CN108728791B - 一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。

Description

一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备
技术领域
本发明涉及等离子体处理技术领域，具体地，涉及一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。
背景技术
物理气相沉积(PVD)技术或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。物理气相沉积技术可应用于很多工艺领域，如铜互连线技术、封装领域中的硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术等等。
随着半导体技术不断发展，集成电路的尺寸越来越小，Low-k材料(即绝缘材料)出现在互联工艺中。为了获得更佳的刻蚀形貌并在一定程度上起到保护Low-k材料的作用，目前通常将TiN薄膜沉积于Low-k材料之上，作为刻蚀Low-k材料(即在绝缘材料层上形成金属连线及过孔的图形)的金属硬掩膜，这已成为32nm节点以下的铜互连工艺中不可缺少的一个工艺流程。
TiN薄膜在Low-k材料上的沉积过程为：使进入沉积腔室内的氮气离化成氮离子，氮离子在靶材表面与Ti反应形成TiN，进入沉积腔室内的氩气离化后的氩离子受靶材负电压吸引轰击靶材，撞击出靶材表面的TiN，并在基片上沉积形成TiN薄膜。对于TiN薄膜来说，有两个重要的性质需要考虑，一个是薄膜的沉积厚度均匀性，厚度均匀性与刻蚀后的线宽均匀性有很大的关系，目前32nm以下工艺对厚度均匀性要求是小于2％；另一个是薄膜应力，TiN薄膜一般具有较大的压应力，应力高会造成刻蚀后的线条扭曲，所以工艺上必须考虑降低应力到小于500MPa，以保证刻蚀后线条不会变形。而TiN薄膜的应力主要依靠薄膜的靠近基片的占整个膜厚的25％-33％的底层部分来保证，厚度均匀性则主要依靠薄膜的远离基片的厚度较厚的顶层部分来保证。
目前，TiN薄膜沉积时沉积腔室内工艺气体的通入通常采用下进气结构或上进气结构。如图1和图2所示为典型的采用下进气结构的沉积腔室的结构。工艺气体主要是从进气口7进来，通过压环3与屏蔽盖9之间形成的迷宫进入工艺区域2内。下进气结构的沉积腔室在沉积工艺过程中遵循图3中的迟滞曲线，即工艺区域2内的工艺压力随着通过下进气结构进入到工艺区域2内的反应气体(如氮气)的流量的变化趋势遵循图3中的迟滞曲线。其中，图3的迟滞曲线中横坐标是氮气的流量，纵坐标是工艺区域2内的工艺压力。迟滞曲线上A点以前的部分为工艺过程中的金属模式(metallic mode)阶段，该阶段靶材与反应气体作用不充分，成膜中金属成分含量较高；该阶段主要用于沉积形成TiN薄膜的底层部分；B点以后的部分为工艺过程中的中毒模式(poison mode)阶段，该阶段靶材与反应气体充分作用，成膜中金属与反应气体元素按一定比例分布，该阶段主要用于沉积形成TiN薄膜的顶层部分。
如图4所示为典型的采用上进气结构的沉积腔室的结构。工艺气体主要是从适配件10引入，经过匀流腔11匀流后通过第一屏蔽板12和第二屏蔽板13之间形成的迷宫进入工艺区域2内。上进气结构的沉积腔室在沉积工艺过程中遵循图5中的迟滞曲线，即工艺区域2内的工艺压力随着通过上进气结构进入到工艺区域2内的反应气体(如氮气)的流量的变化趋势遵循图5中的迟滞曲线。其中，图5的迟滞曲线中横坐标是氮气的流量，纵坐标是工艺区域2内的工艺压力。迟滞曲线上A’点以前的部分为工艺过程中的金属模式(metallic mode)阶段，该阶段靶材与反应气体作用不充分，成膜中金属成分含量较高；该阶段主要用于沉积形成TiN薄膜的底层部分；B’点以后的部分为工艺过程中的中毒模式(poison mode)阶段，该阶段靶材与反应气体充分作用，成膜中金属与反应气体元素按一定比例分布，该阶段主要用于沉积形成TiN薄膜的顶层部分。
从图3和图5中迟滞曲线的对比中可见，在沉积形成TiN薄膜的底层部分时，在工艺区域2内获得的工艺压力一定的情况下，采用上进气结构的沉积工艺中所需要的氮气流量值较低；且成膜结果显示，采用上进气结构的沉积工艺能在较低的氮气流量下就能获得应力比采用下进气结构低的TiN薄膜的底层部分。在沉积形成TiN薄膜的顶层部分时，在工艺区域2内获得的工艺压力一定的情况下，采用下进气结构的沉积工艺中所需要的氮气流量值较低；且成膜结果显示，采用下进气结构的沉积工艺能在较低的氮气流量下获得膜层厚度均匀性比采用上进气结构好的TiN薄膜的顶层部分。因此，在实际沉积工艺过程中，采用上进气结构的沉积工艺沉积形成的TiN薄膜的底层部分的应力更加满足对TiN薄膜的应力要求，采用下进气结构的沉积工艺沉积形成的TiN薄膜的顶层部分的厚度均匀性更加满足对TiN薄膜的厚度均匀性要求。
