CN108712813B - 一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。

Description

一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器

技术领域

本发明一般涉及射频匹配网络领域，尤其涉及在等离子处理器中使用的射频匹配网络。

背景技术

在本领域中已知利用双射频频率或多射频频率的等离子室。通常，双频等离子处理器接收频率低于约15MHz的射频偏压功率，以及频率较高的射频源功率（通常为27-200MHz）。在本申请上下文中，射频偏压是指用于控制离子能量和离子能量分布的射频功率。另一方面，射频源功率是指用于控制等离子体离子解离或等离子体密度的射频功率。例如，在电感耦合等离子处理器中，射频源功率被施加到天线并用于点燃和维持等离子体，而射频偏压功率被施加到吸盘以控制离子轰击基板的能量。对于一些具体的例子，已知的是在例如频率为100KHz、2MHz、2.2MHz或13.56MHz的射频偏压和频率为13.56MHz、27MHz、60MHz、100MHz和更高频率的射频偏压下操作等离子体蚀刻室。

通常，等离子处理器构造成具有用于射频偏压和源功率的一组频率组合。然而，不同的频率导致不同的等离子体特性，比如离子能量的分布，因此在等离子处理器中具有在两种不同频率之间切换的能力是有益的，以满足不同材料的处理需要。为了有效地施加偏压功率，必须使用专门针对偏压射频电源的工作频率设计的射频匹配网络。因此，在本领域中需要可选择地以两种不同频率运行的、可有效切换的射频匹配网络。

因此，本发明所要解决的问题是能够切换射频偏压频率并提供能够将任一偏压频率有效地耦合至等离子体的射频匹配网络。

发明内容

本发明公开的以下概述是为了提供对本发明一些方面和特征的基本理解。该概述不是本发明的广泛综述，因此其无意于具体示出本发明的重要或关键要素或描绘本发明的范围。其唯一目的是以简化形式给出本发明的一些概念，以作为下面给出的更详细描述的前序部分。

所公开的实施例提供了一种射频匹配网络，其可以将两个不同偏压频率中的任一个有效地耦合至等离子体。

在一些公开的实施例中，所述射频匹配网络由两个L型匹配电路制成，每个L型匹配电路由两个臂组成，所述两个臂一个串联，一个并联。并联臂由两个L型匹配电路共用，但是它可切换地连接至L型匹配电路之一的输入或者连接至其他L型匹配电路的输出。在所公开的实施例中，共用的并联支路由可变电容器制成。此外，并联臂连接至L型匹配电路，所述L型匹配电路设计用于在比并联臂连接至输出的L型匹配电路更高的频率下工作。在一些特定实施例中，并联臂连接至设计用于在13MHz下工作的L型匹配电路，而并联臂连接至设计用于在400KHz下工作的L型匹配电路的输出。

在一般的方面，提供了一种可切换匹配网络，其包括：第一匹配电路，其具有耦合至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；选择开关，其具有基极、第一触点和第二触点，所述第一触点连接至所述第一输入端口，所述第二触点连接至所述第二输出端口；和可变电容器，其连接在地面和所述选择开关的基极之间。

在一个实施例中，提供一种可切换地将两个射频偏压功率中的一个耦合至基座的可切换匹配网络，所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一射频偏压电源的第一输入端口和耦合至负载端口的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二射频偏压功率的第二输入端口和耦合至所述负载端口的第二输出端口；一侧接地的可变电容器；开关装置，其选择性地将所述可变电容器连接至所述第一输入端口或所述第二输出端口。

所公开的实施例包括具有可切换偏压的感应等离子处理器，其包括：真空室；源射频电源；第一射频偏压电源；第二射频偏压电源；耦合至所述源电源的感应天线；基座，其位于所述真空室内，并经由可切换匹配网络可切换地耦合至所述第一射频偏压电源和第二射频偏压电源；所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至所述第一偏压电源的第一输入端口和耦合至所述基座的第一输出端口；第二匹配电路，具有连接至所述第二偏压电源的第二输入端口和耦合至所述第一输出端口的第二输出端口；一侧接地的可变电容器；和开关装置，其将所述可变电容器选择性地连接至所述第一输入端口或所述第二输出端口。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明专门针对工作频率设计了一种射频匹配网络，提供两种不同频率操作的、可有效切换的射频匹配网络，可有效地施加偏压功率，能够切换偏压频率并提供能够将任一偏压频率有效地耦合至等离子体的射频匹配网络。

