CN108649913A - 一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器 - Google Patents

一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器 Download PDF

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张晓明
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Tianjin Chengjian University
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Abstract

本发明公开了一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,包括分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络、线性化堆叠型达林顿管输入分配网络、线性化堆叠型达林顿管输出合成网络,本发明核心架构采用分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络,该放大网络至少由三个基于线性化堆叠技术的分布式达林顿管组成,同时,本发明考虑了二晶体管线性化堆叠型达林顿管对于输入与输出人工传输线的等效电容的影响,大大提高了电路设计的精确性,降低了电路后期调试的难度,使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力,提高电路的稳定性与可靠性。

Description

一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器
技术领域
本发明涉及异质结双极性晶体管射频功率放大器和集成电路领域,特别是针对超宽带收发机末端的发射模块应用的一种高效率、高输出功率、高增益的分布式功率放大器。
背景技术
随着电子战、软件无线电、超宽带通信、无线局域网(WLAN)等军用电子对抗与通信、民用通信市场的快速发展,射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有超宽带、高输出功率、高效率、低成本等性能,而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。
然而,当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时,其性能和成本受到了一定制约,主要体现:
(1)高功率高效率放大能力受限:半导体工艺中晶体管的特征频率越来越高,由此带来了低击穿电压从而限制了单一晶体管的功率容量。为了获得高功率能力,往往需要多路晶体管功率合成,但是由于多路合成网络的能量损耗导致功率放大器的效率比较低,因此高功率、高效率能力较差。
(2)超宽带高功率放大能力受限:为满足高功率指标就需要多个晶体管功率合成,但是多路合成的负载阻抗大大降低,从而导致了很高的阻抗变换比;在高阻抗变换比下,实现宽带特性是极大的挑战。
常见的超宽带高功率放大器的电路结构有很多,最典型的是传统分布式放大器,但是,传统分布式放大器要同时满足各项参数的要求十分困难,主要是因为:
①在传统的分布式功率放大器中,核心放大电路是多个单晶体管采用分布式放大排列的方式实现,由于单晶体管受到寄生参数的影响,随着工作频率升高时,其功率增益会显著降低、同时功率特性等也会显著恶化,因此为了获得超宽带平坦的放大结构,必须要牺牲低频增益来均衡高频损耗,导致传统分布式放大器的超宽带增益很低;
②为了提高放大器增益提高隔离度的影响,也有采用Cascode双晶体管分布式放大结构,但是Cascode双晶体管虽然增加了电路隔离度,却无法增益随频率显著恶化的趋势,也无法实现Cascode双晶体管间的最佳阻抗匹配,从而降低了输出功率特性。
由此可以看出,基于集成电路工艺的超宽带射频功率放大器设计难点为:超宽带下高功率输出难度较大;传统单个晶体管结构或Cascode晶体管的分布式放大结构存在很多局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,结合了基于线性化堆叠技术的达林顿晶体管和分布式放大器的优点,具有超宽带下高功率输出能力、高功率增益、良好的输入、输出匹配特性,且成本低等优点。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,其特征在于,包括分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络、线性化堆叠型达林顿管输入分配网络、线性化堆叠型达林顿管输出合成网络,分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络由k个线性化堆叠型达林顿管组成,其中k大于等于3;
线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端为整个基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输入端,其k个输出端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输入端连接;
线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端为整个基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输出端,其k个输入端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输出端连接。
本发明的有益效果是:本发明核心架构采用分布式基于线性化堆叠技术的线性化堆叠型达林顿管放大网络,该放大网络至少由三个线性化堆叠型达林顿管组成,线性化堆叠型达林顿管按照单个共源晶体管复合二堆叠晶体管的结构构成,同时,本发明考虑了基于线性化堆叠技术的线性化堆叠型达林顿管对于人工传输线的等效电容的影响,提高了电路设计的精确性,降低了电路后期调试的难度,使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力,避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
