CN108469595B - 磁场感测装置及感测方法 - Google Patents

磁场感测装置及感测方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种磁场感测装置及感测方法。磁场感测装置包括异向性磁电阻、电流产生器以及运算器。异向性磁电阻通过磁化方向设定动作,使其在第一磁场感测阶段依据受测磁场提供第一电阻值,并且在第二磁场感测阶段依据受测磁场提供第二电阻值。电流产生器提供电流依据电流方向以流经异向性磁电阻的两端。运算器针对第一磁场感测阶段以及第二磁场感测阶段中,异向性磁电阻依据电流分别产生的第一电压差以及第二电压差进行算术运算并藉以产生磁场感测电压结果。

Description

磁场感测装置及感测方法
技术领域
本发明涉及一种磁场感测装置及感测方法,尤其涉及一种由异向性磁电阻所构成的磁场感测装置及感测方法。
背景技术
磁场感测装置是提供罗盘和运动跟踪***的基本装置。对于诸如智能手机,平板电脑或智能手表以及商用或工业***(如无人机)的便携式***,磁场感测装置必须非常精确,封装尺寸小,在高输出时非常节能数据速率。这些要求使包括异向性磁电阻(Anisotropic MagnetoResistive,AMR),巨磁电阻(Giant MagnetoResistive,GMR)和隧道磁电阻(Tunneling MagnetoResistive,TMR)感测器在内的磁电阻感测器成为主流。其中异向性磁阻感测器是最早开发的磁电阻技术。虽然异向性磁电阻感测器的灵敏度低于巨磁电阻和隧道磁电阻感测器,但生产成本低,磁滞迟低,双向磁设定运行模式等优点,仍然具有竞争力。
在现有技术中,异向性磁电阻感测器以完整的惠斯登电桥(Wheatstone bridge)结构为主。然而,在惠斯登电桥结构的异向性磁电阻感测器中,需要有四个异向性磁阻,如此会增加生产成本以及需要较大的设计布局面积。
发明内容
本发明提供一种磁场感测装置及感测方法,可降低生产成本并降低设计布局面积。
本发明的磁场感测装置包括异向性磁电阻、电流产生器以及运算器。异向性磁电阻通过磁化方向设定动作,使其在第一磁场感测阶段依据受测磁场提供第一电阻值,并且在第二磁场感测阶段依据受测磁场提供第二电阻值,第一电阻值与第二电阻值不相同。电流产生器耦接异向性磁电阻,提供电流依据电流方向以流经异向性磁电阻的两端。运算器具有第一输入端与第二输入端分别耦接至异向性磁电阻的两端,针对第一磁场感测阶段以及第二磁场感测阶段中,异向性磁电阻依据电流所分别产生的第一电压差以及第二电压差进行算术运算,并且藉以产生磁场感测电压结果。
本发明的磁场感测方法包括:提供电流依据电流方向以流经异向性磁电阻的两端;在第一磁场感测阶段通过磁化方向设定动作,使异向性磁电阻依据受测磁场提供第一电阻值,并且依据电流产生第一电压差;在第二磁场感测阶段通过磁化方向设定动作,使异向性磁电阻依据受测磁场提供第二电阻值,并且依据电流产生第二电压差;以及依据第一电压差以及第二电压差进行算术运算,并藉以产生磁场感测电压结果。
基于上述,本发明所述的磁场感测装置是通过一个异向性磁电阻通过磁化方向设定动作,使其在第一磁场感测阶段依据受测磁场提供第一电阻值,运算器依据外加电流以产生第一磁场感测阶段的第一电压差。在第二磁场感测阶段依据受测磁场提供第二电阻值,运算器依据外加电流以产生第二磁场感测阶段的第二电压差。并且运算器依据第一电压差与第二电压差,产生磁场感测电压结果。藉此可针对磁场感测装置中所具有的电压偏移产生补偿作用,并降低环境干扰的影响。并且通过两阶段的检测方式,本发明实施例的磁场感测装置的电路面积可以有效的减小,降低电路成本。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出本发明第一实施例的磁场感测装置的示意图。
图2示出本发明一实施例的磁场感测方法的流程图。
图3示出本发明一实施例的运算器的示意图。
图4示出本发明第二实施例的磁场感测装置的示意图。
图5A与图5B示出本发明第三实施例的磁场感测装置的示意图。
图6A示出本发明第三实施例的磁场感测装置的磁场检测的波形图。
图6B示出本发明第三实施例的磁场感测装置的磁场检测结果的波形图。
附图标记说明
100、400、500:磁场感测装置
110、410、510:异向性磁电阻
120、420、520:电流产生器
