CN108447955B - 发光二极管芯片结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、外延结构、台面结构、第一电流阻挡层、电流扩展层、第二电流阻挡层、第一P电极、分布布拉格反射层、第二P电极以及N电极。第一电流阻挡层形成于外延结构的部分表面，电流扩展层包裹第一电流阻挡层，第二电流阻挡层形成于电流扩展层表面且具有图案化的粗糙表面，分布布拉格反射层包裹第一P电极、第二电流阻挡层表面及外延结构侧壁。本发明通过具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加电流扩展层与分布布拉格反射层的界面表面积，使分布布拉格反射层入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，可增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层的黏附性，提高结构的可靠性。

Description

发光二极管芯片结构及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体照明领域，特别是涉及一种发光二极管芯片结构及其制作方法。
背景技术
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管LED通常是由如GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED被称为***照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。
现有的LED倒装芯片一般是在透明导电层(如：ITO)上直接沉积分布布拉格反射层DBR，并且，为了保证反射性能，该分布布拉格反射层的厚度一般需要设计为大于3μm，导致LED发光外延结构发出的光线在这两个平面界面处的出光面积有限，不利于LED芯片外部光萃取，导致芯片发光效率降低。
基于以上所述，提供一种可以有效提高LED芯片外部光萃取的发光二极管芯片结构及其制作方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，用于解决现有技术中发光二极管芯片外部光萃取较低而导致发光效率降低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；局部缺陷区，位于部分第二导电型半导体层上，且向下延伸至第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；第一电流阻挡层，形成于所述外延结构的部分表面；电流扩展层，包裹所述第一电流阻挡层，并与部分的所述外延结构表面接合；第二电流阻挡层，形成于所述电流扩展层表面，所述第二电流阻挡层具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层的预留窗口；第一P电极，形成于所述预留窗口；分布布拉格反射层，包裹所述第一P电极表面、所述第二电流阻挡层表面及所述外延结构侧壁，且所述分布布拉格反射层中具有P电极通孔以及N电极通孔；第二P电极，形成于所述P电极通孔中，与所述第一P电极连接；以及N电极，形成于所述N电极通孔中，与所述第一导电型半导体层台面连接。
优选地，所述第一电流阻挡层及所述第二电流阻挡层的至少一者表面形成有图案化的粗糙结构。
优选地，所述图案化的粗糙结构包含若干凸起结构。
优选地，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构、圆锥形凸起结构及圆台形凸起结构中的至少一种。
进一步地，所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
优选地，所述电流扩展层表面形成有图案化的粗糙结构。
优选地，所述分布布拉格反射层的厚度不小于3μm。
本发明还提供一种发光二极管芯片结构的制作方法，包括：1)提供一衬底，于所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；2)于所述外延结构中刻蚀出局部缺陷区，形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；3)于所述外延结构的部分表面形成第一电流阻挡层；4)形成电流扩展层，所述电流扩展层包覆所述第一电流阻挡层并与部分的所述外延结构表面接合；5)于所述电流扩展层上形成第二电流阻挡层，于所述第二电流阻挡层表面形成图案化的粗糙结构，并于所述第二电流阻挡层中形成显露所述电流扩展层的预留窗口；6)于所述预留窗口中形成第一P电极；7)形成全局覆盖的分布布拉格反射层；以及8)于所述分布布拉格反射层中形成P电极通孔以及N电极通孔，基于所述P电极通孔制作与所述第一P电极连接的第二P电极，基于所述N电极通孔制作与所述第一导电型半导体层台面连接的N电极。
优选地，所述步骤3)、步骤5)至少包括一步骤于所述第一电流阻挡层或第二电流阻挡层表面形成所述图案化的粗糙结构。
优选地，所述第一电流阻挡层或所述第二电流阻挡层表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构。
优选地，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构或圆锥形凸起结构或圆台形凸起结构中的至少一种。
进一步地，所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
优选地，步骤4)还包括于所述透明导电层表面形成图案化的粗糙结构的步骤。
优选地，所述分布布拉格反射层的厚度不小于3μm。
如上所述，本发明的发光二极管芯片结构及其制作方法，具有以下有益效果：
本发明通过在透明导电层的上界面与分布布拉格反射层的下界面之间制作表面具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加经透明导电层与分布布拉格反射层的界面表面积，使分布布拉格反射层入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，该电流阻挡层表面的图案化的粗糙结构可有效增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层之间的黏附性，提高LED芯片结构的可靠性。