进一步地,线性化堆叠型达林顿管输入分配网络包括依次串联的电感Lg1、Lg2至Lgk+1、隔直电容Cgload和负载电阻Rgload,负载电阻Rgload一端与隔直电容Cgload连接同时另一端接地,电感Lg1一端与Lg2连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端,电感Lgj与Lgj+1的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输出端,其中j=1,2…k。
上述进一步方案的有益效果是:本发明采用的线性化堆叠型达林顿管输入分配网络除了能实现输入射频信号的分布式功率分配外,还能对射频输入信号进行阻抗匹配并提高电路的稳定性。
进一步地,分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络包含k个线性化堆叠型达林顿管,第j个线性化堆叠型达林顿管中包含了第一级共源管Mij、第二级堆叠管Mdj、第三级堆叠管Muj,其中j=1,2…k,共源管Mij的漏极和堆叠管Muj的漏极直接连接,堆叠管Mdj的漏极和堆叠管Muj的源极直接连接,第j个线性化堆叠型达林顿管的输入端和共源管Mij的栅极通过隔直电容Cij连接,共源管Mij的源极和堆叠管Mdj的栅极之间直接连接,堆叠管Mdj的源极直接接地,第j个线性化堆叠型达林顿管的输出端和堆叠管Muj的漏极连接;第一级共源管Mij的栅极和隔直电容Cij的连接节点,与偏置电压Vg1之间通过偏置电阻Rbj连接,共源管Mij的栅极和漏极之间通过第一串联RC电路连接,同时共源管Mij的栅极和漏极之间还通过偏置电阻Rrj连接,第一串联RC电路与偏置电阻Rrj为并联关系,第一串联RC电路包含串联的反馈电阻Rfj和反馈电容Cfj,共源管Mij源极和地之间通过第二串联RC电路与地连接,第二串联RC电路包含串联的自偏置电阻Rsj和旁路电容Csj;第二串联RC电路中自偏置电阻Rsj和自偏置电容Csj的连接点与偏置电压Vg2连接。堆叠管Muj的栅极和地之间通过第三串联RC电路连接,第三串联RC电路包含串联的自偏置电阻Raj和匹配电容Caj,自偏置电阻Raj和匹配电容Caj的连接节点,与第j个线性化堆叠型达林顿管输出端,通过顺次串联的偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj连接,偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj的连接节点通过偏置电阻Rdj连接到地。
上述进一步方案的有益效果是:线性化堆叠型达林顿管中二堆叠场效应管结构的栅极补偿电容是容值较小的电容,用于实现栅极电压的同步摆动,可以提高输出功率,实现二堆叠场效应管间的阻抗匹配,同时获得良好的高频特性并稳定电路。同时基于线性化的偏置网络,可以改善二堆叠达林顿管的线性化指标。
进一步地,线性化堆叠型达林顿管输出合成网络包括依次串联的负载电阻Rdload、隔直电容Cdload、电感Ld1、Ld2至Ldk+1、隔直电容Cd,负载电阻Rdload一端与隔直电容Cdload连接同时另一端接地,隔直电容Cd一端与Ldk+1连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端,电感Ldj与Ldj+1的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输入端,其中j=1,2…k,电感Ld1和Ld2的连接节点上还并联有馈电电感Ldd,馈电电感Ldd的另一端接偏置电压Vdd
上述进一步方案的有益效果是:考虑了基于线性化堆叠技术的线性化堆叠型达林顿管对于输出合成网络的等效电容的影响,大大提高了电路设计的精确性,降低了电路后期调试的难度。
附图说明
图1为本发明功率放大器原理框图;
图2为本发明功率放大器电路图。
具体实施方式
现在将参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式。应当理解,附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的,意在阐释本发明的原理和精神,而并非限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,如图1所示,包括分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络、线性化堆叠型达林顿管输入分配网络、线性化堆叠型达林顿管输出合成网络,分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络由k个线性化堆叠型达林顿管组成,其中k大于等于3;线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端为整个基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输入端,其k个输出端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输入端连接;线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端为整个基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输出端,其k个输入端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输出端连接。
如图2所示,线性化堆叠型达林顿管输入分配网络包括依次串联的电感Lg1、Lg2至Lgk+1、隔直电容Cgload和负载电阻Rgload,负载电阻Rgload一端与隔直电容Cgload连接同时另一端接地,电感Lg1一端与Lg2连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端,电感Lgj与Lgj+1的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输出端,其中j=1,2…k。
