CN108321073A - 等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置 - Google Patents

Abstract

提供一种基板处理装置，其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括：电源；初级天线，其通过第一线路连接至高频电源；次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与电源并行连接；第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源，次级天线和第三电抗器件与电源并行连接；以及可变电抗器件，其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。

Description

等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置

本申请是申请号为201510213842.X、申请日为2015年04月29日、发明名称为“等离 子体生成单元以及包括其的基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置。

背景技术

半导体制造过程可以包括使用等离子体处理基板的过程。例如，半导体制造过程可以包括利用等离子体去除形成在基板上的薄膜的蚀刻过程。

为了在基板处理过程中利用等离子体，在过程室中设置用于生成等离子体的等离子体生成单元。等离子体生成单元可以归类为两种类型：电容耦合等离子体(CCP)类型和感应耦合等离子体(ICP)类型，这取决于等离子体的生成方法。

对于CCP类型等离体子源，两个电极在室中彼此面对设置，并且通过应用RF信号至一个或者两个电极，可能在室中产生用于生成等离子体的电场。相反，对于ICP类型的等离体子源，一个或者多个线圈设置在室中，并且通过应用RF信号至线圈，可能引起用于在室中生成等离体子的电磁场。

在多个线圈被设置在该室中并且由单个RF电源供给的功率被应用至两个或者多个线圈的情况中，功率分配器设置在RF电源和线圈之间。根据预定比例，功率分配器可以划分由RF电源供给的功率至相应的线圈。然而，对于传统功率分配器，这样的电源划分的可控范围是十分有限的。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供一种等离子体生成单元，其允许大范围控制将被供应至每个线圈的功率的量，以及一种包括该等离子体生成单元的基板处理装置。

本发明构思的示例性实施例提供一种基板处理装置。

根据本发明构思的示例性实施例，基板处理装置可以包括过程室；支撑单元，其设置在过程室中以支撑基板；气体供应单元，其供应过程气体进入过程室；以及等离子体生成单元，其从供应进入过程室的过程气体中生成等离子体。等离子体生成单元包括：高频电源；初级天线，其通过第一线路连接至高频电源；次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与高频电源并行连接；第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至高频电源并且次级天线和第三电抗器件与高频电源并行连接；以及可变电抗器件，其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路的节段上。

在示例性实施例中，等离子体生成单元可以进一步包括第二电抗器件，第二电抗器件设置在定位在第一和第二接头之间的第二线路的另一节段上并且串行连接至次级天线。

在示例性实施例中，等离子体生成单元还可以包括安装在第一线路上的第一电抗器件。

在示例性实施例中，可变电抗器件包括串行连接至次级天线的可变电容器。

在示例性实施例中，第一电抗器件可以是感应器。

在示例性实施例中，第二电抗器件可以是电容器。

在示例性实施例中，第三电抗器件可以是电容器。

在示例性实施例中，初级天线和次级天线可以设置成环的形式，并且初级天线可以具有比次级天线更小的半径。

在示例性实施例中，初级天线和次级天线可以设置在过程室的顶部。

在示例性实施例中，初级天线和次级天线可以设置在过程室的侧壁。

附图说明

结合附图从以下简述中将更清楚地理解示例性实施例。附图表示如文中所描述的非限制性示例性实施例。

图1是示例地示出了根据本发明构思的示例性实施例的基板处理装置的示意图。

图2是示例地示出了根据本发明构思的示例性实施例的等离子体生成单元的图。

图3是示例地示出了根据本发明构思的示例性实施例的功率分配器的图。

图4是示例地示出根据本发明构思的另一个示例性实施例的功率分配器的图。

图5和图6是示出了图3的初级天线和次级天线上电流和其间相应比例的图。

应当注意的是，这些图旨在说明在特定实例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征并且补充以下提供的书面描述。然而这些图不是等比例的并且没有精确地反应任何给出实施例的精确结构或者性能特征，并且不应解释为限定或者限制示例性实施例所包括的数值或性能的范围。例如，为了清楚起见，分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置可以降低或者放大。各个图中相似或者相同附图标记的使用旨在指出相似或者相同元件或者特征的存在。