附图说明
图1～图13显示为本发明的发光二极管芯片结构的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图7显示为本发明实施例1采用的半圆球形凸起结构的第二电流阻挡层的结构示意图，图8显示为本发明实施例2采用的圆锥形凸起结构的第二电流阻挡层的结构示意图，图9显示为本发明实施例3采用的圆台形凸起结构的第二电流阻挡层的结构示意图，图13显示为本发明的发光二极管芯片结构示意图。
元件标号说明
101 衬底
102 第一导电型半导体层
103 量子阱层
104 第二导电型半导体层
105 台面结构
106 第一电流阻挡层
107 电流扩展层
108 第二电流阻挡层
1081 半圆球形凸起结构
1082 圆锥形凸起结构
1083 圆台形凸起结构
109 第一P电极
110 分布布拉格反射层(DBR)
111 P电极通孔
112 N电极通孔
113 第二P电极
114 N电极
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图13。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1～图7以及图10～图13所示，本实施例提供一种发光二极管芯片结构的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：
如图1～图2所示，首先进行步骤1)，提供一衬底101，于所述衬底101上形成外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一导电型半导体层102、量子阱层103以及第二导电型半导体层104。
所述衬底101包括平面型蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底等。在本实施例中，所述衬底选用为图形蓝宝石衬底。
作为示例，采用MOCVD工艺于所述衬底101上形成外延结构，所述外延结构可以包含第一导电型半导体层102、量子阱层103以及第二导电型半导体层104、电子阻挡层等，其中，所述第一导电型半导体层102可以为N型GaN层，所述量子阱层103可以为GaN基量子阱层103，所述第二导电型半导体层104可以为P型GaN层。当然，也可以依据实际需求选择其它种类的外延结构，并不限于此处所列举的示例。
如图3所示，然后进行步骤2)，于所述外延结构中刻蚀出局部缺陷区，形成台面结构105，所述台面结构105露出有所述外延结构侧壁，具体地，所述台面结构105显露有第一导电型半导体层102台面以及第一导电型半导体层102、量子阱层103及第二导电型半导体层104的侧壁。
例如，可以采用ICP刻蚀或RIE刻蚀工艺，于所述外延结构中刻蚀出台面结构105，使得所述台面结构105显露有第一导电型半导体层102台面以及第一导电型半导体层102、量子阱层103及第二导电型半导体层104的侧壁，所述第一导电型半导体层102台面用以于后续N电极114的电连接。
如图4所示，接着进行步骤3)，于所述外延结构的部分表面形成第一电流阻挡层106。
例如，可以采用化学气相沉积工艺以及刻蚀工艺，于所述外延结构的部分表面形成第一电流阻挡层106，所述第一电流阻挡层106可以为低折射率材料，如二氧化硅等，也可以为高折射率材料，如二氧化钛等，或者第一电流阻挡层也可以是分布布拉格反射层(DBR)，且并不限于此处所列举的示例。
在本实施例中，步骤3)还包括步骤：于所述第一电流阻挡层106表面形成图案化的粗糙结构，所述第一电流阻挡层106表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构，以增大该第一电流阻挡层106的出光面积，并加强该第一电流阻挡层106与后续的电流扩展层107之间的粘附强度。
作为示例，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构109、圆锥形凸起结构1082以及圆台形凸起结构1083中的一种。所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
如图5所示，接着进行步骤4)，形成电流扩展层107，所述电流扩展层107包覆所述第一电流阻挡层106并与部分的所述外延结构表面接合。
例如，所述电流扩展层107可以为采用蒸镀或溅镀工艺以形成的ITO透明导电层，也可以选用其它材料，如ZnO、石墨烯等，步骤4)还包括于所述ITO透明导电层表面形成图案化的粗糙结构的步骤，以进一步提高ITO透明导电层的出光面积，并提高ITO透明导电层与后续的第二电流阻挡层108的粘附强度。
如图6及图7所示，然后进行步骤5)，于所述电流扩展层107上形成第二电流阻挡层108，于所述第二电流阻挡层108表面形成图案化的粗糙结构，并于所述第二电流阻挡层108中形成显露所述电流扩展层107的预留窗口。
例如，可以采用蒸镀工艺，于所述电流扩展层107上形成第二电流阻挡层108，所述第二电流阻挡层108可以为低折射率材料，如二氧化硅等，也可以为高折射率材料，如二氧化钛等，或者第二电流阻挡层也可以是分布布拉格反射层(DBR)，且并不限于此处所列举的示例。
作为示例，采用光刻工艺及干法刻蚀工艺，于所述第二电流阻挡层108表面形成所述图案化的粗糙结构。所述第二电流阻挡层108表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构109。例如，所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。在本实施例中，所述半圆球形凸起结构109的颗粒直径为26μm，高度为500nm，相邻两半圆球形凸起结构109的间距为3μm，则可以使得所述第二电流阻挡层108的出光面积增加100％。
作为示例，采用光刻工艺及干法刻蚀工艺于所述第二电流阻挡层108中形成显露所述电流扩展层107的预留窗口，所述预留窗口用以制作第一P电极109。
