CN108562813A - 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置,它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:步骤1、执行机械压力条件下的测试,确认是否退出测试;步骤2、执行温度条件下的测试;确认是否退出测试;步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试,确认是否退出测试;重复上述各步骤,手动控制程序结束。本发明的技术效果是:能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流,构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
Description
技术领域
本发明属于元器件的测试技术领域,具体涉及一种SiC Mosfet电性能的测试装置。
背景技术
SiC Mosfet是一种基础的电子元器件,测试它的电性能是一项基础工作。现有的SiC Mosfet电压、电流测试都是在正常压力和温度下进行测量,还没有检测该器件在机械压力和温度条件下的电压、电流与机械压力、温度的变化关系。
发明内容
针对现有SiC Mosfet测试技术存在的不足,本发明所要解决的技术问题就是提供一种SiC Mosfet电性能的测试装置,它能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流,构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
本发明所要解决的技术问题是通过这样的技术方案实现的,它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱,机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器,所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:
步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流,若是,执行机械压力条件下的测试,然后确认是否退出测试;
步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流,若是,执行温度条件下的测试;然后确认是否退出测试;
步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试,然后确认是否退出测试;
重复上述各步骤,手动控制程序结束。
上述步骤1中,执行机械压力条件下的测试步骤包括:
(1)、输出压力、压强参数,控制机械压力设备加压;
(2)读取压力传感器的压力、压强值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。
上述步骤2中,执行温度条件下的测试步骤包括:
(1)、输出温度参数,控制温控箱内的温度;
(2)读取温度传感器的温度值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。
上述步骤3中,执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括:
(1)、输出压力、压强参数,控制机械压力设备加压;输出温度参数,控制温控箱内的温度;
(2)读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。
本发明的技术效果是:
在未退出测试的情况,能够进行多点测试,获得一些列测试数据。既能测试单一的机械压力条件下或温度条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流,又能测在试机械压力和温度两个条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流,改变条件参数,获得对应的电压和电流值,构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系曲线图。
附图说明
本发明的附图说明如下:
图1为本发明的主程序流程图;
图2为机械压力条件下测试的子程序流程图;
图3为温度条件下测试的子程序流程图;
图4为机械压力和温度两个条件下测试的子程序流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
本发明包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱,机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器;控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,计算机程序包括一个主程序和三个子程序。
图1所示的主程序流程如下,流程开始于步骤S01,在步骤S01中进行变量初始化,默认为0,然后:
在步骤S02,检测是否有指令输入,若是,则执行步骤S03;否则,执行步骤S09;
在步骤S03,判断是否在机械压力条件下测试,若是,则执行步骤S04,否则,执行步骤S05;
在步骤S04,执行机械压力条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试,然后执行步骤S08;
在步骤S05,判断是否在温度条件下测试,若是,则执行步骤S06,否则,执行步骤S07;
在步骤S06,执行温度条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试,然后执行步骤S08;
在步骤S07,执行机械压力和温度两个条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试,然后执行步骤S08;
在步骤S08;确认是否退出测试,若是,则执行步骤S09,否则,执行步骤S02;
在步骤S09,手动控制程序结束。
子程序1是在机械压力下测试SiC Mosfet电压电流的流程,如图2所示,该程序流程如下:
在步骤S201,输出压力或压强参数,控制机械压力设备加压;
在步骤S202,判断压力传感器是否有更新,若是,则执行步骤S204,否则执行步骤S203;
在步骤S203,重新匹配压力传感器的输入压力或压强,即更新压力传感器,导入数据,将数据传递给显示单元,然后执行步骤S204;
在步骤S204,读取当前压力传感器输入压力或压强值;
在步骤S205,在显示器上显示压力传感器的值;
在步骤S206,检查电流电压输入是否更新,若是,则执行步骤S208,否则执行步骤S207;
在步骤S207,更新检测输入的电压、电流,然后执行步骤S208;
在步骤S208,读取检测输入的电压、电流值;
在步骤S209,计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系;
在步骤S210,转回到主程序。
子程序2是在温度条件下测试SiC Mosfet电压电流的流程,如图3所示,该程序流程如下:
在步骤S301,输出温度参数,控制温控箱的温度;
在步骤S302,判断温度传感器是否有更新,若是,则执行步骤S304,否则执行步骤S303;
在步骤S303,重新匹配温度传感器的温度,即更新温度传感器,导入数据,将数据传递给显示单元,然后执行步骤S304;
在步骤S304,读取当前温度传感器输入的温度值;
在步骤S305,在显示器上显示温度传感器的值;
在步骤S306,检查电流电压输入是否更新,若是,则执行步骤S308,否则执行步骤S307;
在步骤S307,更新检测输入的电压、电流,然后执行步骤S308;
在步骤S308,读取检测输入的电压、电流值;
在步骤S309,计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系;
在步骤S310,转回到主程序。
子程序3是在机械压力和温度两个条件下测试SiC Mosfet电压电流的流程,如图4所示,该程序流程如下:
在步骤S401,输出压力或压强和温度参数,控制机械压力设备加压和温控箱的温度;
在步骤S402,判断温度传感器是否有更新,若是,则执行步骤S404,否则执行步骤S403;
在步骤S403,重新匹配压力传感器的输入压力或压强,温度传感器的温度即更新压力传感器和温度传感器,导入数据,将数据传递给显示单元,然后执行步骤S404;
在步骤S404,读取当前压力传感器输入压力或压强;温度传感器输入的温度;
在步骤S405,在显示器上显示压力传感器的值和温度传感器的值;
在步骤S406,检查电流电压输入是否更新,若是,则执行步骤S408,否则执行步骤S407;
在步骤S407,更新检测输入的电压、电流,然后执行步骤S408;
在步骤S408,读取检测输入的电压、电流值;
在步骤S409,计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系;
在步骤S410,转回到主程序。
由于SiC Mosfet器件所受最大压强为10MPa,则本发明的机械压力设备提供最大机械压力为190KN,同时能检测SiC Mosfet器件上的最大电压为7000V,最大电流为1000A。
由于被测电流最大为1000A,选择38mm孔径的开合式霍尔传感器检测电流;由于被测电压为7000V以内的高压,用两个大电阻串联组成分压器,然后用高精度AD芯片测AD值(直流电压值),获得被测电压。
Claims (4)
1.一种SiC Mosfet电性能的测试装置,其特征是:包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器,控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱,机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器,所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:
步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流,若是,执行机械压力条件下的测试,然后确认是否退出测试;
步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流,若是,执行温度条件下的测试;然后确认是否退出测试;
步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试,然后确认是否退出测试;
重复上述各步骤,手动控制程序结束。
2.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置,其特征是:所述步骤1中,执行机械压力条件下的测试步骤包括:
(1)、输出压力、压强参数,控制机械压力设备加压;
(2)读取压力传感器的压力、压强值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。
3.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置,其特征是:所述步骤2中,执行温度条件下的测试步骤包括:
(1)、输出温度参数,控制温控箱内的温度;
(2)读取温度传感器的温度值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。
4.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置,其特征是:所述步骤3中,执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括:
(1)、输出压力、压强参数,控制机械压力设备加压;输出温度参数,控制温控箱内的温度;
(2)读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值;
(3)读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值;
(4)计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。
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