CN108594553A - 一种阵列基板、其修复方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其修复方法及显示装置，当像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例通过在像素单元中设置修复薄膜晶体管可以有效地对该像素单元进行修复，以代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，从而可以避免对像素单元做暗点化处理，进而改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的显示面板。

Description

一种阵列基板、其修复方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其修复方法及显示装置。
背景技术
目前，薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)成为了平板显示器的主流，已经广泛地应用于电视、手机、电脑等领域。TFT-LCD一般包括：相对设置的阵列基板与对向基板，以及灌装于两基板间的液晶层。其工作原理是通过对液晶层施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
如图1所示，现有TFT-LCD的阵列基板一般包括呈阵列式排布的多个像素单元10、对应每一行像素单元10设置的沿行方向延伸的栅线20、对应每一列像素单元10设置的沿列方向延伸的数据线30。其中，像素单元10通常包括TFT11与像素电极12。其中，TFT11的栅极电连接对应的栅线20，源极电连接对应的数据线30，漏极电连接对应的像素电极12，用于在栅线20传输的开关扫描信号的控制下将数据线30传输的数据信号提供给像素电极12。
在阵列基板的生产过程中，由于生产工序复杂，受生产工艺及厂房环境的影响，可能会导致像素单元中出现异物或膜破等导致短路情况，这样会在显示画面中出现人眼比较容易识别出的显示缺陷，严重影响画面显示质量。现有的修复技术通常是对显示异常的像素单元做暗点化处理来实现简单修复，这样将会导致画面显示效果降低，不利于实现高分辨率的TFT-LCD。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其修复方法及显示装置，可以修复不良，提高显示效果。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：多个具有开关薄膜晶体管的像素单元；各所述像素单元还包括：至少一个修复薄膜晶体管；
所述修复薄膜晶体管用于代替所述像素单元中出现缺陷的开关薄膜晶体管。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：多条栅线和多条数据线：所述像素单元还包括像素电极；
在同一所述像素单元中，所述修复薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极均与同一条栅线电连接，所述修复薄膜晶体管的源极与所述开关薄膜晶体管的源极均与同一条数据线电连接，所述修复薄膜晶体管的漏极与所述开关薄膜晶体管的漏极均与所述像素电极电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的至少一个电极处于浮接状态。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：多条栅线和多条数据线：所述像素单元还包括像素电极；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极与一条栅线电连接，所述开关薄膜晶体管的源极与一条数据线电连接，所述开关薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接；
所述修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极均处于浮接状态；在同一所述像素单元中，当所述开关薄膜晶体管出现缺陷时，所述修复薄膜晶体管的栅极用于与对应的栅线电连接，源极用于与对应的数据线电连接，漏极用于与对应的像素电极电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述开关薄膜晶体管为双栅极结构，所述开关薄膜晶体管包括：第一子开关薄膜晶体管和第二子开关薄膜晶体管；其中，所述第一子开关薄膜晶体管的栅极与所述第二子开关薄膜晶体管的栅极均与对应的栅线电连接，所述第一子开关薄膜晶体管的源极与对应的数据线电连接，所述第一子开关薄膜晶体管的漏极与所述第二子开关薄膜晶体管的源极电连接，所述第二子开关薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接；和/或，
所述修复薄膜晶体管为双栅极结构，所述修复薄膜晶体管包括：第一子修复薄膜晶体管和第二子修复薄膜晶体管；其中，所述第一子修复薄膜晶体管的栅极与所述第二子修复薄膜晶体管的栅极电连接，作为所述修复薄膜晶体管的栅极；所述第一子修复薄膜晶体管的源极作为所述修复薄膜晶体管的源极，所述第一子修复薄膜晶体管的漏极与所述第二子修复薄膜晶体管的源极电连接，所述第二子修复薄膜晶体管的漏极作为所述修复薄膜晶体管的漏极。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，各所述修复薄膜晶体管的栅极与各所述开关薄膜晶体管的栅极同层同材质；和/或，
各所述修复薄膜晶体管的有源层与各所述开关薄膜晶体管的有源层同层同材质；和/或，
