CN108347161A - 变频器软启动电路和包含其的变频器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电力电子技术,特别涉及一种变频器软启动电路以及包含该变频器软启动电路的变频器。按照本发明一个方面的变频器软启动电路(130)包含微控制器(131)、软启动电阻器(132)、直流接触器(133)、反激式开关电源(135)以及耦合在所述直流接触器(133)的线圈与接地之间的直流接触器驱动器(134),反激式开关电源(135)的开关单元(1351)包括串联耦合在所述变压器(T1)的初级与接地之间并且开关状态基本上同步的第一金属氧化物场效应晶体管(M1)和第二金属氧化物场效应晶体管(M2)。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子技术,特别涉及一种变频器软启动电路以及包含该变频器软启动电路的变频器。
背景技术
变频器是应用变频技术,通过改变电机工作频率的方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流滤波单元、逆变单元、驱动单元和控制单元等组成。变频器通过控制内部的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开断,向电机提供所需的电压和频率。
变频器一般内置软启动电路,其被耦合在变频器的整流单元与逆变单元之间以在启动时限制进入直流链路电容器的浪涌电流。这种软启动电路一般包括并联连接的软启动电阻器和直流接触器,其工作原理是,当变频器启动时,直流接触器处于断开状态,整流单元的输出电流经软启动电阻器对直流链路电容器充电,此时软启动电阻器起着限流作用;当直流链路电容器的电压达到或者接近直流母线的正常工作电压时,驱动电路将驱动直流接触器进入触点闭合状态,此时由直流接触器触点连接直流母线和直流电容,从而维持直流链路电容器供电的连续性。
现有技术的软启动电路一般利用反激式开关电源供电。这种开关电源的工作原理为,当开关元件处于导通状态时,变压器初级绕组内有电流通过,能量被储存于线圈内,此时由于初级绕组与次级绕组的极性相反,能量未被传送到负载;当开关元件处于关断状态时,变压器初级绕组将产生反向电势,负载有电流流通。在上述反激式开关电源中,通常需要采用耐高电压的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)作为开关元件,这将大幅度增加成本。此外,为了提供多种直流电压,现有技术的反激式开关电源常采用带多个绕组的变压器,这将降低变压器的可靠性和短路承受能力。
此外,现有技术的软启动电路缺乏对直流接触器状态的监测能力,这有可能引发严重的故障。例如在软启动过程中,流经软启动电阻器的电流会产生温升,如果温升过大或者软启动电阻器在短时间内反复启动,都有可能导致电阻器受损或烧毁,给后续的变频器启动带来安全隐患。又如,驱动电路或控制单元的故障将使得直流接触器在软启动过程结束后无法进入触点闭合状态,因此整流单元的输出电流持续流经软启动电阻器,这对于电阻器而言是致命的。再者,如果继电器触点由于磨损、拉弧而永久性地粘连在一起或者在变频器断电重启时继电器仍然处于闭合状态,则软启动电阻器将被旁路,启动过程中的巨大电流将损坏前端的整流单元和后端的直流链路电容器。
发明内容
本发明的目的是提供一种变频器软启动电路,其具有实现成本低和具有诊断保护功能等优点。
按照本发明一个方面的变频器软启动电路包含:
微控制器;
软启动电阻器,其耦合在变频器的整流单元与直流充电电容器之间;
直流接触器,其触点分别与变频器的整流单元和直流充电电容器耦合;
反激式开关电源,其包括:
变压器,其初级绕组从变频器的直流母线取电,次级绕组与所述直流接触器的线圈耦合;
