CN108538902A - Oled背板的制作方法及oled背板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED背板的制作方法及OLED背板。本发明的OLED背板的制作方法通过在像素定义层上形成像素开口和对应位于有源层上方的遮光槽，然后采用喷墨打印的方式在像素开口内形成OLED发光功能层以及在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板的制作方法及OLED背板。
背景技术
平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。
LCD显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。OLED显示装置是主动发光的显示器，具有自发光、高对比度、宽视角、快速响应、高发光效率、低操作电压、超轻薄等优势，具有更优异的彩色显示画质、更宽广的观看范围和更大的设计灵活性。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在诸如LCD显示装置与OLED显示装置中。
金属氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术，金属氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且与低温多晶硅(LTPS)相比，金属氧化物半导体TFT的制程简单，与非晶硅(a-Si)TFT的制程相比相容性较高，可应用于LCD显示装置与OLED显示装置中，适用于大小尺寸显示，具有良好的应用发展前景，为当前业界研究热门。
由于金属氧化物半导体对光比较敏感，因此金属氧化物半导体受到光线照射后，金属氧化物半导体TFT的阈值电压明显负移，现有一种改进的方法是在金属氧化物半导体材料的有源层下方设置金属遮光层，消除光照引起的TFT阈值电压负漂现象，金属遮光层虽然不与TFT结构中其它带电结构层相连，但是其容易受到其它带电结构层上的电压影响，从而携带上各种电压，由于金属遮光层具有变化不定的电压，因此TFT在工作时其阈值电压会不断变化，导致TFT工作不稳定。
OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机功能层和阴极。目前，OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜均通过真空热蒸镀工艺制备，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过金属掩膜板(Mask)的开孔沉积在玻璃基板上。但由于真空热蒸发制备成本高，限制了OLED显示器的大范围商业化。
喷墨打印(Ink-jet Print，IJP)技术具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术，IJP技术在OLED器件发光层的制备中，相比于传统的真空蒸镀工艺，具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点，所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域，待溶剂挥发后形成所需图案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，通过在像素定义层上对应于有源层的上方开设遮光槽，并在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。
本发明的目的在于提供一种OLED背板，其像素定义层在对应于有源层的上方设有遮光槽，所述遮光槽内设有完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且结构简单，生产成本低。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成数个像素电极；
所述TFT层包括数个TFT器件，所述TFT器件包括有源层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料；
步骤S2、在所述平坦化层及数个像素电极上形成像素定义层，在所述像素定义层上对应于所述数个像素电极上方形成数个像素开口，并在所述像素定义层上对应于所述数个TFT器件的有源层上方形成数个遮光槽；
步骤S3、采用喷墨打印方式在所述数个像素开口内对应形成数个OLED发光功能层，同时采用喷墨打印方式在所述数个遮光槽内对应形成数个黑色遮光块，所述黑色遮光块完全覆盖其下方的有源层而对有源层进行遮光。
所述步骤S1中，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物。
所述步骤S1中，所述TFT器件为蚀刻阻挡层型TFT器件、背沟道蚀刻型TFT器件或顶栅型TFT器件。
所述步骤S3中形成的所述黑色遮光块的材料为黑色光阻材料。
所述步骤S3中形成的所述数个OLED发光功能层包括间隔设置的红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
本发明还提供一种OLED背板，包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的平坦化层、设于所述平坦化层上的数个像素电极、设于所述平坦化层及数个像素电极上的像素定义层、设于所述像素定义层上的数个像素开口和数个遮光槽、分别对应设于所述数个像素开口内的数个OLED发光功能层以及分别对应设于所述数个遮光槽内的数个黑色遮光块；
