CN108591345B - 一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，针对传统的活塞式磁流变阻尼器将移动的磁感线圈变成了在满足活塞行程的条件下的固定阀式结构，使得磁场利用率大大提高，同时对于线圈的散热以及对磁流变液的性质的影响、磁流变阻尼器的维修等问题得到了解决，也具有在空间范围允许的条件下极大地增大线圈的匝数来增大阻尼力的特点，增大了阻尼力的动态范围。当通电出现故障时，由于蜿蜒的回路也可产生一定大小的阻尼力，具有了一定的失效安全性。

Description

一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器

技术领域

本发明属于阻尼器技术领域，特别涉及一种磁流变阻尼器。

背景技术

磁流变液属可控流体，是智能材料中研究较为活跃的一支。磁流变阻尼器是一种半主动阻尼器件，是依据磁流变液在有磁场作用下流动性能发生改变的原理制作，具有响应速度快、调节范围宽、输出阻尼力大等优点，是一种优秀的半主动减振器件。目前，已经广泛应用在船舰、火炮、车辆等结构减振领域。

常见的磁流变阻尼器大多都是将线圈缠绕在活塞头上，然后活塞头上形成闭合的磁路或者通过活塞头和缸筒之间形成闭合磁路。当通电时，在活塞头的间隙或者活塞头和缸筒的间隙产生垂直于磁流变液流动方向的磁场，通过改变电流的大小可以来改变间隙磁流变液的剪切屈服应力，从而增大阻尼力。但是这类大多的阻尼器存在很多的缺陷：

(1)磁场利用率不够高，阻尼器没有充分利用电磁线圈产生的磁场，造成产生的阻尼力动态范围不够大。

(2)该类阻尼器由于电磁线圈在磁流变液里工作，在线圈工作的时候会产生大量的热，影响磁流变液的工作性能，也会影响线圈的使用寿命。

(3)当流变阻尼器在使用过程中线圈存在问题时会给维修带来困难，因为必须将阻尼器的很多密封***打开，给维修带来不便。

(4)当阻尼器的阻尼力不够大时，希望通过增大线圈匝数来改变阻尼力，由于缸筒尺寸的既定也会限制了阻尼力的范围。

(5)由于线圈的通电，一般是通过阻尼器的活塞杆来引出，同时给阻尼器的密封带来不便。

(6)故障情况下励磁线圈失电时没法产生足够的阻尼力来进行减振，不能预防危险的发生。

因此，设计一种具有安全性高、磁场利用率高、输出阻尼力大以及维修方便的磁流变阻尼器很符合当前的应用领域要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，以解决上述技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，包括：上盖、下盖、内筒、外筒、活塞、第一不导磁组件、第二不导磁组件、第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段、不导磁杆、第一导磁组件、第二导磁组件、第三导磁组件、第四导磁组件、第五导磁组件、浮动活塞、线圈、导磁套筒和导磁环；

外筒同心且间隔设置于内筒外周；外筒和内筒安装于下盖和上盖之间；

内筒中安装有活塞；活塞与内筒之间通过密封圈进行密封；

第一不导磁组件和第二不导磁组件间隔固定在内筒中；

不导磁杆固定于第一不导磁组件和第二不导磁组件之间；第一导磁组件、第二导磁组件、第三导磁组件、第四导磁组件和第五导磁组件间隔设置；第一导磁组件、第三导磁组件、第五导磁组件中心固定在不导磁杆上；

内筒和外筒相应位置均设有环形断口；每个环形断口均通过依次连接的第一筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁磁环、第二筒壁不导磁段和第三筒壁磁环连接；

第二导磁组件和第四导磁组件的外圈与对应的内筒的第一筒壁不导磁段、内筒的第二筒壁不导磁段的内壁固定连接；

四个导磁环与外筒上第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环固定连接；中间两个导磁环与外筒的第二筒壁磁环固定连接；两个导磁环与对应的一个导磁套筒通过螺纹连接；两个导磁环与对应的导磁套筒围成的空间中安装一个线圈；

第一不导磁组件和第二不导磁组件中间均设有若干不导磁组件通流孔；

内筒的上部靠近上盖处设有径向的上腔通流孔；第一导磁组件与第二不导磁组件之间的内筒处设有下腔通流孔；上腔的磁流变液能够通过上腔通流孔、内筒与外筒之间的间隙、下腔通流孔、第一不导磁组件和第二不导磁组件中间的不导磁组件通流孔形成了磁流变液的流动回路。