附图说明

通过参考以下附图进行的具体实施方式，本发明的其他方面和特征将变得明显。应当理解，具体实施方式和附图提供了由所附权利要求限定的本发明各种实施例的各种非限制性示例。

包含在本说明书中并构成本说明书一部分的附图举例说明了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释和说明本发明的原理。附图意在以图示方式说明示例性实施例的主要特征。附图并不意在描绘实际实施例的每个特征，也不意在描绘所描绘元件的相对尺寸，并且未按比例绘制。

图1示出了根据本发明一个实施例的可切换匹配网络。

图2示出了根据另一实施例的另一匹配网络。

图3示出了根据本发明一个实施例的耦合至等离子处理器的可切换匹配网络***。

具体实施方式

现在将参考附图描述本发明的可切换匹配网络的实施例。不同的实施例或其组合可以用于不同的应用或实现不同的益处。取决于所需获得的结果，可以以单独使用或与其他特征组合的方式部分地或最全面地使用本文公开的不同特征，从而在优势与要求和约束之间进行取舍。因此，将参考不同的实施例突出某些益处，但不限于所公开的实施例。也就是说，本文公开的特征不限于描述它们的实施例，而是可以与其他特征进行“混合和匹配”并结合在其他实施例中。

所公开的实施例包括具有两个射频匹配电路的匹配网络，其中可变电容器经由切换装置连接至射频匹配电路中的任一个。如在下面的实施例中所示的，匹配网络的一个特征在于切换装置将可变电容器耦合至一个射频匹配电路的输入端，但耦合至另一射频匹配电路的输出端。在这个意义上，匹配网络使用两个不对称的射频匹配电路。已经发现，这种匹配网络对于将偏压功率耦合至电感耦合等离子处理器的基座特别有效。

图1示出了根据所公开实施例的可切换匹配网络，其利用两个L型匹配电路。关于将两个可用射频偏压功率中的一个施加到等离子处理器的基座或阴极来描述实施例。第一射频偏压电源110以第一频率f1输出射频功率。第二射频偏压电源115以第二频率f2输出射频功率，第二频率f2低于第一频率f1。例如，第一频率f1可以是大于2MHz，或者大于10MHz，或者大于13MHz，如13.56MHz，甚至可以达到60MHz。而第二频率f2可以选自100KHz到2MHz，例如400KHz。以这种方式，可以通过单独的机构点燃和维持等离子体，所述单独的机构例如为使用感应天线将源功率通过电感耦合的方式施加到等离子处理器中。然后通过选择第一频率f1或第二频率f2作为偏压功率来控制离子轰击。本发明中的第一射频偏压频率和第二射频偏压频率相差巨大，至少为2MHz ：100K =20倍，典型的为13.56M:400K=33倍，两个射频偏压电源的频率差距巨大，如两个频率相差超过20倍，可以通过选择不同射频偏压电源的输出功率实现对等离子工艺步骤中等离子能量的不同控制，同时也导致第一、第二射频偏压电源输入到等离子真空室中的基座（阴极）时真空室内产生相差极大的负载阻抗值，其中400K射频偏压电源在真空室中产生的负载阻抗约几百欧姆，13.56MHz射频偏压电源在真空室中产生约几欧姆的负载阻抗。采用现有技术中的匹配网络无法实现用一个共用可变电容，分别匹配本发明所用的两种频率差别极大的两个射频偏压电源。