所述TFT层包括数个TFT器件，所述TFT器件包括有源层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料；
所述数个像素开口分别对应设于所述数个像素电极上方；
所述数个遮光槽分别对应设于所述数个TFT器件的有源层上方，所述黑色遮光块完全覆盖所述有源层而对有源层进行遮光。
所述有源层的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物。
所述TFT器件为蚀刻阻挡层型TFT器件、背沟道蚀刻型TFT器件或顶栅型TFT器件。
所述黑色遮光块的材料为黑色光阻材料。
所述数个OLED发光功能层包括间隔设置的红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
本发明的有益效果：本发明的OLED背板的制作方法通过在像素定义层上形成像素开口和对应位于有源层上方的遮光槽，然后采用喷墨打印的方式在像素开口内形成OLED发光功能层以及在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。本发明的OLED背板的像素定义层在对应于有源层的上方设有遮光槽，所述遮光槽内设有完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且结构简单，生产成本低。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED背板的制作方法的流程示意图；
图2为本发明的OLED背板的制作方法的步骤S1的示意图；
图3为本发明的OLED背板的制作方法的步骤S2的示意图；
图4为本发明的OLED背板的制作方法的步骤S3的示意图暨本发明的OLED背板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图2所示，提供衬底基板1，在所述衬底基板1上形成TFT层2，在所述TFT层2上形成平坦化层3，在所述平坦化层3上形成数个像素电极4；所述TFT层2包括数个TFT器件T，所述TFT器件T包括有源层21，所述有源层21的材料为金属氧化物半导体材料。
具体地，所述步骤S1中，所述有源层21的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等其他金属氧化物半导体材料。
具体地，所述步骤S1中，所述TFT器件T可以为蚀刻阻挡层型(Etch Stop Layer，ESL)TFT器件、背沟道蚀刻型(Back Channel Etch，BCE)TFT器件、顶栅型(top gate)TFT器件等结构类型的TFT器件。
步骤S2、如图3所示，在所述平坦化层3及数个像素电极4上形成像素定义层5，在所述像素定义层5上对应于所述数个像素电极4上方形成数个像素开口51，并在所述像素定义层5上对应于所述数个TFT器件T的有源层21上方形成数个遮光槽52。
步骤S3、如图4所示，采用喷墨打印方式在所述数个像素开口51内对应形成数个OLED发光功能层6，同时采用喷墨打印方式在所述数个遮光槽51内打印黑色墨水而分别形成数个黑色遮光块7，所述黑色遮光块7完全覆盖其下方的有源层21而对有源层21进行遮光。
具体地，所述步骤S3中形成的所述黑色遮光块7的材料为黑色光阻材料，例如现有液晶面板技术中用于形成黑色矩阵(BM)的材料。
具体地，所述步骤S3中形成的所述数个OLED发光功能层6包括间隔设置的红色(R)OLED发光功能层、绿色(G)OLED发光功能层及蓝色(B)OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
具体地，所述步骤S3还包括在所述数个OLED发光功能层6上形成上电极层8，每一像素电极4与其上方对应的OLED发光功能层6和上电极层8共同构成一OLED器件。
本发明的OLED背板的制作方法通过在像素定义层5上形成像素开口51和对应位于有源层21上方的遮光槽52，然后采用喷墨打印的方式在像素开口51内形成OLED发光功能层6以及在遮光槽52内形成完全覆盖有源层21的黑色遮光块7，可有效避免TFT器件T受到光照影响，保证TFT器件T的特性，且工艺简单，生产成本低。
基于上述的OLED背板的制作方法，如图4所示，本发明还提供一种OLED背板，包括衬底基板1、设于衬底基板1上的TFT层2、设于所述TFT层2上的平坦化层3、设于所述平坦化层3上的数个像素电极4、设于所述平坦化层3及数个像素电极4上的像素定义层5、设于所述像素定义层5上的数个像素开口51和数个遮光槽52、分别对应设于所述数个像素开口51内的数个OLED发光功能层6、分别对应设于所述数个遮光槽52内的数个黑色遮光块7以及设于所述数个OLED发光功能层6上的上电极层8；
所述TFT层2包括数个TFT器件T，所述TFT器件T包括有源层21，所述有源层21的材料为金属氧化物半导体材料；
所述数个像素开口51分别对应设于所述数个像素电极4上方；
所述数个遮光槽52分别对应设于所述数个TFT器件T的有源层21上方，所述黑色遮光块7完全覆盖所述有源层21而对有源层21进行遮光。
具体地，每一像素电极4与其上方对应的OLED发光功能层6和上电极层8共同构成一OLED器件
具体地，所述有源层21的材料可以为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物等其他金属氧化物半导体材料。
具体地，所述TFT器件T可以为蚀刻阻挡层型TFT器件、背沟道蚀刻型TFT器件、顶栅型TFT器件等结构类型的TFT器件。
具体地，所述黑色遮光块7的材料为黑色光阻材料。
具体地，所述数个OLED发光功能层6包括间隔设置的红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
本发明的OLED背板的像素定义层5在对应于有源层21的上方设有遮光槽52，所述遮光槽52内设有完全覆盖有源层21的黑色遮光块7，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且结构简单，生产成本低。
综上所述，本发明的OLED背板的制作方法通过在像素定义层上形成像素开口和对应位于有源层上方的遮光槽，然后采用喷墨打印的方式在像素开口内形成OLED发光功能层以及在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。本发明的OLED背板的像素定义层在对应于有源层的上方设有遮光槽，所述遮光槽内设有完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且结构简单，生产成本低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成TFT层(2)，在所述TFT层(2)上形成平坦化层(3)，在所述平坦化层(3)上形成数个像素电极(4)；
所述TFT层(2)包括数个TFT器件(T)，所述TFT器件(T)包括有源层(21)，所述有源层(21)的材料为金属氧化物半导体材料；
步骤S2、在所述平坦化层(3)及数个像素电极(4)上形成像素定义层(5)，在所述像素定义层(5)上对应于所述数个像素电极(4)上方形成数个像素开口(51)，并在所述像素定义层(5)上对应于所述数个TFT器件(T)的有源层(21)上方形成数个遮光槽(52)；
步骤S3、采用喷墨打印方式在所述数个像素开口(51)内对应形成数个OLED发光功能层(6)，同时采用喷墨打印方式在所述数个遮光槽(51)内对应形成数个黑色遮光块(7)，所述黑色遮光块(7)完全覆盖其下方的有源层(21)而对有源层(21)进行遮光。
2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述有源层(21)的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物。
3.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述TFT器件(T)为蚀刻阻挡层型TFT器件、背沟道蚀刻型TFT器件或顶栅型TFT器件。
4.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中形成的所述黑色遮光块(7)的材料为黑色光阻材料。
5.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中形成的所述数个OLED发光功能层(6)包括间隔设置的红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
6.一种OLED背板，其特征在于，包括衬底基板(1)、设于衬底基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的平坦化层(3)、设于所述平坦化层(3)上的数个像素电极(4)、设于所述平坦化层(3)及数个像素电极(4)上的像素定义层(5)、设于所述像素定义层(5)上的数个像素开口(51)和数个遮光槽(52)、分别对应设于所述数个像素开口(51)内的数个OLED发光功能层(6)以及分别对应设于所述数个遮光槽(52)内的数个黑色遮光块(7)；
所述TFT层(2)包括数个TFT器件(T)，所述TFT器件(T)包括有源层(21)，所述有源层(21)的材料为金属氧化物半导体材料；
所述数个像素开口(51)分别对应设于所述数个像素电极(4)上方；
所述数个遮光槽(52)分别对应设于所述数个TFT器件(T)的有源层(21)上方，所述黑色遮光块(7)完全覆盖所述有源层(21)而对有源层(21)进行遮光。
7.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述有源层(21)的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物。
8.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述TFT器件(T)为蚀刻阻挡层型TFT器件、背沟道蚀刻型TFT器件或顶栅型TFT器件。
9.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述黑色遮光块(7)的材料为黑色光阻材料。
10.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述数个OLED发光功能层(6)包括间隔设置的红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层；所述红色OLED发光功能层、绿色OLED发光功能层及蓝色OLED发光功能层呈顺序排列或呈阵列排列。
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