CN108732826A - 改善异形屏面板画质的设计方法及结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种改善异形屏面板画质的设计方法及结构。该改善异形屏面板画质的设计方法包括:步骤10、沿面板实际显示边缘设置初始遮光层;步骤20、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,该像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该像素;步骤30、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。本发明改善异形屏面板画质的设计方法及结构能够减小或者消除开口/开孔&异形位置的锯齿感;消除开口/开孔&异形位置的色差。

Description

改善异形屏面板画质的设计方法及结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种改善异形屏面板画质的设计方法及结构。
背景技术
随着显示产品应用领域的扩大,相关显示屏或者使用显示屏的生产厂家纷纷开始设计生产异形屏显示产品,例如IponeX手机具有开口/开孔(Notch)设计。如图1所示,其为现有一种异形屏面板示意图。在异形屏面板中,其面板基板外形和显示区域可能呈现圆形或多边形等不规则的非矩形形状。由于显示区域中的像素结构为了便于设计与驱动大多采用传统的阵列式结构,因此,在显示区域与非显示区域之间需要通过遮光层结构的设计来实现非水平直线或者非竖直直线的斜线/曲线边缘的显示效果。
开口/开孔等异形屏面板的遮光层现在主要有图2A和图2B两种设计方案。图2A所示为一种现有针对异形屏显示产品的遮光层的设计图,图2A中采用传统的直线式遮光层结构设计方案,遮光层1在显示区域与非显示区域的边缘按照锯齿状设置,呈锯齿状排列在显示区域与非显示区域的边缘的像素只能做到近似弧形或者斜边,会导致具有显示亮度的显示区域在边缘处的锯齿状边缘与完全呈现黑暗的非显示区域之间形成强烈的颜色或亮度对比,使显示区域锯齿状的边缘可通过人眼被识别到,降低了显示面板边缘的视觉效果,严重影响用户体验。图2B所示为另一种现有针对异形屏显示产品的遮光层的设计图,图2B中采用按照斜线/曲边显示的实际显示边缘来设置遮光层的设计方案,虽然可以减小上述锯齿情况,但由于遮光层2与像素排列的非平行,在显示区域边缘遮光层2对同一像素中的RGB子像素的遮光面积不同,从而显示区域边缘像素呈现在用户眼中的色彩混色比例受遮光层结构位置的影响,从而产生开口/开孔等异形位置与其他位置相比的颜色偏移或者亮暗不均(mura)现象。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种改善异形屏面板画质的设计方法及结构,减小异形位置的锯齿感及色差。
为实现上述目的,本发明提供了一种改善异形屏面板画质的设计方法,包括:
步骤10、沿面板实际显示边缘设置初始遮光层;
步骤20、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,该像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该像素;
步骤30、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
其中,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行。
其中,对于液晶面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素附加的遮光层进行。
其中,对于OLED面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素的像素限定层面积或者附加的像素限定层进行。
其中,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行。
其中,对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行。
其中,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
其中,对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
其中,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
其中,对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
本发明还提供了一种改善异形屏面板画质的结构,包括:沿面板实际显示边缘设置的初始遮光层、未被初始遮光层遮挡的正常像素、被初始遮光层完全遮挡的像素以及未被初始遮光层完全遮挡的像素;该未被初始遮光层完全遮挡的像素包括第一像素和/或第二像素;该第一像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,并且该第一像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该第一像素;该第二像素所包含的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该第二像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
其中,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行。