图1示出了根据本发明一个实施例的可切换匹配网络，L型匹配电路通常具有串联支路和并联支路。图1所示的匹配网络具有包括串联支路120的第一匹配电路和包括串联支路125的第二匹配电路。在该示例中，串联支路120和125分别包括串联连接的电感器和电容器。两个匹配电路的并联支路由共同的可变电容器135组成，所述可变电容器135可切换地连接至串联支路120或串联支路125中的任一个。然而，并联支路的应用是非对称的，即当可变电容器135连接至串联支路120时，其连接至该支路的输入侧；相反，当可变电容器135连接至串联支路125时，其连接至该支路的输出侧。由此可知，这种不对称连接改善了射频偏压功率与等离子处理器的耦合。

在图1的示例中，可变电容器135连接在地面和选择开关130的基极132之间。本发明所述的开关装置包括选择开关130，选择开关包括第一连接点，第二连接点及第三连接点。其中基极132相当于第三连接点，第一触点a相当于第一连接点，第二触点b相当于第二连接点。选择开关130可以在两个分接头之间切换。当选择开关130切换到连接至串联支路120的输入侧的第一分接头a时，耦合开关145被置于断开状态。在这种情况下，仅接合第一匹配电路，使得将来自第一射频偏压电源110的偏压功率施加到阴极190。相反，如果选择开关130切换到第二分接头b，并且耦合开关145切换到闭合状态，则接合第二匹配电路并且将来自第二射频偏压电源115的偏压功率施加到阴极190。第一匹配电路连接在第一信号源和基座之间，用于将第一射频信号施加到阴极上，第二匹配电路连接在第二信号源和基座之间，用于将第二射频信号施加到阴极上，第一射频偏压电源110相当于第一信号源，第二射频偏压电源115相当于第二信号源。在这种情况下，可选地，可以增加耦合开关140并将其切换到断开位置，如图1虚线所示。

因此，图1的匹配网络将可变电容器135用于第一和第二匹配电路两者。当选择开关130处于其第一分接头a时，可变电容器135与串联支路120形成L型匹配电路，其中可变电容器135连接在匹配电路的输入侧。当选择开关130处于其第二分接头b时，可变电容器135与串联支路125形成L型匹配电路，其中可变电容器135连接在匹配电路的输出侧。

由于第一射频偏压电源110施加到阴极190时串联支路120的输入端阻抗高于输出端阻抗，因此只有当可变电容器135连接到串联之路120的输入端时才能实现对阻抗匹配的有效调节。当频率小于2MHz的第二射频偏压电源115施加到阴极190时，阴极处的负载阻抗约几百欧姆，大于串联支路125输入端的阻抗，因此为了实现对射频匹配电路的有效调节，可变电容器135要与串联支路125的输出端相连。本发明的射频匹配网络利用一个共用可变电容器135可选择地与串联支路120和串联支路125相连，能够满足对频率相差超过20倍的射频偏压电源的分别匹配，可以实现在一个等离子处理器内根据不同处理工艺的要求对不同频率的射频偏压电源进行选择适用。

本发明通过将不同频率的射频偏压电源通过开关装置连接到串联支路120、串联支路125的不同端就能够使得一个共用可变电容器135，有效匹配两个频率相差极大的射频功率，使得两个射频偏压功率均能有效供应到真空室内的下电极。

图1的实施例提供可切换的匹配网络，其包括：串联支路120及可变电容器135，其具有连接至第一射频偏压电源110的第一输入端口150和耦合至基座中阴极190即等离子真空室负载的第一输出端口160；串联支路125及可变电容器135，其具有连接至第二射频偏压电源115的第二输入端口155和耦合至基座中阴极190即等离子真空室负载的第二输出端口165；一个选择开关130，其具有基极132、第一触点（分接头a）和第二触点（分接头b），第一触点a连接至第一输入端口150且第二触点b连接至第二输出端口165；和可变电容器135，其连接在电接地端和选择开关130的基极132之间。