130、430、530:运算器
I:电流
D:电流方向
H:受测磁场
Ha:磁场值
V1、V2、ΔV:电压差
Vo:磁场感测电压结果
132、432、532:误差放大器
134:暂存装置
136:算术运算器
411、412、511、512、513、514:子异向性磁电阻
GND:接地参考电位
C1、C2:区域
D1、D2、D3、D4:设定方向
CV1、CV2:曲线
S210、S220、S230、S240:步骤
具体实施方式
请参照图1,图1是示出本发明一实施例的磁场感测装置的示意图。磁场感测装置100包括异向性磁电阻110、电流产生器120以及运算器130。异向性磁电阻110通过磁化方向设定动作,依据受测磁场He而提供第一电阻值以及第二电阻值。电流产生器120耦接异向性磁电阻110,提供电流I依据电流方向D以流经异向性磁电阻110的两端。运算器130具有运算器输入端分别耦接至异向性磁电阻110的两端,针对异向性磁电阻所提供的第一电阻值以及第二电阻值依据电流所分别产生的第一电压差以及第二电压差进行算术运算,并且藉以产生磁场感测电压结果Vo。
在图1的实施例中,异向性磁电阻110可以是具有理发店招牌(barber pole)状结构,并且具有铁磁膜(ferromagnetic film)材质的主体。也就是异向性磁电阻110表面被设有相对于异向性磁电阻相对于异向性磁电阻的延伸方向倾斜延伸的多组短路棒(shortingbar),上述的短路棒彼此相间隔且平行设置于主体上。而本发明并不以此为限。
说明磁场感测装置的操作方式,图2是示出本发明一实施例的磁场感测方法的流程图。请参照图1与图2,在步骤S210中,电流产生器120提供电流I,并且依据电流方向D流经异向性磁电阻110的两端。接着,开始进行受测磁场He的感测,在图1与图2的实施例中,受测磁场H的感测动作在时间上可区分为第一磁场感测阶段以及第二磁场感测阶段。在步骤S220中,磁场感测装置100进行第一磁场感测阶段,在第一磁场感测阶段中可通过针对异向性磁电阻110进行磁化方向设定动作,并设定异向性磁电阻110的磁化方向为第一设定方向,如此,异向性磁电阻110依据受测磁场H可提供第一电阻值,并可依据电流产生器120所提供的电流I而产生第一电压差。在步骤S220中,磁场感测装置100进行第二磁场感测阶段。在第二磁场感测阶段中可先针对异向性磁电阻110进行磁化方向设定动作,并设定异向性磁电阻110的磁化方向为第二设定方向,如此,异向性磁电阻110依据受测磁场H可提供第二电阻值,并且可依据电流产生器120所提供的电流I而产生第二电压差。其中,第一设定方向与第二设定方向相反。
接着在步骤S240中,运算器130依据异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段所提供的第一电压差与第二磁场感测阶段所提供的第二电压差来进行算数运算,并藉以产生磁场感测电压结果Vo。
关于本实施例的磁化方向设定动作,异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段与第二磁场感测阶段,可通过磁化方向设定元件分别进行磁化方向设定动作。磁化方向设定元件可邻近于异向性磁电阻进行设置,没有特别的限制。请参照图1与图2,异向性磁电阻110的磁化方向通过磁化方向设定元件(未示出)的设定,以使异向性磁电阻110的磁化方向在步骤S220中被设定为第一设定方向,并且异向性磁电阻110的磁化方向在步骤S230中被设定为第二设定方向。其中,第一设定方向与第二设定方向可以是相反的方向。
请参照图1与图2,在步骤S220中异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段的磁化方向与电流产生器120所提供的电流I的电流方向D可以是相同的,在步骤S230中异向性磁电阻在110第二磁场感测阶段的磁化方向则与电流产生器120所提供的电流I的电流方向D可以是相反的。上述的作法只是一种范例,在本发明其他实施例中,第一磁场感测阶段中的第一设定方向与电流方向D可以是相反的,而在第二磁场感测阶段中的第二设定方向与电流方向D则可以是相同。
