CN108473332A - 低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2以下的破碎矿，(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。

Description

低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法
技术领域
本发明涉及低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法。详细而言，本发明涉及平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒和其制造方法，进一步涉及这样的低α射线量硫酸钡颗粒的利用。
背景技术
随着近年的电子部件的小型化、高集成化，电子设备中的存储器芯片等误操作的半永久的损伤、所谓软错误(soft error)的问题变得显著。引起这样的软错误的原因之一是由电子部件中的无机材料中包含的U、Th、Ra等α射线源产生的α射线。例如，随着电子部件的小型化、高集成化，构成电子部件的底部填充剂层薄层化，由此即使是源自阻焊剂层的微弱α射线，也出现了对存储器芯片的电荷造成影响等问题。
硫酸钡在各种树脂组合物中作为填充剂而配合，例如被配合于在印刷配线板的抗蚀剂层中使用的抗蚀剂墨水组合物中，但为了防止上述软错误，近年来，进一步强烈要求硫酸钡的低α射线量化。
以往，作为工业用途中使用的硫酸钡，已知通过将重晶石原料矿石破碎、分级而得到的沉性硫酸钡；和，还原重晶石原料矿石，使所生成的硫化钡在水中浸出从而得到硫化钡水溶液，并对其实施例如与硫酸反应等化学合成的手段从而得到的沉淀性硫酸钡。
此外，例如，还已知使硫化钡水溶液与硫酸铵反应从而得到粒度分布窄、分散性得到改善的沉淀性硫酸钡参照(专利文献1)。但是，针对硫酸钡的低α射线量化，没有任何记载。
以硫化钡水溶液作为出发物质，对其实施化学合成的手段从而制造低α射线量的氢氧化钡、碳酸钡的方法是已知的(参照专利文献2)。
但是，近年来，针对上述氢氧化钡、碳酸钡，此外针对硫酸钡本身，也要求进一步减少α射线量，但充分低α射线量的硫酸钡迄今是未知的，此外，这样的低α射线量硫酸钡颗粒的高效率制造方法也是未知的。
进一步，近年来，强烈要求不仅硫酸钡的低α射线量化，而且要求硫含量的减少。但是，本发明中，硫酸钡中的硫含量是指源自在硫酸钡中作为杂质而存在的硫化物的硫的含量。如上述那样，沉淀性硫酸钡在合成步骤中经由硫化钡，因此含硫量高。
如上述那样，硫酸钡在各种树脂组合物中作为填充剂而配合，但硫酸钡中的硫含量高时，引发在包含这样的硫酸钡的树脂组合物中产生不期望的劣化、着色、增稠等、或者在电子部件的情况中促进电极的腐蚀的问题。
但是，以往α射线量充分低且硫含量也充分低的低α射线量硫酸钡颗粒是未知的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-50261号公报
专利文献2：日本特开平11-92139号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明人等为了解决上述硫酸钡中的现有问题而进行深入研究的结果是发现，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿实施淘洗处理和/或筛处理，去除大量包含二氧化硅的粗粒，从而使二氧化硅含量为0.6重量%以下，并且进行介质粉碎处理，从而制成平均粒径为1μm以下的粉矿，由此不使用化学合成的手段，可以得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、而且硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒，从而完成了本发明。
要说明的是，针对以往市售的硫酸钡而言，Kishida Chemical Co., Ltd.制(1级，纯度为98.0%)的二氧化硅含量为0.18重量%、α射线量为3.36cph/cm2，和光纯药工业(株)制(1级)的二氧化硅含量为0.18重量%、α射线量为3.19cph/cm2 ，Sigma-Aldrich制(纯度为99%)的二氧化硅含量为0.18重量%、α射线量为1.00cph/cm2，日本药典硫酸钡BAX-40(堺化学工业(株)制，平均粒径为5.0μm)的二氧化硅含量为0.17重量%、α射线量为2.03cph/cm2，日本药典硫酸钡BAX-80(堺化学工业(株)制，粒径为9.0μm)为二氧化硅含量为0.17重量%、α射线量为2.40cph/cm2。
因此，本发明的目的在于，提供平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、而且硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒、和制造这样的低α射线量硫酸钡颗粒的方法，进一步，目的在于提供这样的低α射线量硫酸钡颗粒的利用。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
进一步，根据本发明，提供上述那样的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法。
即，根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿，
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；
此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
根据本发明，上述低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法中，用作出发物质的上述平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿为了提高上述淘洗处理和/或筛处理的效率，二氧化硅含量优选为0.65~3.5重量%的范围，特别优选为0.65~1重量%的范围。
根据本发明，可以在将上述破碎矿进行酸加热处理后，进行上述(a)、(b)或(c)的处理。
