CN108417695B - 一种类太阳光谱的led光源及其制备方法 - Google Patents
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 73
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical group Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 12
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004382 visual function Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002507 cathodic stripping potentiometry Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
本发明涉及一种类太阳光谱的LED光源及其制备方法,光转化层的荧光粉只有三种组分,生产过程中易于配粉,降低配粉出错率,而且光源色坐标落档率会比采用更多荧光粉的技术方案高,光源生产过程中更容易把控整体产品色坐标的落档率。本发明实现的光谱和太阳光光谱类似,比现有技术的仿太阳光谱多增加了紫光部分的能量。本发明采用紫光芯片,430nm以后的能量比较足,更接近于真实的太阳光谱。普通的LED光源由于深红部分能量缺失,造成光品质不好,本发明采用650nm发射峰的深红色荧光粉,对深红色部分的能量进行补足,实现更好的光品质,用最新的IES Rf‑Rg calculator(IES TM30‑15)的标准评估,Rf大于95,Rg大于99。本发明实现的光谱色温覆盖范围宽,从2200K~10000K。
Description
技术领域
本发明涉及光学领域,更具体地说,涉及一种类太阳光谱的LED光源,以及一种类太阳光谱的LED光源的制备方法。
背景技术
现有技术中,实现白光LED的方式主要是通过蓝光LED芯片激发黄色荧光粉来实现。
通过上述的方式实现的白光存在显色性低等不足,主要是在青色490~510nm和深红630nm以后能量缺失。
为了克服上述不足,现有技术中还存在一些的仿太阳光LED光源,但由于担心紫光对皮肤的伤害,都取消了紫光。
然而,在理论上,如果要得到更接近的仿太阳光,紫光部分是不能缺失的。而且,如果能将近紫光的能量控制在一个合适的水平,对于人的健康还是有帮助的,如近紫光可以参与合成V-D3,可用于缓解抑郁症等。并且,在一些特殊场合照明,如服装照明,由于有些服装含有荧光增白剂,包含近紫光的光线,会呈现出更高的色域饱和度和光品质。
对于实现仿太阳光的光谱,现有技术中,如中国发明专利申请CN105552196A,公开了仿太阳光的LED光源及其制备方法,所述LED封装光源由四种荧光粉组成;而且实现的相对色温只有5000~6000K。
可见,上述发明存在荧光粉过多,光源生产过程中不容易把控整体产品色坐标的落档率,而且生产过程中相对有较高的配粉出错率;而且实现的光谱色温温覆盖范围较窄。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种所得光谱和太阳光类似、光品质好的类太阳光谱的LED光源,并提供一种类太阳光谱的LED光源的制备方法。
本发明的技术方案如下:
一种类太阳光谱的LED光源,包括紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片,以及涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上的光转化层,光转化层通过荧光粉和封装胶制备,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%。
作为优选,两种不同主波长范围的蓝光芯片数量为1:1。
作为优选,如果单颗发光芯片为并联连接,则蓝光芯片与紫光芯片的数量比为2:1。
作为优选,如果单颗发光芯片为串联连接,则蓝光芯片与紫光芯片的数量比大于3:1。
作为优选,两种蓝光芯片的主波长范围分别为445~450nm和457.5~462.5nm,紫光芯片的波段范围为400nm~430nm;
作为优选,两种蓝光芯片的主波长至少相差10nm。
作为优选,相对色温范围为2200K~10000K,当相对色温为4000K以上,得到的光谱用于模拟太阳光谱;当相对色温为4000K以下,得到的光谱用于模拟黑体辐射光谱。
作为优选,不同色温和黑体辐射光谱符合以下关系:
其中,T代表色温,h为普朗克常数6.626×10-34J·S,c为光速2.998×108m/s,K为玻尔兹曼常数1.3806505×10-23J/K,TB为黑体绝对温度,λ为辐射波长。
作为优选,所述的青粉为硅基氮氧化物、正硅酸盐、偏硅酸盐或硅铝基氮化物、锗酸盐中的一种或几种荧光粉;所述的绿粉为GaYAG、LuAG、硅基氮化物或硅基氧化物中的一种或几种荧光粉;所述的深红色粉为硅基氮化物红粉或铝基氮化物红粉。
作为优选,所述的光转化层为荧光粉和封装胶水的混合体,所述封装胶水为环氧树脂、硅胶或硅树脂。
一种类太阳光谱的LED光源的制备方法,在LED支架或基板上设置紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片;将光转化层涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上;光转化层含有封装胶和荧光粉,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%;
所得半成品先烘烤至荧光粉充分沉降,再进行工艺参数固化,得到成品。
作为优选,如果紫光芯片、蓝光芯片为正装芯片,则通过纯金、合金线和LED支架或基板进行电连接;如果紫光芯片、蓝光芯片为倒装芯片,则通过锡膏或共晶和LED支架或基板进行电连接。
作为优选,所得半成品先在60℃的烘箱内存放4~5小时,使荧光粉充分沉降,再按进行工艺参数固化,得到产成品。
本发明的有益效果如下:
