CN108694004A - 一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构及其工艺 - Google Patents

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徐涛涛
黄效牛
左洪
夏彬
张朵
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Changsha Yushun Display Technology Co ltd
Changsha Yushun Touch Control Technology Co ltd
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Changsha Yushun Display Technology Co ltd
Changsha Yushun Touch Control Technology Co ltd
Shenzhen Yushun Industry Intelligent Technology Co ltd
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Abstract

本发明公开了一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构，包括从下至上依次层叠设置的Sensor基板，蚀刻在所述Sensor基板上的驱动通道及感应通道，附于所述驱动通道及感应通道上的OC绝缘层及ITO填充层，附于所述OC绝缘及ITO填充层上的ITO桥或金属桥，以及盖在所述ITO桥或金属桥上的第二OC绝缘层。本发明公开了一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的工艺。本发明的有益效果为：在现有结构基础上增加ITO填充层，能够有效填充第一绝缘层与驱动通道及感应通道之间的段差，从而有效预防桥点因热胀冷缩造成断裂导致TP功能失效的问题，极大的降低了可靠性实验的风险，且量产性高，易于实现。

Description

一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构及其工艺
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，具体而言，涉及一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构及其工艺。
背景技术
现一般使用的比较多的是电容式触摸屏，而电容式触摸屏从结构上来区分主要有：OGS、G+G、G+F+F、ONCELL、INCELL等。而其中OGS及G+G的结构，经常会用到金属架桥或者ITO架桥的结构，架桥的目的在于连接一块块独立的导电区域，形成一条条连接的通道，连接导电区域，实现触摸屏的触摸功能。当架桥结构的产品处于比较苛刻的环境中时，如经历冷热冲击实验，桥点由于热胀冷缩很容易断裂，即此条通道断裂，造成触摸屏电性连接不良，从而导致功能失效。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构及其工艺，解决架桥结构的Sensor在极端环境下因桥点位置断裂造成的功能失效问题。
本发明提供了一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构，包括从下至上依次层叠设置的Sensor基板，蚀刻在所述Sensor基板上的驱动通道及感应通道，附于所述驱动通道及感应通道上的OC绝缘层及ITO填充层，附于所述OC绝缘及ITO填充层上的ITO桥或金属桥，以及盖在所述ITO桥或金属桥上的第二OC绝缘层。
作为本发明进一步的改进，所述OC绝缘层及ITO填充层由在所述驱动通道及感应通道表面镀的第一OC绝缘层，以及在所述驱动通道及感应通道上有段差的区域镀的ITO填充层组成。
作为本发明进一步的改进，所述第一OC绝缘层为透明绝缘胶。
本发明还提供了一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的工艺，包括：
步骤1，在Sensor基板上镀一层ITO，并蚀刻出驱动通道及感应通道，其中，所述驱动通道及感应通道中，驱动通道为一条完整的通道，感应通道为一块块独立的ITO块；
步骤2，在所述驱动通道及感应通道表面镀第一OC绝缘层，并在所述第一OC绝缘层上蚀刻出桥点处的形状；
步骤3，在所述驱动通道及感应通道上有段差的区域镀一层ITO填充层，所述第一OC绝缘层和所述ITO填充层形成OC绝缘层及ITO填充层；
步骤4，在所述OC绝缘层及ITO填充层上镀一层ITO桥或金属桥，连接感应通道中各个独立的ITO块；
步骤5，在桥点处镀第二OC绝缘层，保护桥点位置。
作为本发明进一步的改进，步骤2中，第一OC绝缘层为透明绝缘胶层。
作为本发明进一步的改进，步骤1、步骤3和步骤4中的ITO材料相同。
作为本发明进一步的改进，采用透明导电材料替换ITO。
本发明的有益效果为：
在现有结构基础上增加ITO填充层，能够有效填充第一绝缘层与驱动通道及感应通道之间的段差，从而有效预防桥点因热胀冷缩造成断裂导致TP功能失效的问题，极大的降低了可靠性实验的风险，且量产性高，易于实现。
附图说明
图1为本发明实施例所述的一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的示意图；
图2为本发明实施例所述的一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的平面图；
