CN108370636B - 用于驱动led或者用于供应另外的led变换器级的开关变换器 - Google Patents

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Abstract

一种用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器包括：开关；控制单元；感测路径，用于感测分流电阻器处的压降；以及反馈路径，用于向控制单元反馈表示感测路径的分流电阻器(4)处的压降的电压信号，控制单元(3)使用电压信号控制开关的定时，开关变换器(1)还包括电压缩放单元以用于按照至少两个不同的缩放因子来缩放电压信号，或者，开关变换器还包括：不同的电源连接端子，以用于与电源电压的至少两个相中的对应相连接；以及电压缩放单元，以根据相连接到哪一电源连接端子按照至少两个不同的缩放因子缩放电压信号；或者电压缩放单元，以用于根据相连接到哪一电源连接端子按照至少两个不同的缩放因子缩放分流电阻器单元处的压降。

Description

用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器
技术领域
本发明涉及一种用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级(LED converterstage)的开关变换器，其中，该开关变换器包括：开关；控制单元，其用于控制开关；具有分流电阻器的感测路径，其用于感测分流电阻器处的压降，所述压降表示在开关的闭合状态下流过开关的电流；以及反馈路径，其用于向控制单元反馈表示感测路径的分流电阻器处的压降的电压信号，其中，控制单元被配置为使用反馈路径上反馈的电压信号来控制开关的定时(clocking)。
背景技术
用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器例如已知为电位隔离(galvanically isolated)开关变换器(例如，反激变换器)。
除了别的以外，公知的反激变换器包括开关(例如，MOSFET晶体管)和变压器，其中，变压器的初级侧连接到开关。然后，开关通过置于变压器的初级侧的控制单元的定时信号来接通和关断。
为了调节/控制反激变换器，已知使用反馈路径来将信息从变压器的次级侧反馈到初级侧的控制单元以根据需要调节/控制开关的定时。反馈路径上反馈的信息例如是表示置于变压器的次级侧的电阻分压器的电阻器处的压降的电压信号。然后，控制单元使用电压信号来调节/控制开关的定时。由于反激变换器被电位隔离，所以有必要在在反馈路径中使用电位隔离耦合器(例如，光耦合器)。
这种反激变换器然后提供通常固定的输出电流。由于反激变换器不总是使用相同的配置，所以还已知有一种可为输出电流选择不同的值的反激变换器。反激变换器的用户然后可从例如三个不同的输出电流选择输出电流。可例如通过开关或可修改的电阻器来应用选择。此外，反激变换器还可提供不同的输出连接端子，其中，各个输出连接端子用于不同的输出电流。用户然后可将导线连接到提供期望的输出电流的输出连接端子。然而，这些选择元件目前被设置在变压器的次级侧。
为了安全成本和组件数，代替次级侧调节(意味着反馈信息取自变压器的次级侧)，越多越多的初级侧调节用在电位隔离开关变换器(例如，反激变换器)中。在初级侧调节中，反馈信息取自变压器的初级侧。因此，例如，反馈路径中不再需要光耦合器。
关于初级侧调节，更详细地，电位隔离开关变换器然后还包括变压器的初级侧的感测路径，该感测路径具有例如分流电阻器，其中，该感测路径用于感测分流电阻器处的压降。该压降表示在开关的闭合状态下流过开关的电流。然后经由反馈路径反馈表示分流电阻器处的压降的该电压信号，控制单元使用电压信号来控制/调节开关的定时。
如上所述，分流电阻器处的压降表示在开关的闭合状态下流过开关的电流。必须注意的是，分流电阻器处的压降取决于流过开关的电流，因此取决于流过分流电阻器的电流，也取决于分流电阻器的电阻值。因此，即使在电流相同的情况下，通过修改分流电阻器的电阻值，压降也将改变。