本发明所述的类太阳光谱的LED光源中,光转化层的荧光粉只有三种组分,生产过程中易于配粉,降低配粉出错率,而且光源色坐标落档率会比采用更多荧光粉的技术方案高,光源生产过程中更容易把控整体产品色坐标的落档率。
本发明实现的光谱和太阳光光谱类似,比现有技术的仿太阳光谱多增加了紫光部分的能量,本发明采用紫光芯片,430nm以后的能量比较足,更接近于真实的太阳光谱。普通的LED光源由于深红部分能量缺失,造成光品质不好,本发明采用650nm发射峰的深红色荧光粉,对深红色部分的能量进行补足,实现更好的光品质,用最新的IES Rf-Rg calculator(IES TM30-15)的标准评估,Rf大于95,Rg大于99。本发明实现的光谱色温覆盖范围宽,从2200K~10000K。
附图说明
图1是普通LED照明光源光谱图;
图2是5000K太阳光的光谱图;
图3是实施例1的光谱图;
图4是实施例1与5000K太阳光的光谱对比示意图;
图5是4000K太阳光的光谱图;
图6是实施例2的光谱图;
图7是施例2与4000K太阳光的光谱对比示意图;
图8是2700K黑体辐射光谱图;
图9是实施例3的光谱图;
图10是实施例3与2700K黑体辐射的光谱对比示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的详细说明。
本发明为了解决现有技术存在的光谱无法完美模拟太阳光谱的不足,提供一种类太阳光谱的LED光源及其制备方法,光转化层采用更少的荧光粉种类,紫光部分不缺失,更好地实现类太阳光谱,得到更健康、光品质更好的LED光源光谱。本发明所述的类太阳光谱的LED光源适用于多种封装形式,如贴片式LED、COB、CSP和灯丝等。
本发明所述的类太阳光谱的LED光源,包括紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片,以及涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上的光转化层,光转化层通过荧光粉和封装胶制备,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%。
其中,所述的光转化层为荧光粉和封装胶水的混合体,将混合的荧光粉和封装胶离心混合均匀,脱泡,再把光转换层均匀覆盖发光芯片,设定合适的烘箱温度,从而固化封装胶,最后得到类太阳光谱的LED光源。
使用量为8%~20%的青粉可以加强现有技术的普通LED光源光谱中所没有的490~505nm青色光的能量,从而使实现的LED光源的光谱更加接近太阳光谱,这比单纯用绿色荧光粉实现的光谱更加接近太阳光谱。
具体实施时,作为优选,所述的青粉为硅基氮氧化物、正硅酸盐、偏硅酸盐或硅铝基氮化物、锗酸盐中的一种或几种荧光粉;所述的绿粉为GaYAG、LuAG、硅基氮化物或硅基氧化物中的一种或几种荧光粉;所述的深红色粉为硅基氮化物红粉或铝基氮化物红粉。所述封装胶水为环氧树脂、硅胶或硅树脂。需要说明的是,上述青粉、绿粉和深红色粉包括但不限于以上具体成分,只要是各个颜色符合相应规定的波长范围即可。
本发明中,两种蓝光芯片的主波长范围分别为445~450nm和457.5~462.5nm,两种不同主波长范围的蓝光芯片数量为1:1。而且,两种蓝光芯片的主波长至少相差10nm为最佳。用主波长相差10nm以上的两种蓝光芯片,可以有效解决单个蓝光芯片半波宽较窄的问题,LED光源光谱在蓝光部分连续性更好;用两种主波长的蓝光芯片,也可以提高荧光粉的激发效率。
本发明中,紫光芯片的波段范围为400nm~430nm。本发明设置紫光芯片,可以补充常规LED光源紫光部分能量的缺失。同时,为了降低紫外的波长,本发明提供两种方式:
一种是单颗芯片之间全部采用并联方式,则如果单颗发光芯片为并联连接,则蓝光芯片与紫光芯片的数量比为2:1。
一种是单颗芯片之间全部采用串联方式,如果单颗发光芯片为串联连接,则每个串联电路中,蓝光芯片与紫光芯片的数量比大于3:1。
由此实现的类太阳光谱光源,由于在光谱的紫光部分有足够的能量,会比普通的LED更加拟合太阳光谱,从而会有更好的光品质,用最新的IES Rf-Rg calculator(IESTM30-15)标准来评估,Rf大于95,Rg大于99。
本发明所述的LED光源能够实现宽色温,可实现相对色温范围为2200K~10000K的光谱。而当相对色温为4000K以上,得到的光谱和实际太阳光谱类似,可用于模拟太阳光谱;当相对色温为4000K以下,得到的光谱和黑体辐射光谱类似,可用于模拟黑体辐射光谱。
而不同色温和黑体辐射光谱符合以下关系:
其中,T代表色温,h为普朗克常数6.626×10-34J·S,c为光速2.998×108m/s,K为玻尔兹曼常数1.3806505×10-23J/K,TB为黑体绝对温度,λ为辐射波长。
实施例1
本实施例中,所述的类太阳光谱的LED光源包括2种波段蓝光芯片、紫光芯片,2种蓝光芯片的波段分别为445~450nm和457.5~462.5nm,紫光芯片的波长为400nm~430nm;
荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉8%~20%、发射波长为520~540nm的绿粉65%~80%、发射波长为640~660nm的深红色粉8%~15%。
本实施例实现的光源色温为5300~5800K。
如图1所示,普通LED的光谱连续性不好,在青色部分480-510nm能量缺失,深红部分能量缺失,和太阳光的光谱差距大,造成光源显色性差,光品质不好。
如图2、3、4所示,实施例1的光谱在紫光部分、蓝光部分、青色光部分、绿色光和深红色光部分均出现峰值。其中,由于采用两种不同波段的蓝光LED芯片,故蓝光部分出现双峰,由于可见光谱范围内多处出现峰值,故整个光谱连续性很好,在640nm以前,光的强度和太阳光谱拟合很好。
由于人眼对深红色颜色不敏感,且深红部分的人眼视见函数很低,为了保证光源的光效,故深红部分不刻意去和太阳光拟合。
实施例2
本实施例中,所述的类太阳光谱的LED光源包括2种波段蓝光芯片、紫光芯片,2种蓝光芯片的波段分别为445~450nm和457.5~462.5nm,紫光芯片的波长为400nm~430nm;
荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉8%~20%、发射波长为520~540nm的绿粉65%~80%、发射波长为640~660nm的深红色粉8%~15%。
本实施例实现的光源色温为3800~4300K。
如图5、6、7所示,实施例2的光谱在紫光部分、蓝光部分、青色光部分、绿色光和深红色光部分均出现峰值。其中,由于采用两种不同波段的蓝光LED芯片,故蓝光部分出现双峰,由于可见光谱范围内多处出现峰值,故整个光谱连续性很好,在深红色波长以前,光的强度和太阳光谱拟合很好。
由于人眼对深红色颜色不敏感,且深红部分的人眼视见函数很低,为了保证光源的光效,故深红部分不刻意去和太阳光拟合。
实施例3
本实施例中,所述的类太阳光谱的LED光源包括2种波段蓝光芯片、紫光芯片,2种蓝光芯片的波段分别为445~450nm和457.5~462.5nm,紫光芯片的波长为400nm~430nm;
荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉8%~20%、发射波长为520~540nm的绿粉65%~80%、发射波长为640~660nm的深红色粉8%~15%。
本实施例实现的光源色温为为2200K-2700K。
如图8、9、10所示,实施例3的光谱在紫光部分、蓝光部分、青色光部分、绿色光和深红色光部分均出现峰值。其中,由于采用两种不同波段的蓝光LED芯片,故蓝光部分出现双峰,由于可见光谱范围内多处出现峰值,故整个光谱连续性很好,在深红色光谱以前,光的强度和黑体辐射拟合度很高。
由于人眼对深红色颜色不敏感,且深红部分的人眼视见函数很低,为了保证光源的光效,故深红部分不刻意去和太阳光拟合。
对应于所述的类太阳光谱的LED光源,本发明还提供一种类太阳光谱的LED光源的制备方法,步骤如下:
1)在LED支架或基板上设置紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片;其中,如果紫光芯片、蓝光芯片为正装芯片,则通过纯金、合金线和LED支架或基板进行电连接;如果紫光芯片、蓝光芯片为倒装芯片,则通过锡膏或共晶和LED支架或基板进行电连接;
2)将光转化层涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上;光转化层含有封装胶和荧光粉,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%;
3)所得半成品先烘烤至荧光粉充分沉降,再按正常条件进行工艺参数固化,得到成品。
步骤3)中,所得半成品先在60℃的烘箱内存放4~5小时,使荧光粉充分沉降,再按正常的工艺参数固化,得到产成品。
上述实施例仅是用来说明本发明,而并非用作对本发明的限定。只要是依据本发明的技术实质,对上述实施例进行变化、变型等都将落在本发明的权利要求的范围内。
Claims (13)
1.一种类太阳光谱的LED光源,其特征在于,包括紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片,以及涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上的光转化层,紫光芯片的波段范围为400nm~430nm;光转化层通过荧光粉和封装胶制备,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%。
2.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,两种不同主波长范围的蓝光芯片数量为1:1。
3.根据权利要求2所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,如果单颗发光芯片为并联连接,则蓝光芯片与紫光芯片的数量比为2:1。
4.根据权利要求2所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,如果单颗发光芯片为串联连接,则蓝光芯片与紫光芯片的数量比大于3:1。
5.根据权利要求1至4任一项所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,两种蓝光芯片的主波长范围分别为445~450nm和457.5~462.5nm。
6.根据权利要求5所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,两种蓝光芯片的主波长至少相差10nm。
7.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,相对色温范围为2200K~10000K,当相对色温为4000K以上,得到的光谱用于模拟太阳光谱;当相对色温为4000K以下,得到的光谱用于模拟黑体辐射光谱。
9.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,所述的青粉为硅基氮氧化物、正硅酸盐、偏硅酸盐或硅铝基氮化物、锗酸盐中的一种或几种荧光粉;所述的绿粉为GaYAG、LuAG、硅基氮化物或硅基氧化物中的一种或几种荧光粉;所述的深红色粉为硅基氮化物红粉或铝基氮化物红粉。
10.根据权利要求1或9所述的类太阳光谱的LED光源,其特征在于,所述的光转化层为荧光粉和封装胶水的混合体,所述封装胶水为环氧树脂、硅胶或硅树脂。
11.一种类太阳光谱的LED光源的制备方法,其特征在于,在LED支架或基板上设置紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片;将光转化层涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上;光转化层含有封装胶和荧光粉,荧光粉由下述组分组成:
发射波长为490~505nm的青粉:8%~20%;
发射波长为520~540nm的绿粉:65%~80%;
发射波长为640~660nm的深红色粉:8%~15%;
所得半成品先烘烤至荧光粉充分沉降,再按工艺参数进行固化,得到成品。