但实际工艺过程中，受硬件限制，TiN薄膜沉积工艺只能采用单一的下进气结构或上进气结构沉积整个膜层，这就导致采用下进气结构的沉积工艺中形成的TiN薄膜无法很好地满足对其应力的要求，采用上进气结构的沉积工艺中形成的TiN薄膜无法很好地满足对其厚度均匀性的要求。
如何在工艺过程中使沉积形成的TiN薄膜同时满足应力和厚度均匀性的要求已成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构能在膜层沉积的工艺过程中通过位置移动在压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构之间形成不同路径的进气通道，不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量，从而能够在整个工艺过程中的不同工艺阶段，通过形成不同路径的进气通道实现对不同工艺阶段进入工艺区域的反应气体流量的调节，进而使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，提升膜层成膜质量。
本发明提供一种进气机构，环绕设置在腔室内的基台周围，所述基台周围沿所述基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，所述基台、所述压环、所述上屏蔽结构和所述下屏蔽结构在所述腔室内围成工艺区域，所述进气机构包括环绕设置在所述下屏蔽结构***的气源通道，用于向所述工艺区域内提供反应气体，所述进气机构还包括调节结构，所述调节结构位于所述上屏蔽结构和所述下屏蔽结构之间，且能沿所述基台的轴向上下移动，以分别在所述工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。
优选地，所述调节结构环绕所述基台边缘***设置，所述调节结构沿所述基台的径向自内侧的第一端延伸至外侧的第二端；
所述压环的背向所述工艺区域的一侧开设有槽，所述调节结构的第一端面向所述槽的开口，并嵌入至所述槽中；
所述上屏蔽结构的末端与所述调节结构的第二端相对且位于所述第二端的上方，所述下屏蔽结构延伸至所述第二端的下方。
优选地，所述调节结构的垂直于所述基台承载面的切面形状呈L形。
优选地，当所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触时，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述下屏蔽结构之间形成的下进气通道，以及在所述调节结构与所述压环之间形成的迷宫式进气通道进入所述工艺区域内。
优选地，当所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触时，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述上屏蔽结构之间形成的上进气通道进入所述工艺区域内。
优选地，所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触时，所述调节结构的所述第一端与所述槽之间形成所述迷宫式进气通道。
优选地，所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触时，所述调节结构的所述第二端与所述上屏蔽结构的末端之间形成所述上进气通道。
优选地，还包括动力机构，所述动力机构连接所述调节结构，用于驱动所述调节结构上下移动。
本发明还提供一种上述进气机构的进气方法，所述进气方法用于沉积金属氮化物膜，所述金属氮化物膜包括底层膜和顶层膜；所述反应气体包括氮气。
优选地，在沉积形成所述底层膜时，所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述上屏蔽结构之间形成的上进气通道进入所述工艺区域内。
优选地，在沉积形成所述顶层膜时，所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述下屏蔽结构之间形成的下进气通道，以及在所述调节结构与所述压环之间形成的迷宫式进气通道进入所述工艺区域内。
本发明还提供一种半导体处理设备，包括上述进气机构。
本发明的有益效果：本发明所提供的进气机构，通过设置调节结构，能在膜层沉积的工艺过程中通过位置移动在压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构之间形成不同路径的进气通道，不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域内的反应气体的流量，从而能够在整个工艺过程中的不同工艺阶段通过形成不同路径的进气通道(即开启不同路径的进气通道)实现对不同工艺阶段进入工艺区域的反应气体流量的调节，进而使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，提升膜层成膜质量。
