CN108622867A - 一种快速退火减薄黑磷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种快速退火减薄黑磷的方法,包括以下步骤:(1)将块状黑磷分解成片状黑磷;(2)将步骤(1)所得片状黑磷放入快速退火炉,于290‑350℃氧气条件下退火30s‑10min,再在氮气条件下退火1min。本发明的有益效果是操作流程简单,工艺成本低廉,得到的二维材料黑磷具有完整的晶格结构和平整、干净的表面。
Description
技术领域
本发明属于功能材料制备技术领域,尤其是涉及一种快速退火减薄黑磷的方法,制备的薄层黑磷可应用于光电材料、传感器等领域。
背景技术
二维材料,例如石墨烯,黑磷,过渡金属硫化物,由于其特殊性质和在纳米电子中的潜在应用受到极大的关注。其中,石墨烯,二硫化钼,黑磷作为代表性的二维材料已经在柔性电子,光电探测器,电催化,气体传感等应用领域被广泛研究。黑磷的性质与应用起到了很大程度上取决于二维材料的厚度。例如随着黑磷的减薄,其带隙从0.3eV增大到2.0eV。其载流子迁移率也和厚度有关。
目前主要通过机械剥离的方法得到薄层黑磷材料。但这种方法随机性很大,而且剥离的薄层黑磷,表面缺陷较多,影响其电学性质。基于此研究人员,探究了几种,比如氧气等离子体减薄,但是表面会残留磷的氧化物。AFM同样也可以用于减薄黑磷,但受到仪器的限制,减薄速率和减薄尺度有很大局限性。因此,在已知黑磷具有广阔应用前景的基础下,亟待开发一种表面洁净,且不会产生表面缺陷方便快速减薄黑磷的方法。
发明内容
为了克服以上制备薄层黑磷方法的弊端,本发明的目的是提供一种操作简单、无需在无水无氧条件下即可完成、无需专业人员即可完成流程的快速退火减薄黑磷的方法。
本发明的技术方案是:
本发明的一种快速退火减薄黑磷的方法,包括以下步骤:
将片状黑磷放入快速退火炉,于290-350℃氧气条件下退火30s-10min,再在氮气条件下退火30s-10min。
优选的,所述氧气条件下退火时间为3-4min。
优选的,所述氮气条件下退火时间为1min。
优选的,所述片状黑磷由块状黑磷分解而成;
优选的,所述分解作业可通过机械剥离或超声、机械搅拌完成。
本发明的另一方面,还包括由上述快速退火减薄方法制备的黑磷。
本发明具有的优点和积极效果是:
1、本发明的操作流程简单,工艺成本低廉,不需价格昂贵的大型仪器就能实现黑磷的减薄。
2、本发明得到的二维材料黑磷具有完整的晶格结构和平整、干净的表面,从而可能实现产业化。
3、本发明除了使材料减薄,得到干净、完整的晶体表面,对吸附的空气有解吸作用,降低FET输运迟滞效应。
附图说明
图1是片状黑磷的光学显微镜图,是通过机械剥离方法将片状黑磷转移到了Si/SiO2基底上,经不同温度退火3min,其中:
图1a、1c、1e是块状黑磷经机械剥离转移到Si/SiO2基底上的光学显微镜图。
图1b、1d、1f是将图1a、1c、1e中的样品,分别在氧气下360℃、330℃、300℃退火3min,再在氮气条件下退火1min的光学显微镜图。
图2是330℃时氧气退火3min前后的原子力显微镜图。其中:
图2a是将块状黑磷经机械剥离转移到Si/SiO2基底上的原子力显微镜图。
图2b是将图1中的样品在330度氧气退火3min后的原子力显微镜图。
图3是经不同温度下减薄厚度随退火时间变化曲线。
图例如下:
a:是360℃度下减薄厚度随退火时间变化曲线。减薄速率为5.6nm/min.
b:是330℃度下减薄厚度随退火时间变化曲线。减薄速率为3.8nm/min.
c:是300℃度下减薄厚度随退火时间变化曲线。减薄速率为2.6nm/min.