12.根据权利要求11所述的类太阳光谱的LED光源的制备方法,其特征在于,如果紫光芯片、蓝光芯片为正装芯片,则通过纯金、合金线和LED支架或基板进行电连接;如果紫光芯片、蓝光芯片为倒装芯片,则通过锡膏或共晶和LED支架或基板进行电连接。
13.根据权利要求11所述的类太阳光谱的LED光源的制备方法,其特征在于,所得半成品先在60℃的烘箱内存放4~5小时,使荧光粉充分沉降,再按工艺参数进行固化,得到产成品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810067979.2A CN108417695B (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种类太阳光谱的led光源及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810067979.2A CN108417695B (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种类太阳光谱的led光源及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108417695A CN108417695A (zh) | 2018-08-17 |
CN108417695B true CN108417695B (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=63126381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810067979.2A Active CN108417695B (zh) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 一种类太阳光谱的led光源及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108417695B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109860162B (zh) * | 2018-11-16 | 2022-01-14 | 广州市巨宏光电有限公司 | 一种仿太阳光谱led灯 |
CN109860370B (zh) * | 2018-11-26 | 2019-10-29 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 全光谱led光源 |
CN109638005A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-16 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种高显指高光效封装体 |
CN109841719B (zh) * | 2019-02-15 | 2020-04-24 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 半导体发光二极管装置和灯具 |
CN110137164B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-05-28 | 厦门立达信照明有限公司 | 一种实现低蓝光危害的类太阳光谱白光的方法及白光led |
CN110094641B (zh) | 2019-04-29 | 2020-07-21 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种白光led灯珠和灯条及灯具 |
CN110416105B (zh) * | 2019-07-29 | 2021-04-06 | 闽南师范大学 | 一种用于光电转换的光源特征参数确定方法及*** |
CN110660054B (zh) * | 2019-09-23 | 2022-04-29 | 深圳市康康网络技术有限公司 | 光品质评定方法、装置及计算机可读存储介质 |
CN114040539B (zh) * | 2021-11-05 | 2024-03-15 | 深圳爱图仕创新科技股份有限公司 | 一种突出主体色的光源实现方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW559627B (en) * | 2002-12-03 | 2003-11-01 | Lite On Technology Corp | Method for producing bright white light diode with fluorescent powder |
CN204167318U (zh) * | 2014-09-17 | 2015-02-18 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种led特种照明光源 |
CN105552196B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-03-02 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 仿太阳光的led光源及其制备方法 |
CN107565006B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-05-18 | 合肥工业大学 | 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具 |
-
2018
- 2018-01-24 CN CN201810067979.2A patent/CN108417695B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108417695A (zh) | 2018-08-17 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |