整后的第一偏置电压;
所述第三补偿模块用于根据所述调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压。
可选的,所述分压模块包括:分压端和输出端;
所述分压模块的分压端适于与所述外部电源连接,所述分压模块的输出端与所述第一补偿模块连接;
所述分压模块还包括:第一电阻和第二电阻;
所述第一电阻的第一端与所述分压模块的分压端连接,所述第一电阻的第二端与所述分压模块的输出端连接;
所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述第二电阻的第二端接地。
可选的,所述第一补偿模块包括:输入端和输出端;
所述第一补偿模块的输入端与所述分压模块的输出端连接,所述第一补偿模块的输出端与所述第二补偿模块连接;
所述第一补偿模块还包括:第一晶体管和第三电阻;
所述第一晶体管的基极与所述第一补偿模块的输入端连接,所述第一晶体管的发射极与所述第三电阻的第一端连接,所述第一晶体管的集电极与所述第一补偿模块的输出端连接;
所述第三电阻的第二端接地。
可选的,所述第二补偿模块包括:第一输入端、第二输入端和输出端;
所述第二补偿模块的第一输入端适于与所述外部电源连接,所述第二补偿模块的第二输入端与所述第一补偿模块的输出端连接,所述第二补偿模块的输出端与所述第三补偿模块连接;
所述第二补偿模块还包括:第二晶体管、第四电阻和第五电阻;
所述第二晶体管的集电极与连接,所述第二晶体管的基极与连接,所述第二晶体管的发射极与所述第五电阻的第一端连接;
所述第四电阻的第一端与所述第二晶体管的集电极连接,所述第四电阻的第二端与所述第二晶体管的基极连接;
所述第五电阻的第二端与所述第二补偿模块的输出端连接。
可选的,所述温度补偿电路包括输入端和输出端;
所述第三补偿模块包括:电压输入端、信号输入端和信号输出端;
所述第三补偿模块的电压输入端与所述第二补偿模块的输出端连接,所述第三补偿模块的信号输入端与所述温度补偿电路的输入端连接,所述第三补偿模块的信号输出端与所述温度补偿电路的输出端连接;
所述第三补偿模块还包括:第三晶体管、第六电阻和第一负载;
所述第三晶体管的集电极与所述第三补偿模块的信号输出端连接,所述第三晶体管的基极与所述第三补偿模块的信号输入端连接,所述第三晶体管的发射极接地;
所述第六电阻的第一端与所述第三补偿模块的电压输入端连接,所述第六电阻的第二端与所述第三晶体管的基极连接;
所述第一负载的输入端与所述第六电阻的第一端连接,所述第一负载的输出端与所述第三晶体管的集电极连接。
可选的,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管为同一类型晶体管。
可选的,所述温度补偿电路还包括:第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一电容的第一端与所述第二补偿模块的输出端连接,所述第一电容的第二端接地;
所述第三补偿模块的信号输入端通过所述第二电容与所述温度补偿电路的输入端连接,所述第三补偿模块的信号输出端通过所述第三电容与所述温度补偿电路的输出端连接。
可选的,所述温度补偿电路还包括:第一滤波模块;
所述第一滤波模块适于与所述外部电源连接,还与所述第二补偿模块连接,用于对所述外部电源向所述第二补偿模块输入的电压进行滤波;
所述第一滤波模块包括:第四电容和第五电容;
所述第四电容的第一端与所述第二补偿模块连接,所述第四电容的第二端接地;
所述第五电容的第一端与所述第二补偿模块连接,所述第五电容的第二端接地。
可选的,所述温度补偿电路还包括:第二滤波模块;
所述第二滤波模块与所述分压模块连接,还与所述第一补偿模块连接,用于对所述分压模块向所述第一补偿模块输入的电压进行滤波;
所述第二滤波模块包括:第六电容;
所述第六电容的第一端与所述第一补偿模块连接,所述第六电容的第二端接地。
可选的,所述的温度补偿电路工作的温度范围为-40℃至+90℃。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是:通过分压模块将外部电源的电压分压为第一电压输出给第一补偿模块;第一补偿模块根据第一电压向第二补偿模块输出第一静态电流;第二补偿模块根据外部电源的电压和第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向第三补偿模块输出调整后的第一偏置电压;第三补偿模块根据调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压,进而调整由于温度变化改变的静态工作点,实现了在极限温度下达到更好的温度补偿效果,使温度补偿更精准,同时避免了对晶体管工作性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种温度补偿电路的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的一种温度补偿电路的电路图。