进一步的，内筒中还安装有位于第二不导磁组件和下盖之间的浮动活塞；浮动活塞与内筒内壁通过密封圈密封。

进一步的，第一导磁组件、第二导磁组件、第三导磁组件、第四导磁组件和第五导磁组件之间间隔设置，在第一导磁组件与内筒第三筒壁导磁环之间、第一导磁组件与第二导磁组件之间、第二导磁组件的内圈与不导磁杆之间、第二导磁组件与第三导磁组件之间、第三导磁组件与内筒第二筒壁导磁环之间、第三导磁组件与第四导磁组件之间、第四导磁组件的内圈与不导磁杆之间、第四导磁组件与第五导磁组件之间、第五导磁组件与内筒第一筒壁导磁环之间形成连通的蜿蜒磁流变液通道间隙。

进一步的，当活塞向下运动时，磁流变液从活塞与第一不导磁组件之间的中间的腔通过第一不导磁组件上的不导磁组件通流孔、蜿蜒磁流变液通道间隙、下腔通流孔、内筒与外筒之间的筒壁间隙、上腔通流孔形成了环形流动通道。

进一步的，内筒和内筒对应的第一筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁磁环、第二筒壁不导磁段和第三筒壁磁环相互通过螺纹连接并通过密封圈密封。

进一步的，第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段为不导磁材料或者导磁率很低的不锈钢材料。

进一步的，外筒和外筒对应的第一筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁磁环、第二筒壁不导磁段和第三筒壁磁环相互通过螺纹连接并通过密封圈密封。

进一步的，还包括活塞杆耳环；活塞杆耳环中心有内螺纹孔，活塞杆一端与活塞杆耳环螺纹连接，另一端穿过上盖和活塞固定连接。

进一步的，下盖上固定有缸底耳环。

进一步的，2个线圈通电相反时，磁流变液的流动方向和磁场方向垂直，发生磁感应效应产生磁流变阻尼力。

为了解决背景技术中存在的问题及满足磁流变阻尼器的实际使用要求，本发明提出了一种双筒臂的高磁场利用率磁流变阻尼器。针对传统的活塞式磁流变阻尼器将移动的磁感线圈变成了在满足活塞行程的条件下的固定阀式结构，使得磁场利用率大大提高，同时对于线圈的散热以及对磁流变液的性质的影响、磁流变阻尼器的维修等问题得到了解决，也具有在空间范围允许的条件下极大地增大线圈的匝数来增大阻尼力的特点，增大了阻尼力的动态范围。当通电出现故障时，由于蜿蜒的回路也可产生一定大小的阻尼力，具有了一定的失效安全性。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

1)与普通阻尼器相比，本发明磁流变阻尼器采用固定阀式，在设计好活塞的有效行程的前提下，利用高导磁组件和不导磁组件形成蜿蜒回路，使得在不通电的情况下也可产生比较大的阻尼力。即在失电情况下可以产生比较大的阻尼力用于减振，预防了危险情况的发生，即就是具有失效安全性。

2)本发明磁流变阻尼器在通电以后磁场利用率很高，在导磁组件之间形成了封闭磁路，与磁流变液的流动方向垂直，产生的阻尼力动态范围比较大。

3)与普通阻尼器相比，因为采用固定阀式结构，线圈在外筒壁上，因此解决了线圈的散热和热量对于磁流变液性能影响的问题。

4)本发明磁流变阻尼器的在设计好内筒和外筒结构以后，可以根据阻尼器的径向的有效空间来适当改变线圈的匝数，从而来提高输出的阻尼力。较普通的阻尼器而言，由于线圈在筒壁的外面，可以改变线圈的匝数。

5)本发明磁流变阻尼器由于线圈没在活塞上，解决了因为线圈需要通过活塞杆来引出而导致的容易泄露问题。

6)本发明磁流变阻尼器因为都是采用螺纹组装的形式，较普通阻尼器可以比较方便的解决因为故障带来的维修问题，比较容易进行维修。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1是本发明的结构示意图；