进一步，根据本发明，提供表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，以上述那样的方式得到低α射线量硫酸钡颗粒，接着，对上述低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种实施表面处理。
发明的效果
根据本发明的方法，可以不使用化学合成的手段而得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
通过本发明的方法而得到的这样的低α射线量硫酸钡颗粒能够适合地用作包括涂料组合物、抗蚀剂墨水组合物在内的各种树脂组合物中的填充剂。即，将本发明所涉及的这样的低α射线量硫酸钡颗粒作为填充剂而配合于树脂组合物中时，不会在树脂组合物中产生不期望的劣化、着色、增稠等，此外，在电子部件的情况中，不会促进电极的腐蚀，此外，也难以引起电子部件中的软错误。
具体实施方式
针对本发明所涉及的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法进行说明。
本发明所涉及的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法中，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿，
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；
此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
重晶石原料矿石根据其产地，其二氧化硅含量、α射线量些许不同，但根据本发明，通过适当选择重晶石原料矿石并将其破碎，可以得到平均粒径为5~50μm、优选为5~20μm、二氧化硅含量为0.65~3.5重量%、优选为0.65~1重量%、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿。
本发明中，作为上述破碎矿，根据产地而不同，可以适合地使用将多种中国产的重晶石原料矿石、墨西哥产的重晶石原料矿石破碎而得到的破碎矿。
特别地，根据本发明，可以优选使用平均粒径为5~20μm、二氧化硅含量为0.65~3.5重量%、更优选为0.65~1.0重量%、α射线量为0.5cph/cm2 以下、其中为0.25cph/cm2 以下的破碎矿。
根据本发明的方法，对上述破碎矿，
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理。
像这样，根据本发明，对上述破碎矿进行组合淘洗处理和/或筛处理与介质粉碎处理的处理，此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此可以得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量が0.07cph/cm2 以下、而且硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
更详细而言，本发明的方法中，根据上述处理(a)，将破碎矿进行淘洗处理，去除粗粒，从而使二氧化硅含量为0.6重量%以下后，进行介质粉碎处理，制成平均粒径为1μm以下的粉矿，由此可以得到硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
根据上述处理(b)，将破碎矿进行介质粉碎处理，制成平均粒径为1μm以下的粉矿后，将该粉矿进行筛处理，从而使二氧化硅含量为0.6重量%以下，由此可以得到硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
此外，根据处理(c)，将破碎矿进行淘洗处理，去除粗粒后，进行介质粉碎处理，制成平均粒径为1μm以下的粉矿，接着，将粉矿进行筛处理，此时，通过淘洗处理和/或筛处理，使二氧化硅含量为0.6重量%以下，由此可以得到平均粒径为1μm以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
淘洗处理是指根据固体颗粒的比重的不同而在流体中分选其固体颗粒的操作。本发明中，将上述破碎矿的水浆料投入淘洗槽中，从该淘洗槽的下部以恒定的比例供给淘洗水，并且从淘洗槽的上部以与上述淘洗水的供给速度相同的速度回收淘洗槽的上清液，持续进行上述操作，分离为包含硫酸钡含量多且比重大的破碎矿的浆料层、和包含二氧化硅含量多且比重小的破碎矿的上清液层的2层。
在此，硫酸钡含量多且比重大的破碎矿在淘洗槽中沉降速度快，另一方面，二氧化硅含量多且比重小的破碎矿在淘洗槽中沉降速度慢，因此可以将上述硫酸钡含量多且比重大的破碎矿从淘洗槽中作为底流而回收，另一方面，二氧化硅含量多且比重小的破碎矿可以从淘洗槽中作为溢流而回收。
以这样的方式，根据本发明，通过淘洗处理，可以以高效率从破碎矿中分离硫酸钡含量多且比重大的破碎矿、和包含大量二氧化硅且比重小的破碎矿。要说明的是，硫酸钡的比重为4.5，二氧化硅的比重为2.2。
当然，通过将破碎矿进行淘洗处理，也能够一并去除破碎矿中的比重小的各种杂质成分、粒径小的杂质成分。
一般而言，作为对利用淘洗处理的固体颗粒的分离效率造成影响的因子，可以举出固体颗粒的粒径、固体颗粒的密度、淘洗中使用的流体的密度和粘度、向淘洗槽中的供给速度等。
本发明中没有特别限定，使用添加硫酸、盐酸那样的无机酸、或有机酸从而将pH调整至3以下、优选2以下的淘洗水，并且调整该淘洗水向淘洗槽中的供给速度，将包含硫酸钡含量多且比重大的破碎矿的浆料层维持为投入淘洗槽中的浆料的总体积的大约70~90%，由此可以促进二氧化硅含量多且比重小的破碎矿浮起至上清液层中，以这样的方式、可以将二氧化硅含量多且比重小的破碎矿作为溢流而从硫酸钡含量多且比重大的破碎矿中以高效率分离。本发明中，作为这样的酸性的淘洗水，特别地优选包含硫酸。
因此，根据本发明，如上述那样，按照上述步骤(a)对上述破碎矿实施淘洗处理，去除破碎矿中的二氧化硅含量多的粗粒，制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的破碎矿后，将其进行介质粉碎处理为平均粒径为1μm以下的粉矿，由此可以得到硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