各所述修复薄膜晶体管的源漏极与各所述开关薄膜晶体管的源漏极同层同材质。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，一个开关薄膜晶体管对应设置一个修复薄膜晶体管。
相应地，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的阵列基板的修复方法，包括：
确定像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷；
通过激光切断所述出现缺陷的开关薄膜晶体管在所述像素单元中的电连接处，采用所述像素单元中的修复薄膜晶体管代替所述出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作。
可选地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，在所述开关薄膜晶体管为双栅极结构时，所述通过激光切断所述出现缺陷的开关薄膜晶体管在所述像素单元中的电连接处，具体包括：
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的栅极与对应的栅线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管的栅极与对应的栅线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的源极与对应的数据线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的漏极与第二子开关薄膜晶体管的源极之间的连接处；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管的漏极与对应的像素电极的连接处。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、其修复方法及显示装置，当像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例通过在像素单元中设置修复薄膜晶体管可以有效地对该像素单元进行修复，以代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，从而可以避免对像素单元做暗点化处理，进而改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的显示面板。
附图说明
图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之一；
图2b为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之二；
图3a为本发明实施例提供的阵列基板的局部结构示意图之一；
图3b为本发明实施例提供的阵列基板的局部结构示意图之二；
图4为图2a所示的阵列基板的一个像素单元中的开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的布局图；
图5为本发明实施例提供的修复方法的流程图；
图6a为本发明实施例提供的阵列基板进行激光切割的示意图之一；
图6b为本发明实施例提供的阵列基板进行激光切割的示意图之二。
具体实施方式
一般对显示异常的像素单元做暗点化处理的方法，例如将图1中的TFT11与数据线30的电连接处切断，从而避免数据线30传输的数据信号提供给像素电极12，使像素电极12对应的液晶分子不进行旋转，导致该像素单元中无光透过而变暗点。这样将会导致用于显示的像素单元的数量降低，从而导致画面显示效果降低，不利于实现高分辨率的TFT-LCD。
基于此，本发明实施例提供了一种阵列基板，可以修复显示异常的像素单元，改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的TFT-LCD。
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其修复方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。并且，附图中各层薄膜厚度、大小和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图2a与图2b(图2a与图2b仅以一个像素单元包括一个修复薄膜晶体管为例)所示，可以包括：多个具有开关薄膜晶体管111的像素单元110。并且，各像素单元110还可以包括：至少一个修复薄膜晶体管112；其中，修复薄膜晶体管112用于代替像素单元110中出现缺陷的开关薄膜晶体管111。
本发明实施例提供的上述阵列基板，当像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例通过在像素单元中设置修复薄膜晶体管可以有效地对该像素单元进行修复，以代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，从而可以避免对像素单元做暗点化处理，进而改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的显示面板。
在具体实施时，在本发明实施例中，可以使一个开关薄膜晶体管对应设置至少一个修复薄膜晶体管。具体地，可以使一个开关薄膜晶体管对应设置一个修复薄膜晶体管。这样在开关薄膜晶体管出现损坏时，可以采用对应设置的修复薄膜晶体管代替它进行工作，并且可以提高像素开口率。或者，也可以使一个开关薄膜晶体管对应设置2个修复薄膜晶体管，这样在开关薄膜晶体管与对应的1个修复薄膜晶体管都出现损坏时，还可以采用另一个修复薄膜晶体管代替开关薄膜晶体管进行工作。在实际应用中，在各像素单元中设置的修复薄膜晶体管的数量可以根据实际应用来设计确定。