然而，在这种初级侧调节中，变压器的次级侧目前已知的从多个不同的输出电流选择输出电流无法容易地适应变压器的初级侧。
如前所述，修改分流电阻器的电阻值将导致不同的压降，因此开关的定时将被不同地控制/调节。因此，由于除了别的以外，输出电流取决于开关的定时，通过修改分流电阻器的电阻值，可改变电位隔离开关变换器的输出电流。然而，这具有若干缺点。一方面，分流电阻器承受高电流负载。另一方面，在一些应用中，控制单元可在地理上与开关变换器和特别是分流电阻器分离，使得修改分流电阻器的电阻值将导致长的导线/迹线，这将引入大量噪声。
发明内容
因此，本发明的目的在于提出一种具有初级侧调节以及改变输出电流的可能性的、用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器。
本发明涉及一种用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器，其包括：开关；控制单元，用于控制开关；具有分流电阻器的感测路径，用于感测表示在开关的闭合状态下流过开关的电流的分流电阻器的压降；以及反馈路径，用于向控制单元反馈表示感测路径的分流电阻器处的压降的电压信号，其中，控制单元被配置为使用反馈路径上反馈的电压信号来控制开关的定时，并且其中，开关变换器还包括反馈路径中的电压缩放单元，其用于按照至少两个不同的缩放因子来缩放反馈路径上反馈的电压信号。
通过使用至少两个不同的缩放因子，则可修改反馈路径上的电压信号，并因此修改开关的定时(相应地，开关的定时的控制)。通过修改开关的定时的控制，开关变换器则可提供不同的输出电流。因此，通过使用不同的缩放因子，可选择不同的输出电流。
在优选实施方式中，开关变换器是电位隔离开关变换器，特别地是反激变换器。然而，开关变换器也可以是例如降压变换器、升压变换器、降压-升压变换器、正激变换器、谐振半桥变换器或另一开关变换器拓扑。此外，开关可以是例如MOSFET晶体管、IGBT晶体管或双极晶体管。
有利地，反馈路径中的电压缩放单元包括分压器并且电压缩放单元的缩放因子取决于分压器的分压比，其中，分压器的分压比是可修改的，以得到至少两个不同的缩放因子。分压器可以是包括至少两个电阻器单元的电阻分压器，其中，至少一个电阻器单元的电阻值是可修改的，以用于修改电阻分压器的分压比。
电阻分压器的至少一个电阻器单元然后可包括具有可修改的电阻值的至少一个电阻器。
电阻分压器的至少一个电阻器单元还可包括具有相同或不同的电阻值的至少两个电阻器，并且电压缩放单元被配置为选择电阻器单元的电阻器以用于设定电阻分压器的分压比。
具有至少两个电阻器的电阻分压器的电阻器单元可包括另外的开关，其中，电阻器单元的各个另外的开关被指派给电阻器单元的一个电阻器，并且所述另外的开关可接通和关断以选择电阻器单元的电阻器以用于设定电阻分压器的分压比。所述另外的开关可以是MOSFET晶体管，其中，电压缩放单元被配置为将所述另外的开关接通和关断，或者可以是双列直插式开关(dip switch)。
代替另外的开关，具有至少两个电阻器的电阻分压器的电阻器单元可包括用于电桥或跳线器的***位置，其中，电阻器单元的各个***位置被指派给电阻器单元的一个电阻器，使得电阻器单元的***的电桥或跳线器的所指派的电阻器用于设定电阻分压器的分压比。
电阻分压器的至少一个电阻器单元还可包括用于电阻元件的至少一个***位置，其中，***位置可与具有不同电阻值的电阻元件组装以用于修改电阻分压器的分压比。
有利地，开关变换器还可针对电源(mains)电压的至少一个相包括不同的电源连接端子以用于与对应相连接，其中，电压缩放单元的缩放因子取决于相连接到哪一电源连接端子。
本发明还涉及一种用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器，其包括：开关；控制单元，用于控制开关；具有分流电阻器单元的感测路径，用于感测表示在开关的闭合状态下流过开关的电流的分流电阻器单元处的压降；以及反馈路径，用于向控制单元反馈表示感测路径的分流电阻器单元处的压降的电压信号，其中，控制单元被配置为使用反馈路径上反馈的电压信号来控制开关的定时，并且其中，开关变换器还包括：针对电源电压的至少一个相的不同的电源连接端子，以用于与对应相连接；以及反馈路径中的电压缩放单元，以用于按照取决于相连接到哪一电源连接端子的至少两个不同的缩放因子来缩放反馈路径上反馈的电压信号；或者感测路径中的电压缩放单元，以用于按照取决于相连接到哪一电源连接端子的至少两个不同的缩放因子来缩放分流电阻器单元处的压降。
同样，通过使用至少两个不同的缩放因子，修改开关的定时(相应地，开关的定时的控制)。通过修改开关的定时的控制，则开关变换器可提供不同的输出电流。因此，通过使用不同的缩放因子，可选择不同的输出电流。
通过针对电源电压的相使用不同的电源连接端子，则可仅通过选择与期望的输出电流有关的电源连接端子来以简单的方式选择输出电流。根据电源连接端子，电压缩放单元被置于反馈路径中或感测路径中，其中，在两种情况下均应用缩放：或者直接改变分流电阻器单元处的压降，或者改变反馈路径上的电压信号。然而，对于两种可能性，均可选择期望的输出电流。
在优选实施方式中，开关变换器是电位隔离开关变换器，特别地是反激变换器。然而，开关变换器也可以是降压变换器或升压变换器。此外，开关可以是MOSFET晶体管。
如上所述，电压缩放单元可在感测路径中，其中，该电压缩放单元包括分流电阻器单元，并被配置为根据相连接到哪一电源连接端子来修改分流电阻器单元的电阻值，以按照至少两个不同的缩放因子来缩放分流电阻器单元处的压降。
分流电阻器单元然后可包括具有可修改的电阻值的至少一个分流电阻器。
分流电阻器单元还可包括具有相同或不同的电阻值的至少两个分流电阻器并且电压缩放单元被配置为选择至少一个分流电阻器作为在感测路径中使用的分流电阻器以用于根据相连接到哪一电源连接端子来感测分流电阻器单元处的压降。
分流电阻器单元还可包括另外的开关，其中，分流电阻器单元的各个另外的开关被指派给分流电阻器单元的一个分流电阻器并且电压缩放单元被配置为根据相连接到哪一电源连接端子来接通和关断另外的开关以选择至少一个分流电阻器。另外的开关可以是MOSFET晶体管。
如前所述，电压缩放单元还可在反馈路径中并且包括分压器，其中，电压缩放单元的缩放因子取决于分压器的分压比，并且分压器的分压比是可修改的并取决于相连接到哪一电源连接端子以得到至少两个不同的缩放因子。分压器可以是包括至少两个电阻器单元的电阻分压器，其中，至少一个电阻器单元的电阻值是可修改的以用于修改电阻分压器的分压比。
电阻分压器的至少一个电阻器单元然后可包括具有可修改电阻值的至少一个电阻器。
电阻分压器的至少一个电阻器单元还可包括具有相同或不同的电阻值的至少两个电阻器，并且电压缩放单元被配置为选择电阻器单元的电阻器以用于根据相连接到哪一电源连接端子设定电阻分压器的分压比。具有至少两个电阻器的电阻分压器的电阻器单元然后可包括另外的开关，其中，电阻器单元的各个另外的开关被指派给电阻器单元的一个电阻器并且电压缩放单元被配置为根据相连接到哪一电源连接端子来接通和关断另外的开关以选择电阻器单元的电阻器以用于感测电阻分压器的分压比。另外的开关可以是MOSFET晶体管。
附图说明
在结合附图研究以下详细描述时本发明的这些和其它方面和优点将变得更显而易见，附图中：
图1示出根据本发明的用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图2示出根据本发明的具有电压缩放单元的更详细的示图的、用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图3示出根据本发明的具有另外的电压缩放单元的详细示图的、用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图4示出根据本发明的具有另外的电压缩放单元的详细示图的、用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图5示出根据本发明的具有另外的电压缩放单元的详细示图的、用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图6示出根据本发明的用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器；