图2是图1中阻尼缸筒的剖视结构示意图；

图3是图1中内层缸筒组件的剖视结构示意图；

图4是图1中外层缸筒组件的剖视结构示意图；

图5是图1中导磁组件和线圈组件的剖视结构示意图；

图6是本发明中磁路形成原理图。

其中：活塞杆耳环(1)、活塞杆(2)、上盖(3)、上盖密封(4)、上腔通流孔(5)、内筒(6)、外筒(7)、活塞(8)、活塞密封(9)、第一不导磁组件(10)、第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)、第三筒壁磁环(15)、下腔通流孔(16)、不导磁组件通流孔(17)、浮动活塞密封(18)、浮动活塞(19)、下盖密封(20)、下盖(21)、缸底耳环(22)、第二不导磁组件(23)、不导磁杆(24)、第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)、第五导磁组件(29)、线圈(30)、导磁套筒(31)、导磁环(32)。

具体实施方式

请参阅图1所示，本发明提供一种双筒臂的高磁场利用率磁流变阻尼器，包括内筒6、外筒7、线圈30、活塞8、活塞杆2、第一至第五导磁组件(25、26、27、28、29)、第一、第二不导磁组件(10、23)、第一、第二、第三筒壁磁环(11、13、15)、第一、第二筒壁不导磁段(12、14)和磁流变液。

活塞杆耳环1中心有内螺纹孔，活塞杆2一端有外螺纹，活塞杆耳环1和活塞杆2一端通过螺纹紧固连接。

阻尼器上盖3中心加工有圆形通孔，活塞杆2穿过上盖3并通过密封圈密封。

外筒7同心且间隔设置于内筒6外周；外筒7和内筒6安装于下盖21和上盖3之间；阻尼器上盖3与外筒7间隙配合，阻尼器上盖3与内筒6通过密封圈进行密封；阻尼器上盖3与外筒7通过螺钉固定连接。

内筒6中安装有活塞8和浮动活塞19；活塞8与内筒6之间通过密封圈进行密封；浮动活塞19与内筒6间隙配合，浮动活塞19与内筒6通过密封圈进行密封。活塞杆2一端与外筒外部的活塞杆耳环1连接，另一端与内筒6内部的活塞8固定连接。活塞8靠近上盖3一侧设置，浮动活塞19靠近下盖21一侧设置。

阻尼器下盖21与内筒6间隙配合，阻尼器下盖21与内筒6通过密封圈进行密封。

阻尼器下盖21与外筒7间隙配合，阻尼器下盖21与外筒7通过密封圈进行密封，阻尼器下盖21与外筒7通过螺钉固定连接。

缸底耳环22与阻尼器下盖21通过焊接紧固连接；第一不导磁组件10外圈设有外螺纹，内筒6处有内螺纹，第一不导磁组件10与内筒6通过螺纹固定连接；第一不导磁组件10中心下端有内螺纹，不导磁杆24一端有外螺纹，第一不导磁组件10与不导磁杆24通过螺纹固定连接；不导磁杆24上有外螺纹，第一导磁组件25、第三导磁组件27、第五导磁组件29存在内螺纹，不导磁杆24与第一导磁组件25、第三导磁组件27、第五导磁组件29通过螺纹固定连接。

第一筒壁磁环11上有内螺纹，内筒6和外筒7有外螺纹，第一筒壁磁环11与内筒6和外筒7通过螺纹固定连接；第一筒壁磁环11上有内螺纹，第一筒壁不导磁段12上有外螺纹，第一筒壁磁环11与第一筒壁不导磁段12与内筒6和外筒7通过螺纹固定连接；第二筒壁磁环13上有内螺纹，第一筒壁不导磁段12上有外螺纹，第二筒壁磁环13与第一筒壁不导磁段12通过螺纹固定连接；第二筒壁磁环13上有内螺纹，第二筒壁不导磁段14上有外螺纹，第二筒壁磁环13与第二筒壁不导磁段14通过螺纹固定连接；第三筒壁磁环15上有内螺纹，第二筒壁不导磁段14上有外螺纹，第三筒壁磁环15与第二筒壁不导磁段14通过螺纹固定连接；第三筒壁磁环15上有内螺纹，内筒6和外筒7有外螺纹，第三筒壁磁环15与内筒6和外筒7通过螺纹固定连接。

