CN108598131B - 发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法 - Google Patents

发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法，该发光基板的制作方法，其包括：在衬底基板的发光区形成第一电极层；在形成有第一电极层的衬底基板上形成金属层，金属层包括形成在第一电极层上的第一部分，以及形成在围绕所述发光区的周边区中的第二部分，其中，第一部分用作第一电极层的辅助电极；在形成有第一部分的衬底基板上形成发光层；在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极层，第二电极层延伸至周边区，并与第二部分连接。本发明提供的发光基板的制作方法，可以降低成本。

Description

发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法。
背景技术
OLED照明结构是自发光结构，不需要背光源，因此与其它的照明材料相比功耗降低很多。
在传统的OLED照明设计中，通常在发光区设计一块整面的ITO结构，用作阳极，并在发光区两侧设置有两块与中间的ITO结构互不相连的ITO结构。两侧的两块ITO结构与OLED的阴极在围绕发光区的***区域连接，通过设置在***区域的阴极引线与***的柔性电路板(FPC)连接。目前，上述OLED照明结构通常需要三张阵列掩膜板(Array mask)，分别用于制作阳极(ITO)、辅助阳极(Mo/Al/Mo)和像素界定层(PDL)。
但是，由于三张阵列掩膜板的成本较高，导致OLED照明成本过高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法，其可以降低成本。
为实现本发明的目的而提供一种发光基板的制作方法，包括：
在衬底基板的发光区形成第一电极层；
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成金属层，所述金属层包括形成在所述第一电极层上的第一部分，以及形成在围绕所述发光区的周边区中的第二部分，其中，所述第一部分用作所述第一电极层的辅助电极；
在形成有所述第一部分的衬底基板上形成发光层；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层，所述第二电极层延伸至所述周边区，并与所述第二部分连接。
可选的，采用第一全开口掩膜板在衬底基板的发光区形成第一电极层。
可选的，采用第一阵列掩膜板在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成金属层。
可选的，所述第二部分为两个，且位于所述第一部分的两侧。
可选的，采用第二全开口掩膜板在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层。
可选的，所述第一部分和第二部分均呈网格状。
可选的，所述第一电极层用作阳极；所述第二电极层用作阴极。
可选的，在所述在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层之后，还包括：
在形成有所述第二电极层的衬底基板上依次形成封装胶层和封装基板。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光装置的制作方法，其包括本发明提供的上述发光基板的制作方法。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光基板，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板的发光区的第一电极层，设置在具有所述第一电极层的衬底基板上的金属层，设置在具有所述金属层的衬底基板上的发光层，以及设置在具有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层；其中，
所述金属层包括形成在所述第一电极层上的第一部分，以及形成在围绕所述发光区的周边区中的第二部分，其中，所述第一部分用作所述第一电极层的辅助电极；
所述第二电极层与所述第二部分连接。
可选的，所述金属层为网状结构。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光装置，其包括本发明提供的上述发光基板。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法的技术方案中，首先，在衬底基板的发光区形成第一电极层；然后，再形成金属层，该金属层包括形成在第一电极层上的第一部分，以及形成在围绕发光区的周边区中的第二部分。由于上述第一电极层仅为位于发光区的整面结构，可以使用规则图形的全开口掩膜板制作即可，这种掩膜板的结构简单，成本相对于阵列掩膜板大大降低。
附图说明
图1A为现有的一种发光基板去除封装部分俯视图；
图1B为沿图1A中A-A线的局部剖视图；
图2为本发明实施例提供的发光基板的制作方法的流程框图；
图3为本发明实施例提供的发光基板去除封装部分的俯视图；
图4为图3中沿B-B线的局部剖视图；
图5为本实施例采用的发光基板的局部剖视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法进行详细描述。
请一并参阅图1A和图1B，传统的OLED发光基板，通常在发光区设计一块整面的ITO结构1，用作阳极，并在发光区两侧设置有两块与中间的ITO结构1互不相连的ITO结构4。两侧的两块ITO结构4与OLED的阴极3在围绕发光区的***区域连接，通过设置在***区域的阴极引线与***的柔性电路板(FPC)连接。中间的ITO结构1通过阳极引线延伸到周边区与FPC连接。另外，在ITO结构1上设置有辅助阳极2，用于减小ITO结构1的面电阻。
目前，传统的OLED发光基板通常需要三张阵列掩膜板(Array mask)，分别用于制作阳极(ITO)、辅助阳极(Mo/Al/Mo)和像素界定层(PDL)。但是，由于三张阵列掩膜板的成本较高，导致OLED照明成本过高。
为了解决上述问题，请一并参阅图2至图5，本发明实施例提供了一种发光基板的制作方法，其包括：
S1，在衬底基板5的发光区形成第一电极层6。
S2，在形成有第一电极层6的衬底基板5上形成金属层，该金属层包括形成在第一电极层6上的第一部分7，以及形成在围绕发光区的周边区中的第二部分15，其中，第一部分7用作第一电极层6的辅助电极，用于减小第一电极层6的面电阻。可选的，第二部分15为两个，且位于第一部分7的两侧。
S3，在形成有第一部分7的衬底基板5上形成发光层10。
S4，在形成有发光层10的衬底基板5上形成第二电极层9，该第二电极层9延伸至周边区(即，发光区***的区域)，并与上述第二部分15连接，以将第二电极层9与***的柔性电路板(FPC)14电导通。
可选的，在上述步骤S2之后，且在上述步骤S3之前，还包括：
在形成有金属层的衬底基板5上形成像素界定层16。
由于上述第一电极层6仅为位于发光区的整面结构，可以借助一张规则图形的全开口掩膜板制作上述第一电极层6，并借助两张阵列掩膜板(Array mask)分别制作金属层(即，第一部分7以及两个第二部分15)和像素界定层(PDL)，由于全开口掩膜板的结构简单，其成本相对于阵列掩膜板大大降低，从而可以大大降低发光基板的制作成本。
同时，上述第二部分15可以与第二电极层9有更好的接触，从而可以提高第二电极层9的导电能力，进而提高传导信号能力。
在实际应用中，上述第一电极层6用作阳极、第二电极层9用作阴极以及第一部分7用作阳极辅助电极。