分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络包含k个线性化堆叠型达林顿管,第j个线性化堆叠型达林顿管中包含了第一级共源管Mij、第二级堆叠管Mdj、第三级堆叠管Muj,其中j=1,2…k,共源管Mij的漏极和堆叠管Muj的漏极直接连接,堆叠管Mdj的漏极和堆叠管Muj的源极直接连接,第j个线性化堆叠型达林顿管的输入端和共源管Mij的栅极通过隔直电容Cij连接,共源管Mij的源极和堆叠管Mdj的栅极之间直接连接,堆叠管Mdj的源极直接接地,第j个线性化堆叠型达林顿管的输出端和堆叠管Muj的漏极连接;第一级共源管Mij的栅极和隔直电容Cij的连接节点,与偏置电压Vg1之间通过偏置电阻Rbj连接,共源管Mij的栅极和漏极之间通过第一串联RC电路连接,同时共源管Mij的栅极和漏极之间还通过偏置电阻Rrj连接,第一串联RC电路与偏置电阻Rrj为并联关系,第一串联RC电路包含串联的反馈电阻Rfj和反馈电容Cfj,共源管Mij源极和地之间通过第二串联RC电路与地连接,第二串联RC电路包含串联的自偏置电阻Rsj和旁路电容Csj;第二串联RC电路中自偏置电阻Rsj和自偏置电容Csj的连接点与偏置电压Vg2连接。堆叠管Muj的栅极和地之间通过第三串联RC电路连接,第三串联RC电路包含串联的自偏置电阻Raj和匹配电容Caj,自偏置电阻Raj和匹配电容Caj的连接节点,与第j个线性化堆叠型达林顿管输出端,通过顺次串联的偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj连接,偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj的连接节点通过偏置电阻Rdj连接到地。线性化堆叠型达林顿管输出合成网络包括依次串联的负载电阻Rdload、隔直电容Cdload、电感Ld1、Ld2至Ldk+1、隔直电容Cd,负载电阻Rdload一端与隔直电容Cdload连接同时另一端接地,隔直电容Cd一端与Ldk+1连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端,电感Ldj与Ldj+1的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输入端,其中j=1,2…k,电感Ld1和Ld2的连接节点上还并联有馈电电感Ldd,馈电电感Ldd的另一端接偏置电压Vdd
本发明电路中用于求解该功率放大器中的关键电路参数的方法为:
(1)线性化堆叠型达林顿管的等效晶体管端输入电容Cink
其中,
(2)线性化堆叠型达林顿管的等效晶体管端输出电容Coutk
(6)线性化堆叠型达林顿管输入和输出人工传输线电感Ldi和Lgi
上述公式中,k为整数,k≥3;Z0为微带的特征阻抗,在第k个线性化堆叠型达林顿管中,Cgs为晶体管的栅源等效输入电容,Cds为晶体管的漏源等效输出电容,单位均为pF,下标“ik,dk,uk”分别代表所属的第k个线性化堆叠型达林顿管中的共源管Mik、堆叠管Mdk、堆叠管Muk
下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍:
射频输入信号通过输入端IN进入电路,以电流分布式的方式进入栅极人工传输线Lgj、Lg(j+1),其中j=1,2…k,通过输入隔直耦合电容Cij进入共源管Mij的栅极,然后以电流分布式进入分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络的第二级堆叠管Mdj的栅极,再以电流分布式从第三级堆叠管Muj的漏极输出,最后以电流分布式的方式进入漏极人工传输线Ldj、Ld(j+1),通过漏极隔直耦合电容Cd从输出端OUT输出。
基于上述电路分析,本发明提出的基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器与以往的基于集成电路工艺的放大器结构的不同之处在于核心架构采用分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络:
线性化堆叠型达林顿管与传统单一晶体管及Cascode晶体管在结构上有很大不同,此处不做赘述;
线性化堆叠型达林顿管与传统达林顿管的不同之处在于:传统达林顿管中第二级为单一晶体管或者是Cascode晶体管,线性化堆叠型达林顿管的基极补偿电容是容值较小的电容,用于实现基极电压的同步摆动,而Cascode晶体管的堆叠基极补偿电容是容值较大的电容,用于实现基极的交流接地。
在整个基于线性化堆叠技术的分布式功率放大器电路中,场效应的尺寸和其他直流馈电电阻、补偿电容的大小是综合考虑整个电路的增益、带宽和输出功率等各项指标后决定的,通过后期的版图设计与合理布局,可以更好地实现所要求的各项指标,实现在超宽带条件下的高功率输出能力、高功率增益、良好的输入输出匹配特性、芯片面积小且成本低。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,其特征在于,包括分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络、线性化堆叠型达林顿管输入分配网络和线性化堆叠型达林顿管输出合成网络,所述分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络由k个线性化堆叠型达林顿管组成,其中k大于等于3;
所述线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端为整个所述基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输入端,其k个输出端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输入端连接;
所述线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端为整个所述基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器的输出端,其k个输入端分别与分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络中的k个线性化堆叠型达林顿管的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,其特征在于,所述线性化堆叠型达林顿管输入分配网络包括依次串联的电感Lg1、Lg2至Lgk+1、隔直电容Cgload和负载电阻Rgload,所述负载电阻Rgload一端与隔直电容Cgload连接同时另一端接地,所述电感Lg1一端与Lg2连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输入端,所述电感Lgj与Lgj+1之间的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输入分配网络的输出端,其中j=1,2…k。