具体实施方式
下面结合附图对本发明做详细说明。
作为一个实施例,以氧气退火减薄黑磷为例加以说明:
实施例1
(1)将少量块状黑磷置于蓝光胶带上,折叠胶带若干次,通过聚二甲基硅氧烷薄膜,将片状黑磷转移到Si/SiO2基底上,所得样品的光学显微镜图如图1c所示,所得样品的原子力显微镜图如图2a所示,样品厚度为10.6nm。
(2)将步骤(1)所得样品在氧气条件下,330℃快速退火3min。
(3)将氧气换成氮气,在340℃快速退火1min。所得样品的光学显微镜图如图如图1d所示,所得样品的原子力显微镜图如图2b所示,样品厚度为2.7nm。
在减薄过程中,测量不同时间点样品的减薄厚度,得到减薄厚度随退火时间变化曲线为图3b所示。
实施例2
(1)将少量块状黑磷置于蓝光胶带上,折叠胶带若干次,通过聚二甲基硅氧烷薄膜,将片状黑磷转移到Si/SiO2基底上,所得样品的光学显微镜图如图1e所示。
(2)将步骤(1)所得样品在氧气条件下,300℃快速退火3min。
(3)将氧气换成氮气,在340℃快速退火1min,所得样品的光学显微镜图如图1f所示。
在减薄过程中,测量不同时间点样品的减薄厚度,得到减薄厚度随退火时间变化曲线为图3c所示。
实施例3
1)将少量块状黑磷置于蓝光胶带上,折叠胶带若干次,通过聚二甲基硅氧烷薄膜,将片状黑磷转移到Si/SiO2基底上,所得样品的光学显微镜图如图1a所示。
(2)将步骤(1)所得样品在氧气条件下,360℃快速退火3min。
(3)将氧气换成氮气,在340℃快速退火1min,所得样品的光学显微镜图如图1b所示。
减薄过程中,测量不同时间点样品的减薄厚度,得到减薄厚度随退火时间变化曲线为图3a所示。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (6)
1.一种快速退火减薄黑磷的方法,其特征在于:包括以下步骤:
所得片状黑磷放入快速退火炉,于290-350℃氧气条件下退火30s-10min,再在氮气条件下退火30s-10min。
2.根据权利要求1所述的一种快速退火减薄黑磷的方法,其特征在于:所述步骤(1)的片状黑磷由块状黑磷分解成。
3.根据权利要求2所述的一种快速退火减薄黑磷的方法,其特征在于:述步骤(2)中的分解作业可通过机械剥离或超声、机械搅拌完成。
4.根据权利要求1所述的一种快速退火减薄黑磷的方法,其特征在于:所述氧气条件下退火时间为3-4min。
5.根据权利要求1所述的一种快速退火减薄黑磷的方法,其特征在于:在氮气条件下退火时间为1-2min。
6.一种由权利要求1-4中任一项快速退火减薄方法制备的黑磷。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101522350B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2015-05-26 | 한국기초과학지원연구원 | 초음파 조사를 이용한 단원자층 흑린의 제조방법 |
CN105565289A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 西北大学 | 黑磷及磷烯的制备方法 |
CN106024861A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 天津理工大学 | 二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结器件及其制备方法 |
CN106315531A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-11 | 深圳先进技术研究院 | 一种经芳香族化合物修饰的黑磷及其制备方法与应用 |
CN106424197A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 江西凯安智能股份有限公司 | 高纯高导无氧铜线加工工艺 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101522350B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2015-05-26 | 한국기초과학지원연구원 | 초음파 조사를 이용한 단원자층 흑린의 제조방법 |
CN105565289A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 西北大学 | 黑磷及磷烯的制备方法 |
CN106024861A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 天津理工大学 | 二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结器件及其制备方法 |
CN106315531A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-11 | 深圳先进技术研究院 | 一种经芳香族化合物修饰的黑磷及其制备方法与应用 |
CN106424197A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 江西凯安智能股份有限公司 | 高纯高导无氧铜线加工工艺 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SHENGHUANG LIN ET AL.: "In situ observation of the thermal stability of black phosphorus", 《2D MATERIALS》 * |
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