需要说明的是，上述第一电极层6通过阳极引线延伸到周边区与***的柔性电路板(FPC)14电导通。
可选的，采用第一全开口掩膜板在衬底基板5的发光区形成第一电极层5。第一全开口掩膜板为规则图形的掩膜板，例如矩形掩膜板，这种掩膜板的结构简单，成本相对于阵列掩膜板大大降低。上述第一电极层6所采用的材料包括ITO。
可选的，采用第一阵列掩膜板在形成有第一电极层6的衬底基板5上形成上述金属层。金属层(即，第一部分7以及两个第二部分15)所采用的材料包括Mo/Al/Mo。进一步的，第一部分7和第二部分15可以均呈网格状，减小第一电极层6的面电阻，以及与第二电极层9有更好的接触，从而可以提高第二电极层9的导电能力，进而提高传导信号能力。
可选的，采用第二阵列掩膜板在形成有金属层的衬底基板5上形成像素界定层16。
可选的，采用第二全开口掩膜板在形成有发光层10的衬底基板5上形成第二电极层9。第二电极层9所采用的材料包括Al。
可选的，在上述步骤S5之后，即，在形成有发光层10的衬底基板5上形成第二电极层9之后，还包括：
在形成有第二电极层9的衬底基板5上依次形成液体胶11、封装胶层13和封装基板12。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光装置的制作方法，其包括本发明提供的上述发光基板的制作方法。
本发明提供的发光装置的制作方法，其通过采用本发明提供的上述发光基板的制作方法，可以大大降低制作成本。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光基板，如图3和图4所示，其包括衬底基板5，设置在该衬底基板5的发光区AA的第一电极层6，设置在具有第一电极层6的衬底基板5上的金属层，设置在具有该金属层的衬底基板5上的发光层10，以及设置在具有该发光层10的衬底基板5上形成第二电极层9。
需要说明的是，发光层10包括位于整个发光区AA的部分，以及位于该发光区AA周边的部分，也就是说，发光层10在衬底基板5上的正投影面积大于发光区AA在衬底基板5上的正投影面积。
其中，金属层包括形成在第一电极层6上的第一部分7，以及形成在围绕发光区AA的周边区中的第二部分15，其中，第一部分7用作第一电极层6的辅助电极。可选的，第二部分155为两个，且位于第一部分7的两侧。第二电极层9与第二部分15连接，以将第二电极层9与***的柔性电路板(FPC)14电导通。
可选的，上述金属层(即，第一部分7以及两个第二部分15)所采用的材料包括Mo/Al/Mo。进一步的，第一部分7和第二部分15可以均呈网格状，减小第一电极层6的面电阻，以及与第二电极层9有更好的接触，从而可以提高第二电极层9的导电能力，进而提高传导信号能力。
可选的，发光基板还包括设置在具有金属层的衬底基板5上形成像素界定层16。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种发光装置，其包括本发明提供的上述发光基板。
本发明提供的发光装置，其通过采用本发明提供的上述发光基板，可以大大降低制作成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种发光基板的制作方法，其特征在于，包括：
采用第一全开口掩膜板在衬底基板的发光区形成第一电极层；
采用第一阵列掩膜板在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成金属层，所述金属层包括形成在所述第一电极层上的第一部分，以及形成在围绕所述发光区的周边区中的第二部分，其中，所述第一部分用作所述第一电极层的辅助电极；
在形成有所述第一部分的衬底基板上形成发光层；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层，所述第二电极层延伸至所述周边区，并与所述第二部分连接。
2.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述第二部分为两个，且位于所述第一部分的两侧。
3.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，采用第二全开口掩膜板在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层。
4.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分和第二部分均呈网格状。
5.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述第一电极层用作阳极；所述第二电极层用作阴极。
6.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，在所述在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层之后，还包括：
在形成有所述第二电极层的衬底基板上依次形成封装胶层和封装基板。
7.一种发光装置的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的发光基板的制作方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110047266B (zh) * 2018-01-17 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 信息表示方法、多进制计算电路及电子***
CN109713148A (zh) * 2018-11-22 2019-05-03 南京第壹有机光电有限公司 一种带有辅助电极的oled照明器件的制备方法
CN117529983A (zh) * 2022-04-21 2024-02-06 京东方科技集团股份有限公司 发光面板及其制备方法、发光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102334383A (zh) * 2009-02-26 2012-01-25 松下电工株式会社 平面发光装置
CN106887528A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN107565041A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140088731A (ko) * 2013-01-03 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 그 마스크 세정 방법과 그 마스크를 이용한 복수의 유기전계발광소자 제조 방법
KR102279921B1 (ko) * 2014-02-12 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2020518107A (ja) * 2017-04-26 2020-06-18 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102334383A (zh) * 2009-02-26 2012-01-25 松下电工株式会社 平面发光装置
CN106887528A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN107565041A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

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