进一步地，为了统一工艺，降低工艺制备难度，在本发明实施例中，可以在各像素单元中设置相同数量的修复薄膜晶体管。例如，如图2a与图2b所示，可以在各像素单元110中设置一个修复薄膜晶体管112。或者，也可以在各像素单元中设置2个修复薄膜晶体管。当然，在各像素单元中设置的修复薄膜晶体管的数量可以根据实际应用设计确定，在此不作限定。
在TFT-LCD中，一般一个像素单元中通常设置一个开关薄膜晶体管，以控制数据信号输入像素电极中。在本发明实施例中，如图2a与图2b所示，各像素单元110中可以设置一个开关薄膜晶体管111与一个修复薄膜晶体管112。
下面通过实施例对本发明提供的阵列基板的结构进行说明，但是读者应知，其结构并不局限于此。
实施例一、
在具体实施时，如图2a所示，阵列基板还可以包括：多条栅线120和多条数据线130：在本发明实施例中，像素单元110还包括像素电极113；其中，在同一像素单元110中，修复薄膜晶体管112的栅极与开关薄膜晶体管111的栅极均与同一条栅线120电连接，修复薄膜晶体管112的源极与开关薄膜晶体管111的源极均与同一条数据线130电连接，修复薄膜晶体管112的漏极与开关薄膜晶体管111的漏极均与像素电极113电连接。这样在栅线120传输的开关扫描信号的控制下，像素单元110中的开关薄膜晶体管111与修复薄膜晶体管112均导通，以产生多条信号通路，从而将数据线130传输的数据信号提供给像素电极113。在像素单元110中的开关薄膜晶体管111出现异物导致出现短路等缺陷时，可以通过激光切割将该开关薄膜晶体管111与电连接的信号线断开，采用修复薄膜晶体管112代替开关薄膜晶体管111进行工作。当然，在像素单元110中的修复薄膜晶体管112出现异物导致出现短路等缺陷时，可以通过激光切割将该修复薄膜晶体管112与电连接的信号线断开，采用开关薄膜晶体管111进行工作。即开关薄膜晶体管111与修复薄膜晶体管112可以互换。这样还可以在后期使用过程中，某个像素单元中的开关薄膜晶体管111与修复薄膜晶体管112中的一个晶体管出现损坏时，可以采用另一个晶体管传输信号，从而进一步降低像素单元出现暗点的几率。
在将数据信号写入像素电极中后，为了减少漏电流，如图2a所示，可以将开关薄膜晶体管111设置为双栅极结构。具体地，开关薄膜晶体管111可以包括：第一子开关薄膜晶体管TFT1和第二子开关薄膜晶体管TFT2；其中，第一子开关薄膜晶体管TFT1的栅极与第二子开关薄膜晶体管TFT2的栅极均与对应的栅线120电连接，第一子开关薄膜晶体管TFT1的源极与对应的数据线130电连接，第一子开关薄膜晶体管TFT1的漏极与第二子开关薄膜晶体管TFT2的源极电连接，第二子开关薄膜晶体管TFT2的漏极与像素电极113电连接。当然，在实际应用中，开关薄膜晶体管也可以为单栅极结构，在此不作限定。
在具体实施时，为了减少漏电流，如图2a所示，也可以将修复薄膜晶体管112设置为双栅极结构。具体地，修复薄膜晶体管112可以包括：第一子修复薄膜晶体管TFT3和第二子修复薄膜晶体管TFT4；其中，第一子修复薄膜晶体管TFT3的栅极与第二子修复薄膜晶体管TFT4的栅极均与对应的栅线120电连接，作为修复薄膜晶体管112的栅极。第一子修复薄膜晶体管TFT3的源极与对应的数据线130电连接，作为修复薄膜晶体管112的源极。第一子修复薄膜晶体管TFT3的漏极与第二子修复薄膜晶体管TFT4的源极电连接，第二子修复薄膜晶体管TFT4的漏极与像素电极113电连接，作为修复薄膜晶体管112的漏极。当然，在实际应用中，修复薄膜晶体管也可以为单栅极结构，在此不作限定。
进一步地，在具体实施时，如图2a所示，可以将开关薄膜晶体管111与修复薄膜晶体管112均设置为双栅极结构。
在具体实施时，在本发明实施例中，开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管可以为顶栅型晶体管；或者，也可以为底栅型晶体管，在此不作限定。进一步地，可以使修复薄膜晶体管与开关薄膜晶体管均为顶栅型晶体管；或者也可以均为底栅型晶体管。
在实际应用中，一般是将薄膜晶体管设置在衬底基板上。以开关薄膜晶体管为顶栅型晶体管为例，如图3a与图3b所示，开关薄膜晶体管可以包括：依次设置于衬底基板100上的有源层114、栅极115、源极116以及漏极117。并且，在有源层114与栅极115之间还设置有栅绝缘层118，在栅极115与源漏极116、117之间还设置有层间介质层119。其中，源极116通过贯穿栅绝缘层118与层间介质层119的过孔1161与有源层114电连接，漏极117通过贯穿栅绝缘层118与层间介质层119的过孔1171与有源层114电连接。在开关薄膜晶体管为双栅极结构时，其栅极115可以包括两个子栅极1151与1152，其中，子栅极1151可以作为第一子开关薄膜晶体管的栅极，子栅极1152可以作为第二子开关薄膜晶体管的栅极。
进一步地，为了避免背光源的光对有源层的沟道区的影响，在具体实施时，如图3a与图3b所示，还可以包括：设置于衬底基板100与有源层114之间的遮光层120；其中，该遮光层120在衬底基板100的正投影覆盖有源层114的沟道区在衬底基板100的正投影。进一步地，为了增加有源层的附着力，如图3a与图3b所示，还可以包括：设置于遮光层120与有源层114之间的缓冲层121。在具体实施时，在修复薄膜晶体管为顶栅型晶体管时，其结构可以参见上述开关薄膜晶体管的结构，在此不作赘述。