开关单元,其耦合在所述变压器的初级绕组与接地之间以控制所述变压器的初级绕组与接地之间的导通和关断;
耦合在所述直流接触器的线圈与接地之间的直流接触器驱动器,其配置为在所述微控制器的控制下,使所述直流接触器的触点闭合或断开,
其中,所述开关单元包括串联耦合在所述变压器的初级与接地之间并且开关状态基本上同步的第一金属氧化物场效应晶体管和第二金属氧化物场效应晶体管。
本发明的另一个目的是提供一种变频器,其具有实现成本低和可靠性高等优点。
按照本发明一个方面的变频器包含:
整流单元;
逆变器单元;以及
如上所述的变频器软启动电路,耦合在所述整流单元与逆变器单元之间。
附图说明
本发明的上述和/或其它方面和优点将通过以下结合附图的各个方面的描述变得更加清晰和更容易理解,附图中相同或相似的单元采用相同的标号表示,附图包括:
图1为按照本发明一个实施例的变频器的示意图。
图2为典型的单极双线圈型直流接触器的绕组示意图。
图3为可应用于图1所示变频器的反激式开关电源的电路原理图。
图4为可应用于图1所示变频器的示例性触点状态监测单元的电路原理图。
图5为图4所示触点状态监测单元在正常软启动过程中的输出信号波形的曲线图。
图6为可应用于图1所示变频器的直流接触器驱动器的电路原理图。
图7示出了在变频器启动期间流经直流接触器的线圈电流的特性曲线。
图8为按照本发明另一个实施例的变频器的示意图。
具体实施方式
下面参照其中图示了本发明示意性实施例的附图更为全面地说明本发明。但本发明可以按不同形式来实现,而不应解读为仅限于本文给出的各实施例。给出的上述各实施例旨在使本文的披露全面完整,从而使对本发明保护范围的理解更为全面和准确。
诸如“包含”和“包括”之类的用语表示除了具有在说明书和权利要求书中有直接和明确表述的单元和步骤以外,本发明的技术方案也不排除具有未被直接或明确表述的其它单元和步骤的情形。
诸如“第一”和“第二”之类的用语并不表示单元在时间、空间、大小等方面的顺序而仅仅是作区分各单元之用。
以下借助附图具体描述本发明的实施例。
图1为按照本发明一个实施例的变频器的示意图。图1所示的变频器10包括整流单元110、逆变器单元120以及变频器软启动电路130,其中整流单元110对交流电源输送的交流电(例如图1所示的三相交流电)进行整流变换以得到脉动直流电流,逆变器单元120通过控制内部的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开断,向电机M提供所需的电压和频率。以下对变频器软启动电路作进一步的描述。
参见图1,变频器软启动电路130耦合在整流单元110与逆变器单元120之间,其包括微控制器131、软启动电阻器132、直流接触器133、直流接触器驱动器134和反激式开关电源135。可选地,变频器软启动电路130还包含触点状态监测单元136。
当变频器10启动时,整流单元110的输出电流对直流链路电容器C1、C2充电。此时直流接触器133应置于断开状态,使得充电电流经软启动电阻器132流入电容器C1、C2,从而避免后者因电流冲击而损坏。当直流链路电容器C1、C2的电压达到或者接近直流母线的正常工作电压时,在微控制器131的控制下,直流接触器驱动器134使直流接触器133的线圈通电,所产生的电磁力使触点闭合,此时整流单元110的输出电流经由直流接触器133流向直流母线(图1中以DC+BUS和DC-BUS标识)和直流链路电容器C1、C2,从而维持直流链路电容器供电的连续性。
参见图1,继电器133包括触点开关K以及线圈L,其中触点开关K与软启动电阻器132并联连接,线圈L两端分别与反激式开关电源135和直流接触器驱动器134耦合。此外,在线圈L的两端还并联连接反向二极管D1以抑制继电器驱动器关断时引起的瞬时电压。直流接触器驱动器134包括诸如金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)或晶体管之类的开关器件,以下将作详细描述。