具体实施方式

参考示出了示例性实施例的附图，现在将更全面的描述本发明构思的示例性实施例。本发明构思的示例性实施例可以，然而，以多种不同形式体现并且不应当理解为限制至文中所阐述的实施例；然而，提供这些实施例使得本公开是彻底的和完整的，并且将完全传达示例性实施例的构思至本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，层和区域的厚度被放大。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且进而省略它们的描述。

可以理解的是，当元件被称为“连接”或者“耦接”至另一个元件时，可以是直接连接或者耦接至可能出现的其它元件或者中间元件。相反，当元件被称为被“直接连接”或者“直接耦接”至其它元件时，没有出现中间元件。相同的标记始终指示相同的元件。如文中所使用的，术语“和/或”包括一个或者多个相关联列出项的任何和全部组合。用于描述元件或者层之间关系的其它用词应当以相同的形式解释(例如，“之间”对比“直接之间”，“相邻”对比“直接相邻”，“之上”对比“直接之上”)。

可以理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在文中用以描述各个元件、组件、区域、层和/或节段，但是这些元件、组件、区域、层和/或节段不应被这些术语限制。这些术语仅用于从另一个元件、组件、区域、层或节段中区分一个元件、组件、区域、层或节段。因此，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或节段可以被叫做第二元件、组件、区域、层或节段，而不偏离示例性实施例的教导。

空间相对术语，例如“下面”、“之下”、“较下的”“之上”“较上的”和类似物可以在文中使用以易于描述地描述图中示出的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。可以理解的是，空间相对术语旨在包括图中所描绘定向之外的使用或者操作中器件的不同定向。例如，如果图中的器件被翻转，则描述为“之下”或者“下面”的其它元件或者特征将被定向位于其它元件或者特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可以包括之上和之下的定向。器件可以被不同的定向(旋转90度或者以其它定向)并且相应地解释文中所使用的空间相对描述语。

文中所使用的术语仅是是为了描述特定实施例的目的并且并不旨在限制示例性实施例。如文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地指示不是这样。可以进一步理解的是如果文中使用术语“包括”和“包含”指定所陈述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在但是不排除存在或者增加一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。

除非有其它限定，文中使用的所有的术语(包括技术和科学术语)具有如本发明构思的示例性实施例所属的领域中的技术人员所通常理解的相同的意思。可以进一步理解的是，术语例如在常用字典中限定的那些，应当被解释为具有与相关领域背景中的它们的意思相一致的意思，并且不应该以理想化或者过于正式的意思解释除非文中有明确定义。

此后，如下描述可以是指本实施例的实例，其中基板处理设置被配置为执行基板上的等离子体蚀刻过程。然而，本发明构思的示例性实施例并不限制于此。例如，本发明构思可以被应用以实现一种用于加热设置在其上的基板的装置。

图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的基板处理装置10的实例的示意图。

参考图1，基板处理装置10可以使用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可以被配置为在基板W上执行蚀刻过程。基板处理装置10可以包括过程室100、支撑单元200、气体供应单元300、等离子生成单元400以及隔板单元500。

过程室100可以提供空间，将在该空间中执行基板处理过程。过程室100可以包括壳体110、密封盖120和内衬130。

壳体110可以提供开顶式内部空间。壳体110可以被配置为允许在其内部空间中执行基板处理过程。壳体110可以由金属材料形成或者包括金属材料。作为实例，壳体110可以由含铝材料形成。壳体110可以连接至地电压。排气孔102可以穿过壳体110的底部表面形成。排气孔102可以连接至排气线路151。可能在基板处理过程期间产生的反应副产物和存在于壳体110的内部空间的残余气体可以通过排气线路151排出至外部。排出过程的结果是，壳体110可以减压至预定压力。