不导磁杆24另一端也设有外螺纹，第二不导磁组件23上有内螺纹，不导磁杆24另一端与第二不导磁组件23通过螺纹固定连接。

导磁环32上有内螺纹，第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15上有外螺纹，导磁环32与第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15通过螺纹固定连接；导磁套筒31有内螺纹，导磁环32上有外螺纹，导磁套筒31与导磁环32通过螺纹固定连接；第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15、内筒6和外筒7通过密封圈密封；内筒6的上部靠近阻尼器上盖3的地方有径向的上腔通流孔5，上腔通流孔5的直径小于活塞杆的厚度；第一导磁组件25与第二不导磁组件23之间的内筒6的径向有下腔通流孔16；上腔的磁流变液通过上腔通流孔5、内筒6与外筒7之间的间隙、下腔通流孔16、第一不导磁组件10、第二不导磁组件23中间的不导磁组件通流孔17形成了磁流变液的流动回路。

本发明利用高导磁材料和不导磁组件组成的蜿蜒磁流变液通道间隙，形成了对磁场的高利用率和输出阻尼力的大动态范围，线圈易拆卸易增加，同时蜿蜒的流路也保证了在出现通电故障时可输出一定大小的阻尼力，具有失效安全性。

如图2所示，当活塞8向下运动时，磁流变液从中间的腔通过第一不导磁组件10上的不导磁组件通流孔17、第一至第五导磁组件(25、26、27、28、29)间隙、下腔通流孔16、内筒6与外筒7之间的筒壁间隙形成了环形流动通道。上盖3与外筒7、内筒6为过渡配合，上盖3与外筒7通过螺栓紧密连接；活塞杆2与活塞8之间可以螺纹连接也可以焊接；活塞8与内筒6之间通过密封圈密封连接；第一不导磁组件10、第二不导磁组件23、第一导磁组件25、第三导磁组件27、第五导磁组件29、不导磁杆24之间通过螺纹连接；外筒7、内筒6、第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过螺纹连接；外筒7、内筒6、第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过密封圈密封；内筒上的第一筒壁不导磁段12、第二筒壁不导磁段14分别与第二导磁组件26、第四导磁组件28通过螺纹连接；浮动活塞19通过浮动活塞密封18与内筒6密封；下盖21与外筒7、内筒6为过渡配合用下盖密封20密封，下盖21与外筒7通过螺栓紧密连接；缸底耳环22与下盖21通过焊接连接。

第一导磁组件25、第二导磁组件26、第三导磁组件27、第四导磁组件28和第五导磁组件29之间间隔设置，在第一导磁组件25与内筒第三筒壁导磁环15之间、第一导磁组件25与第二导磁组件26之间、第二导磁组件26的内圈与不导磁杆24之间、第二导磁组件26与第三导磁组件27之间、第三导磁组件27与内筒第二筒壁导磁环13之间、第三导磁组件27与第四导磁组件28之间、第四导磁组件28的内圈与不导磁杆24之间、第四导磁组件28与第五导磁组件29之间、第五导磁组件29与内筒第一筒壁导磁环11之间形成蜿蜒磁流变液通道间隙。

如图3所示，内筒6上有上腔通流孔5；内筒6与第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过螺纹连接；内筒6与第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过密封圈密封；其中第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段12、第二筒壁不导磁段14为不导磁材料或者导磁率为1左右的不锈钢材料。

如图4所示，外筒7与第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过螺纹连接；外筒7与第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过密封圈密封；其中第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段12、第二筒壁不导磁段14为不导磁材料或者导磁率为1左右的不锈钢材料。

如图5所示，第一不导磁组件10、第二不导磁组件23、第一导磁组件25、第二导磁组件27、第三导磁组件29、不导磁杆24之间通过螺纹连接；第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过螺纹连接；第一筒壁磁环11、第一筒壁不导磁段12、第二筒壁磁环13、第二筒壁不导磁段14、第三筒壁磁环15通过密封圈密封；内筒上的第一筒壁不导磁段12、第二筒壁不导磁段14分别与第二导磁组件26、第四导磁组件28通过螺纹连接；两个导磁环32与外筒7上第一筒壁磁环11、第三筒壁磁环15通过螺纹连接；两个导磁环32与第二筒壁磁环13通过螺纹连接；两个导磁环32与对应的一个导磁套筒31通过螺纹连接；两个导磁环32与对应的导磁套筒31围成的空间中安装一个线圈30。第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15、第一导磁组件25、第二导磁组件26、第三导磁组件27、第四导磁组件28、第五导磁组件29、导磁环32、导磁套筒31为高导磁性材料；第一筒壁不导磁段12、第二筒壁不导磁段14、第一不导磁组件10、第二不导磁组件23、不导磁杆24为不导磁材料或者磁导率很低的不锈钢材料。