图7示出根据本发明的用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器。
具体实施方式
应该注意的是，图1至图7所示的开关变换器1是简化示图，因此没有示出变换器的对于本发明而言无关或非必需的部分。例如，变换器可连接到电压总线Vbus或者可连接到整流器(未详细示出)。
图1示出用于驱动LED或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器1的示图，其中，图1所示的变换器是反激变换器，因此是电位隔离开关变换器。
图1中的变换器1包括具有初级侧和次级侧的变压器6，其中，在次级侧设置有例如LED 16。在变压器6的初级侧，变换器1还包括开关2、具有分流电阻器4的感测路径、具有电压缩放单元5的反馈路径和控制单元3。
可从图1看出，感测路径以及因此分流电阻器4按照可感测分流电阻器4处的压降的方式置于变换器1中，其中，该压降表示在开关2的闭合状态下流过开关2的电流。具有电压缩放单元5的反馈路径然后在一侧连接到感测路径，在另一侧连接到控制单元3，使得电压信号可从感测路径被反馈到控制单元3，其中，该电压信号表示感测路径的分流电阻器4处的压降。
根据本发明，反馈路径中的电压信号然后可由电压缩放单元5缩放，其中，电压缩放单元5提供了按照至少两个不同的缩放因子来缩放反馈路径上的电压信号的可能性。例如，缩放因子可为0.5、1或2，其中，对于缩放因子1，电压信号的值不改变。
通过经由电压缩放单元5缩放来修改反馈路径上的电压信号，可修改开关2的定时的控制/调节，其中，通过这种修改，用于LED 16的变换器1的输出电流改变。因此，通过选择至少两个不同的缩放因子中的特定缩放因子，可从不同的输出电流选择变换器1的输出电流。
在图2至图6中示出可如何修改(相应地，选择)缩放因子的不同可能性。
在图2中，图1的电压缩放单元5由具有电阻器7和可修改电阻器8的电阻分压器组成。电阻分压器的分压比是电阻器7和可修改电阻器8处的压降的结果，其中，电阻器7的一侧与感测路径连接，另一端与可修改电阻器8连接，其中，可修改电阻器8的未连接到电阻器7的另一端然后还接地。从电阻器7与可修改电阻器8之间的连接实现与控制单元3的进一步的连接。因此，从电阻分压器传递到控制单元3的电压信号取决于电阻器7处的压降和可修改电阻器8处的压降。在例如可修改电阻器8的电阻值被修改为相对高的值的情况下，大部分电压在可修改电阻器8处下降，因此反馈路径的控制单元3处的电压信号具有相对高的值。在另一侧，当可修改电阻器8被修改为相对低的电阻值时，电阻器7处的大部分压降(因此，控制单元3处的电压信号)具有相对低的值。
可看出，通过修改可修改电阻器8，电压信号可独立于分流电阻器4处的压降被进一步修改。由于控制单元3所接收的反馈路径上的电压信号控制开关的定时，如之前已经详细说明的，变换器的输出电流可被修改。因此，通过修改可修改电阻器8的电阻值，可以选择期望的输出电流。
可修改电阻器8例如可被连续地修改。也将是可能的是，可修改电阻器8可逐步修改，其中，可修改电阻器8然后至少包括两步以得到至少两个不同的缩放因子。
用于修改可修改电阻器8的元件然后可设置在例如内置有开关变换器1的壳体的外部，以使得用户可通过修改可修改电阻器8来选择输出电流。
在图3中，图1的电压缩放单元5同样由电阻分压器组成，其中，电阻分压器包括与图2类似作为电阻分压器的一部分的电阻器7以及代替如图2中一样的可修改电阻器8的电阻器单元，其中，该电阻器单元与图2中的可修改电阻器8类似设置。电阻器单元还包括具有相同或不同的电阻值的三个电阻器9、10和11以及用于电桥或跳线器的三个***位置12，其中，电阻器单元的各个***位置12被指派给电阻器单元的一个电阻器9、10和11，使得电阻器单元的***的电桥或跳线器的所指派的电阻器9、10和11用于设定电阻分压器的分压比。这意味着，通过在***位置12上***电桥或跳线器，对应电阻器9、10和11与电阻器7连接，并因此是电阻分压器的一部分。另一方面，当***位置12未与跳线器或电桥组装时，电阻分压器中不使用对应电阻器9、10和11。
然后可获得电阻分压器的不同的分压比(以及因此，不同的缩放因子)，使得没有跳线器设置在***位置12上，一个电桥或跳线器设置在***位置12之一上，两个电桥或跳线器设置在***位置12上，或者所有三个***位置12与电桥或跳线器组装。根据哪一***位置12与电桥或跳线器组装，确定整个电阻器单元的电阻值，其中，例如在所有三个***位置12与电桥或跳线器组装的情况下，电阻器9、10和11彼此并联连接，因此电阻器单元的电阻值是电阻器9、10和11的并联电路的结果。
然后，电阻分压器原则上起到图2中的电阻分压器的作用。这意味着，根据电阻器9、10和11中的哪些通过组装到***位置12的电桥或跳线器连接到电阻器7，电阻器单元处的压降变化。
应该注意的是，电阻器9、10和11每一个可具有相同的电阻值，或者可具有不同的电阻值，其中，在电阻器9、10和11具有不同的电阻值的情况下，当一个***位置12与电桥或跳线器组装时，整个电阻器单元的电阻值然后也可根据选择哪一个***位置12而不同。
图4同样示出具有包括电阻分压器的电压缩放单元的变换器1，其中，与图2和图3类似，电阻分压器包括电阻器7。代替如图2中一样的可修改电阻器8以及如图3中一样的电阻器单元，图4中的电阻分压器包括用于电阻元件的***位置13，其中，***位置13可与具有不同电阻值的电阻元件组装以用于修改电阻分压器的分压比。因此，可使用具有不同电阻值的电阻元件来修改电压缩放单元的缩放因子。
在图3和图4中，因此，用户然后可设定电阻分压器的分压比，并因此设定电压缩放单元的缩放因子。如上面已经说明的，通过修改电压缩放单元的缩放因子，可选择变换器1的期望的输出电流(相应地，改变变换器1的输出电流)。在图3中，用户可将***位置12与电桥或跳线器组装，在图4中，用户可将***位置13与电阻元件组装。
图5同样示出具有电阻分压器的电压缩放单元，其中，与图2至图4类似，电阻器7是电阻分压器的一部分。此外，电阻分压器的第二部分同样是与图3类似的电阻器单元。该电阻器单元还包括可具有相同的电阻值或不同的电阻值的三个电阻器9、10和11。
然而，代替图3的***位置12，图5中的电阻器单元包括另外的开关14。与图3中的***位置12类似，另外的开关14各自被指派给一个电阻器9、10和11。另外的开关14具有与图3中的***位置12相同的功能，其中，在一个开关接通的情况下，与***位置12与电桥或跳线器组装时类似，对应电阻器9、10和11是电阻分压器的一部分，另一方面，如果另外的开关14关断，与***位置12没有与跳线器或电桥组装时类似，电阻分压器中不使用对应电阻器9、10和11。
另外的开关14然后可以是例如MOSFET晶体管或双列直插式开关，其中，双列直插式开关可直接由用户操作，以使得通过操作或切换双列直插式开关，用户可选择期望的输出电流。MOSFET晶体管然后可例如由用户间接操作，使得例如设置另一单元，其提供用户控制的可能性，然后根据该附加单元中的用户输入来控制MOSFET晶体管。
另外，还将可能的是，开关变换器1还针对电源电压的相包括不同的电源连接端子15，如图6中所示。在这种情况下，MOSFET晶体管然后根据相连接到哪一电源连接端子15而接通或关断。
图6然后示出与图1类似的开关变换器1，其中，如前所述，开关变换器1还针对电源电压的相包括不同的电源连接端子15以用于与相连接。图6中的电压缩放单元5然后与图1类似，如图2至图5中更一般地示出。在图6的开关变换器1中，电压缩放单元5的缩放因子取决于相连接到哪一电源连接端子15。这意味着，根据相连接到哪一电源连接端子15，结果是不同的缩放因子，因此可通过选择一个电源连接端子15以用于与相连接来选择输出电流。因此，各个电源连接端子与一个输出电流有关，因此表示一个输出电流。
如前所述，图6中的电压缩放单元5可以是如图5所示的电阻分压器，其中，根据相连接到哪一电源连接端子15来控制另外的开关14。在图6中，开关变换器1(相应地，电压缩放单元5)因此根据相连接到哪一电源连接端子15来控制另外的开关14。此外，例如图2所示的电阻分压器还可用作图6中的电压缩放单元5，其中，然后根据相连接到哪一电源连接端子15来修改图2的可修改电阻器8。