具体实施方式
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的***、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
为了说明本申请所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
请一并参考图1及图2,本申请实施例提供了一种温度补偿电路,包括:分压模块100、第一补偿模块200、第二补偿模块300和第三补偿模块400。
分压模块100适于与外部电源连接,分压模块100还与第一补偿模块200连接。
分压模块100将所述外部电源的电压分压为第一电压并输出给第一补偿模块200。
第一补偿模块200与第二补偿模块300连接。
第一补偿模块200根据所述第一电压向所述第二补偿模块300输出第一静态电流。
第二补偿模块300适于与所述外部电源连接,还与第三补偿模块400连接。
第二补偿模块300根据所述外部电源的电压和所述第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向第三补偿模块400输出调整后的第一偏置电压。
第三补偿模块400根据所述调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压。
具体地,在温度补偿电路的温度升高时,第一补偿模块200的静态电流会增大,当第一补偿模块200将增大的静态电流(第一静态电流)输入到第二补偿模块300后,第二补偿模块300根据所述外部电源的电压和所述第一静态电流使自身偏置电压变小,第二补偿模块300将变小后的偏置电压(调整后的偏置电压)输出到第三补偿模块400,第三补偿模块400的偏置电压降低,使第三补偿模块400的静态工作点不会因温度的升高而变高。
在温度补偿电路的温度降低时,第一补偿模块200的静态电流会减小,当第一补偿模块200将减小的静态电流(第一静态电流)输入到第二补偿模块300后,第二补偿模块300根据所述外部电源的电压和所述第一静态电流使自身偏置电压变大,第二补偿模块300将变大后的偏置电压(调整后的偏置电压)输出到第三补偿模块400,第三补偿模块400的偏置电压升高,使第三补偿模块400的静态工作点不会因温度的降低而变小。
上述实施例的温度补偿电路,分压模块100将外部电源的电压分压为第一电压输出给第一补偿模块200;第一补偿模块200根据第一电压向第二补偿模块300输出第一静态电流;第二补偿模块300根据外部电源的电压和第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向第三补偿模块400输出调整后的第一偏置电压;第三补偿模块400根据调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压,实现了在极限温度下达到更好的温度补偿效果,使温度补偿更精准,同时避免了对晶体管工作性能的影响。
进一步地,参见图2,作为一个具体实施例,分压模块100包括:分压端和输出端。
分压模块100的分压端适于与所述外部电源连接,分压模块100的输出端与第一补偿模块200连接。
可选的,分压模块100还包括:第一电阻Rh1和第二电阻Rh2。
第一电阻Rh1的第一端与分压模块的分压端连接,第一电阻Rh1的第二端与分压模块100的输出端连接;
第二电阻Rh2的第一端与第一电阻Rh1的第二端连接,第二电阻Rh2的第二端接地。
具体地,第一电阻Rh1和第二电阻Rh2将外部电源的电压VCC进行分压,将外部电源的电压VCC输出到第一补偿模块200的电压减小,得到所述第一电压,所述第一电压再输出给第一补偿模块200,使第一补偿模块200的电压与第二补偿模块300的电压不等,实现对晶体管温度的补偿。
本申请为了减少成本,使用一个外部电源为第一补偿模块200和第二补偿模块300提供不同的电压,所以采用分压模块100。应理解,为第一补偿模块200和第二补偿模块300提供不同电压的方式还有多种,可以通过MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)、基准电压源等独立的电源为第一补偿模块200提供电压,本申请对为第一补偿模块200和第二补偿模块300提供不同的电压的方式不做限定。
进一步地,作为一个具体实施例,第一补偿模块200包括:输入端和输出端。
第一补偿模块200的输入端与分压模块100的输出端连接,第一补偿模块200的输出端与第二补偿模块300连接。
可选的,第一补偿模块200还包括:第一晶体管Q2和第三电阻R2。
第一晶体管Q2的基极与第一补偿模块200的输入端连接,第一晶体管Q2的发射极与第三电阻R2的第一端连接,第一晶体管Q2的集电极与第一补偿模块200的输出端连接。
第三电阻R2的第二端接地。
第三电阻R2用于补偿因温度补偿电路中晶体管的差异性所造成的不对称性,避免由于温度升高或降低损坏晶体管的性能。
具体地,第一晶体管Q1的基极接收所述第一电压,当温度补偿电路的温度升高时,第一晶体管Q1的第一静态电流升高,输入到第二补偿模块300,使第二补偿模块300的偏置电压变小;当温度补偿电路的温度降低时,第一晶体管Q1的第一静态电流减小,输入到第二补偿模块300,使第二补偿模块300的偏置电压变大。
进一步地,参见图2,作为一个具体实施例,第二补偿模块300包括:第一输入端、第二输入端和输出端。
第二补偿模块300的第一输入端适于与所述外部电源连接,第二补偿模块300的第二输入端与第一补偿模块200的输出端连接,第二补偿模块300的输出端与第三补偿模块400连接。
可选的,第二补偿模块400还包括:第二晶体管Q1、第四电阻R1和第五电阻R3。
第二晶体管Q1的集电极与连接,第二晶体管Q1的基极与连接,第二晶体管Q1的发射极与第五电阻R3的第一端连接。
第四电阻R1的第一端与第二晶体管Q1的集电极连接,第四电阻R1的第二端与第二晶体管Q1的基极连接。
第五电阻R3的第二端与第二补偿模块300的输出端连接。
具体地,当温度补偿电路的温度升高时,第一晶体管Q1的第一静态电流升高并输入到第二补偿模块300,此时第四电阻R1上的电压便会升高。由于第二补偿模块300的电压是由外部电源电压VCC提供,所以第二补偿模块300的电压不变,即第二晶体管Q1的偏置电压降低;第二晶体管Q1通过第五电阻R3将调整后的偏置电压输出到第三补偿模块400,作为第三补偿模块400晶体管的补偿电压。
当温度补偿电路的温度降低时,第一晶体管Q1的第一静态电流下降并输入到第二补偿模块300,此时第二补偿模块300的电流降低,所以第四电阻R1上的电压便会降低。第二补偿模块300的电压是由外部电源电压VCC提供,所以第二补偿模块300的电压不变,则第二晶体管Q1的偏置电压升高。第二晶体管Q1通过第五电阻R3将调整后的偏置电压输出到第三补偿模块400,作为第三补偿模块400晶体管的补偿电压。
进一步地,参见图2,作为一个具体实施例,第三补偿模块400包括:电压输入端、信号输入端和信号输出端。
其中,所述温度补偿电路包括输入端Input和输出端Output。
第三补偿模块400的电压输入端与第二补偿模块300的输出端连接,第三补偿模块400的信号输入端与温度补偿电路的输入端Input连接,第三补偿模块400的信号输出端与温度补偿电路的输出端Output连接。
可选的,第三补偿模块400还包括:第三晶体管Q3、第六电阻R5和第一负载R0。
第三晶体管Q3的集电极与第三补偿模块400的信号输出端连接,第三晶体管Q3的基极与第三补偿模块400的信号输入端连接,第三晶体管Q3的发射极接地。
第六电阻R5的第一端与第三补偿模块400的电压输入端连接,第六电阻R5的第二端与第三晶体管Q3的基极连接。
第一负载R0的输入端与第六电阻R5的第一端连接,第一负载R0的输出端与第三晶体管Q3的集电极连接。
应理解,第一负载R0可以是元器件,也可以是实现其他功能的电路结构,本申请对第一负载R0的具体结构或电路不做限定。
具体的,当温度补偿电路的温度升高时,第一补偿模块200中第一晶体管Q2的静态电流升高,使第二补偿模块300中的第二晶体管Q1的偏置电压降低;第二晶体管Q1通过第五电阻R3将调整后的偏置电压输出到第三补偿模块400,使第三补偿模块400中的第三晶体管Q3的偏置电压降低,补偿第三晶体管Q3由于温度升高而升高的偏置电压,即使第三晶体管Q3的静态工作点不变,温度补偿电路在高温条件下达到更好的温度补偿效果,不影响晶体管的性能。
当温度补偿电路的温度降低时,第一补偿模块200中第一晶体管Q2的静态电流降低,使第二补偿模块300中的第二晶体管Q1的偏置电压升高;第二晶体管Q1通过第五电阻R3将调整后的偏置电压输出到第三补偿模块400,使第三补偿模块400中的第三晶体管Q3的偏置电压升高,补偿由于温度降低使第三晶体管Q3降低的偏置电压,即使第三晶体管Q3的静态工作点不变,温度补偿电路在高温条件下达到更好的温度补偿效果,不影响晶体管的性能。
可选的,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3均为三极管或场效应管。
可选的,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3为同一类型晶体管。应理解,同一类型晶体管可以指晶体管型号相同,包括晶体管具有相同工作性能,具有相同偏置电压和静态工作点。
为了减少不同类型晶体管会造成温度补偿电路的不对称性,本申请的温度补偿电路中的晶体管采用同一类型的晶体管,使温度补偿电路中的晶体管的温度特性更加相似,使温度补偿电路中晶体管之间进行的精准互补。
进一步地,参考图1及图2,作为一个具体实施例,温度补偿电路还包括:第一电容C4。
第一电容C4的第一端与第二补偿模块300的输出端连接,第一电容C4的第二端接地。具体的,第一电容C4的第一端与第五电阻R3的第二端连接。
第一电容C4用于对第二补偿模块300输入到第三补偿模块400的所述调整后的偏置电压进行滤波。
可选的,温度补偿电路还包括:第二电容C5和第三电容C6。
第三补偿模块400的信号输入端通过第二电容C5与温度补偿电路的输入端连接。可选的,第二电容C5用于对温度补偿电路的输入端输入的信号进行滤波,减少信号的振荡。
可选的,所述信号可以是电压信号和电流信号等。
第三补偿模块400的信号输出端通过第三电容C6与温度补偿电路的输出端连接。可选的,第二电容C5用于对温度补偿电路的输出端输出的信号进行滤波。所述信号可以是电压信号和电流信号等。
进一步地,所述温度补偿电路还包括:第一滤波模块500。
第一滤波模块500适于与所述外部电源连接,第一滤波模块500还与第二补偿模块300连接。
第一滤波模块500用于对所述外部电源向第二补偿模块300输入的电压进行滤波。
可选的,第一滤波模块500包括:第四电容C1和第五电容C2。
第四电容C1的第一端与第二补偿模块300连接,第四电容C1的第二端接地。
第五电容C2的第一端与第二补偿模块300连接,第五电容C2的第二端接地。
进一步地,所述温度补偿电路还包括:第二滤波模块600。
第二滤波模块600与分压模块100连接,第二滤波模块600还与第一补偿模块200连接。
第二滤波模块600用于对分压模块100向第一补偿模块200输入的电压进行滤波。
可选的,第二滤波模块600包括:第六电容C3。
第六电容C3的第一端与第一补偿模块200连接,第六电容C38的第二端接地。具体地,第六电容C3的第一端与第一晶体管Q2的基极连接,还与第一电阻Rh1的第二端连接。
可选的,所述的温度补偿电路工作的温度范围为-40℃至+90℃。
具体的,温度补偿电路能够使晶体管的静态工作点在-40℃至+90℃的温度范围内达到更好的温度补偿效果,补偿更加精准,且不损坏晶体管的工作性能。
上述实施例中,分压模块100将外部电源的电压分压为第一电压输出给第一补偿模块200;第一补偿模块200根据第一电压向第二补偿模块300输出第一静态电流;第二补偿模块300根据外部电源的电压和第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向第三补偿模块400输出调整后的第一偏置电压;第三补偿模块400根据调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压,进而调整由于温度变化改变的静态工作点,实现了在极限温度下达到更好的温度补偿效果,使温度补偿更精准,同时避免了对晶体管工作性能的影响。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种温度补偿电路,其特征在于,包括:分压模块、第一补偿模块、第二补偿模块和第三补偿模块;
所述分压模块适于与外部电源连接,还与所述第一补偿模块连接,用于将所述外部电源的电压分压为第一电压并输出给所述第一补偿模块;
所述第一补偿模块还与所述第二补偿模块连接,用于根据所述第一电压向所述第二补偿模块输出第一静态电流;
所述第二补偿模块适于与所述外部电源连接,还与所述第三补偿模块连接,用于根据所述外部电源的电压和所述第一静态电流调整自身的第一偏置电压,并向所述第三补偿模块输出调整后的第一偏置电压;
所述第三补偿模块用于根据所述调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压。
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路,其特征在于,所述分压模块包括:分压端和输出端;
所述分压模块的分压端适于与所述外部电源连接,所述分压模块的输出端与所述第一补偿模块连接;
所述分压模块还包括:第一电阻和第二电阻;
所述第一电阻的第一端与所述分压模块的分压端连接,所述第一电阻的第二端与所述分压模块的输出端连接;
所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述第二电阻的第二端接地。
3.根据权利要求2所述的温度补偿电路,其特征在于,所述第一补偿模块包括:输入端和输出端;
所述第一补偿模块的输入端与所述分压模块的输出端连接,所述第一补偿模块的输出端与所述第二补偿模块连接;
所述第一补偿模块还包括:第一晶体管和第三电阻;
所述第一晶体管的基极与所述第一补偿模块的输入端连接,所述第一晶体管的发射极与所述第三电阻的第一端连接,所述第一晶体管的集电极与所述第一补偿模块的输出端连接;
所述第三电阻的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的温度补偿电路,其特征在于,所述第二补偿模块包括:第一输入端、第二输入端和输出端;
所述第二补偿模块的第一输入端适于与所述外部电源连接,所述第二补偿模块的第二输入端与所述第一补偿模块的输出端连接,所述第二补偿模块的输出端与所述第三补偿模块连接;
所述第二补偿模块还包括:第二晶体管、第四电阻和第五电阻;
所述第二晶体管的集电极与连接,所述第二晶体管的基极与连接,所述第二晶体管的发射极与所述第五电阻的第一端连接;
所述第四电阻的第一端与所述第二晶体管的集电极连接,所述第四电阻的第二端与所述第二晶体管的基极连接;
所述第五电阻的第二端与所述第二补偿模块的输出端连接。
5.根据权利要求4所述的温度补偿电路,其特征在于,所述温度补偿电路包括输入端和输出端;
所述第三补偿模块包括:电压输入端、信号输入端和信号输出端;
所述第三补偿模块的电压输入端与所述第二补偿模块的输出端连接,所述第三补偿模块的信号输入端与所述温度补偿电路的输入端连接,所述第三补偿模块的信号输出端与所述温度补偿电路的输出端连接;
所述第三补偿模块还包括:第三晶体管、第六电阻和第一负载;
所述第三晶体管的集电极与所述第三补偿模块的信号输出端连接,所述第三晶体管的基极与所述第三补偿模块的信号输入端连接,所述第三晶体管的发射极接地;
所述第六电阻的第一端与所述第三补偿模块的电压输入端连接,所述第六电阻的第二端与所述第三晶体管的基极连接;
所述第一负载的输入端与所述第六电阻的第一端连接,所述第一负载的输出端与所述第三晶体管的集电极连接。
6.根据权利要求5所述的温度补偿电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管为同一类型晶体管。
7.根据权利要求6所述的温度补偿电路,其特征在于,所述温度补偿电路还包括:第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一电容的第一端与所述第二补偿模块的输出端连接,所述第一电容的第二端接地;
所述第三补偿模块的信号输入端通过所述第二电容与所述温度补偿电路的输入端连接,所述第三补偿模块的信号输出端通过所述第三电容与所述温度补偿电路的输出端连接。
8.根据权利要求1至7任一所述的温度补偿电路,其特征在于,所述温度补偿电路还包括:第一滤波模块;
所述第一滤波模块适于与所述外部电源连接,还与所述第二补偿模块连接,用于对所述外部电源向所述第二补偿模块输入的电压进行滤波;
所述第一滤波模块包括:第四电容和第五电容;
所述第四电容的第一端与所述第二补偿模块连接,所述第四电容的第二端接地;
所述第五电容的第一端与所述第二补偿模块连接,所述第五电容的第二端接地。
9.根据权利要求1至7任一所述的温度补偿电路,其特征在于,所述温度补偿电路还包括:第二滤波模块;
所述第二滤波模块与所述分压模块连接,还与所述第一补偿模块连接,用于对所述分压模块向所述第一补偿模块输入的电压进行滤波;
所述第二滤波模块包括:第六电容;
所述第六电容的第一端与所述第一补偿模块连接,所述第六电容的第二端接地。
10.根据权利要求1所述的温度补偿电路,其特征在于,所述的温度补偿电路工作的温度范围为-40℃至+90℃。
CN201810404693.9A 2018-04-28 2018-04-28 温度补偿电路 Active CN108733121B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810404693.9A CN108733121B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 温度补偿电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810404693.9A CN108733121B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 温度补偿电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108733121A true CN108733121A (zh) 2018-11-02
CN108733121B CN108733121B (zh) 2020-02-21

