CN108336243B - 有机半导体器件的封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机半导体器件的封装方法，所述封装方法包括步骤：提供一TFT基板；在TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块；在TFT基板上制作形成有机半导体器件，有机半导体器件位于两个光阻块之间；在TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层；从封装层的两端分别进行切割，以将两个光阻块的一部分切除；将两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。本发明提出的有机半导体器件的封装方法，在TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层后直接从封装层的顶部进行切割，以将两个光阻块的一部分切除；再将两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除，整个过程减少了mask的使用，从而降低了制作成本，提升了制作精度和质量。

Description

有机半导体器件的封装方法
技术领域
本发明涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种有机半导体器件的封装方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但有机材料对水、氧的阻挡能力较弱。为了延长OLED的寿命，就需要对OLED的有机材料进行有效的封装(TFE)。一般常用的OLED TFE工艺是通过mask在基底上交替制作多层有机、无机薄膜来实现，该方法需要使用大量的mask并需要定时对mask进行清洗，材料成本较高、保养较难、制作精度较低，一旦清洗不及时将会造成膜层质量问题。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供一种有机半导体器件的封装方法，能够减少mask的使用，降低成本，提升制作精度和质量。
本发明提出的具体技术方案为：提供一种有机半导体器件的封装方法，所述封装方法包括步骤：
提供一TFT基板；
在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块；
在所述TFT基板上制作形成有机半导体器件，所述有机半导体器件位于所述两个光阻块之间；
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层；
从所述封装层的两端分别进行切割，以将所述两个光阻块的一部分切除；
将所述两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。
进一步地，在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层具体包括：
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上交替沉积无机层和有机层；
在最后一层有机层上沉积无机层，以获得所述封装层。
进一步地，所述有机层在所述TFT基板上的投影位于所述两个光阻块之间。
进一步地，利用等离子体增强化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或溅射沉积法沉积无机层。
进一步地，所述无机层的材质为SiOx或者SiNx。
进一步地，利用喷墨印刷成型法、等离子体增强化学气相沉积法或者夹缝式挤压型涂布法沉积有机层。
进一步地，所述有机层的材质选自亚克力、环氧树脂、硅胶中的一种。
进一步地，在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块具体包括：
在所述TFT基板上沉积一层光阻层，所述光阻层包括曝光部及位于所述曝光部两侧的非曝光部；
对所述光阻层进行曝光；
对所述光阻层进行显影，以将所述曝光部去除，获得间隔设置的两个光阻块。
本发明提出的有机半导体器件的封装方法，在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层后直接从所述封装层的顶部进行切割，以将所述两个光阻块的一部分切除；再将所述两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除，整个过程减少了mask的使用，从而降低了制作成本，提升了制作精度和质量。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1a至图1j是根据本发明的实施例的有机半导体器件的封装方法的封装流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了更清楚的对器件的结构进行显示，夸大了层和区域的厚度，其中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。
图1a至图1j是根据本发明的实施例的有机半导体器件的封装方法的封装流程图。
参照图1a、1b，提供一TFT基板1，在TFT基板1上沉积一层光阻层2，光阻层2包括曝光部及位于曝光部两侧的非曝光部。
参照图1c，利用掩模板3对光阻层2进行曝光，掩模板3包括透光部31及位于透光部两侧的遮光部32，透光部31与曝光部相对。
参照图1d，对经曝光后的光阻层2进行显影，以将曝光部去除，获得间隔设置的两个光阻块20。