可以设置密封盖120以覆盖壳体110的开顶。密封盖120可以以板的形式设置以允许壳体110的内部空间被紧密地密封。密封盖120可以包括介质窗。

内衬130可以设置在壳体110中。内衬130可以设置在顶和底开口空间。内衬130可以以圆柱体的形式提供。内衬130可以具有对应于或者等于壳体110的内部空间的半径的半径。内衬130可以沿着或者在壳体110的内侧表面上设置。支撑环131可以设置在内衬130的顶部。支撑环131可以以环形板的形式设置并且可以从内衬130的外圆周长向外凸出。支撑环131可以设置壳体110的顶部以支撑内衬130。内衬130可以由与壳体110相同的材料制成或者包括与壳体110相同的材料。例如，内衬130可以由含铝材料形成。内衬130可以保护壳体110的内侧表面不被损伤。在过程气体的激励期间，可能在室100中发生弧放电。这样的弧放电可能导致损伤邻近器件。然而，由于设置在壳体110的内侧表面上的内衬130，可能阻止壳体110的内侧表面不被弧放电损伤。另外，内衬130可以阻止在基板处理过程中产生的污染材料沉积在壳体110的内侧表面。内衬130可以是具有成本效益的并且当与壳体110比较时易于被替换的。因此，在内衬130被弧放电损伤的情况中，内衬130可以由操作员用新的一个替换。

支撑单元200可以位于壳体110中。基板支撑单元200可以被配置为支撑基板W。基板支撑单元200可以包括静电卡盘210，其配置为使用静功率吸住并且固持住基板W。可替换地，基板支撑单元200可以被配置为使用其它方式例如机械夹持固持住基板W。为了简单起见，以下描述将称为本实施例的实例，其中提供具有静电卡盘210的支撑单元200。

支撑单元200可以包括静电卡盘210、绝缘板250和下盖270。支撑单元200可以设置在室100中从而与壳体110的底表面向上间隔开。

静电卡盘210可以包括介质板220、电极223、加热器25、支撑板230和聚焦环240。

介质板220可以设置在静电卡盘210的顶部。静电卡盘210可以成形为圆盘并且由介质材料形成。基板W可以设置在介质板220的顶表面。介质板220的顶表面可以具有比基板W的半径更小的半径。因此，基板W的边缘区域可以定位在介质板220的外侧。第一供应电路221可以定位在介质板220中。第一供应电路221可以设置为从介质板220的顶表面延伸至底表面。在示例性实施例中，多个第一供应电路221可以彼此间隔设置并且可以用作朝向基板W的表面供应热传递介质的通路。

下电极223和加热器225可以埋在介质板220中。下电极223可以定位在加热器225上。下电极223可以与第一低电源223a电连接。第一低电源223a可以包括DC电源。开关223b可以设置在下电极223和第一下电源223a之间。下电极223可以通过旋转开关223b打开或者关闭电连接至或者不电连接至第一低电源223a。例如，如果开关223b打开，DC电流可以应用至下电极223。由于应用至下电极223的电流，静电力可以在下电极223和基板W之间生成，并且结果是，基板W被固定至介质板220。

加热器225可以电连接至第二下电源225a。加热器225可以使用应用至第二下电源225a的电流生成热。所生成的热可以通过介质板220传输至基板W。例如，加热器225所生成的热可以允许基板W处于预定温度下。加热器225可以包括至少一个螺旋形线圈。

支撑板230可以设置在介质板220之下。介质板220的底表面可以由粘接层236附接至支撑板230的顶表面。支撑板230可以由含铝材料形成。支撑板230的顶表面可以在其中心区域比起边缘区域更高，进而具有阶梯结构。支撑板230的顶表面的中心区域可以具有与介质板220的底表面大致相同或者类似的面积并且可以粘接至介质板220的底表面。第一循环导管231、第二循环导管232和第二供应导管233可以形成在支撑板230内。

第一循环导管231可以用作热传递介质以通过其循环的通路。第一循环导管231可以是设置在支撑板230中的螺旋结构。可替换地，第一循环导管231可以被配置为包括多个环形导管，其以同心方式形成，并且其半径彼此不同。在特定实施例中，构成第一循环导管231的导管可以彼此连接。构成第一循环导管231的导管可以在相同水平面形成。

第二循环导管232可以用作用于循环冷却剂的通路。第二循环导管232可以是设置在支撑板230中的螺旋结构。可替换地，第二循环导管232可以被配置为包括多个环形导管，其以同心方式形成，并且其半径彼此不同。在特定实施例中，构成第二循环导管232的导管可以彼此连接。第二循环导管232可以设置为具有比第一循环导管231大的截面面积。构成第二循环导管232的导管可以形成在相同水平面。第二循环导管232可以定位在第一循环导管231之下。