第一筒壁磁环11、第二筒壁磁环13、第三筒壁磁环15、第一导磁组件25、第二导磁组件26、第三导磁组件27、第四导磁组件28、第五导磁组件29、导磁环32、导磁套筒31为高导磁性材料，当通电以后会形成如图6所示的磁路。图示线圈为2个，2个线圈通电相反时，筒壁磁环、导磁组件、导磁套筒、导磁环形成封闭磁场，磁流变液流过两筒壁、导磁组件之间以及导磁组件与内筒壁之间的间隙，磁流变液的流动方向和磁场方向垂直，发生磁感应效应产生磁流变阻尼力。

Claims (7)

1.一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，包括：上盖(3)、下盖(21)、内筒(6)、外筒(7)、活塞(8)、第一不导磁组件(10)、第二不导磁组件(23)、第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁不导磁段(14)、不导磁杆(24)、第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)、线圈(30)、导磁套筒(31)和导磁环(32)；

外筒同心且间隔设置于内筒外周；外筒和内筒安装于下盖和上盖之间；

内筒中安装有活塞；活塞与内筒之间通过密封圈进行密封；

第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)间隔固定在内筒(6)中；

不导磁杆(24)固定于第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)之间；第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)间隔设置；第一导磁组件(25)、第三导磁组件(27)、第五导磁组件(29)中心固定在不导磁杆(24)上；

内筒(6)和外筒(7)相应位置均设有环形断口；每个环形断口均通过依次连接的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)连接；

第二导磁组件(26)和第四导磁组件(28)的外圈与对应的内筒的第一筒壁不导磁段(12)、内筒的第二筒壁不导磁段(14)的内壁固定连接；

四个导磁环(32)与外筒上第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)固定连接；两个导磁环(32)与外筒的第二筒壁磁环(13)固定连接；两个导磁环(32)与对应的一个导磁套筒(31)通过螺纹连接；两个导磁环(32)与对应的导磁套筒(31)围成的空间中安装一个线圈(30)；

第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间均设有若干不导磁组件通流孔(17)；

内筒(6)的上部靠近上盖(3)处设有径向的上腔通流孔(5)；第一导磁组件(25)与第二不导磁组件(23)之间的内筒(6)处设有下腔通流孔(16)；上腔的磁流变液能够通过上腔通流孔(5)、内筒(6)与外筒(7)之间的间隙、下腔通流孔(16)、第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间的不导磁组件通流孔(17)形成了磁流变液的流动回路；

第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)之间间隔设置，在第一导磁组件(25)与内筒第三筒壁导磁环(15)之间、第一导磁组件(25)与第二导磁组件(26)之间、第二导磁组件(26)的内圈与不导磁杆(24)之间、第二导磁组件(26)与第三导磁组件(27)之间、第三导磁组件(27)与内筒第二筒壁导磁环(13)之间、第三导磁组件(27)与第四导磁组件(28)之间、第四导磁组件(28)的内圈与不导磁杆(24)之间、第四导磁组件(28)与第五导磁组件(29)之间、第五导磁组件(29)与内筒第一筒壁导磁环(11)之间形成连通的蜿蜒磁流变液通道间隙；

内筒(6)和内筒对应的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)相互通过螺纹连接并通过密封圈密封；

第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段为不导磁材料或者导磁率很低的不锈钢材料。

2.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，内筒(6)中还安装有位于第二不导磁组件(23)和下盖之间的浮动活塞(19)；浮动活塞(19)与内筒(6)内壁通过密封圈密封。

3.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，当活塞(8)向下运动时，磁流变液从活塞与第一不导磁组件中间的腔通过第一不导磁组件(10)上的不导磁组件通流孔(17)、蜿蜒磁流变液通道间隙、下腔通流孔(16)、内筒(6)与外筒(7)之间的筒壁间隙、上腔通流孔(5)形成了环形流动通道。

4.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，外筒(7)和外筒对应的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)相互通过螺纹连接并通过密封圈密封。

5.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，还包括活塞杆耳环(1)；活塞杆耳环(1)中心有内螺纹孔，活塞杆(2)一端与活塞杆耳环螺纹连接，另一端穿过上盖和活塞固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，下盖上固定有缸底耳环(22)。

7.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，2个线圈通电相反时，磁流变液的流动方向和磁场方向垂直，发生磁感应效应产生磁流变阻尼力。

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