异向性磁电阻110在未接收受测磁场H时,异向性磁电阻110会维持一个固定的原始电阻值。而当异向性磁电阻110接收受测磁场H时,异向性磁电阻110的电阻值会随受测磁场H的大小而变化。举例来说明,当异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段所提供的第一电阻值R1因受测磁场H的影响而使第一电阻值R1增加为R1=R0+ΔR。其中R0为原始电阻值而ΔR为变化值。由于异向性磁电阻110磁化方向在第一磁场感测阶段与第二磁场感测阶段是相反的,因此异向性磁电阻110在第二磁场感测阶段所提供的第二电阻值R2因相同的受测磁场H的影响而对应减少,也就是第二电阻值R2减少为R2=R0-ΔR。而相反的,当异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段所提供的第一电阻值因受测磁场H的影响而减小时,在第二磁场感测阶段所提供的第二电阻值则会对应增加。
并且,异向性磁电阻110接收受测磁场H时,电流产生器120提供电流I依据电流方向D流经具有第一电阻值的异向性磁电阻110的两端,使异向性磁电阻110在第一磁场感测阶段产生对应于第一电阻值的第一电压差。并且,在第二磁场感测阶段,使具有第二电阻值的异向性磁电阻110产生对应于第二电阻值的第二电压差。运算器130则可通过耦接异向性磁电阻110的两端以在第一、二磁场感测阶段分别接收上述的第一、二电压差,并使上述的第一、二电压差进行算数运算(例如减法运算)以产生磁场感测电压结果Vo。
如此一来,本发明实施例的磁场感测装置100通过运算器130接收第一、二电压差并且进行算数运算以产生磁场感测电压结果Vo,可针对运算器130的电路中所具有的电压偏移产生补偿作用,并降低环境干扰的影响。并且,通过分时检测的方式,本发明实施例的磁场感测装置100的电路面积可以有效的减小,降低电路成本。
请参照图3,图3是示出本发明实施例的运算器的实施方式的示意图。在图3的实施例中,运算器130包括误差放大器132、暂存装置134以及算术运算器136。误差放大器132的输入端分别耦接至异向性磁电阻的两端,用以在第一磁场感测阶段,依据异向性磁电阻的两端的电压差异运算出电压差V1。并且,误差放大器132在第二磁场感测阶段依据异向性磁电阻的两端的电压差异运算出电压差V2。暂存装置134可以是任何型态的挥发性或非挥发性的记忆体,或其他任意本领域具通常知识者熟知的资料存储装置。暂存装置134耦接至误差放大器132的输出端,可用以存储电压差V1。算术运算器136耦接至误差放大器132以及暂存装置134,用以由暂存装置134接收电压差V1以及由误差放大器132直接接收电压差V2,并且针对电压差V1以及电压差V2进行算术运算以产生磁场感测电压结果Vo。在其他实施例中,暂存装置134可用以存储电压差V1以及电压差V2,算术运算器136则可由暂存装置134中读取电压差V1以及电压差V2以进行算数运算,来产生磁场感测电压结果Vo。
图4示出本发明另一实施例的磁场感测装置进行第一磁场感测阶段的示意图。与图1不同的是,图4的实施例的异向性磁电阻410具有包括子异向性磁电阻411、412,并且子异向性磁电阻411、412串接于运算器430的第一输入端与第二输入端之间。也就是说,异向性磁电阻410是由子异向性磁电阻411、412、所形成的单一磁电阻结构,并且异向性磁电阻410的两端分别耦接至运算器430的两端。并且运算器430的第二输入端可耦接至接地参考电位GND。
在图4的实施例中,异向性磁电阻410在第一磁场感测阶段可通过磁化方向设定动作,以使异向性磁电阻410中的子异向性磁电阻411、412具有相同或是相反的磁化方向并依据受测磁场而产生第一电阻值,并且运算器430中的误差放大器432可依据电流产生器420所提供的电流I而产生电压差V1。其中子异向性磁电阻411的磁化方向与电流方向相同或相反。接着异向性磁电阻410在第二磁场感测阶段可通过磁化方向设定动作,以使子异向性磁电阻411、412具有相同或是相反的磁化方向并依据相同受测磁场而产生第二电阻值,并且运算器430中的误差放大器432可依据电流产生器420所提供的电流I而产生电压差V2。其中各子异向性磁电阻411、412在第一磁场感测阶段的磁化方向与第二磁场感测阶段的磁化方向相反。运算器430针对电压差V1、V2进行算术运算以产生磁场感测电压结果。