第二供应导管233可以从第一循环导管231向上延伸以连接第一循环导管231至支撑板230的顶表面。在特定实施例中，第二供应导管233可以包括过多个导管，其数目等于构成第一供应导管221的导管的数目，并且每个导管将构成第一循环导管231的导管中的一个连接到构成第一供应导管221的导管中的相应的一个。

第一循环导管231可以通过热传递介质供应线路231b连接至热传递介质存储231a。热传递介质存储231a可以被配置为存储热传递介质。热传递介质可以包括不活跃气体或者惰性气体中的至少一个。在示例性实施例中，氦气可以用作热传递介质。作为实例，氦气可以供应通过热传递介质供应线路231b供应至第一循环导管231并且然后通过第二供应导管233和第一供应导管221供应至基板W的底表面。氦气可以用作通过基板W将热能从等离子体传输至静电卡盘210的介质。

第二循环导管232可以通过冷却剂供应线路232c连接至冷却剂存储232a。冷却剂存储232a可以被配置为存储冷却剂。冷却器232b可以设置在冷却剂存储232a中。冷却器232b可以被配置为将冷却剂急冷至预定温度。可替换地，冷却器232b可以设置在冷却剂供应线路232c上。通过冷却剂供应线路232c供应至第二循环导管233的冷却剂可以通过第二循环导管232循环以急冷支撑板230。如果支撑板230被急冷，介质板220和基板W也可以被急冷，并且这使得能够保持基板W的温度至预定温度。

聚焦环240可以设置在静电卡盘210的边缘区域。聚焦环240可以成形为类环状并且可以沿着介质板220的周边设置。聚焦环240可以设置为具有阶梯结构，例如，聚焦环240的顶表面的外部240a可以定位在比起内部240b更高的水平面处。聚焦环240的顶表面的内部240b可以支撑定位在介质板220外侧的基板W的边缘区域。聚焦环240的外部区域240a可以设置为围绕基板W的边缘区域。聚焦环240可以配置为将室100中生成的等离子体集中在面对基板W的区域上。

绝缘板250可以定位在支撑板230之下。绝缘板250可以设置为具有与支撑板230相同或者相似的截面面积。绝缘板250可以定位在支撑板230和下盖270。绝缘板250可以由绝缘材料形成或者包括绝缘材料以将支撑板230从下盖270电分离。

下盖270可以设置在基板支撑单元200的底部。下盖270可以设置与从壳体110的底表面向上间隔的位置。下盖270可以设置为限定其中的顶开口空间。下盖270的顶部可以利用绝缘板250覆盖。在示例性实施例中，可以设置下盖270以具有大致等于绝缘板250的外径。起模顶杆模块(未示出)可以设置在由下盖270限定的空间中。例如，当基板W加载在室100上时，起模顶杆模块可以将基板W从外传输元件移动至静电卡盘210。

下盖270可以包括连接元件273。可以设置连接元件273以连接下盖270的外侧表面至壳体110的内侧表面。连接元件273可以包括多个部件，其彼此间隔设置并且连接至下盖270的外侧表面。连接元件273可以是设置在室100中以支撑基板支撑单元200的结构。另外，连接元件273可以连接至壳体110的内侧表面并且这允许下盖270接地。连接至第一下电源223a的第一电源线223c、连接至第二下电源225a的第二电源线225c、连接至热传递介质存储231a的热传递介质供应线路231b以及连接至冷却剂存储232a的冷却剂供应线路232c可以通过连接元件273的内部空间延伸进入下盖270。

气体供应单元300可以供应过程气体进入室100。气体供应单元300可以包括气体供应喷嘴310、气体供应线320以及气体存储器330。气体供应喷嘴310可以安装在密封盖120的中心区域。气体供应喷嘴310可以包括形成在其底部的注射开口。注射开口可以定位在密封盖120之下以供应过程气体进入设置在室100中的过程空间。气体供应线320可以连接气体供应喷嘴310至气体存储器330。气体供应线320可以供应存储在气体存储器330中的过程气体至气体供应喷嘴310。阀321可以安装在气体供应线320上。阀321可以控制气体供应线320的打开/关闭操作并且进而控制通过气体供应线320供应的过程气体的流率。