在图1至图6中，示出开关变换器1，其中缩放反馈路径上反馈的电压信号。与之不同，图7示出开关变换器1，其中电压缩放单元被置于感测路径中，其中，按照至少两个不同的缩放因子来缩放分流电阻器单元处的压降，压降然后也自动地影响反馈路径上反馈的电压信号。这意味着，独立于流过开关(因此，通过分流电阻器)的电流来缩放压降。因此，通过修改分流电阻器单元处的压降，也可选择期望的输出电流。
与图6类似，图7中的开关变换器1还包括不同的电源连接端子15以用于与电源电压的相连接。图7中的分流电阻器单元然后包括电阻器9、10和11以及另外的开关14。另外的开关14和电阻器9、10和11可与图5中的电阻器单元的另外的开关14和电阻器9、10和11相同，因此关于另外的开关14和电阻器9、10和11的详细功能，参考对图5的说明。
与图6类似，图7中的开关变换器1(相应地，电压缩放单元)也根据相连接到哪一电源连接端子15来控制另外的开关14。包括电阻器9、10和11和另外的开关14的分流电阻器单元的压降然后取决于通过接通另外的开关14使用电阻器9、10和11中的哪一个。如前所述，反馈路径上反馈的电压信号表示分流电阻器单元处的压降，因此修改压降也影响电压信号。
此后，与图6类似，通过选择一个电源连接端子15，用户可选择期望的输出电流。
应该注意的是，在图2至图5中，电阻分压器被示出用于反馈路径中的电压缩放单元。然而，本发明不限于分压器。可按照至少两个不同的缩放因子来缩放反馈路径上的电压信号的各个单元可用作电压缩放单元。
类似地，图7所示的感测路径中的分流电阻器单元也仅是示例，而非限制本发明。各个单元也可在感测路径中用作分流电阻器单元，该分流电阻器单元根据相连接到哪一电源连接端子按照至少两个不同的缩放因子来缩放单元处的压降。
此外，可修改分压器的各个部分以便修改电压信号。不仅可修改分压器的下部，而且可修改上部(例如，电阻器7)。
此外，在电压缩放单元被置于反馈路径中的情况下，优点在于用于选择缩放因子(因此，用于选择输出电流)的元件可非常靠近控制开关的控制单元来设置，这在控制单元可在地理上与开关变换器分离的情况下特别有利。

Claims (30)

1.一种用于驱动LED(16)或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器(1)，该开关变换器(1)包括：
-开关(2)，
-控制单元(3)，该控制单元(3)用于控制所述开关(2)，
-具有分流电阻器(4)的感测路径，该感测路径用于感测所述分流电阻器(4)处的压降，该压降表示在所述开关(2)的闭合状态下流过所述开关(2)的电流，以及
-反馈路径，该反馈路径用于向所述控制单元(3)反馈表示所述感测路径的所述分流电阻器(4)处的所述压降的电压信号，
其中，所述控制单元(3)被配置为使用所述反馈路径上反馈的所述电压信号以控制所述开关(2)的定时，
其特征在于，
所述开关变换器(1)还包括所述反馈路径中的电压缩放单元(5)，该电压缩放单元(5)用于按照至少两个不同的缩放因子来缩放所述反馈路径上反馈的所述电压信号，
针对电源电压的至少一个相，所述开关变换器(1)还包括不同的电源连接端子(15)以用于与对应相连接，其中，所述电压缩放单元(5)的缩放因子取决于所述相连接到哪一电源连接端子(15)。
2.根据权利要求1所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器(1)是电位隔离开关变换器。
3.根据权利要求1所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器是降压变换器或升压变换器。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关(2)是MOSFET晶体管。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的开关变换器，
其特征在于，
所述反馈路径中的所述电压缩放单元(5)包括分压器，并且所述电压缩放单元(5)的缩放因子取决于所述分压器的分压比，其中，所述分压器的分压比是能修改的以得到所述至少两个不同的缩放因子。
6.根据权利要求5所述的开关变换器，