在所公开的实施例中，第二匹配电路配置为在100KHz至2MHz的射频信号下运行，并且第一匹配电路在高于第二匹配电路的频率下运行。此外，在第二输出端口和负载之间可以连接有耦合开关145，以在接合第一匹配电路时隔离第二匹配电路。可选地，在第一输出端口和负载之间可以连接有另一耦合开关140，以在接合第二匹配电路时隔离第一匹配电路。

本发明所述的选择开关130可以是包括三个端点的开关，实现可变电容器135与第一触点a和第二触点b选择性连接，也可以是有两个开关组合而成，每个开关的一端连接到可变电容器135，另一端分别连接到第一匹配电路的输入端和第二匹配电路的输出端口。所以本发明的开关装置只要能实现可变电容与两个匹配电路之间的切换，不限于三端开关，也可以是任何形式的开关装置。

图2中示出了另一个实施例，其提供了用于13MHz的第一射频偏压功率和400KHz的第二射频偏压功率的匹配网络的示例。形成第一匹配电路的元件用13M标识，而形成第二匹配电路的元件用400k标识。第一匹配电路由串联支路220和并联电容器235形成。第二匹配电路由串联支路225和并联电容器235形成。在该实施例中，串联支路220由串联连接的电容器Cs（13M）和电感器Ls（13M）构成，而串联支路225由串联连接的电容器Cs（400K）和电感器Ls（400K）以及并联电容器C-pad（400K）组成。当可变电容器235连接至第二匹配电路时，固定电容器C-pad（400K）保护并联电容器235免受射频大电流的影响。

为了将第一射频偏压电源f1（此处为13MHz）连接至第一输出端口Out-1，将耦合开关SW-1置于闭合位置，从而将并联电容器235连接至第一输入端口In-1。同时，将耦合开关SW-2和SW-3置于断开位置，从而断开第二匹配电路。为了切换到第二射频偏压电源f2（此处为400KHz），将开关SW-1置于断开位置，从而将并联电容器235与第一匹配电路断开。将开关SW-2置于闭合位置，从而将并联电容器235连接至第二输出端口Out-2。此外，将耦合开关SW-3置于闭合位置，从而将第二匹配电路连接至第一输出端口Out-1。

图2中所示的实施例提供了一种可切换地将两个射频偏压功率中的一个耦合至基座的可切换匹配网络，所述可切换匹配网络包括：串联支路220，其具有连接至第一射频偏压电源f1的第一输入端口In-1和耦合至负载端口RF-out的第一输出端口Out-1；串联支路225，其具有连接至第二射频偏压电源f2的第二输入端口In-2和耦合至负载端口的第二输出端口Out-2；一侧接地的可变电容器235；耦合开关SW-1、SW-2、SW-3，其选择性地将可变电容器235连接至第一输入端口In-1或第二输出端口Out-2。

图2的开关装置包括：连接在第一输入端口In-1和可变电容器235之间的耦合开关SW-1，以及连接在第二输出端口Out-2和可变电容器235之间的耦合开关SW-2。与其他实施例一样，在第二输出端口Out-2和第一输出端口Out-1之间可以连接有耦合开关SW-3。在第二输入端口In-2和电接地端之间可以连接有固定电容器C-pad（400K），以用于保护可变电容器235。

图3示出了根据本发明一个实施例的耦合至等离子处理器的可切换匹配网络***。等离子处理器包括真空室300，所述真空室300具有其上放置有晶片的基座303。通过将来自源射频电源305的射频功率施加到感应天线302上，将等离子体点燃并保持在真空室300内。射频电源305的射频频率为f3。偏压功率从可切换双频匹配盒304施加到基座 303。可切换双频匹配盒304选择性地施加来自射频发生器310的信号或来自射频发生器315的信号。

可切换双频匹配盒304的电路结构可以根据本发明描述的任何实施例来实现，并且在图3的示例中，示出了图1实施例的电路。开关330和345由控制器控制，所述控制器激活开关330以连接至分接头a和开关345以占据第一匹配电路320的闭合位置，并控制开关330连接至分接头b和开关345以占据第二匹配电路325的闭合位置。如本例所示，射频发生器310提供13MHz的信号，而射频发生器315提供400KHz的信号。