本发明所提供的半导体处理设备，通过采用上述进气机构，能使该半导体处理设备在不同工艺阶段沉积形成的膜层均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，从而提升了膜层成膜质量。
附图说明
图1为现有技术中采用下进气结构的沉积腔室的结构示意图；
图2为图1中下进气结构的结构剖视图；
图3为采用下进气结构的沉积腔室在TiN薄膜沉积工艺过程中的迟滞曲线；
图4为上进气结构在沉积腔室中的结构剖视图；
图5为采用上进气结构的沉积腔室在TiN薄膜沉积工艺过程中的迟滞曲线；
图6为本发明实施例1中的进气机构在形成上进气通道时的结构剖视图；
图7为本发明实施例1中的进气机构在形成下进气通道和迷宫式进气通道时的结构剖视图；
图8为图6和图7的进气机构中调节结构的结构俯视图；
图9为图8中的调节结构沿AA剖切线的结构剖视图；
图10为采用实施例1中的进气机构的沉积腔室在金属氮化物膜沉积工艺过程中的迟滞曲线。
其中的附图标记说明：
1.基台；2.工艺区域；3.压环；31.槽；4.气源通道；411.下屏蔽结构；412.上屏蔽结构；5.调节结构；51.上进气通道；52.下进气通道；6.工艺区域以外的腔室空间；53.第一端；54.第二端；55.迷宫式进气通道；7.进气口；9.屏蔽盖；10.适配件；11.匀流腔；12.第一屏蔽板；13.第二屏蔽板。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种进气机构，如图6和图7所示，环绕设置在腔室内的基台1周围，基台1周围沿基台1径向由内向外依次环绕设置有压环3、上屏蔽结构412和下屏蔽结构411，基台1、压环3、上屏蔽结构412和下屏蔽结构411在腔室内围成工艺区域2，进气机构包括环绕设置在下屏蔽结构411***的气源通道4，用于向工艺区域2内提供反应气体，进气机构还包括调节结构5，调节结构5位于上屏蔽结构412和下屏蔽结构411之间，且能沿基台1的轴向上下移动，以分别在工艺区域2内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。
该进气机构通过设置调节结构5，能在膜层沉积的工艺过程中通过位置移动在压环3、上屏蔽结构412和下屏蔽结构411之间形成不同路径的进气通道，不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域2内的反应气体的流量，从而能够在整个工艺过程中的不同工艺阶段通过形成不同路径的进气通道(即开启不同路径的进气通道)实现对不同工艺阶段进入工艺区域2的反应气体流量的控制，进而使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，提升膜层成膜质量。
本实施例中，如图6-9所示，调节结构5环绕基台1边缘***设置，调节结构5沿基台1的径向自内侧的第一端53延伸至外侧的第二端54；压环3的背向工艺区域2的一侧开设有槽31，调节结构5的第一端53面向槽31的开口，并嵌入至槽31中。上屏蔽结构412的末端与调节结构5的第二端54相对且位于第二端54的上方，下屏蔽结构411延伸至第二端54的下方。
本实施例中，调节结构5的垂直于基台1承载面的切面形状呈L形。切面形状呈L形的调节结构5的凸起的一端为第一端53。
需要说明的是，调节结构5的形状并不局限于切面呈L形的这种结构形状，其他的能够实现调节结构5功能的形状均可选用。
本实施例中，当调节结构5上升至高位并与上屏蔽结构412相接触时，气源通道4提供的反应气体依次经过在上屏蔽结构412与下屏蔽结构411之间形成的进气通道，在调节结构5和下屏蔽结构411之间形成的下进气通道52，以及在调节结构5与压环3之间形成的迷宫式进气通道55进入工艺区域2内。
其中，调节结构5上升至高位并与上屏蔽结构412相接触时，调节结构5的第一端53与槽31之间形成迷宫式进气通道55。如图7所示，调节结构5能向靠近工艺区域2的方向移动，以形成下进气通道52和迷宫式进气通道55；因为反应气体在经过下进气通道52和迷宫式进气通道55时，会有一部分进入工艺区域2以外的腔室空间6内，并被与腔室空间6连通设置的抽气装置(如冷泵，未示出)抽出，从而进入工艺区域2的反应气体流量与人工设定的气源通道4的流量值相比，会有相应减少，以满足相应工艺阶段的成膜工艺要求。
另外，当调节结构5下降至低位并与下屏蔽结构411相接触时，气源通道4提供的反应气体依次经过在上屏蔽结构412与下屏蔽结构411之间形成的进气通道，在调节结构5和上屏蔽结构412之间形成的上进气通道51进入工艺区域2内。
其中，调节结构5下降至低位并与下屏蔽结构411相接触时，调节结构5的第二端54与上屏蔽结构412的末端之间形成上进气通道51。如图6所示，调节结构5能向远离工艺区域2的方向移动，以形成上进气通道51；因为反应气体经过上进气通道51可以直接进入工艺区域2，不会被与工艺区域2以外的腔室空间6连通设置的抽气装置(如冷泵，未示出)抽出，从而进入工艺区域2的反应气体流量不会减少，应与人工设定的气源通道4的流量值相等，以满足相应工艺阶段的成膜工艺要求。