进一步地，在具体实施时，如图3a所示，阵列基板中还可以包括：位于源漏极116、117背离衬底基板100一侧的平坦层122与像素电极113；其中，像素电极113通过贯穿平坦层122的过孔1131与开关薄膜晶体管的漏极117电连接。这样可以使采用该阵列基板形成的显示装置至少可以为TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型TFT-LCD。其中，制备图3a所示的阵列基板的方法可以为，依次在衬底基板100上制备：遮光层120→缓冲层121→有源层114→栅绝缘层118→栅极115→具有过孔1161、1171的层间介质层119→源极116与漏极117→具有过孔1131的平坦层122→像素电极113。
进一步地，如图3b所示，阵列基板中还可以包括：位于源漏极116、117背离衬底基板100一侧的平坦层122、公共电极层123、电极间绝缘层124以及像素电极113；其中，像素电极113通过贯穿平坦层122与电极间绝缘层124的过孔1132与开关薄膜晶体管的漏极117电连接。这样可以实现ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)型的LCD显示面板。其中，制备图3b所示的阵列基板的方法可以为，依次在衬底基板100上制备：遮光层120→缓冲层121→有源层114→栅绝缘层118→栅极115→具有过孔1161、1171的层间介质层119→源极116与漏极117→平坦层122→公共电极层123→具有过孔1132的电极间绝缘层124→像素电极113。其中，像素电极113包括电连接的多个间隔排列的条状电极，公共电极层123为块状电极，同一像素单元中，各条状电极在衬底基板的正投影位于公共电极层在衬底基板的正投影内。这样通过条状电极与公共电极层形成的空间性的电场驱动液晶分子旋转，有利于实现FFS型LCD显示面板。
进一步地，为了降低工艺制备难度，在具体实施时，在本发明实施例中，可以使各修复薄膜晶体管的栅极与各开关薄膜晶体管的栅极同层同材质。这样可以采用一次构图工艺同时形成开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的栅极，从而可以降低工艺制备难度，降低成本。进一步地，还可以使各栅线与各修复薄膜晶体管的栅极以及各开关薄膜晶体管的栅极同层同材质。
进一步地，为了降低工艺制备难度，在具体实施时，在本发明实施例中，可以使各修复薄膜晶体管的有源层与各开关薄膜晶体管的有源层同层同材质。这样可以采用一次构图工艺同时形成开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的有源层，从而可以降低工艺制备难度，降低成本。
进一步地，为了降低工艺制备难度，在具体实施时，在本发明实施例中，可以使各修复薄膜晶体管的源漏极与各开关薄膜晶体管的源漏极同层同材质。这样可以采用一次构图工艺同时形成开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的漏极，从而可以降低工艺制备难度，降低成本。进一步地，还可以使各数据线与各修复薄膜晶体管的源漏极以及各开关薄膜晶体管的源漏极同层同材质。
实际生产制备时，一般在衬底基板上进行布局(Layout)以形成本发明实施例提供的上述阵列基板，其中，图2a所示的阵列基板的一个像素单元中开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的布局图如图4所示。开关薄膜晶体管(即第一子开关薄膜晶体管TFT1与第二子开关薄膜晶体管TFT2)与修复薄膜晶体管(即第一子修复薄膜晶体管TFT3与第二子修复薄膜晶体管TFT4)的有源层114同层设置，且有源层114采用类似“口”字型的结构，数据线130通过过孔1161与有源层114电连接。漏极117通过过孔1171与有源层114电连接。开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的栅极115与栅线120同层设置且电连接。遮光层120在衬底基板100的正投影覆盖有源层114的沟道区在衬底基板100的正投影。
实施例二、
为了降低功耗，在具体实施时，也可以使修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的至少一个电极处于浮接状态。即修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的至少一个电极未与对应的信号线和像素电极进行电连接。这样在检测到像素单元中的开关薄膜晶体管未出现异物导致的短路等缺陷时，仅采用开关薄膜晶体管传输信号，以降低功耗。在检测到像素单元中的开关薄膜晶体管出现异物导致出现短路等缺陷时，将修复薄膜晶体管焊接到信号线的相应位置以代替开关薄膜晶体管进行工作。在具体实施时，该修复薄膜晶体管的结构可以参考上述修复薄膜晶体管的结构，在此不作赘述。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例中，如图2b所示，阵列基板还可以包括：多条栅线120和多条数据线130：像素单元110还包括像素电极113；其中，开关薄膜晶体管111的栅极与一条栅线120电连接，开关薄膜晶体管111的源极与一条数据线130电连接，开关薄膜晶体管111的漏极与像素电极113电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2b所示，修复薄膜晶体管111的栅极、源极以及漏极均处于浮接状态，即修复薄膜晶体管111的栅极、源极以及漏极均未与对应的信号线和像素电极进行电连接。在同一像素单元110中，当开关薄膜晶体管出现缺陷时，修复薄膜晶体管111的栅极用于与对应的栅线120电连接，源极用于与对应的数据线120电连接，漏极用于与对应的像素电极113电连接。