其特征在于，
所述分压器是包括至少两个电阻器单元的电阻分压器，其中，至少一个电阻器单元的电阻值是能修改的以用于修改所述电阻分压器的分压比。
7.根据权利要求6所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电阻分压器的至少一个电阻器单元包括具有能修改的电阻值的至少一个电阻器(8)。
8.根据权利要求6所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电阻分压器的至少一个电阻器单元包括具有相同或不同的电阻值的至少两个电阻器(9,10,11)，并且所述电压缩放单元(5)被配置为选择所述电阻器单元的所述电阻器(9,10,11)以用于设定所述电阻分压器的分压比。
9.根据权利要求8所述的开关变换器，
其特征在于，
具有所述至少两个电阻器(9,10,11)的所述电阻分压器的所述电阻器单元包括另外的开关(14)，其中，所述电阻器单元的各个另外的开关(14)被指派给所述电阻器单元的一个电阻器(9,10,11)，并且所述另外的开关(14)能接通和关断，以选择所述电阻器单元的所述电阻器(9,10,11)以用于设定所述电阻分压器的分压比。
10.根据权利要求9所述的开关变换器，
其特征在于，
所述另外的开关(14)是MOSFET晶体管，并且所述电压缩放单元(5)被配置为将所述另外的开关(14)接通和关断。
11.根据权利要求9所述的开关变换器，
其特征在于，
所述另外的开关(14)是双列直插式开关。
12.根据权利要求8所述的开关变换器，
其特征在于，
具有所述至少两个电阻器(9,10,11)的所述电阻分压器的所述电阻器单元包括用于电桥或跳线器的***位置(12)，其中，所述电阻器单元的各个***位置(12)被指派给所述电阻器单元的一个电阻器(9,10,11)，使得所述电阻器单元的***的电桥或跳线器的所指派的电阻器(9,10,11)用于设定所述电阻分压器的分压比。
13.根据权利要求6所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电阻分压器的至少一个电阻器单元包括用于电阻元件的至少一个***位置(13)，其中，所述***位置(13)能与具有不同电阻值的电阻元件组装以用于修改所述电阻分压器的分压比。
14.根据权利要求2所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器(1)是反激变换器。
15.一种用于驱动LED(16)或者用于供应另外的LED变换器级的开关变换器(1)，该开关变换器(1)包括：
-开关(2)，
-控制单元(3)，该控制单元(3)用于控制所述开关(2)，
-具有分流电阻器单元的感测路径，该感测路径用于感测所述分流电阻器单元处的压降，该压降表示在所述开关(2)的闭合状态下流过所述开关(2)的电流，以及
-反馈路径，该反馈路径向所述控制单元(3)反馈表示所述感测路径的所述分流电阻器单元处的压降的电压信号，
其中，所述控制单元(3)被配置为使用所述反馈路径上反馈的所述电压信号以控制所述开关(2)的定时，
其特征在于，
针对电源电压的至少一个相，所述开关变换器(1)还包括不同的电源连接端子(15)，以用于与对应相连接；以及所述反馈路径中的电压缩放单元(5)，以用于根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)按照至少两个不同的缩放因子来缩放所述反馈路径上反馈的所述电压信号；或所述感测路径中的电压缩放单元，以用于根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)按照至少两个不同的缩放因子来缩放所述分流电阻器单元处的压降。
16.根据权利要求15所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器(1)是电位隔离开关变换器。
17.根据权利要求15所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器是降压变换器或升压变换器。