但是，根据本发明，破碎矿优选按照上述步骤(b)或(c)而进行处理，不进行淘洗处理或进行淘洗处理后，进行介质粉碎处理，将以这样的方式得到的粉矿进行筛处理，去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
特别地，根据本发明，破碎矿优选按照上述步骤(c)，进行淘洗处理后进行介质粉碎处理，接着，将所得粉矿进行筛处理。
按照上述步骤(b)或(c)，将破碎矿进行介质粉碎处理，接着进行筛处理时，筛处理后的硫酸钡与介质粉碎处理后的硫酸钡相比，其平均粒径方面没有实质变化，但是如后文说明那样，通过筛处理，能够减少所得硫酸钡的二氧化硅含量，以这样的方式可以得到低α射线量硫酸钡颗粒。
介质粉碎处理实质如公知那样，使用介质、即粉碎介质将固体颗粒进行湿式粉碎，本发明中，作为上述介质没有限定，优选使用直径为0.8mm以下的物质，以使得能够以高效率将破碎矿粉碎至工业规模上期望的平均粒径。
像这样，如果将破碎矿进行介质粉碎，则因硫酸钡(莫氏硬度为3.5)与二氧化硅(莫氏硬度为7)的硬度不同，导致通常大量包含硫酸钡的破碎矿被粉碎至粒径为1μm以下，大量包含二氧化硅的破碎矿通常不会被充分粉碎为细粒，多数作为粒径为40~50μm的粗粒而残存于破碎矿中。
像这样，本发明人等发现，将破碎矿进行介质粉碎处理至平均粒径为1μm以下时，二氧化硅与硫酸钡相比更硬，因此大量包含二氧化硅的成分容易作为粗粒而残留，并且这样的二氧化硅为主要成分的粗粒中大量包含成为α射线产生源的成分。
因此，根据本发明，优选对破碎矿实施淘洗处理后，进行介质粉碎处理至平均粒径为1μm以下，优选其后通过筛处理去除上述粗粒，由此有效地减少所得粉矿中的二氧化硅量，可以得到低α射线量的硫酸钡颗粒。
此外，将破碎矿进行介质粉碎处理至平均粒径为1μm以下而得到的低α射线量硫酸钡颗粒在树脂中的分散性优异，因此，所得涂料组合物、抗蚀剂墨水等树脂组合物能够更有效地表现出硫酸钡所具有的电绝缘性、耐热性、对酸、碱的化学稳定性、耐树脂劣化性等优异的特性。
筛处理是指使用筛从而根据固体颗粒的粒径的不同而分选其固体颗粒的操作。本发明中，进行破碎矿的筛处理时，在将破碎矿通过介质粉碎处理而粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿后进行。
如上述那样，如果将破碎矿进行介质粉碎，则通常大量包含硫酸钡的破碎矿被粉碎至粒径为1μm以下，但大量包含二氧化硅的破碎矿通常未被充分粉碎为细粒，大多作为粒径为40~50μm的粗粒而残存于破碎矿中，因此为了从大量包含粒径为1μm以下的硫酸钡的粉矿中以高效率分离大量包含二氧化硅的粒径为40~50μm的粗粒，通常优选使用500目(网眼为25μm)、400目(网眼为38μm)或325目(网眼为45μm)的网筛，特别地，优选使用网眼小的500目(网眼为25μm)的网筛。
即，按照本发明，将破碎矿进行介质粉碎，将所得粉矿的浆料用上述目标筛进行处理，由此大量包含粒径为1μm以下的硫酸钡的微粒迅速转移至筛下，与此相对，大量包含粒径为40~50μm的二氧化硅的粗粒难以通过上述网筛，因此被捕捉在筛上，其结果是，根据本发明，能够将大量包含粒径为1μm以下的硫酸钡的微粒从二氧化硅含量高的粗粒中高效率地分离。
像这样，根据本发明，对破碎矿实施淘洗处理后或不实施该处理，对破碎矿实施介质粉碎处理，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且将所得粉矿进行筛处理，如前述那样，去除粗粒，从而使二氧化硅含量为0.6重量%以下，由此可以得到α射线量为0.07cph/cm2 以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
根据本发明，根据需要，可以在将破碎矿进行酸加热处理后，进行步骤(a)、(b)或(c)。
上述酸加热处理是指向上述破碎矿的水浆料中添加酸并加热的操作。酸加热处理中使用的酸可以为无机酸、有机酸中任一者，其中，特别优选为硫酸。像这样，向上述破碎矿的水浆料中添加酸并加热，由此能够使大量包含二氧化硅的破碎矿漂浮于上清液中，因此，可以例如通过倾析而去除上述大量包含二氧化硅的破碎矿。
即，如果将破碎矿首先进行酸加热处理，其后将破碎矿通过步骤(a)、(b)或(c)进行处理，则能够得到二氧化硅量进一步减少的粉矿，因此，能够得到进一步低α射线量的硫酸钡颗粒。并且，能够得到还去除了铝、铁、钾、钙、钠、镁、磷成分等的粉矿。
特别地，根据本发明，所使用的破碎矿具有0.8重量%以上的二氧化硅含量时，通过将这样的破碎矿进行酸加热处理，能够使二氧化硅含量为0.7重量%以下，并且对所得破碎矿进行(a)、(b)或(c)的处理，制成二氧化硅含量为0.6重量%以下、平均粒径为1μm以下的粉矿，由此可以得到硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
当然，只要是二氧化硅含量为0.65重量%以上且低于0.8重量%的破碎矿，则对其实施酸加热处理后，进行基于步骤(a)、(b)或(c)的处理，由此二氧化硅含量进一步低，因此可以得到α射线量减少的低α射线量硫酸钡颗粒。
通过本发明得到的低α射线量硫酸钡颗粒的纯度为97%以上、优选为98%以上。
根据本发明，可以以上述方式得到低α射线量硫酸钡颗粒，但为了提高树脂组合物中的分散性、提高对树脂成分的相容性等，可以对所得低α射线量硫酸钡颗粒实施表面处理。
作为这样的表面处理，优选为利用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种的表面处理。
为了对低α射线量硫酸钡颗粒用二氧化硅水合物实施表面处理，只要通过已知的方法即可，例如将低α射线量硫酸钡颗粒的水浆料升温至例如50~90℃，向其中添加氢氧化钠水溶液，接着，向上述浆料中添加硅酸钠水溶液，接着添加硫酸并搅拌，其后，将所得浆料进行过滤、水洗、干燥即可。
此外，为了对低α射线量硫酸钡颗粒用氢氧化铝进行表面处理，只要通过已知的方法即可，例如根据需要在加热下向低α射线量硫酸钡颗粒的水浆料中添加氢氧化钠水溶液，接着，添加铝酸钠水溶液和硫酸，其后进行搅拌，将所得浆料进行过滤、水洗、干燥即可。
利用二氧化硅或二氧化硅水合物的低α射线量硫酸钡颗粒的表面处理量优选基于表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒以二氧化硅换算计优选为0.1~10重量%的范围、特别优选为0.5~5重量%的范围。此外，低α射线量硫酸钡颗粒的利用氢氧化铝的表面处理量优选基于表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒以氧化铝换算计优选为0.1~10重量%的范围、特别优选为0.5~5重量%的范围。