本实施例中的光阻层2的材质为正性光阻材料，光线透过透光部31后入射至曝光部上，曝光部的光阻材料会发生解离现象，通过显影液便可以将曝光部去除，从而获得间隔设置的两个光阻块20。
参照图1e，在TFT基板1上制作形成有机半导体器件4，有机半导体器件4位于两个光阻块20之间，其中，有机半导体器件4为OLED器件，当然，这里仅仅作为示例示出，并不做限定。有机半导体器件4与两个光阻块20之间保持预定间隔。
参照图1f、图1g，在TFT基板1、两个光阻块20、有机半导体器件4上交替沉积无机层5和有机层6。其中，第一层无机层5完全覆盖有机半导体器件4和两个光阻块20，即有机半导体器件4和两个光阻块20在TFT基板1上的投影位于第一层无机层5在TFT基板1上的投影内。每一层有机层6的两侧分别超出有机半导体器件4的两侧，即有机半导体器件4在TFT基板1上的投影位于有机层6在TFT基板1上的投影内且位于两个光阻块20之间。
参照图1h，在最后一层有机层6上沉积无机层5，以获得封装层。每一层有机层6在TFT基板1上的投影均位于无机层5在TFT基板1上的投影内。这样通过无机层5可以同时对有机半导体器件4和有机层6进行封装。
本实施例中利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、脉冲激光沉积法(PLD)或溅射沉积法(Sputter)沉积无机层5。无机层5的材质为SiOx或者SiNx，当然，无机层5的材质也可以为其他具有高防水分和氧气效果的无机材料，例如，Al2O3、TiO2、SiCNx、ZrO2。
利用喷墨印刷成型法(IJP)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或者夹缝式挤压型涂布法(SlotCoating)沉积有机层6。有机层6的材质选自亚克力、环氧树脂、硅胶中的一种，当然，有机层6的材质也可以采用有机材料。
无机层5和有机层6的层数可以根据实际需要设定，图1f至图1h中仅仅给出了两层无机层5和一层有机层6的制作步骤，当然，这里仅仅是作为示例示出，并不做限定。
通过图1a至图1h的方法步骤，完成了在TFT基板1、两个光阻块20、有机半导体器件4上制作形成封装层。
参照图1i，从封装层的两端分别进行切割，以将两个光阻块20的一部分切除。切割的方向垂直于TFT基板1且位于两个光阻层20的顶部，即两个光阻块20的一部分、TFT基板1的一部分以及无机层5位于两个光阻层20上的一部分被切除，两个光阻层20的切割面裸露出来。
参照图1j，将两个光阻块20的剩下的部分及其上的封装层去除。通过脱膜的方法将两个光阻块20的剩下的部分及其上的封装层去除，即将切割后的TFT基板及其上的有机半导体器件4、封装层及光阻层20浸泡在脱膜液中，通过脱膜液将两个光阻块20的剩下的部分及其上的封装层溶解，这里主要是对两个光阻块20上的无机层5进行溶解。
综上所述，本实施例提供的有机半导体器件的封装方法，在TFT基板1、两个光阻块20、有机半导体器件4上制作形成封装层后直接从封装层的顶部进行切割，以将两个光阻块20的一部分切除；再将两个光阻块20的剩下的部分及其上的封装层去除，整个过程减少了mask的使用，降低了制作成本，提升了制作精度和质量。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种有机半导体器件的封装方法，其特征在于，包括步骤：
提供一TFT基板；
在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块；
在所述TFT基板上制作形成有机半导体器件，所述有机半导体器件位于所述两个光阻块之间；
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层；
从所述封装层的两端分别进行切割，以将所述两个光阻块的一部分切除；
将所述两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层具体包括：
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上交替沉积无机层和有机层；
在最后一层有机层上沉积无机层，以获得所述封装层。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述有机层在所述TFT基板上的投影位于所述两个光阻块之间。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，利用等离子体增强化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或溅射沉积法沉积无机层。
5.根据权利要求2-3任一所述的封装方法，其特征在于，所述无机层的材质为SiOx或者SiNx。
6.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，利用喷墨印刷成型法、等离子体增强化学气相沉积法或者夹缝式挤压型涂布法沉积有机层。
7.根据权利要求2-3任一所述的封装方法，其特征在于，所述有机层的材质选自亚克力、环氧树脂、硅胶中的一种。
8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块具体包括：
在所述TFT基板上沉积一层光阻层，所述光阻层包括曝光部及位于所述曝光部两侧的非曝光部；
对所述光阻层进行曝光；
对所述光阻层进行显影，以将所述曝光部去除，获得间隔设置的两个光阻块。
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