18.根据权利要求15至17中的任一项所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关(2)是MOSFET晶体管。
19.根据权利要求15至17中的任一项所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电压缩放单元在所述感测路径中，其中，所述电压缩放单元包括所述分流电阻器单元，并且被配置为根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)来修改所述分流电阻器单元的电阻值，以按照至少两个不同的缩放因子来缩放所述分流电阻器单元处的压降。
20.根据权利要求19所述的开关变换器，
其特征在于，
所述分流电阻器单元包括具有能修改的电阻值的至少一个分流电阻器。
21.根据权利要求19所述的开关变换器，
其特征在于，
所述分流电阻器单元包括具有相同或不同的电阻值的至少两个分流电阻器(9,10,11)，并且所述电压缩放单元被配置为根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)来选择至少一个分流电阻器(9,10,11)作为在所述感测路径中使用的分流电阻器(9,10,11)以用于感测所述分流电阻器单元处的压降。
22.根据权利要求21所述的开关变换器，
其特征在于，
所述分流电阻器单元包括另外的开关(14)，其中，所述分流电阻器单元的各个另外的开关(14)被指派给所述分流电阻器单元的一个分流电阻器(9,10,11)，并且所述电压缩放单元被配置为根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)来将所述另外的开关(14)接通和关断以选择所述分流电阻器(9,10,11)中的至少一个。
23.根据权利要求22所述的开关变换器，
其特征在于，
所述另外的开关(14)是MOSFET晶体管。
24.根据权利要求15至17中的任一项所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电压缩放单元(5)在所述反馈路径中并且包括分压器，其中，所述电压缩放单元(5)的缩放因子取决于所述分压器的分压比，并且所述分压器的分压比是能修改的并取决于所述相连接到哪一电源连接端子(15)，以得到所述至少两个不同的缩放因子。
25.根据权利要求24所述的开关变换器，
其特征在于，
所述分压器是包括至少两个电阻器单元的电阻分压器，其中，至少一个电阻器单元的电阻值是能修改的以用于修改所述电阻分压器的分压比。
26.根据权利要求25所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电阻分压器的至少一个电阻器单元包括具有能修改的电阻值的至少一个电阻器(8)。
27.根据权利要求25所述的开关变换器，
其特征在于，
所述电阻分压器的至少一个电阻器单元包括具有相同或不同的电阻值的至少两个电阻器(9,10,11)，并且所述电压缩放单元(5)被配置为根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)来选择所述电阻器单元的所述电阻器(9,10,11)以用于设定所述电阻分压器的分压比。
28.根据权利要求27所述的开关变换器，
其特征在于，
具有所述至少两个电阻器(9,10,11)的所述电阻分压器的所述电阻器单元包括另外的开关(14)，其中，所述电阻器单元的各个另外的开关(14)被指派给所述电阻器单元的一个电阻器(9,10,11)，并且所述电压缩放单元(5)被配置为根据所述相连接到哪一电源连接端子(15)来将所述另外的开关(14)接通和关断，以选择所述电阻器单元的所述电阻器(9,10,11)以用于设定所述电阻分压器的分压比。
29.根据权利要求28所述的开关变换器，
其特征在于，
所述另外的开关(14)是MOSFET晶体管。
30.根据权利要求16所述的开关变换器，
其特征在于，
所述开关变换器(1)是反激变换器。
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