图5A与图5B示出本发明另一实施例的磁场感测装置的示意图。与图1、图4的实施例不同的是,在图5A与图5B的实施例中,磁场感测装置500中的异向性磁电阻510包括子异向性磁电阻511、512、513、514。并且子异向性磁电阻511、512、513、514串接于运算器的第一输入端与第二输入端之间。也就是说,异向性磁电阻510是由子异向性磁电阻511、512、513、514所形成的单一磁电阻结构,并且异向性磁电阻510的两端分别耦接至运算器530的两端。
在本实施例中,异向性磁电阻510可经配置以致使子异向性磁电阻511、512配置在区域C1中,并且子异向性磁电阻513、514配置在区域C2中。本发明的子异向性磁电阻的数量、串接顺序以及区域数量并不以此为限。
请参照图5A,图5A示出本实施例的磁场感测装置500进行第一磁场感测阶段的示意图。在图5A中,磁场感测装置500进行第一磁场感测阶段,通过磁化方向设定动作设定区域C1中的子异向性磁电阻511、512的磁化方向为第一设定方向D1,设定区域C2中的子异向性磁电阻513、514的磁化方向为第二设定方向D2。使异向性磁电阻510依据受测磁场提供第一电阻值,并且依据电流产生器520所提供的电流I而产生电压差V1。
在本实施例中,第一设定方向D1与第二设定方向D2相反,并且第一设定方向D1与电流方向D可以是相同或相反。而在其他实施例中,第一设定方向D1与第二设定方向D2可相同。
请参照图5B,图5B示出与图5A相同实施例的磁场感测装置进行第二磁场感测阶段的示意图。磁场感测装置500在第二磁场感测阶段中可通过磁化方向设定动作设定区域C1中的子异向性磁电阻511、512的磁化方向为第三设定方向D3,设定区域C2中的子异向性磁电阻513、514的磁化方向为第四设定方向D4,使异向性磁电阻510依据受测磁场提供第二电阻值,并且依据电流产生器520所提供的电流I而产生电压差V2。在此实施例中,第三设定方向D3与第四设定方向D4相反。而在其他实施例中,第三设定方向D3与第四设定方向D4可相同。
在此应注意的是,第三设定方向D3与第一设定方向D1相反,以及第四设定方向D4与第二设定方向D2相反。
以图5A、5B的实施例来说明,当在图5A的第一磁场感测阶段的实施例中,第一设定方向D1与第二设定方向D2为头对头(head to head)的相反方向关系,则在图5B的第二磁场感测阶段的实施例中,第三设定方向D3与第四设定方向D4为尾对尾(tail to tail)的相反方向关系。
关于误差放大器532的硬体架构部分,凡本领域具通常知识者所熟知的差动放大器架构皆可实施以做为本发明的误差放大器532,没有特殊的限制。关于电流产生器520的部分,凡本领域技术人员所熟知的电流产生器电路皆可用以实施以做为本发明的电流产生器520,同样没有特殊的限制。
请参照图6A,图6A是示出本发明图5A、5B实施例的磁场感测装置的磁场检测的波形图。在图6A中,纵轴为第一磁场检测结果VO的电压值,而横轴则为受测磁场H的大小。请同时参照图5A与图6A,当磁场感测装置400在第一磁场感测阶段的期间,接收到受测磁场H,并且当第一磁场感测阶段的第一设定方向与第二设定方向为头对头的相反方向关系时,固定范围的受测磁场H大小与异向性磁电阻510所提供的第一电阻值呈现线性的正相关关系,如曲线CV1。当第一磁场感测阶段的期间感测到受测磁场H等于Ha时,运算器530中的误差放大器532通过接收异向性磁电阻510的两端的电压差异而运算出对应于受测磁场H等于Ha时的第一电压差V1=ΔV,并且将第一电压差V1的结果存储到暂存装置中。
在此值得一提的是,误差放大器针对异向性磁电阻410两端的电压差异所进行的第一电压差V1运算,可降低在第一磁场感测阶段时的***电性偏移和环境干扰的影响,因此感测精度能得以提升。
再请同时参照图5B与图6A,在第一磁场感测阶段的期间接收到受测磁场H,并且当第二磁场感测阶段的第一设定方向与第二设定方向为尾对尾的相反方向关系时,受测磁场H的大小与异向性磁电阻510所提供的第二电阻值呈现线性的负相关的关系,如曲线CV2。当第二磁场感测阶段的期间感测到受测磁场H等于Ha时,运算器530中的误差放大器532通过接收异向性磁电阻410的两端的电压差异而运算出对应于受测磁场H等于Ha时的第二电压差V2=-ΔV。
在此值得一提的是,误差放大器532针对异向性磁电阻510两端的电压差异所进行的第二电压差V2运算,可降低在第一磁场感测阶段时的***电性偏移和环境干扰的影响,因此感测精度能得以提升。