如所公开的，图3的实施例提供了一种具有可切换偏压的电感耦合等离子处理器，其包括：真空室300；源射频电源305；第一射频偏压电源310；第二射频偏压电源315；耦合至源射频偏压电源的感应天线302；基座303，基座303中包括一个阴极与双频匹配盒304的输出端电耦合，其位于真空室内并经由可切换匹配网络304可切换地耦合至第一射频偏压电源310和第二射频偏压电源315；所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路320，其具有连接至第一射频偏压电源310的第一输入端口和耦合至基座303的第一输出端口；第二匹配电路325，其具有连接至第二射频偏压电源315的第二输入端口和耦合至第一输出端口的第二输出端口；一侧接地的可变电容器335；和选择开关330，其选择性地将可变电容器连接至第一输入端口或第二输出端口。

本发明通过将不同频率的射频偏压电源通过开关装置连接到不同匹配电路的不同输入端，可以实现利用一个可切换匹配网络实现对多个偏压射频偏压电源的有效匹配。对于电容耦合等离子处理器，由于下电极与上方的上电极是电场耦合的，所以输送到下电极的偏置射频偏压电源产生的射频能量也同时会电耦合到上方的上电极，所以偏置射频偏压电源的功率在控制离子能量的同时也影响了离子浓度分布，为了避免两种射频偏压电源的互相干扰，射频偏压电源的频率必须选择的很低，比如是2MHz或以下，源射频电源的输出频率通常大于27MHz。本发明应用于电感耦合等离子处理器，所以处理器中的等离子浓度只受上方源射频电源输出功率的影响，多个射频偏压电源只对离子能量产生影响而不会对上方离子浓度和气体成分解离效果产生影响，实现了两者的独立控制，所以射频偏压电源的输出频率可以大于2MHz，可以采用13.56MHz甚至更高，如60MHz，实现离子能轻柔地向下轰击。根据具体工艺要求，当需要向下入射到晶圆的离子能量极高时，也需要极低的射频偏压电源输出频率，比如低于1MHz。本发明提供的可切换匹配网络可以实现两个频率数值相差极大的两个射频偏压电源通过一个匹配电路有效供应到基座。

应当理解，本发明描述的过程和技术并非固有地与任何特定装置相关，而是可以通过任意合适的组件组合来实现。此外，根据本发明描述的教导，可以使用各种类型的通用设备。已经结合特定示例描述了本发明，这些示例在所有方面都意为说明性而非限制性的。本领域技术人员将理解，许多不同的组合将适用于实施本发明。

此外，考虑到本发明公开的说明书和实践，本发明的其他实施方式对于本领域技术人员而言将是明显的。所描述实施例的各个方面和/或组件可以单独使用或以任意组合使用。说明书和实施例仅应被认为是示例性的，本发明的真实范围和精神由所附权利要求指出。

Claims (19)

1.一种可切换匹配网络，其特征在于，其包括：

第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至一等离子体处理器的第一输出端口；

第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述等离子体处理器的第二输出端口；

开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，

可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间；

所述开关装置可以切换第一、第三连接点之间以及第二、第三连接点之间的通断状态，使得所述可变电容选择性的连接到第一输入端口或第二输出端口；

其中所述第一匹配电路和所述第二匹配电路中每一个均包括串联的电容器和电感器。

2.根据权利要求1所述的可切换匹配网络，其特征在于，所述第二匹配电路在比所述第一匹配电路低的频率下运行。

3.根据权利要求1所述的可切换匹配网络，所述第二匹配电路配置为频率在100KHz至2MHz的射频信号下运行，并且所述第一匹配电路在比所述第二匹配电路高的频率下运行。