针对利用二氧化硅或二氧化硅水合物的表面处理、利用氢氧化铝的表面处理中任一者，其表面处理量基于表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒低于0.1重量%时，有可能无法充分给予表面处理的效果，另一方面，大于10重量%时，有可能使硫酸钡的功能降低。
本发明所涉及的低α射线量硫酸钡颗粒如上述那样为低α射线量，而且是微细的，因此可以适合用作各种水系或有机系的分散体中的分散质。例如，可以适合地在各种树脂组合物中作为填充剂而配合。作为树脂组合物，可以例示出例如涂料组合物、抗蚀剂墨水组合物。
一般而言，本发明中，构成树脂组合物的树脂可以为热塑性树脂、热固性树脂中任一者，因此，作为具体例，可以举出环氧树脂、酚醛树脂、聚苯硫醚(PPS)树脂、聚酯系树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、马来酰亚胺树脂、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯・丙烯酸乙酯共聚物(EEA)树脂、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚缩醛、聚苯醚、聚醚酰亚胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂、液晶树脂(LCP)、硅酮树脂、丙烯酸树脂等。
上述树脂组合物中，低α射线量硫酸钡颗粒的配合量没有特别限定，相对于树脂组合物总量通常为5~75体积%的比例、优选为10~70体积%的范围。
实施例
以下，举出实施例和比较例详细说明本发明，但本发明不因这些实施例而受到限定。
以下的实施例和比较例中，使用下述的重晶石原料矿石。
重晶石原料矿石A：中国产，硫酸钡含量95重量%以上
重晶石原料矿石B：中国产，硫酸钡含量95重量%以上
重晶石原料矿石C：中国产，硫酸钡含量95重量%以上
重晶石原料矿石D：墨西哥产，硫酸钡和硫酸锶的含量95重量%以上。
以下的实施例和比较例中，将破碎矿的水浆料首先进行酸加热处理时，从通过酸加热处理而得到的浆料中采集少量的试样，干燥后，测定二氧化硅含量。将上述二氧化硅含量在表1和表2中示于酸加热处理栏。
将上述破碎矿的水浆料进行淘洗处理时，从回收的底流的浆料中采集少量的试样，过滤、干燥后，测定二氧化硅含量。将上述二氧化硅含量在表1和表2中示于淘洗处理栏。
将上述破碎矿的水浆料进行淘洗处理或不进行淘洗处理，进行粉碎处理时，从粉碎后的浆料中采集少量的试样，过滤、干燥后，测定二氧化硅含量。将上述二氧化硅含量在表1和表2中示于粉碎处理栏。
粉碎处理后，进行筛处理时，将筛下的浆料过滤、干燥后，测定二氧化硅含量、平均粒径和α射线量。上述二氧化硅含量、平均粒径和α射线量在表1和表2中示于筛处理栏。
应予说明，粉碎处理或筛处理而得到的产物为目标的低α射线量硫酸钡颗粒时，表1和表2中的上述二氧化硅含量、平均粒径和α射线量的数值以带括号方式显示。
此外，以下的实施例和比较例中得到的低α射线量硫酸钡颗粒的硫含量和银变色试验的结果示于表1和表2。
以下的实施例和比较例的各步骤中得到的破碎矿、粉矿和低α射线量硫酸钡颗粒的物性、以及以下的实施例和比较例中得到的低α射线量硫酸钡颗粒的硫含量和银变色试验以下述方式评价。
α射线量(cph/cm2)
通过低水平α射线测定装置LACS-4000M(Sumika Chemical Analysis Service. Ltd.制)测定。测定时，在装置的试样测定部的不锈钢板(1000cm2)上铺填试样，经过99小时而测定。
平均粒径(D50)(μm)
通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置Microtrac MT-3300 EXII(日机装(株)制)，求出体积基准的中值直径。
二氧化硅(SiO2)含量(重量%)
通过荧光X射线分析装置ZSX Primus II(Rigaku Corporation制)进行测定。按照已知的方法，进行标准试样的测定，将与荧光X射线强度的关系制成标准曲线，进行二氧化硅(SiO2)的定量。
氧化铝(Al2O3)含量(重量%)
通过荧光X射线分析装置ZSX Primus II(Rigaku Corporation公司制)进行测定。按照已知的方法，进行标准试样的测定，将与荧光X射线强度的关系制成标准曲线，进行氧化铝(Al2O3)的定量。
硫酸钡中的硫含量(源自硫化物的硫的含量)
向带塞的烧瓶中，添加试样的低α射线量硫酸钡颗粒5g和浓度为40g/L的氢氧化钠水溶液50mL，在80℃下搅拌30分钟，使上述低α射线量硫酸钡颗粒分散。向所得分散液中添加0.01mol/L的碘25mL后，添加浓盐酸5mL，以淀粉作为指示剂，用0.005mol/L的硫代硫酸钠滴定。将不添加试样而进行上述试验的结果记作空白试验，根据下述式计算试样中的硫含量。
硫含量(ppm)=16×(空白滴定量(mL)-试样滴定量(mL))。
银变色试验
向内容积为100mL的玻璃制的试样瓶中，添加试样的低α射线量硫酸钡颗粒3g，加盖密闭。向预先在温度为85℃、相对湿度为85%的状态下稳定化的恒温恒湿槽内，放入上述试样瓶。确认恒温恒湿槽内达到恒定的温度和湿度后，在恒温恒湿槽的氛围下将涂布有银膏(藤仓化成(株)制DOTITE D550)的载玻片放入试样瓶，加盖密闭。72小时后，从试样瓶中取出载玻片，通过目视评价银膏的变色程度。试样的低α射线量硫酸钡颗粒中包含的作为杂质的硫化物含量多时，因挥发的硫化物成分(硫化氢)而导致银膏发生黑变。银膏的变色程度以仅银膏的试验记作空白，与该空白同等时评价为〇，与空白相比观察到略微变色时评价为△，与空白相比变色显著时评价为×。
表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的利用二氧化硅和氧化铝的表面处理量
通过荧光X射线分析装置ZSX Primus II(Rigaku Corporation制)进行测定。按照已知的方法，进行标准试样的测定，将与荧光X射线强度的关系制成标准曲线，进行表面处理量的定量。
硫酸钡纯度(重量%)
通过荧光X射线分析装置ZSX Primus II(Rigaku Corporation制)进行测定。按照已知的方法，进行标准试样的测定，将与荧光X射线强度的关系制成标准曲线，进行硫酸钡(BaSO4)的定量。
实施例1
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
向纯水30L中，添加62.5重量%硫酸120mL和35重量%盐酸250mL，进一步，添加纯水，制备总计60L的pH1.6的淘洗水。
将上述破碎矿的水浆料投入容积为13L的淘洗槽中，将来自该淘洗槽的溢流废弃的同时，从上述淘洗槽下部以1L/分钟的流速持续1小时投入上述淘洗水60L。其后，继续进行将溢流废弃的同时以1L/分钟的流速以1小时投入纯水60L的淘洗处理，从而回收底流。
将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化(repulp)，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠(Toray Industry, Inc.制“Torayceram”(注册商标))(以下皆同)的湿式珠磨机(Nippon Coke & EngineeringCo., Ltd.制SC100，以下在没有特别说明的情况下皆同)，进行60分钟粉碎处理，制成平均粒径为0.27μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.49重量%、平均粒径为0.27μm、α射线量为0.06cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例2
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。接着，将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.4mm的氧化锆珠的湿式珠磨机(ShinmaruEnterprises Corporation制Dyno-Mill MULTILAB)，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.32μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.43重量%、平均粒径为0.32μm、α射线量为0.05cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例3
向将重晶石原料矿石B破碎而得到的α射线量为0.21cph/cm2、平均粒径为9.13μm、二氧化硅含量为0.87重量%的破碎矿1500g中，添加纯水125mL并充分搅拌，向其中添加62.5重量%硫酸437.5mL和35重量%盐酸125mL，充分搅拌后，升温至110℃，进行3小时酸加热处理。将像这样进行了酸加热处理的破碎矿的浆料冷却，通过倾析进行4次水洗。上述经酸加热处理的破碎矿的二氧化硅含量为0.66重量%。
接着，向所得破碎矿添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为约125g/L的浆料12L。将上述浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。
将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.55重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.28μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.25重量%、平均粒径为0.28μm、α射线量为0.03cph/cm2、硫含量为3ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例4
向将重晶石原料矿石C破碎而得到的α射线量为0.10cph/cm2、平均粒径为11.12μm、二氧化硅含量为0.67重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.58重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机进行60分钟粉碎处理，将所得浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.58重量%、平均粒径为0.29μm、α射线量为0.07cph/cm2、硫含量为1ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例5
向将重晶石原料矿石C破碎而得到的α射线量为0.10cph/cm2、平均粒径为11.12μm、二氧化硅含量为0.67重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.28μm的粉矿。接着，将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.56重量%、平均粒径为0.28μm、α射线量为0.07cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例6
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
接着，将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.8mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.44μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.45重量%、平均粒径为0.44μm、α射线量为0.05cph/cm2、硫含量为1ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例7
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.5mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.41μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.44重量%、平均粒径为0.41μm、α射线量为0.05cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例8
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体成分在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度达到300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.65mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.42μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.46重量%、平均粒径为0.42μm、α射线量为0.05cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例9
向将重晶石原料矿石C破碎而得到的α射线量为0.10cph/cm2、平均粒径为11.12μm、二氧化硅含量为0.67重量%的破碎矿1500g中，添加纯水125mL并充分搅拌，向其中添加62.5重量%硫酸437.5mL和35重量%盐酸125mL，充分搅拌后，升温至110℃，经过3小时进行酸加热处理。将像这样进行了酸加热处理的破碎矿的浆料冷却，通过倾析进行4次水洗，得到固体物。经酸加热处理的破碎矿的二氧化硅含量为0.5重量%。
接着，向上述固体物添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为约125g/L的浆料12L。将上述固体物的浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。
将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.41重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.29μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.16重量%、平均粒径为0.29μm、α射线量为0.02cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例10
向将重晶石原料矿石C破碎而得到的α射线量为0.10cph/cm2、平均粒径为11.12μm、二氧化硅含量为0.67重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体成分在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.28μm的粉矿。
将上述粉矿的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.37重量%、平均粒径为0.28μm、α射线量为0.04cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例11
向将重晶石原料矿石D破碎而得到的α射线量为0.49cph/cm2、平均粒径为10.53μm、二氧化硅含量为3.24重量%的破碎矿1500g中，添加纯水125mL并充分搅拌，向其中添加62.5重量%硫酸437.5mL和35重量%盐酸125mL，充分搅拌后，升温至110℃，经过3小时进行酸加热处理。将像这样进行了酸加热处理的破碎矿的浆料冷却，通过倾析进行4次水洗。上述经酸加热处理的破碎矿的二氧化硅含量为0.67重量%。
接着，向酸加热处理而得到的破碎矿添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为约125g/L的浆料12L。将上述浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。
将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.53重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，得到平均粒径为0.28μm的粉矿。
将上述粉碎处理后的浆料在500目(网眼为25μm)的筛中通过，将筛下的浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.47重量%、平均粒径为0.28μm、α射线量为0.06cph/cm2、硫含量为2ppm的低α射线量硫酸钡颗粒。
实施例12
实施例10中，向所得筛下的浆料添加纯水，稀释，制成以硫酸钡换算计为150g/L的浆料。将上述浆料8L(以硫酸钡计为1200g)进行搅拌同时加热，升温至70℃，向其中添加30重量%氢氧化钠水溶液，将pH调整为9.5。
向该浆料一次性添加以二氧化硅换算计为141g/L的硅酸钠水溶液85mL，接着，以0.21mL/分钟的供给速度耗费120分钟定量滴加30重量%硫酸25.5mL后，继续60分钟搅拌。
接着，将所得浆料冷却至40℃，添加30重量%氢氧化钠水溶液，将pH调整至8.5。将该浆料的pH维持为8.5，同时向其中，耗费90分钟分别定量地以1.2mL/分钟的供给速度添加以氧化铝换算计为267g/L的铝酸钠水溶液108mL、以1.8mL/分钟的供给速度添加30重量%硫酸162mL后，继续30分钟搅拌。
接着，将以这样的方式得到的浆料过滤、水洗、干燥，得到用二氧化硅水合物和氢氧化铝进行了表面覆盖的低α射线量硫酸钡颗粒。
以这样的方式得到的表面覆盖的低α射线量硫酸钡颗粒的α射线量为0.04cph/cm2，平均粒径为0.28μm，以二氧化硅换算计包含二氧化硅水合物1.29重量%，以氧化铝换算计包含氢氧化铝1.89重量%。
比较例1
将将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿120g在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。
将上述浆料0.4L使用未采用介质的湿式微粒化装置(Sugino Machine LimitedCo., Ltd.制Star Burst minimo HJP-25001SE)，以160MPa的粉碎压力进行5遍粉碎处理。将所得浆料过滤、干燥，从而得到二氧化硅含量为0.69重量%、平均粒径为1.27μm、α射线量为0.13cph/cm2、硫含量为3ppm的硫酸钡颗粒。
比较例2
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.62重量%、平均粒径为0.27μm、α射线量为0.09cph/cm2、硫含量为2ppm的硫酸钡颗粒。
比较例3
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.8mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.61重量%、平均粒径为0.45μm、α射线量为0.09cph/cm2、硫含量为3ppm的硫酸钡颗粒。
比较例4
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体物在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.63重量%的破碎矿。
将上述浆料0.4L使用未采用介质的湿式微粒化装置，以160MPa的粉碎压力进行7遍粉碎处理，将所得浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.63重量%、平均粒径为1.00μm、α射线量为0.09cph/cm2、硫含量为2ppm的硫酸钡颗粒。
比较例5
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为125g/L的浆料12L。
将上述破碎矿的水浆料与实施例1同样地进行淘洗处理，回收底流。将上述回收的底流的浆料过滤，将所得固体成分在纯水中再浆化，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料。通过上述淘洗处理，得到二氧化硅含量为0.62重量%的破碎矿。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为1.5mm的氧化锆珠的湿式珠磨机进行300分钟粉碎处理，将所得浆料过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.62重量%、平均粒径为0.59μm、α射线量为0.09cph/cm2、硫含量为2ppm的硫酸钡颗粒。
比较例6
向将重晶石原料矿石A破碎而得到的α射线量为0.13cph/cm2、平均粒径为10.06μm、二氧化硅含量为0.70重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料5L。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.69重量%、平均粒径为0.27μm、α射线量为0.13cph/cm2、硫含量为2ppm的硫酸钡颗粒。
比较例7
向坩埚中，添加将重晶石原料矿石B破碎而得到的α射线量为0.21cph/cm2、平均粒径为9.13μm、二氧化硅含量为0.87重量%的破碎矿、和焦炭，充分混合，用电炉煅烧，在纯水中浸出，得到硫化钡水溶液。向所得硫化钡水溶液中，添加30重量%硫酸水溶液，使硫化钡与硫酸反应，使硫酸钡析出，将其过滤，得到硫酸钡颗粒。
上述硫酸钡颗粒的二氧化硅含量为0.25重量%、平均粒径为0.30μm、α射线量为0.12cph/cm2、硫含量为170ppm。
比较例8
向将重晶石原料矿石C破碎而得到的α射线量为0.10cph/cm2、平均粒径为11.12μm、二氧化硅含量为0.67重量%的破碎矿1500g中，添加纯水，制备以硫酸钡计的浓度为300g/L的浆料5L。
将上述浆料4L使用填充有介质直径为0.3mm的氧化锆珠的湿式珠磨机，进行60分钟粉碎处理，过滤、干燥，得到二氧化硅含量为0.66重量%、平均粒径为0.28μm、α射线量为0.10cph/cm2、硫含量为3ppm的硫酸钡颗粒。
[表1]
。
[表2]
。
如表1和表2所示那样，根据本发明的实施例，对将重晶石原料矿石破碎而得到的破碎矿不进行酸加热处理或进行酸加热处理后，通过实施步骤(a)、(b)或(c)的处理，可以得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
与此相对，比较例1中，将破碎矿不进行淘洗处理和筛处理，替代介质粉碎处理而使用不采用介质的湿式微粉化装置进行粉碎，因此无法得到二氧化硅含量为0.6重量%以下、平均粒径为1μm以下的粉矿，因此无法得到α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
比较例4中，将破碎矿进行了淘洗处理，但无法得到二氧化硅含量为0.6重量%以下的破碎矿，而且淘洗处理后，使用未采用介质的湿式微粉化装置进行粉碎，因此无法得到二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
比较例2、比较例3和比较例5中，实施基于步骤(a)、(b)或(c)的处理而得到的粉矿的二氧化硅含量大于0.6重量%，因此无法得到α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
比较例6和比较例8中，不进行淘洗处理和筛处理中任一者，仅进行介质粉碎处理，因此所得硫酸钡は二氧化硅含量大于0.6重量%，无法得到α射线量为0.07cph/cm2 以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
比较例7不对破碎矿实施任何处理，向还原焙烧而得到的硫化钡水溶液中添加硫酸从而得到硫酸钡，因此二氧化硅含量为0.6重量%以下，但α射线量、硫含量均高。
实施例13
(涂料组合物的制备和涂膜的α射线量)
将上述实施例4中得到的硫酸钡16g、清漆(DIC(株)制，Acrydic A-801-P)20g、乙酸丁酯(和光纯药工业(株)制，试剂特级)10g、二甲苯(纯正化学(株)制，纯正特级)10g、玻璃珠(直径为1.5mm Potters-Ballotini Co., Ltd. 制)76g加入容积为140mL的蛋黄酱瓶中，充分混合后，固定于涂料调节器(RED DEVIL公司制5410型)上，施加60分钟振动，进行分散处理，制备涂料组合物。