如图10所示，接着进行步骤6)，于所述预留窗口中形成第一P电极109，所述第一P电极109与所述电流扩展层107电性连接。
如图11所示，接着进行步骤7)，采用化学气相沉积工艺形成全局覆盖的分布布拉格反射层110，所述分布布拉格反射层110形成于所述第一P电极109表面、所述第二电流阻挡层108表面及所述外延结构侧壁。
作为示例，所述分布布拉格反射层110的厚度不小于3μm，以保证其反射效果。
如图12～图13所示，接着进行步骤8)，于所述分布布拉格反射层110中形成P电极通孔111以及N电极通孔112，所述P电极通孔111显露所述第一P电极109，所述N电极通孔112显露所述第一导电型半导体层102台面，基于所述P电极通孔111制作与所述第一P电极109连接的第二P电极113，基于所述N电极通孔112制作与所述第一导电型半导体层102台面连接的N电极114。
最后，减薄所述衬底101并进行切割以获得独立的发光二极管芯片。
如图13所示，本实施例还提供一种发光二极管芯片结构，所述发光二极管芯片结构包括：衬底101、外延结构、局部缺陷区、第一电流阻挡层106、电流扩展层107、第二电流阻挡层108、第一P电极109、分布布拉格反射层110、第二P电极113以及N电极114。
如图13所示，所述衬底101包括平面型蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底等。在本实施例中，所述衬底101选用为图形蓝宝石衬底。
如图13所示，所述外延结构位于所述衬底101上，包括依次层叠的第一导电型半导体层102、量子阱层103以及第二导电型半导体层104。
例如，所述第一导电型半导体层102可以为N型GaN层，所述量子阱层103可以为GaN基量子阱层103，所述第二导电型半导体层104可以为P型GaN层。当然，也可以依据实际需求选择其它种类的外延结构，并不限于此处所列举的示例。
如图13所示，所述局部缺陷区位于部分所述第二导电型半导体层104上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层102形成台面结构105，所述台面结构105显露有第一导电型半导体层102台面以及第一导电型半导体层102、量子阱层103及第二导电型半导体层104的侧壁，所述第一导电型半导体层102台面用以于后续N电极114的电连接。
所述第一电流阻挡层106形成于所述外延结构的部分表面。所述第一电流阻挡层106可以为低折射率材料，如二氧化硅等，也可以为高折射率材料，如二氧化钛等，或者第一电流阻挡层也可以是分布布拉格反射层(DBR)，且并不限于此处所列举的示例。所述第一电流阻挡层106表面形成有图案化的粗糙结构，所述第一电流阻挡层106表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构，以增大该第一电流阻挡层106的出光面积，并加强该第一电流阻挡层106与后续的电流扩展层107之间的粘附强度。
作为示例，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构109、圆锥形凸起结构1082以及圆台形凸起结构1083中的一种。所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
所述电流扩展层107包裹所述第一电流阻挡层106，并与部分的所述外延结构表面接合。
作为示例，所述电流扩展层107可以为ITO透明导电层，所述ITO透明导电层表面形成有图案化的粗糙结构，以进一步提高ITO透明导电层的出光面积，并提高ITO透明导电层与后续的第二电流阻挡层108的粘附强度。
所述第二电流阻挡层108形成于所述电流扩展层107表面，所述第二电流阻挡层108可以为低折射率材料，如二氧化硅等，也可以为高折射率材料，如二氧化钛等，或者第一电流阻挡层也可以是分布布拉格反射层(DBR)，且并不限于此处所列举的示例。所述第二电流阻挡层108具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层107的预留窗口。
所述第二电流阻挡层108表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构，所述凸起结构包括半圆球形凸起结构109。例如，所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。在本实施例中，所述半圆球形凸起结构109的颗粒直径为26μm，高度为500nm，相邻两半圆球形凸起结构109的间距为3μm，则可以使得所述第二电流阻挡层108的出光面积增加100％左右。
所述第一P电极109形成于所述预留窗口。
所述分布布拉格反射层110包裹所述第一P电极109表面、所述第二电流阻挡层108表面及所述外延结构侧壁，且所述分布布拉格反射层110中具有P电极通孔111以及N电极通孔112。
作为示例，所述分布布拉格反射层110的厚度不小于3μm，以保证其反射效果。
所述第二P电极113形成于所述P电极通孔111中，与所述第一P电极109连接。
所述N电极114形成于所述N电极通孔112中，与所述第一导电型半导体层102台面连接。
本实施例通过在ITO透明导电层的上界面与分布布拉格反射层110的下界面之间制作表面具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加经ITO透明导电层与分布布拉格反射层110的界面表面积，使分布布拉格反射层110入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，该电流阻挡层表面的图案化的粗糙结构可有效增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层110之间的黏附性，提高LED芯片结构的可靠性。
实施例2
如图8及图13所示，本实施例提供一种发光二极管芯片结构，其基本结构如实施例1，其中，与实施例1的不同之处在于，所述凸起结构为圆锥形凸起结构1082。所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。在本实施例中，所述圆锥形凸起结构1082的颗粒直径为26μm，高度为500nm，相邻两圆锥形凸起结构1082的间距为3μm，则可以使得所述第二电流阻挡层108的出光面积增加30％左右，其特点是易于制备，可有效降低工艺成本。