Family

ID=63939416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810404693.9A Active CN108733121B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 温度补偿电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108733121B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102780210A (zh) * 2012-07-20 2012-11-14 吴讯驰 电池组充放电保护器
CN206061076U (zh) * 2016-09-12 2017-03-29 深圳市冠旭电子股份有限公司 一种蓝牙耳机
CN107066008A (zh) * 2017-05-23 2017-08-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 参考电压产生电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102780210A (zh) * 2012-07-20 2012-11-14 吴讯驰 电池组充放电保护器
CN206061076U (zh) * 2016-09-12 2017-03-29 深圳市冠旭电子股份有限公司 一种蓝牙耳机
CN107066008A (zh) * 2017-05-23 2017-08-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 参考电压产生电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN108733121B (zh) 2020-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107102665A (zh) 低压差线性稳压器
CN104601127A (zh) 运算放大器电路及基准电压产生电路模块
CN105051555A (zh) 虚拟电阻电路以及电荷检测电路
CN104685904A (zh) 电容式麦克风及其阻抗变换器
CN201936213U (zh) 低压降稳压器
EP1625656B1 (en) Circuit for improved differential amplifier and other applications
CN104052412B (zh) 一种改进型米勒补偿放大器
CN106505961A (zh) 快速响应的自动增益控制电路
CN103439905B (zh) Io输入口扩展电路
CN108733121A (zh) 温度补偿电路
CN110058633A (zh) 一种高精度低压差线性恒流源电路及前馈频率补偿方法
CN103186161B (zh) 一种电流镜像电路
CN107395146B (zh) 一种恒定跨导放大器电路
CN203660884U (zh) 液晶模组的电源转换电路及液晶模组
CN102412743A (zh) 一种用于小功率型电源电路的串联稳压电路
CN206209446U (zh) 一种基于负温度系数器件的led驱动电路
CN108762360A (zh) 一种功率传输电路
CN107579732A (zh) 一种基于射频开关芯片的模拟开关电路
CN112152580A (zh) 射极跟随器电路、多级放大器
Yuen et al. 50 GHz high output voltage distributed amplifiers for 40 Gb/s EO modulator driver application
CN109450432A (zh) 一种射频输入端口保护电路
CN206096235U (zh) 电流检测电路
CN106851051B (zh) 一种视频信号电压钳位电路
CN216721285U (zh) 一种放大器负压保护电路
CN204465507U (zh) 用于压电集成电路iepe传感器的差分输入缓冲电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PP01 Preservation of patent right
PP01 Preservation of patent right

Effective date of registration: 20210630

Granted publication date: 20200221

PD01 Discharge of preservation of patent

Date of cancellation: 20230421

Granted publication date: 20200221

PD01 Discharge of preservation of patent
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230731

Address after: 518000 107, building 37, chentian Industrial Zone, chentian community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen Huaxun ark Intelligent Information Technology Co.,Ltd.

Address before: 518102 East, 2nd floor, building 37, chentian Industrial Zone, Baotian 1st Road, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: SHENZHEN HUAXUN FANGZHOU MICROELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: CHINA COMMUNICATION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231127

Address after: Building 7-6, Industrial Control Cloud Creation Port, No. 58 Hongtu Avenue, Honggutan District, Nanchang City, Jiangxi Province, 330000

Patentee after: Jiangxi Huaxun Fangzhou Intelligent Technology Co.,Ltd.

Address before: 518000 107, building 37, chentian Industrial Zone, chentian community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen Huaxun ark Intelligent Information Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right