接着，将上述涂料组合物滴加至聚乙烯膜上，使用棒涂机((株)安田精机制作所制，No.579 ROD No.6 )，制作颜料重量浓度(PWC)为61.5重量%的涂膜。
将上述涂膜在20℃下干燥12小时后，使用低水平α射线测定装置LACS-4000M(Sumika Chemical Analysis Service. Ltd.制)测定其α射线量，其结果是0.04cph/cm2。测定时，在装置的试样测定部的不锈钢板(1000cm2)上载置上述涂膜，经过99小时而测定。
比较例9
(涂料组合物的制备和涂膜的α射线量)
实施例13中，替代实施例4中得到的硫酸钡，使用比较例6中得到的硫酸钡，除此之外，以相同的方式，制备涂料组合物，测定其涂膜的α射线量，结果是0.08cph/cm2。
实施例14
(树脂组合物片材的制备和其α射线量的测定)
将上述实施例4中得到的硫酸钡56g、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂(JapanPolyethylene Corporation制EEA树脂，REXPEARL(注册商标)A1150)24g使用LABOPLASTMILL((株)东洋精机制作所制)在混合机的转速为40rpm、150℃的条件下混炼10分钟。
将所得混炼物从混合机中取出后，载置于厚度为2mm的不锈钢制铸模板(150mm×200mm)的中央，从上下用不锈钢制板(200mm×300mm)夹持，设置于Mini Test Press-10((株)东洋精机制作所制)的试样台上，在160℃下加热并在0.5MPa下加压2分钟，进一步提高压力至5MPa，在160℃下加热并加压2分钟，进一步提高压力至25MPa，在160℃下加热并加压3分钟。
接着，在25MPa下加压并冷却5分钟，得到填料填充率为70重量%的树脂组合物片材。使用低水平α射线测定装置LACS-4000M(Sumika Chemical Analysis Service. Ltd.制)测定所得树脂组合物片材的α射线量，其结果是0.05cph/cm2。测定时，在装置的试样测定部的不锈钢板(1000cm2)上铺填树脂组合物片材，经过99小时而测定。
比较例10
(树脂组合物片材的制备和其α射线量的测定)
实施例14中，替代实施例4中得到的硫酸钡，使用比较例6中得到的硫酸钡，除此之外，以相同的方式，制备树脂组合物片材，测定其树脂组合物片材的α射线量，结果是0.09cph/cm2。
如实施例13、实施例14、比较例9和比较例10所示那样，配合有本发明所涉及的低α射线量硫酸钡的涂膜、树脂组合物片材示出与其配合的硫酸钡相比更低的α射线量。
但是，配合有α射线量为0.13cph/cm2 的比较例6的硫酸钡的涂膜、树脂组合物片材具有大于0.07cph/cm2的α射线量。
如实施例所示那样，不需要用于高纯度化的复杂操作而使α射线量减少为0.07cph/cm2以下，由此例如还能够用于底部填充剂层经薄膜化的高功能电子部件的阻焊剂层。

Claims (13)

1.低α射线量硫酸钡颗粒，其二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、平均粒径为1μm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下。
2.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒，其是对权利要求1所述的低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种进行表面处理而得到的。
3.树脂组合物，其包含权利要求1或2中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
4.涂料组合物，其包含权利要求1或2中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
5.抗蚀剂墨水组合物，其包含权利要求1或2中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
6.低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿，
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；
此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
7.根据权利要求6所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的范围的二氧化硅含量。
8.根据权利要求6所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，所述破碎矿具有0.65~1重量%的范围的二氧化硅含量。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，将所述破碎矿进行酸加热处理后，进行所述(a)、(b)或(c)的处理。
10.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿，
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；
此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒，
接着，对上述低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种实施表面处理。
11.根据权利要求10所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，将所述破碎矿进行酸加热处理后，进行所述(a)、(b)或(c)的处理。
12.根据权利要求10或11所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的二氧化硅含量。
13.根据权利要求10或11所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其中，所述破碎矿具有0.65~1重量%的二氧化硅含量。
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