在具体实施时，仅修复薄膜晶体管的栅极处于浮接状态，在本发明实施例中，修复薄膜晶体管的源极与开关薄膜晶体管的源极均与同一条数据线电连接，修复薄膜晶体管的漏极与开关薄膜晶体管的漏极均与像素电极电连接。并且，在同一像素单元中，当开关薄膜晶体管出现缺陷时，修复薄膜晶体管的栅极用于与对应的栅线电连接。
在具体实施时，仅修复薄膜晶体管的源极处于浮接状态，在本发明实施例中，修复薄膜晶体管的栅极与开关薄膜晶体管的栅极均与同一条栅线电连接，修复薄膜晶体管的漏极与开关薄膜晶体管的漏极均与像素电极电连接。并且，在同一像素单元中，当开关薄膜晶体管出现缺陷时，修复薄膜晶体管的源极用于与对应的数据线电连接。
在具体实施时，仅修复薄膜晶体管的漏极处于浮接状态，在本发明实施例中，修复薄膜晶体管的栅极与开关薄膜晶体管的栅极均与同一条栅线电连接，修复薄膜晶体管的源极与开关薄膜晶体管的源极均与同一条数据线电连接。并且，在同一像素单元中，当开关薄膜晶体管出现缺陷时，修复薄膜晶体管的漏极用于与对应的像素电极电连接。在修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的2个电极处于浮接状态时，以此类推，在此不作赘述。
在具体实施时，本发明实施例中的开关薄膜晶体管与修复薄膜晶体管的结构与实现方式可以参见实施例一，在此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的阵列基板的修复方法，如图5所示，可以包括如下步骤：
S501、确定像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷；
S502、通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管在像素单元中的电连接处，采用像素单元中的修复薄膜晶体管代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作。
本发明实施例提供的上述修复方法，当像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例通过在像素单元中设置修复薄膜晶体管可以有效地对该像素单元进行修复，以代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，从而可以避免对像素单元做暗点化处理，进而改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的显示面板。
在具体实施时，通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管在像素单元中的电连接处，具体可以包括：
通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管的栅极与对应的栅线之间的连接处；和/或，
通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管的源极与对应的数据线之间的连接处；和/或，
通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管的漏极与对应的像素电极之间的连接处。在开关薄膜晶体管为单栅极结构时，可以采用上述激光切断方式将出现缺陷的开关薄膜晶体管断路。
在具体实施时，在开关薄膜晶体管为双栅极结构时，如图6a与图6b所示，通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管在像素单元中的电连接处，具体可以包括：
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管TFT1的栅极与对应的栅线120之间的连接处a1；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管TFT2的栅极与对应的栅线120之间的连接处a2；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管TFT1的源极与对应的数据线130之间的连接处a3；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管TFT1的漏极与第二子开关薄膜晶体管TFT2的源极之间的连接处a4；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管TFT2的漏极与对应的像素电极113的连接处a5。在开关薄膜晶体管出现异物导致出现短路等缺陷时，可以采用上述切断连接处a1、a2、a3、a4以及a5中的一种或几种，以使开关薄膜晶体管短路。
在修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的至少一个电极处于浮接状态时，本发明实施例提供的修复方法还可以包括：通过激光切断出现缺陷的开关薄膜晶体管在像素单元中的电连接处，采用像素单元中的修复薄膜晶体管代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，具体可以包括：
通过激光切断出现缺陷的薄膜晶体管在像素单元中的电连接处；
将位于像素单元中的修复薄膜晶体管分别与栅极、数据线以及像素电极对应电连接，来代替出现缺陷的薄膜晶体管进行工作。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置还可以包括与阵列基板相对设置的对向基板，以及灌装于两基板间的液晶层。