该进气机构能在不同工艺阶段分别形成下进气通道52和迷宫式进气通道55以及上进气通道51，通过两种不同路径的进气通道能分别满足不同成膜要求。即分别在成膜工艺过程的不同工艺阶段，根据其对成膜工艺过程中的不同反应气体流量要求分别采用下进气通道52和迷宫式进气通道55或者上进气通道51向工艺区域2内通入不同流量的反应气体，最终实现不同成膜要求。
本实施例中，进气机构还包括动力机构(图中未示出)，动力机构连接调节结构5，用于驱动调节结构5上下移动。其中，动力机构可以为电机，电机的动力输出端连接调节结构5，使调节结构5能在电机的带动下上下移动。
本实施例中，调节结构5表面经过熔射处理。经熔射处理后的调节结构5表面不会产生颗粒，从而防止调节结构5在移动过程中对工艺区域2内的工艺环境造成污染。
基于进气机构的上述结构，本实施例还提供一种该进气机构的进气方法，该进气方法用于沉积金属氮化物膜，金属氮化物膜包括底层膜和顶层膜；反应气体包括氮气。
本实施例中，在沉积形成底层膜时，调节结构5下降至低位并与下屏蔽结构411相接触，气源通道4提供的反应气体依次经过在上屏蔽结构412与下屏蔽结构411之间形成的进气通道，在调节结构5和上屏蔽结构412之间形成的上进气通道51进入工艺区域2内。
在沉积形成顶层膜时，调节结构5上升至高位并与上屏蔽结构412相接触，气源通道4提供的反应气体依次经过在上屏蔽结构412与下屏蔽结构411之间形成的进气通道，在调节结构5和下屏蔽结构411之间形成的下进气通道52，以及在调节结构5与压环3之间形成的迷宫式进气通道55进入工艺区域2内。
本实施例中，上进气通道51用于在沉积底层膜时形成，并将进入工艺区域2的氮气流量控制在0-20sccm范围内；下进气通道52用于在沉积顶层膜时形成，并将进入工艺区域2的氮气流量控制在100-200sccm范围内。
由于在金属氮化物膜的成膜工艺中，工艺上要求底层膜的应力控制在-400～400MPa范围内，顶层膜的厚度均匀性要求控制在＜2％。如图10所示为采用本实施例中的进气机构的迟滞曲线(即工艺区域2内工艺压力随着反应气体(如氮气)流量的变化而变化的曲线图)，形成底层膜时，为了实现对其应力的控制，需要将成膜过程控制在金属模式(metallic mode)阶段(即图10中迟滞曲线A”点以前的部分)，该阶段靶材与反应气体作用不充分，成膜中金属成分含量较高。
通过在成膜工艺的金属模式阶段采用上进气通道51，反应气体可以直接进入工艺区域2，不会被与工艺区域2以外的腔室空间6连通设置的抽气装置(如冷泵，未示出)抽出，从而进入工艺区域2的反应气体流量不会减少，应与人工设定的气源通道4的流量值相等，所以此时可以将氮气流量人工设定为较小的值，例如0-20sccm，从而使工艺区域2内的工艺压力能控制在0-2mT范围内，进而能够制备形成满足较低应力要求(即应力在-400～400MPa范围内)的底层膜。因为此时反应气体流量较小，从而不会出现现有技术中单一上进气结构导致的随反应气体流量增大工艺过程进入中毒模式的问题。
形成顶层膜时，为了实现对其厚度均匀性的控制，需要将成膜过程控制在中毒模式(poison mode)阶段(即图10中迟滞曲线B”点以后的部分)，该阶段靶材与反应气体充分作用，成膜中金属与反应气体元素按一定比例分布。
通过在成膜工艺的中毒模式阶段采用下进气通道52和迷宫式进气通道55，会有一部分反应气体进入工艺区域2以外的腔室空间6内，并被与腔室空间6连通设置的抽气装置(如冷泵，未示出)抽出，从而进入工艺区域2的反应气体流量与人工设定的气源通道4的流量值相比，会有相应减少，所以此时可以将氮气流量人工设定为较大的值，例如100-200sccm，从而使工艺区域2内的工艺压力能控制在5-10mT范围内，进而能够制备形成满足厚度均匀性要求(即厚度均匀性＜2％)的顶层膜。因为此时反应气体流量较大，从而不会出现现有技术中单一下进气结构导致的随反应气体流量减小工艺过程进入金属模式的问题。
相比于现有技术中采用单一的上进气结构或下进气结构沉积整个膜层的情况，本实施例中通过使进气机构在金属模式阶段和中毒模式阶段分别形成上进气通道51及下进气通道52和迷宫式进气通道55，能够调节在不同工艺阶段进入工艺区域2的氮气流量，从而控制不同工艺阶段工艺区域2内的工艺压力，进而实现了底层膜和顶层膜能够分别满足各自的成膜工艺要求，最终提升了整个沉积膜层的质量。
该进气方法通过使进气机构在沉积形成底层膜和顶层膜时分别形成上进气通道51或者下进气通道52和迷宫式进气通道55，能够分别调节在形成底层膜和顶层膜时进入工艺区域的氮气流量，从而分别控制在形成底层膜和顶层膜时工艺区域内的工艺压力，进而实现了底层膜和顶层膜分别满足各自的成膜工艺要求，最终提升了整个沉积膜层的质量。