请参照图6B,图6B是示出本发明图5A、5B实施例的磁场感测装置的磁场检测结果的波形图。在图6B中,纵轴为第一磁场检测结果VO的电压值,而横轴则为受测磁场H的大小。当完成第二磁场感测阶段并且运算出第二电压差V2之后,运算器内部的算术运算器接收来自于暂存装置所存储的第一电压差V1以及来自于误差放大器的第二电压差V2,并且针对第一电压差V1以及第二电压差V2进行算术运算,藉以产生磁场感测电压结果Vo。在其他实施例中,可将第二电压差的结果存储到暂存装置中,运算器内部的算术运算器接收来自于暂存装置所存储的第一电压差以及第二电压差,并且针对第一电压差以及第二电压差进行算术运算,藉以产生磁场感测电压结果。
接下来详细来说明算术运算以产生磁场感测电压结果。在图5A、5B的实施例中,受测磁场H大小在第一磁场感测阶段与异向性磁电阻510所提供的第一电阻值呈现接近线性的正相关关系,并且受测磁场H的大小在第二磁场感测阶段与异向性磁电阻510所提供的第二电阻值呈现接近线性的负相关关系。因此在相同的电流与电流方向供应下,异向性磁电阻510于第一磁场感测阶段所产生的电压差V1与第二磁场感测阶段所产生的电压差V2对应于受测磁场H大小,具有呈现相反的波形,也就是如果电压差V1为正值时,而电压差V2则为负值。当第一磁场感测阶段与第二磁场感测阶段的期间感测到磁场Ha时,运算器内部的算术运算器可针对对应于Ha所产生的第一电压差V1=ΔV与第二电压差V2=-ΔV。也因此运算器内部的算术运算器可针对第一电压差V1与第二电压差V2,进行包括减法运算的算术运算,而获得磁场感测电压结果Vo=V1–V2=ΔV–(-ΔV)=2×ΔV,进而得到磁场感测电压结果的加倍输出效果。
在此值得一提的是,在本实施例中通过上述的算术运算方式,也可再一次降低第一磁场感测阶段与第二磁场感测阶段的***电性偏移和环境干扰的影响。并且当受测磁场H为0时,磁场感测装置则实质上为零输出。
综上所述,本发明的磁场感测装置包括异向性磁电阻、电流产生器以及运算器。磁场感测装置通过一个异向性磁电阻通过磁化方向设定动作,使其在第一磁场感测阶段依据受测磁场提供第一电阻值,运算器依据电流产生器所提供的外加电流以产生第一磁场感测阶段的第一电压差。在第二磁场感测阶段依据受测磁场提供第二电阻值,运算器依据电流产生器所提供的外加电流以产生第二磁场感测阶段的第二电压差。并且运算器依据第一电压差与第二电压差,产生磁场感测电压结果。本发明的磁场感测装置仅需要一个即可完成磁场感测操作,降低了设计布局面积。并且在本发明的磁场感测装置具有降低***电性偏移和环境干扰的影响,提高了感测装置的信杂比。
虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (16)

1.一种磁场感测装置,其特征在于,包括:
异向性磁电阻,通过磁化方向设定动作,使其在第一磁场感测阶段依据受测磁场提供第一电阻值,并且在第二磁场感测阶段依据所述受测磁场提供第二电阻值,所述第一电阻值与所述第二电阻值不相同;
电流产生器,耦接所述异向性磁电阻,提供电流依据电流方向以流经所述异向性磁电阻的两端;以及
运算器,具有第一输入端与第二输入端分别耦接至所述异向性磁电阻的两端,针对所述第一磁场感测阶段以及所述第二磁场感测阶段中,所述异向性磁电阻依据所述电流所分别产生的第一电压差以及第二电压差进行算术运算,并藉以产生磁场感测电压结果。
2.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述磁化方向设定动作在所述第一磁场感测阶段设定所述异向性磁电阻的磁化方向为第一设定方向,并且在所述第二磁场感测阶段设定所述异向性磁电阻的磁化方向为第二设定方向,所述第一设定方向与所述第二设定方向相反。
3.根据权利要求2所述的磁场感测装置,其特征在于,所述第一设定方向与所述电流方向相同或相反。
4.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述运算器包括:
误差放大器,所述误差放大器的第一输入端与第二输入端分别耦接至所述异向性磁电阻的两端,用以在所述第一磁场感测阶段依据所述异向性磁电阻的两端的电压提供所述第一电压差以及在第二磁场感测阶段依据所述异向性磁电阻的两端的电压提供所述第二电压差;
暂存装置,耦接至所述误差放大器的输出端,用以存储所述第一电压差;以及