其中,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的开口率比值通过设置该第二像素全部子像素附加的遮光层进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的开口率比值通过设置该第二像素全部子像素的像素限定层面积或者附加的像素限定层进行。
其中,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行。
其中,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
其中,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
其中,对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
综上,本发明改善异形屏面板画质的设计方法及结构能够减小或者消除开口/开孔&异形位置的锯齿感;消除开口/开孔&异形位置的色差。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有一种异形屏面板示意图;
图2A为一种现有针对异形屏显示产品的遮光层的设计图;
图2B为另一种现有针对异形屏显示产品的遮光层的设计图;
图3为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例一的实施方式示意图;
图4A和4B为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例二的实施方式示意图;
图5A和5B为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例三的实施方式示意图;
图6为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例四的实施方式示意图;
图7为本发明改善异形屏面板画质的设计方法的流程图。
具体实施方式
基于背景技术所提问题,本发明提出了一种减小异形屏面板开口/开孔以及异形位置的边缘锯齿感或者颜色偏移的设计方法,提升显示画质。参见图7,其为本发明改善异形屏面板画质的设计方法的流程图,主要包括:
步骤10、沿面板实际显示边缘设置初始遮光层;
步骤20、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,该像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该像素;
步骤30、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。从而使开口/开孔&异形位置不会产生色差或者亮暗不均。
下面主要以液晶面板为例来说明本发明,像素以由RGB三个子像素组成的像素结构为例;未被初始遮光层遮挡的正常像素具体可以选取为面板显示区中心位置的像素,也可以是其他位置未被初始遮光层遮挡的像素;相同驱动条件可以是相同伽马电压或者相同灰阶。
参见图3,其为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例一的实施方式示意图。首先在面板的开口/开孔&异形位置沿着实际显示边缘设置初始遮光层3。当一个像素的RGB三个子像素中有至少一个完全被初始遮光层3覆盖时,此像素中RGB子像素完全不显示或者被增加的遮光层覆盖,这样可以减小开口/开孔&异形位置的锯齿感。具体可如图中虚线圈中的像素4,像素4包含完全被初始遮光层3遮挡的R子像素,在初始遮光层3基础上增加遮光层遮挡像素4中的GB子像素。
而一些像素中RGB三个子像素都没有被实际显示边缘的初始遮光层3完全遮挡,而是部分遮挡时,在开口较大的一个或者两个子像素中设置附加的遮光层,即黑色矩阵(BM),使得这些像素中RGB子像素的开口率比值等于显示区中心位置(非开口/开孔&非异形位置)RGB子像素的开口率比值,以使开口/开孔&异形位置不会产生一个像素中RGB子像素开口率比值被破坏所导致的色差或者亮暗不均。例如非开口/开孔&异形位置RGB子像素开口率比值为1:1.05:1.02,可以设置被实际显示边缘的初始遮光层3部分遮挡的开口/开孔&异形位置像素的RGB子像素开口率也为1:1.05:1.02,或者向此比值靠近。具体可如图中虚线圈中的像素5,像素5的RGB子像素都未被初始遮光层3完全遮挡,并且在开口较大的GB两子像素中设置附加的遮光层,也就是通过调整像素5全部子像素附加的遮光层来调整开口率;具体为选择R子像素不设置附加遮光层,对GB两子像素增加附加遮光层,也就是以开口率最小的R子像素为参照进行调节,保持R子像素开口率不变,减小GB两子像素的开口率;调整像素5全部子像素的开口率比值,即相当于调整了像素5全部子像素的亮度比值,开口率比值或亮度比值都可以用于与显示区中心位置像素的相应值进行比较。
根据本发明改善异形屏面板画质的设计方法,本发明还相应提供了应用本发明设计方法设计制作的改善异形屏面板画质的结构。参见图3,采用本发明设计方法实施例一设计制作的改善异形屏面板画质的结构主要包括:沿面板实际显示边缘设置的初始遮光层3、未被初始遮光层3遮挡的正常像素、被初始遮光层3完全遮挡的像素以及未被初始遮光层3完全遮挡的像素;该未被初始遮光层完全遮挡的像素包括第一像素和/或第二像素;该第一像素,例如像素4包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,并且该第一像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该第一像素;该第二像素,例如像素5所包含的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡。
在本发明改善异形屏面板画质的结构中,通过应用本发明的设计方法进行设计制作,可以使得第二像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值,能够减小或者消除开口/开孔&异形位置的锯齿感;消除开口/开孔&异形位置的色差。
参见图4A和4B,其为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例二的实施方式示意图。实施例二与实施例一的差异为:当一些像素中RGB三个子像素都没有被实际显示边缘的遮光层完全遮挡,而是部分遮挡时,不是通过额外设置的附加遮光层来使这些像素中RGB子像素的开口率比值等于显示区中心位置(非开口/开孔&非异形位置)RGB子像素的开口率比值,而是通过设置子像素的像素电极的形状/大小/面积等来使相同电压时或者相同灰阶时异形位置RGB子像素的亮度比值等于显示区中心的RGB子像素的亮度比值,以使开口/开孔&异形位置不会产生像素中RGB子像素开口率比值被破坏导致的色差或者亮暗不均。
图4A以边缘场开关(FFS)显示模式为例,异形屏面板在彩膜基板侧主要包括上基板11,遮光层12,RGB色阻13,以及平坦层14;在TFT阵列基板侧主要包括像素电极15,公共电极16,以及下基板17;RGB子像素结构主要包括上下对应设置的RGB色阻13及像素电极15;液晶分子设置于TFT阵列基板和彩膜基板之间。在异形屏面板的实际显示边缘位置,假设RGB子像素被初始遮光层遮挡面积依次减小,此时可以通过设置FFS的像素电极15使RGB子像素的亮度比值与显示中心RGB完整子像素的亮度比值相等或者相近,因此可以通过设置像素电极15的形状/大小/面积,使液晶效率按照RGB子像素依次减小,例如图4A中具体设置R子像素具有较大的2个狭缝(slit)像素电极15,G子像素具有较差的2个狭缝像素电极15,B子像素具有最差的1个狭缝像素电极15。
图4B以垂直配向(VA)或者扭曲向列(TN)显示模式为例,异形屏面板在彩膜基板侧主要包括上基板21,遮光层22,RGB色阻23,平坦层24,以及公共电极26;在TFT阵列基板侧主要包括像素电极25以及下基板27;RGB子像素结构主要包括上下对应设置的RGB色阻23及像素电极25;液晶分子设置于TFT阵列基板和彩膜基板之间。在异形屏面板的实际显示边缘位置,假设RGB子像素被初始遮光层遮挡面积依次减小,此时可以通过设置像素电极25的形状/大小/面积使RGB子像素的亮度比值与显示中心RGB完整子像素的亮度比值相等或者相近,例如图4B中设置RGB子像素的像素电极25的面积按照RGB子像素依次逐渐减小。
基于前述改善异形屏面板画质的设计方法实施例二,本发明可以相应提供应用设计方法实施例二设计制作的改善异形屏面板画质的结构。
参见图5A和5B,其为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例三的实施方式示意图。相比实施例一和二,针对为像素电极充电的TFT,实施例三通过TFT不同的半导体沟道区设计实现。通过设置像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度设置像素全部子像素的亮度比值。沟道区宽度是指TFT中载流子流过的长度,具有更小的沟道区宽度,载流子可以更快的通过沟道区,具有更高的充电效率,像素可以具有更高的亮度。沟道区长度是指TFT中载流子流过的截面积,更大的沟道区长度具有更高的充电效率,像素可以具有更高的亮度。更小的沟道区长度具有更低的充电效率,像素可以具有更低的亮度。
以图3中像素5为例,其RGB子像素被初始遮光层3遮挡,遮挡面积R子像素>G子像素>B子像素(都是非完全遮挡),因此按照实施例三可以设置半导体沟道区设计使充电效率R子像素>G子像素>B子像素,从而使异形位置RGB子像素的亮度比值等于显示区中心的RGB子像素的亮度比值,以使开口/开孔&异形位置不会产生像素中RGB子像素开口率被破坏导致的色差或者亮暗不均。图5A中(a)(b)(c)分别为一像素的RGB子像素的沟道区设计,图5B中(e)(f)(g)分别为又一像素的RGB子像素的沟道区设计。处于异形位置的这些RGB子像素可以具有沟道区宽度的差异设计,或者具有沟道区长度的差异设计,或者同时具有这两种差异设计。
基于前述改善异形屏面板画质的设计方法实施例三,本发明可以相应提供应用设计方法实施例三设计制作的改善异形屏面板画质的结构。
参见图6,其为本发明改善异形屏面板画质的设计方法实施例四的实施方式示意图。相比于图3实施例一的差异为:在开口/开孔&异形位置,被沿着实际显示边缘设置的初始遮光层6部分遮挡的RGB子像素并非一定或者总是等比例遮挡,例如虚线圈中像素7与虚线圈中像素8被初始遮光层6部分遮挡,像素7与像素8之间,R子像素与R子像素被遮挡的面积不同,和/或者G子像素与G子像素被遮挡的面积不同,和/或者B子像素与B子像素被遮挡的面积不同,此时像素7和像素8的RGB子像素应用实施例一/二/三中某一个设计方法时,比较像素7和像素8的RGB子像素内额外附加的遮光层/像素电极差异设计/沟道区设置,在R子像素与R子像素之间/在G子像素与G子像素之间/在B子像素与B子像素之间可以不同。
基于前述改善异形屏面板画质的设计方法实施例四,本发明可以相应提供应用设计方法实施例四设计制作的改善异形屏面板画质的结构。
需要注意的是,在异形屏面板的开口/开孔&异形位置采用本发明的设计方法,并不限于上述某一实施例的方案,可以为两个或者多个实施例方案的组合。相应的,本发明的改善异形屏面板画质的结构,并不限于采用上述某一实施例的方案进行设计制作,可以采用两个或者多个实施例方案的组合进行设计制作。
需要注意的是,本发明上述实施例以LCD面板为例进行说明,但本发明思想方法并不限于LCD面板,也可以为但并不限于OLED等类型的面板采用本发明的设计方法。例如在OLED面板中,类似于实施例一,可以通过设置RGB子像素中像素限定层面积或者附加的像素限定层不同来设置像素全部子像素的开口率比值,即亮度比值;类似于实施例二,可以通过设置像素全部子像素的阳极电极面积不同或阴极电极面积不同来设置像素全部子像素的亮度比值;类似于实施例三,可以通过对像素全部子像素所对应的驱动TFT的半导体沟道区差异设置来设置像素全部子像素的亮度比值。本领域技术人员可以理解,前述实施例不仅举例说明了本发明改善异形屏面板画质的设计方法,通过在异形屏面板的设计制作过程中应用本发明的设计方法进行设计或制作,可以实现本发明改善异形屏面板画质的结构。
综上,本发明改善异形屏面板画质的设计方法及结构能够减小或者消除开口/开孔&异形位置的锯齿感;消除开口/开孔&异形位置的色差。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,包括:
步骤10、沿面板实际显示边缘设置初始遮光层;
步骤20、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,该像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该像素;
步骤30、对于未被初始遮光层完全遮挡的像素,如果该像素的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
2.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行。
3.如权利要求2所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素附加的遮光层进行;或者
对于OLED面板,设置该像素全部子像素的开口率比值通过设置该像素全部子像素的像素限定层面积或者附加的像素限定层进行。
4.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;或者
对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行。
5.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行;或者
对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
6.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于液晶面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
7.如权利要求1所述的改善异形屏面板画质的设计方法,其特征在于,对于OLED面板,步骤30中,设置该像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行;和/或
通过设置该像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
8.一种改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,包括:沿面板实际显示边缘设置的初始遮光层、未被初始遮光层遮挡的正常像素、被初始遮光层完全遮挡的像素以及未被初始遮光层完全遮挡的像素;该未被初始遮光层完全遮挡的像素包括第一像素和/或第二像素;该第一像素包含至少一个完全被初始遮光层遮挡的子像素,并且该第一像素设置为完全不显示或者增加遮光层完全遮挡该第一像素;该第二像素所包含的全部子像素都未被初始遮光层完全遮挡,该第二像素设置为全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光层遮挡的正常像素的全部子像素在相同驱动条件下的亮度比值。
9.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行。
10.如权利要求9所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的开口率比值通过设置该第二像素全部子像素附加的遮光层进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的开口率比值通过设置该第二像素全部子像素的像素限定层面积或者附加的像素限定层进行。
11.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行。
12.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行;或者
对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值通过设置该第二像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
13.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,对于液晶面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素的像素电极的形状/大小/面积进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素所对应的为像素电极充电的TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
14.如权利要求8所述的改善异形屏面板画质的结构,其特征在于,对于OLED面板,设置该第二像素全部子像素的亮度比值包括:
通过设置该第二像素全部子像素的开口率比值进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素的阳极电极或阴极电极面积进行;和/或
通过设置该第二像素全部子像素所对应的驱动TFT的沟道区宽度和/或沟道区长度进行。
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