实施例1的有益效果：实施例1中所提供的进气机构，通过设置调节结构，能在膜层沉积的工艺过程中通过位置移动在压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构之间形成不同路径的进气通道，不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域内的反应气体的流量，从而能够在整个工艺过程中的不同工艺阶段通过形成不同路径的进气通道(即开启不同路径的进气通道)实现对不同工艺阶段进入工艺区域的反应气体流量的调节，进而使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，提升膜层成膜质量。
实施例2：
本实施例提供一种半导体处理设备，包括实施例1中的进气机构。
通过采用实施例1中的进气机构，能使该半导体处理设备在不同工艺阶段沉积形成的膜层均能满足相应阶段的成膜工艺要求，最终使整个工艺过程结束后形成的膜层整体满足工艺要求，从而提升了膜层成膜质量。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种进气机构，环绕设置在腔室内的基台周围，所述基台周围沿所述基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，所述基台、所述压环、所述上屏蔽结构和所述下屏蔽结构在所述腔室内围成工艺区域，所述进气机构包括环绕设置在所述下屏蔽结构***的气源通道，用于向所述工艺区域内提供反应气体，其特征在于，所述进气机构还包括调节结构，所述调节结构位于所述上屏蔽结构和所述下屏蔽结构之间，且能沿所述基台的轴向上下移动，以分别在所述工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。
2.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述调节结构环绕所述基台边缘***设置，所述调节结构沿所述基台的径向自内侧的第一端延伸至外侧的第二端；
所述压环的背向所述工艺区域的一侧开设有槽，所述调节结构的第一端面向所述槽的开口，并嵌入至所述槽中；
所述上屏蔽结构的末端与所述调节结构的第二端相对且位于所述第二端的上方，所述下屏蔽结构延伸至所述第二端的下方。
3.根据权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述调节结构的垂直于所述基台承载面的切面形状呈L形。
4.根据权利要求2或3中任一所述的进气机构，其特征在于，当所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触时，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述下屏蔽结构之间形成的下进气通道，以及在所述调节结构与所述压环之间形成的迷宫式进气通道进入所述工艺区域内。
5.根据权利要求2或3中任一所述的进气机构，其特征在于，当所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触时，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述上屏蔽结构之间形成的上进气通道进入所述工艺区域内。
6.根据权利要求4所述的进气机构，其特征在于，所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触时，所述调节结构的所述第一端与所述槽之间形成所述迷宫式进气通道。
7.根据权利要求5所述的进气机构，其特征在于，所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触时，所述调节结构的所述第二端与所述上屏蔽结构的末端之间形成所述上进气通道。
8.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，还包括动力机构，所述动力机构连接所述调节结构，用于驱动所述调节结构上下移动。
9.一种如权利要求1-8任意一项所述的进气机构的进气方法，其特征在于，所述进气方法用于沉积金属氮化物膜，所述金属氮化物膜包括底层膜和顶层膜；所述反应气体包括氮气。
10.根据权利要求9所述的进气方法，其特征在于，在沉积形成所述底层膜时，所述调节结构下降至低位并与所述下屏蔽结构相接触，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述上屏蔽结构之间形成的上进气通道进入所述工艺区域内。
11.根据权利要求9所述的进气方法，其特征在于，在沉积形成所述顶层膜时，所述调节结构上升至高位并与所述上屏蔽结构相接触，所述气源通道提供的所述反应气体依次经过在所述上屏蔽结构与所述下屏蔽结构之间形成的进气通道，在所述调节结构和所述下屏蔽结构之间形成的下进气通道，以及在所述调节结构与所述压环之间形成的迷宫式进气通道进入所述工艺区域内。
12.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的进气机构。
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