算术运算器,耦接至所述暂存装置以及所述误差放大器,用以接收所述第一电压差以及所述第二电压差,并且针对所述第一电压差以及所述第二电压差进行算术运算以产生所述磁场感测电压结果。
5.根据权利要求4所述的磁场感测装置,其特征在于,所述暂存装置用以存储所述第一电压差以及所述第二电压差。
6.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述异向性磁电阻包括至少一第一子异向性磁电阻以及至少一第二子异向性磁电阻,所述至少一第一子异向性磁电阻以及所述至少一第二子异向性磁电阻串接于所述运算器的第一输入端以及第二输入端间。
7.根据权利要求6所述的磁场感测装置,其特征在于,所述磁化方向设定动作在所述第一磁场感测阶段设定所述至少一第一子异向性磁电阻的磁化方向为第一设定方向,设定所述至少一第二子异向性磁电阻的磁化方向为第二设定方向,并且在所述第二磁场感测阶段设定所述至少一第一子异向性磁电阻的磁化方向为第三设定方向,设定所述至少一第二子异向性磁电阻的磁化方向为第四设定方向,
其中所述第一设定方向与所述第二设定方向相同或相反,
其中所述第一设定方向与所述第三设定方向相反以及所述第二设定方向与所述第四设定方向相反。
8.根据权利要求7所述的磁场感测装置,其特征在于,所述第一设定方向与所述电流方向相同或相反。
9.一种磁场感测方法,其特征在于,包括:
提供电流依据电流方向以流经异向性磁电阻的两端;
在第一磁场感测阶段通过磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据受测磁场提供第一电阻值,并且依据所述电流产生第一电压差;
在第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供第二电阻值,并且依据所述电流产生第二电压差;以及
依据所述第一电压差以及所述第二电压差进行算术运算,并藉以产生磁场感测电压结果。
10.根据权利要求9所述的磁场感测方法,其特征在于,在所述第一磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第一电阻值的步骤包括:
在所述第一磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作设定所述异向性磁电阻的磁化方向为第一设定方向;以及
在所述第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第二电阻值的步骤包括:
在所述第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作设定所述异向性磁电阻的磁化方向为第二设定方向,
其中所述第一设定方向与所述第二设定方向相反。
11.根据权利要求10所述的磁场感测方法,其特征在于,所述第一设定方向与所述电流方向相同或相反。
12.根据权利要求10所述的磁场感测方法,其特征在于,在所述第一磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第一电阻值,并且依据所述电流产生所述第一电压差的步骤还包括:
在所述第一磁场感测阶段,依据比较所述异向性磁电阻的两端的电压的差值以提供所述第一电压差;以及
暂存所述第一电压差;
在所述第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第二电阻值,并且依据所述电流产生所述第二电压差的步骤还包括:
在所述第二磁场感测阶段依据比较所述异向性磁电阻的两端的电压的差值以提供所述第二电压差。
13.根据权利要求12所述的磁场感测方法,其特征在于,还包括:
暂存所述第二电压差。
14.根据权利要求9所述的磁场感测方法,其特征在于,还包括:
提供相互串接的至少一第一子异向性磁电阻以及至少一第二子异向性磁电阻以形成所述异向性磁电阻。
15.根据权利要求14所述的磁场感测方法,其特征在于,在所述第一磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第一电阻值的步骤包括:
在所述第一磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作设定所述至少一第一子异向性磁电阻的磁化方向为第一设定方向,并且设定所述至少一第二子异向性磁电阻的磁化方向为第二设定方向,其中所述第一设定方向与所述第二设定方向相同或相反;以及