在本实施例中,直流接触器133可以是具有图2所示绕组形式的单极双线圈型直流接触器,或者单线圈型直流接触器。
在图1所示的软启动电路130中,反激式开关电源135一方面从直流母线取电,另一方面向直流接触器133等供电。
图3为可应用于图1所示变频器的反激式开关电源的电路原理图。图3所示的反激式开关电源135包括变压器T1、开关单元1351、滤波电路1352和吸收电路1353。
参见图3,变压器T1的初级绕组从直流母线DC+BUS取电,次级绕组与直流接触器133的线圈耦合以向后者提供直流电压。开关单元1351包括第一MOSFET M1、第二MOSFET M2和第一PWM信号发生器U1,其中第一MOSFET M1和第二MOSFET M2串联耦合在变压器T1的初级绕组与接地或直流母线DC-BUS之间。第一MOSFET M1的栅极经电阻器R3和R4与直流母线DC+BUS相连并且经电阻器R4和反向偏置的稳压管Z1接地,源极经反向偏置的稳压管Z2连接至与栅极,漏极与变压器T1的初级绕组相连并且经电容器C3与源极相连。第二MOSFET M2的栅极经电阻器R5与第一脉宽调制信号发生器U1相连,漏极与第一MOSFET M1的源极相连,并且源极经电阻器R6连接至接地。此外,电阻器R6两端的电压信号被反馈至第一脉宽调制信号发生器U1,使得后者可基于第二MOSFET M2的源极与接地之间的电压来调整其输出信号,从而控制变压器T1的初级绕组的储能和释能。
在本实施例中,第一MOSFET M1和第二MOSFET M2的开关状态基本上是同步变化的。具体而言,当第二MOSEFET M2导通时,由于第一MOSFET M1的源极经第二MOSFET M2耦接至接地,使得稳压管Z2施加在第一MOSFET M1的源极与栅极之间的电压大于第一MOSFET M1的栅极门槛电压,因此第一MOSFET M1迅速进入导通状态,直流母线的电流流经变压器T1的初级绕组和第一MOSFET M1、第二MOSFET M2;当第二MOSFET M2关断时,直流母线的电流流经变压器T1的初级绕组和第一MOSFET M1的漏极与源极之间的电容器C3,导致第一MOSFETM1的漏极与源极之间的电压快速增大,从而抬升了源极电位,当该源极电位达到一定幅度时,将使第一MOSFET M1的栅极与源极之间的电压小于前述栅极门槛电压,从而使第一MOSFET M1进入关断状态。
在图3所示的实施例中,滤波电路1352耦合在直流母线DC+BUS和DC-BUS之间以对取自直流母线的电流进行滤波处理。吸收电路1353耦合在变压器T1的初级绕组两端,其可抑制第二MOSFET M2被关断时在变压器T1的初级绕组两端产生的反向过电压,避免第一和第二MOSFET因击穿而损坏。
与现有技术的反激式开关电源相比,本实施例通过采用两个串联的MOSFET作为开关元件可以有效降低单个元件的漏极-源极耐压能力,从而降低成本。此外,在图3所示的反激式开关电源中,其输入直接取自直流母线,经变换后在变压器次级绕组直接产生适配于直流接触器133的直流电压,由此可避免直流接触器启动时浪涌电流的冲击。
需要指出的是,虽然本实施例所示为N沟道型场效应晶体管,但是P沟道型场效应晶体管也是可用的。
图4为可应用于图1所示变频器的示例性触点状态监测单元的电路原理图。如图4所示,触点状态监测单元136包括信号放大电路136A和光耦合电路136B。信号放大电路136A包括运算放大器A1以及由电阻器R7-R13和电容器C5-C7构成的***电路,运算放大器A1的正相输入端和反向输入端分别耦合至直流接触器133的两个触点,其输出端耦合至光耦合电路136B。光耦合电路136B包含发光二极管D2和光电三极管Q1,其中发光二极管D2的阳极经电阻器R12与运算放大器A1的输出端相连,光电三极管Q1的集电极经电阻器R13连接至微控制器131。
图5为图4所示触点状态监测单元在正常软启动过程中的输出信号波形的曲线图,其中,最上方的曲线图表示流经软启动电阻器的电流的变化情况,图中的横轴为时间t,纵轴为电流强度I;其下的曲线图表示直流母线上的电压的变化情况,图中的横轴为时间t,纵轴为电压V;随后紧随其下的曲线图表示触点状态检测单元在软启动期间的信号输出波形,图中的横轴为时间t,纵轴为信号幅值A;最下方的曲线图示出了直流接触器触点闭合的时序。
在变频器软启动正常的情况下,整流单元110通过软启动电阻器132对直流链路电容器进行充电。由于充电时间很短而且直流接触器133的触点与软启动电阻器132并联,因此在软启动期间,当形成足够大的直流母线电压之后,将在运算放大器A1的输出端产生单个脉冲信号。在该脉冲信号驱动下,发光二极管D2将产生相应的光脉冲信号,经光电三极管Q1放大后形成如图5所示的信号波形并被输出至微控制器131。微控制器131可以由此作出当前软启动正常的判断,并且使直流接触器133的触点保持断开状态直到到达预设时刻(例如图5中的时刻t2)。
如果因为直流接触器驱动器134中的开关元件(例如驱动三极管和场效应管)失效或者微控制器131故障(例如与图1中的直流接触器驱动器134耦合的信号端口因干扰信号而被锁存于低电平状态),则软启动过程后直流接触器133的触点将无法闭合。在这种情况下,直流母线电流连续流过软启动电阻器132。由于流经的电流为连续脉冲,因此在触点状态监测单元136的运算放大器A1的输出端上也将产生连续脉冲检测信号,该连续脉冲检测信号经光耦合电路136B放大并输出至微控制器131,后者由此可以作出直流接触器133无法闭合的判断,生成故障报警指示并可直接或通过其它控制单元使变频器10停止工作。特别是,可以通过停止电网向变频器10供电或者关闭逆变器单元120的方式使变频器停止工作。
如果直流接触器触点由于磨损、拉弧而永久性地粘连在一起或者在变频器断电重启时仍然处于闭合状态,则在软启动期间,软启动电阻器132将被旁路。此时,在触点状态监测单元136的运算放大器A1的输出端上将不会输出脉冲信号,因此微控制器131与触点状态监测单元136相连的端口P1始终处于低电平状态,微控制器131由此可以作出直流接触器133触点始终处于闭合状态的判断,生成故障报警指示并可直接或通过其它控制单元使变频器10停止工作。特别是,可以通过停止电网向变频器10供电或者关闭逆变器单元120的方式使变频器停止工作。
图6为可应用于图1所示变频器的直流接触器驱动器的电路原理图。图6所示的直流接触器驱动器134包括第三MOSFET M3和第二PWM信号发生器U2。参见图6,第三MOSFET M3的漏极与直流接触器133的线圈L2相连,源极经电阻器R14接地,栅极经电阻器R15与第二PWM信号发生器U2相连。电阻器R14两端的电压信号实际上反映了流经直流接触器133中的线圈L2的电流的大小,该电压信号经运算放大器A2放大后被送至微控制器131。在本实施例中,微控制器131基于电阻器R14两端的电压信号,按照下列方式调整第二PWM信号发生器U2的输出信号:如果以流经电阻器R14的电压信号所表示的直流接触器的线圈的电流大于预设的保持电流,则通过调整第二PWM信号发生器U2输出的信号(例如调整信号的占空比)使线圈电流回复至保持电流,如果线圈电流超出预设的安全阈值(该安全阈值大于保持电流),则使第二PWM信号发生器U2停止输出信号。
图7示出了在变频器启动期间,流经直流接触器的线圈电流的特性曲线,图中的横轴为时间t,纵轴为电流强度I。如图7所示,在线圈通电伊始,线圈电流迅速增大,在到达第一个峰值Ipeak后将迅速回落一定的幅度ΔI,随后又开始增大直至浪涌峰值电流Imax附近,由此在第一个峰值之后形成一个谷底Ivalley。与上述特性曲线相对应的,在线圈电流从第一个峰值Ipeak下降至谷底Ivalley的过程中,电枢向下运动,而线圈电流的谷底则对应于电枢完全下落的位置(也即触点完全闭合的位置)。因此可以利用图7所示的特性来检测直流接触器的触点位置。
图8为按照本发明另一个实施例的变频器的示意图。图8所示的变频器10包括整流单元110、逆变器单元120以及变频器软启动电路130,其中变频器软启动电路130耦合在整流单元110与逆变器单元120之间。与图1所示的实施例相比,本实施例的变频器软启动电路130除了包括微控制器131、软启动电阻器132、直流接触器133、直流接触器驱动器134、反激式开关电源135和触点状态监测单元136以外,还包含直流接触器线圈电流测量电路137和直流接触器触点位置检测电路138。上面已经借助图1-6对直流接触器驱动器134、反激式开关电源135和触点状态监测单元136的工作原理和电路结构作了描述,因此此处不再赘述。
本实施例的直流接触器驱动器134与借助图1-6所述的实施例一样,也包含位于第三MOSFET M3的源极与接地之间的分流电阻器R14,因此直流接触器线圈电流测量电路137通过跨接在分流电阻器R14的两端,能够测量流经直流接触器133的线圈的电流。直流接触器线圈电流测量电路137的测量信号被送至微控制器131,使得微控制器131能够按照上面所述的方式调整第二PWM信号发生器的输出信号。
另一方面,测量信号还被输出至直流接触器触点位置检测电路138以用于检测直流接触器133的触点位置。具体而言,直流接触器触点位置检测电路138可按照下列方式判断直流接触器133的触点是否完全闭合:如果变频器启动期间,以流经电阻器R14的电压信号所表示的直流接触器的线圈的电流在到达第一个峰值之后的回落幅度大于预设的阈值,则判断直流接触器133的触点完全闭合,否则则判断直流接触器133的触点闭合操作发生故障。如图8所示,直流接触器触点位置检测电路138除了与直流接触器线圈电流测量电路137耦合外,还与微控制器131耦合以将触点位置的检测结果输出至微控制器131。相应地,当微控制器131从直流接触器触点位置检测电路138接收到指示触点未完全闭合的检测结果时,可直接或通过其它控制单元使变频器10停止工作。特别是,可以通过停止电网向变频器10供电或者关闭逆变器单元120的方式使变频器停止工作。
虽然已经展现和讨论了本发明的一些方面,但是本领域内的技术人员应该意识到:可以在不背离本发明原理和精神的条件下对上述方面进行改变,因此本发明的范围将由权利要求以及等同的内容所限定。
Claims (10)
1.一种变频器软启动电路(130),包含:
微控制器(131);
软启动电阻器(132),其耦合在变频器(10)的整流单元(110)与直流充电电容器(C1,C2)之间;
直流接触器(133),其触点分别与变频器(10)的整流单元(110)和直流充电电容器(C1,C2)耦合;
反激式开关电源(135),其包括:
变压器(T1),其初级绕组从变频器的直流母线(DC+BUS)取电,次级绕组与所述直流接触器(133)的线圈耦合;
开关单元(1351),其耦合在所述变压器(T1)的初级绕组与接地之间以控制所述变压器(T1)的初级绕组与接地之间的导通和关断;
耦合在所述直流接触器(133)的线圈与接地之间的直流接触器驱动器(134),其配置为在所述微控制器(131)的控制下,使所述直流接触器(133)的触点闭合或断开,
其特征在于,所述开关单元(1351)包括串联耦合在所述变压器(T1)的初级与接地之间并且开关状态基本上同步的第一金属氧化物场效应晶体管(M1)和第二金属氧化物场效应晶体管(M2)。
2.如权利要求1所述的变频器软启动电路(130),其中,所述开关单元(1351)进一步包括第一脉宽调制信号发生器(U1),所述第一金属氧化物场效应晶体管(M1)的栅极与直流母线(DC+BUS)耦合并且经稳压管(Z2)耦合至与源极,其漏极经电容器(C3)耦合至源极,所述第二金属氧化物场效应晶体管(M2)的栅极与所述第一脉宽调制信号发生器(U1)耦合,漏极与所述第一金属氧化物场效应晶体管(M1)的源极耦合,并且源极与接地耦合,所述第一脉宽调制信号发生器(U1)的输出信号基于所述第二金属氧化物场效应晶体管(M2)的源极与接地之间的电压来调整。
3.如权利要求1所述的变频器软启动电路(130),其中,所述直流接触器驱动器(134)包含第二脉宽调制信号发生器(U2)和第三金属氧化物场效应晶体管(M3),所述第三金属氧化物场效应晶体管(M3)耦合在所述直流接触器(133)的线圈与接地之间,所述第二脉宽调制信号发生器(U2)与第三金属氧化物场效应晶体管(M3)的栅极耦合,所述微控制器(131)按照下列方式控制所述直流接触器驱动器(134):
如果流经所述直流接触器(133)的线圈的电流大于预设的保持电流,则通过调整第二脉宽调制信号发生器(U2)输出的信号使所述线圈的电流回复至所述保持电流,如果流经所述直流接触器(133)的线圈的电流大于预设的安全阈值,则使第二脉宽调制信号发生器(U2)停止输出信号,其中,所述安全阈值大于所述保持电流。
4.如权利要求3所述的变频器软启动电路(130),其中,利用设置在所述第三金属氧化物场效应晶体管(M3)的源极与接地之间的分流电阻器(R14)来测量流经所述直流接触器(133)的线圈的电流。
5.如权利要求3所述的变频器软启动电路(130),其中,进一步包含:
直流接触器线圈电流测量电路(137),其配置为跨接在位于所述第三金属氧化物场效应晶体管(M3)的源极与接地之间的分流电阻器(R14)的两端以测量流经所述直流接触器(133)的线圈的电流;以及
与所述直流接触器线圈电流测量电路(137)和所述微控制器(131)耦合的直流接触器触点位置检测电路(138),其配置为按照下列方式判断所述直流接触器(133)的触点是否完全闭合并将判断结果输出至所述微控制器(131):
如果变频器(10)启动期间流进所述直流接触器(133)的线圈的电流在到达第一个峰值(Ipeak)之后的回落幅度(ΔI)大于预设的阈值,则判断所述直流接触器(133)的触点完全闭合,否则则判断所述直流接触器(133)的触点闭合操作发生故障。
6.如权利要求1所述的变频器软启动电路(130),其中,进一步包含与所述微控制器(131)耦合的触点状态监测单元(136),其被配置为根据所述直流接触器(133)的触点处的电压生成相应的监测信号,所述监测信号指示触点处于正常状态还是异常状态以及处于异常状态时的故障类型。
7.如权利要求6所述的变频器软启动电路(130),其中,所述触点状态监测单元(136)包含运算放大器(A1),该运算放大器(A1)的正相输入端和反相输入端分别与所述直流接触器(133)的不同触点耦合,所述监测信号为所述运算放大器(A1)输出端上输出的信号,所述信号的脉冲数量和幅值指示触点处于正常状态还是异常状态以及处于异常状态时的故障类型。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的变频器软启动电路(130),其中,所述直流接触器(133)为单极双线圈型直流接触器。
9.如权利要求1-7中任意一项所述的变频器软启动电路(130),其中,所述直流接触器(133)为单线圈型直流接触器。
10.一种变频器(10),包含:
整流单元(110);
逆变器单元(120);以及
如权利要求1-9中任一项所述的变频器软启动电路(130),其耦合在所述整流单元(110)与逆变器单元(120)之间。
Priority Applications (1)
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