图3为本发明实施例所述的一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的堆叠图；
图4为现有技术中电容式触摸屏的架桥结构的平面图；
图5为现有技术中电容式触摸屏的架桥结构的堆叠图。
图中，
1、Sensor基板；2、驱动通道及感应通道；21、驱动通道；22、感应通道；3、OC绝缘层及ITO填充层；31、第一OC绝缘层；32、ITO填充层；4、ITO桥或金属桥；5、第二OC绝缘层。
具体实施方式
下面通过具体的实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
实施例1，如图1-3所示，本发明实施例的一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构，包括从下至上依次层叠设置的Sensor基板1，蚀刻在Sensor基板1上的驱动通道及感应通道2，附于驱动通道及感应通道2上的OC绝缘层及ITO填充层3，附于OC绝缘及ITO填充层3上的ITO桥或金属桥4，以及盖在ITO桥或金属桥4上的第二OC绝缘层5。其中，OC绝缘层及ITO填充层3由在驱动通道及感应通道2表面镀的第一OC绝缘层，以及在驱动通道及感应通道2上有段差的区域镀的ITO填充层组成。
本发明架桥结构的第一核心部件为驱动通道及感应通道2，这两个通道一般由无色透明ITO(即氧化铟锡)或其他透明导电材料依据特定的形状制作而成，附着于sensor基板上。
本发明架桥结构的第二核心部件为第一OC绝缘层31，为透明度很高的绝缘胶，依据特定的形状设计，附于驱动通道与感应通道2之上。
本发明架桥结构的第三核心部件为ITO填充层32，填充有段差的区域，防止桥点断裂。
本发明架桥结构的第四核心部件为ITO桥或金属桥4，起导通作用，第一OC绝缘层在下，ITO桥或金属桥4在上，ITO桥及金属桥都是起导通作用，可以选择ITO桥或金属桥任一种做导通。
本发明架桥结构的第五核心部件为第二OC绝缘层5，盖在ITO桥或金属桥4上，保护桥点。
本发明架桥结构的第六核心部件为Sensor基板1，用于承载以上各个部件。
如图4和5所示，相较于现有技术的电容式触摸屏的架桥结构，本发明是一种新的架桥结构，在现有结构基础上增加ITO填充层，能够有效填充第一绝缘层与驱动通道及感应通道之间的段差，从而有效预防桥点因热胀冷缩造成断裂导致TP功能失效的问题，极大的降低了可靠性实验的风险，且量产性高，易于实现。
实施例2，本发明实施例所述的一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的工艺，包括：
步骤1，在Sensor基板1上镀一层ITO，并蚀刻出驱动通道及感应通道2，其中，驱动通道及感应通道2中，驱动通道21为一条完整的通道，感应通道22为一块块独立的ITO块。
步骤2，在驱动通道及感应通道2表面镀第一OC绝缘层31，并在第一OC绝缘层31上蚀刻出桥点处的形状。
其中，第一OC绝缘层31为透明度很高的绝缘胶，依据特定的形状设计，附于驱动通道与感应通道2之上。
步骤3，在驱动通道及感应通道2上有段差的区域镀一层ITO填充层32，第一OC绝缘层31和ITO填充层32形成OC绝缘层及ITO填充层3。
步骤4，在OC绝缘层及ITO填充层3上镀一层ITO桥或金属桥4，连接感应通道中各个独立的ITO块。
步骤5，在桥点处镀第二OC绝缘层5，保护桥点位置。
上述步骤中，步骤1、步骤3和步骤4中的ITO材料相同均为氧化铟锡，也可以由其他透明导电材料替代。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的Sensor基板(1)，蚀刻在所述Sensor基板(1)上的驱动通道及感应通道(2)，附于所述驱动通道及感应通道(2)上的OC绝缘层及ITO填充层(3)，附于所述OC绝缘及ITO填充层(3)上的ITO桥或金属桥(4)，以及盖在所述ITO桥或金属桥(4)上的第二OC绝缘层(5)。
2.根据权利要求1所述的架桥结构，其特征在于，所述OC绝缘层及ITO填充层(3)由在所述驱动通道及感应通道(2)表面镀的第一OC绝缘层(31)，以及在所述驱动通道及感应通道(2)上有段差的区域镀的ITO填充层(32)组成。
3.根据权利要求1所述的架桥结构，其特征在于，所述第一OC绝缘层(31)为透明绝缘胶。
4.一种防止电容式触摸屏功能失效的架桥结构的工艺，其特征在于，包括：
步骤1，在Sensor基板(1)上镀一层ITO，并蚀刻出驱动通道及感应通道(2)，其中，所述驱动通道及感应通道(2)中，驱动通道(21)为一条完整的通道，感应通道(22)为一块块独立的ITO块；
步骤2，在所述驱动通道及感应通道(2)表面镀第一OC绝缘层(31)，并在所述第一OC绝缘层(31)上蚀刻出桥点处的形状；
步骤3，在所述驱动通道及感应通道(2)上有段差的区域镀一层ITO填充层(32)，所述第一OC绝缘层(31)和所述ITO填充层(32)形成OC绝缘层及ITO填充层(3)；
步骤4，在所述OC绝缘层及ITO填充层(3)上镀一层ITO桥或金属桥(4)，连接感应通道中各个独立的ITO块；
步骤5，在桥点处镀第二OC绝缘层(5)，保护桥点位置。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤2中，第一OC绝缘层为透明绝缘胶层。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤1、步骤3和步骤4中的ITO材料相同。
7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于，采用透明导电材料替换ITO。
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