在具体实施时，本发明实施例显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的阵列基板、其修复方法及显示装置，当像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷时，本发明实施例通过在像素单元中设置修复薄膜晶体管可以有效地对该像素单元进行修复，以代替出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作，因此，修复薄膜晶体管可以修复不良，从而可以避免对像素单元做暗点化处理，进而改善画面显示效果，有利于实现高分辨率的显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：多个具有开关薄膜晶体管的像素单元；其特征在于，各所述像素单元还包括：至少一个修复薄膜晶体管；
所述修复薄膜晶体管用于代替所述像素单元中出现缺陷的开关薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：多条栅线和多条数据线：所述像素单元还包括像素电极；
在同一所述像素单元中，所述修复薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极均与同一条栅线电连接，所述修复薄膜晶体管的源极与所述开关薄膜晶体管的源极均与同一条数据线电连接，所述修复薄膜晶体管的漏极与所述开关薄膜晶体管的漏极均与所述像素电极电连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极中的至少一个电极处于浮接状态。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：多条栅线和多条数据线：所述像素单元还包括像素电极；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极与一条栅线电连接，所述开关薄膜晶体管的源极与一条数据线电连接，所述开关薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接；
所述修复薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极均处于浮接状态；在同一所述像素单元中，当所述开关薄膜晶体管出现缺陷时，所述修复薄膜晶体管的栅极用于与对应的栅线电连接，源极用于与对应的数据线电连接，漏极用于与对应的像素电极电连接。
5.如权利要求2或4所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管为双栅极结构，所述开关薄膜晶体管包括：第一子开关薄膜晶体管和第二子开关薄膜晶体管；其中，所述第一子开关薄膜晶体管的栅极与所述第二子开关薄膜晶体管的栅极均与对应的栅线电连接，所述第一子开关薄膜晶体管的源极与对应的数据线电连接，所述第一子开关薄膜晶体管的漏极与所述第二子开关薄膜晶体管的源极电连接，所述第二子开关薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接；和/或，
所述修复薄膜晶体管为双栅极结构，所述修复薄膜晶体管包括：第一子修复薄膜晶体管和第二子修复薄膜晶体管；其中，所述第一子修复薄膜晶体管的栅极与所述第二子修复薄膜晶体管的栅极电连接，作为所述修复薄膜晶体管的栅极；所述第一子修复薄膜晶体管的源极作为所述修复薄膜晶体管的源极，所述第一子修复薄膜晶体管的漏极与所述第二子修复薄膜晶体管的源极电连接，所述第二子修复薄膜晶体管的漏极作为所述修复薄膜晶体管的漏极。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述修复薄膜晶体管的栅极与各所述开关薄膜晶体管的栅极同层同材质；和/或，
各所述修复薄膜晶体管的有源层与各所述开关薄膜晶体管的有源层同层同材质；和/或，
各所述修复薄膜晶体管的源漏极与各所述开关薄膜晶体管的源漏极同层同材质。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，一个开关薄膜晶体管对应设置一个修复薄膜晶体管。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，包括：
确定像素单元中的开关薄膜晶体管出现缺陷；
通过激光切断所述出现缺陷的开关薄膜晶体管在所述像素单元中的电连接处，采用所述像素单元中的修复薄膜晶体管代替所述出现缺陷的开关薄膜晶体管进行工作。
9.如权利要求8所述的修复方法，其特征在于，在所述开关薄膜晶体管为双栅极结构时，所述通过激光切断所述出现缺陷的开关薄膜晶体管在所述像素单元中的电连接处，具体包括：
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的栅极与对应的栅线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管的栅极与对应的栅线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的源极与对应的数据线之间的连接处；和/或，
通过激光切断第一子开关薄膜晶体管的漏极与第二子开关薄膜晶体管的源极之间的连接处；和/或，
通过激光切断第二子开关薄膜晶体管的漏极与对应的像素电极的连接处。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
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