在所述第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作,使所述异向性磁电阻依据所述受测磁场提供所述第二电阻值的步骤包括:
在所述第二磁场感测阶段通过所述磁化方向设定动作设定所述至少一第一子异向性磁电阻的磁化方向为第三设定方向,并且设定所述至少一第二子异向性磁电阻的磁化方向为第四设定方向,
其中所述第一设定方向与所述第三设定方向相反以及所述第二设定方向与所述第四设定方向相反。
16.根据权利要求15所述的磁场感测方法,其特征在于,所述第一设定方向与所述电流方向相同或相反。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561368A (en) 1994-11-04 1996-10-01 International Business Machines Corporation Bridge circuit magnetic field sensor having spin valve magnetoresistive elements formed on common substrate
US7977941B2 (en) 2009-02-25 2011-07-12 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensing device
KR20100104396A (ko) * 2009-03-17 2010-09-29 엘지이노텍 주식회사 자기저항센서를 이용한 검체의 신호검출 시스템 및 이를 이용한 검출방법
EP2330432B1 (en) 2009-11-19 2013-01-09 Nxp B.V. Magnetic field sensor
US10473731B2 (en) * 2010-11-26 2019-11-12 Stmicroelectronics S.R.L. Magnetic sensor reading device, system and method
JP6033529B2 (ja) 2011-05-30 2016-11-30 株式会社東海理化電機製作所 検出装置および電流センサ
TWI431301B (zh) 2012-03-05 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 應用穿隧式磁電阻器之磁場感測方法及磁場感測裝置
US20150108974A1 (en) * 2012-04-12 2015-04-23 Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited Magnetometer
US9411024B2 (en) 2012-04-20 2016-08-09 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor having XMR elements in a full bridge circuit having diagonal elements sharing a same shape anisotropy
WO2013161027A1 (ja) 2012-04-26 2013-10-31 三菱電機株式会社 磁気式位置検出装置
EP2682762A1 (en) 2012-07-06 2014-01-08 Senis AG Current transducer for measuring an electrical current, magnetic transducer and current leakage detection system and method
CN103076578B (zh) * 2013-02-01 2017-03-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 各向异性磁阻结构磁场强度检测装置
JP6548868B2 (ja) * 2014-03-13 2019-07-24 株式会社東芝 磁気検査装置、および紙葉類処理装置

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