3.根据权利要求1所述的基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,其特征在于,所述分布式线性化堆叠型达林顿管放大网络包含k个线性化堆叠型达林顿管;
所述第j个线性化堆叠型达林顿管中包含了第一级共源管Mij、第二级堆叠管Mdj、第三级堆叠管Muj,其中j=1,2…k,共源管Mij的漏极和堆叠管Muj的漏极直接连接,堆叠管Mdj的漏极和堆叠管Muj的源极直接连接,所述第j个线性化堆叠型达林顿管的输入端和共源管Mij的栅极通过隔直电容Cij连接,共源管Mij的源极和堆叠管Mdj的栅极之间直接连接,堆叠管Mdj的源极直接接地,所述第j个线性化堆叠型达林顿管的输出端和堆叠管Muj的漏极连接;
所述第一级共源管Mij的栅极和隔直电容Cij的连接节点,与偏置电压Vg1之间通过偏置电阻Rbj连接,共源管Mij的栅极和漏极之间通过第一串联RC电路连接,同时共源管Mij的栅极和漏极之间还通过偏置电阻Rrj连接,第一串联RC电路与偏置电阻Rrj为并联关系,所述第一串联RC电路包含串联的反馈电阻Rfj和反馈电容Cfj,共源管Mij源极和地之间通过第二串联RC电路与地连接,所述第二串联RC电路包含串联的自偏置电阻Rsj和旁路电容Csj;所述第二串联RC电路中自偏置电阻Rsj和自偏置电容Csj的连接点与偏置电压Vg2连接。
所述堆叠管Muj的栅极和地之间通过第三串联RC电路连接,所述第三串联RC电路包含串联的自偏置电阻Raj和匹配电容Caj,自偏置电阻Raj和匹配电容Caj的连接节点,与所述第j个线性化堆叠型达林顿管输出端,通过顺次串联的偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj连接,所述偏置电阻Ruj和偏置电阻Rdj的连接节点通过偏置电阻Rdj连接到地。
4.根据权利要求1所述的基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器,其特征在于,所述线性化堆叠型达林顿管输出合成网络包括依次串联的负载电阻Rdload、隔直电容Cdload、电感Ld1、Ld2至Ldk+1、隔直电容Cd,所述负载电阻Rdload一端与隔直电容Cdload连接同时另一端接地,所述隔直电容Cd一端与Ldk+1连接同时另一端为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输出端,所述电感Ldj与Ldj+1的连接节点均为线性化堆叠型达林顿管输出合成网络的输入端,其中j=1,2…k,所述电感Ld1和Ld2的连接节点上还并联有馈电电感Ldd,馈电电感Ldd的另一端接偏置电压Vdd
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110299894A (zh) * 2019-08-07 2019-10-01 青海民族大学 一种高增益高功率变压合成功率放大器
CN110324011A (zh) * 2019-08-07 2019-10-11 青海民族大学 一种大功率增强型场效应晶体管功率放大器
CN110365298A (zh) * 2019-08-07 2019-10-22 青海民族大学 一种分布有源变压合成的毫米波功率放大器
CN112865717A (zh) * 2021-01-15 2021-05-28 青海民族大学 一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772927B1 (en) * 2007-10-04 2010-08-10 Rf Micro Devices, Inc. Active bias Darlington amplifier
CN206259910U (zh) * 2016-10-24 2017-06-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种考虑密勒效应的分布式三堆叠结构的功率放大器
CN206259911U (zh) * 2016-10-24 2017-06-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器
CN208754252U (zh) * 2018-07-24 2019-04-16 青海民族大学 一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772927B1 (en) * 2007-10-04 2010-08-10 Rf Micro Devices, Inc. Active bias Darlington amplifier
CN206259910U (zh) * 2016-10-24 2017-06-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种考虑密勒效应的分布式三堆叠结构的功率放大器
CN206259911U (zh) * 2016-10-24 2017-06-16 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器
CN208754252U (zh) * 2018-07-24 2019-04-16 青海民族大学 一种基于线性化堆叠技术的达林顿分布式功率放大器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110299894A (zh) * 2019-08-07 2019-10-01 青海民族大学 一种高增益高功率变压合成功率放大器
CN110324011A (zh) * 2019-08-07 2019-10-11 青海民族大学 一种大功率增强型场效应晶体管功率放大器
CN110365298A (zh) * 2019-08-07 2019-10-22 青海民族大学 一种分布有源变压合成的毫米波功率放大器
CN112865717A (zh) * 2021-01-15 2021-05-28 青海民族大学 一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器
CN112865717B (zh) * 2021-01-15 2022-06-10 青海民族大学 一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器

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