4.根据权利要求1所述的可切换匹配网络，其特征在于，其还包括连接在所述第二输出端口和所述等离子体处理器之间的耦合开关。

5.根据权利要求1所述的可切换匹配网络，其特征在于，其还包括连接在所述第一输出端口和所述等离子处理器之间的开关。

6.一种用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其包括：

第一射频偏压电源；

第二射频偏压电源；

可切换匹配网络，将所述第一射频偏压电源和所述第二射频偏压电源中的一个可切换地耦合至所述基座，所述可切换匹配网络包括：

第一匹配电路，其具有连接至所述第一射频偏压电源的第一输入端口和耦合至所述基座的第一输出端口；

第二匹配电路，其具有连接至所述第二射频偏压电源的第二输入端口和耦合至所述基座的第二输出端口；

一侧接地的可变电容器；

开关装置可以切换第一、第三连接点之间以及第二、第三连接点之间的通断状态，其将所述可变电容器选择性地连接至所述第一输入端口或所述第二输出端口；

其中所述第一匹配电路和所述第二匹配电路中的每一个均包括串联连接的电容器和电感器。

7.根据权利要求6所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其还包括连接在所述第二输出端口和所述基座之间的耦合开关。

8.根据权利要求7所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其中所述开关装置包括选择开关，所述选择开关具有基极、第一触点和第二触点，所述基极连接至所述可变电容器，所述第一触点可连接至所述第一输入端口，所述第二触点可连接至所述第二输出端口。

9.根据权利要求7所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其中所述开关装置包括：连接在所述第一输入端口和所述可变电容器之间的第一通/断开关，以及连接在所述第二输出端口和所述可变电容器之间的第二通/断开关。

10.根据权利要求7所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其还包括连接在所述第二输入端口和地面之间的固定电容器。

11.根据权利要求6所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其中所述第一射频偏压电源输出频率比所述第二射频偏压电源的输出频率高。

12.根据权利要求11所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其中所述第二射频偏压电源输出100KHz至2MHz的信号。

13.根据权利要求12所述的用于向等离子处理器的基座提供偏压功率的装置，其特征在于，其中所述第一射频偏压电源输出13.56MHz的信号，所述第二射频偏压电源输出400KHz的信号。

14.一种具有可切换偏压的电感耦合等离子处理器，其特征在于，其包括：

真空室；

源射频电源；

第一射频偏压电源；

第二射频偏压电源；

耦合至所述源射频电源的感应天线；

基座，其位于所述真空室内并经由一可切换匹配网络可切换地耦合至所述第一射频偏压电源和所述第二射频偏压电源；

所述可切换匹配网络包括：

第一匹配电路，其具有连接至所述第一射频偏压电源的第一输入端口和耦合至所述基座的第一输出端口；

第二匹配电路，其具有连接至所述第二射频偏压电源的第二输入端口和耦合至所述第一输出端口的第二输出端口；

一侧接地的可变电容器；以及，

开关装置可以切换第一、第三连接点之间以及第二、第三连接点之间的通断状态，其将所述可变电容器选择性地连接至所述第一输入端口或所述第二输出端口；

其中所述第一匹配电路和所述第二匹配电路中的每一个均包括串联连接的电容器和电感器。

15.根据权利要求14所述的电感耦合等离子处理器，其特征在于，其还包括连接在所述第二输出端口和所述基座之间的耦合开关。

16.根据权利要求15所述的电感耦合等离子处理器，其特征在于，其中所述开关装置包括选择开关，所述选择开关具有基极、第一触点和第二触点，所述基极连接至所述可变电容器，所述第一触点可连接至所述第一输入端口，所述第二触点可连接至所述第二输出端口。

17.根据权利要求15所述的电感耦合等离子处理器，其特征在于，其中所述开关装置包括：连接在所述第一输入端口和所述可变电容器之间的第一通/断开关，以及连接在所述第二输出端口和所述可变电容器之间的第二通/断开关。

18.根据权利要求14所述的电感耦合等离子处理器，其特征在于，其还包括连接在所述第二输入端口和地面之间的固定电容器。

19.根据权利要求14所述的电感耦合等离子处理器，其中所述第一射频偏压电源输出大于13MHz的信号，所述第二射频偏压电源输出100KHz至2MHz的信号。