实施例3
如图9及图13所示，本实施例提供一种发光二极管芯片结构，其基本结构如实施例1，其中，与实施例1的不同之处在于，所述凸起结构为圆台形凸起结构1083。所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。在本实施例中，所述圆台形凸起结构1083的颗粒直径为26μm，高度为500nm，相邻两圆台形凸起结构1083的间距为3μm，则可以使得所述第二电流阻挡层108的出光面积增加20％左右，其特点是圆台形凸起结构1083的机械稳定性较高，可有效提高器件的稳定性，提高器件寿命。
如上所述，本发明的发光二极管芯片结构及其制作方法，具有以下有益效果：
本发明通过在透明导电层的上界面与分布布拉格反射层110的下界面之间制作表面具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加经透明导电层与分布布拉格反射层110的界面表面积，使分布布拉格反射层110入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，该电流阻挡层表面的图案化的粗糙结构可有效增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层110之间的黏附性，提高LED芯片结构的可靠性。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (14)

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括：
衬底；
外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；
局部凹陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；
第一电流阻挡层，形成于所述外延结构的部分表面；
电流扩展层，包裹所述第一电流阻挡层，并与部分的所述外延结构表面接合；
第二电流阻挡层，形成于所述电流扩展层表面，所述第二电流阻挡层具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层的预留窗口；
第一P电极，形成于所述预留窗口；
分布布拉格反射层，包裹所述第一P电极表面、所述第二电流阻挡层表面及所述外延结构侧壁，且所述分布布拉格反射层中具有P电极通孔以及N电极通孔；
第二P电极，形成于所述P电极通孔中，与所述第一P电极连接；以及
N电极，形成于所述N电极通孔中，与所述第一导电型半导体层台面连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述第一电流阻挡层及所述第二电流阻挡层的至少一者表面形成有图案化的粗糙结构。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述图案化的粗糙结构包含若干凸起结构。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述凸起结构包括半圆球形凸起结构、圆锥形凸起结构及圆台形凸起结构中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述电流扩展层表面形成有图案化的粗糙结构。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述分布布拉格反射层的厚度不小于3μm。
8.一种发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于，包括：
1)提供一衬底，于所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；
2)于所述外延结构中刻蚀出局部凹陷区，形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；
3)于所述外延结构的部分表面形成第一电流阻挡层；
4)形成电流扩展层，所述电流扩展层包覆所述第一电流阻挡层并与部分的所述外延结构表面接合；
5)于所述电流扩展层上形成第二电流阻挡层，于所述第二电流阻挡层表面形成图案化的粗糙结构，并于所述第二电流阻挡层中形成显露所述电流扩展层的预留窗口；
6)于所述预留窗口中形成第一P电极；
7)形成包裹所述第一P电极表面、所述第二电流阻挡层表面及所述外延结构侧壁的分布布拉格反射层；以及
8)于所述分布布拉格反射层中形成P电极通孔以及N电极通孔，基于所述P电极通孔制作与所述第一P电极连接的第二P电极，基于所述N电极通孔制作与所述第一导电型半导体层台面连接的N电极。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：所述步骤3)、步骤5)至少包括一步骤于所述第一电流阻挡层或第二电流阻挡层表面形成所述图案化的粗糙结构。
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：所述第一电流阻挡层或所述第二电流阻挡层表面的图案化的粗糙结构包含多个凸起结构。
11.根据权利要求10所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：所述凸起结构包括半圆球形凸起结构或圆锥形凸起结构或圆台形凸起结构中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。
13.根据权利要求8所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤4)还包括于所述电流扩展层表面形成图案化的粗糙结构的步骤。
14.根据权利要求8所述的发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于：所述分布布拉格反射层的厚度不小于3μm。
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