等离子体生成单元400可以被配置为使得供应进入室100的过程气体被激发至等离子体状态。在示例性实施例中，等离子体生成单元400可以被配置成具有ICP类型。

等离子体生成单元400可以包括高频电源420、初级天线411、次级天线413和功率分配器430。高频电源420可以生成高频信号。作为实例，高频电源420可以是RF电源420。RF电源420可以被配置为生成RF功率。以下描述将涉及RF电源420用作高频电源420的本实施例的实例。初级天线411可以通过第一线路L1连接至高频电源420。次级天线413可以通过第二线路L2连接至高频电源420。次级天线413可以通过第二线路L2连接至高频电源420。第二线路L2可以从第一线路L1的接头P分叉。初级天线411和次级天线413中的每个可以设置为具有多个绕组的线圈的形式。初级天线411和次级天线413可以与RF电源420电连接并且可以供应有RF功率。功率分配器430可以分隔从RF电源420提供的电功率至相应的天线。

初级天线411和次级天线413可以设置为面对基板W。例如，初级天线411和次级天线413可以安装在过程室100上。初级天线411和次级天线413中的一个或者两个可以设置为具有环形。此处，初级天线411可以具有比次级天线413小的半径。例如，初级天线411可以设置在过程室100的顶表面的内部区域上，并且次级天线413可以设置在过程室100的顶表面的外部区域上。

在特定实施例中，初级天线和次级天线411和413可以设置在过程室100的外侧壁上。可替换地，初级天线和次级天线411和413中的一个可以设置在过程室100上，并且另一个可以设置在过程室100的外侧壁上。如果多个天线可以用以在过程室100中生成等离子体，则线圈的位置可以没有限制。

初级天线和次级天线411和413可以利用由RF电源420供应的RF功率以感应时变的电磁场，允许供应至过程室100的过程气体被激发至等离子体状态。

隔板单元500可以定位在壳体110的内侧表面和基板支撑单元200之间。隔板单元500可以包括具有至少一个通孔的隔板。隔板可以设置成圆环的形式。将被供应进入壳体110的过程气体可以穿过隔板的通孔并且被排气至排气孔102。隔板的形状和通孔可以不同的改变以控制过程气体的流动。

图2是示例地示出了根据本发明构思的示例性实施例的等离子体生成单元400的图。

如图2中所示，等离子体生成单元400可以包括RF电源420、初级天线411、次级天线413和功率分配器430。

RF电源420可以被配置成生成RF信号。在示例性实施例中，RF电源420可以配置生成具有预定频率的正弦波。然而，由RF电源420生成的RF信号的波形式并不限制于此，例如，RF信号可以生成以具有锯齿形状或者斩波。

初级天线和次级天线411和413可以被配置为利用从RF电源420传输的RF信号并且进而感应用于生成等离子体的电磁场。尽管具有两个天线411和413的等离子体生成单元400在图2中示例地示出，但是天线的数目并不限制于此。例如，等离子体生成单元400可以配置为包括三个或者更多天线。初级天线411可以通过第一线路L1连接至RF电源420。次级天线413可以通过第二线路L2连接至RF电源420。第二线路L2可以在第一接头P1连接至第一线路L1。

功率分配器430可以安装在RF电源420和多个天线411和413之间以分配来自RF电源420的功率至相应的天线。

等离子体生成单元400可以进一步包括电抗匹配器440。电抗匹配器440可以连接至RF电源420的输出端子并且可以配置为将RF电源420的输出电抗和加载的输入电抗匹配。

图3是示例地示出了根据本发明构思的示例性实施例的功率分配器430的图。

如图3所示，功率分配器430可以包括第一电抗器件431，可变电抗器件433、第二电抗器件435和第三电抗器件437。第一电抗器件431可以安装在第一线路L1上。第一电抗器件431可以是感应器。可变电抗器件433可以串行连接至初级天线和次级天线411和413中的一个。作为实例，可变电抗器件433可以串行连接至次级天线411。可变电抗器件433可以包括可变电容器433。可变电抗器件433可以安装在第二线路L2的一个节段上，其被设置以连接第二接头P2至次级天线413。第二电抗器件435可以安装在第二线路L2上。作为实例，第二电抗器件435可以安装在第二线路L2的另一个节段上，其被设置以连接第一接头P1至第二接头P2。第二电抗器件435可以是电容器。第三电抗器件437可以安装在第三线路L3上。第三线路L3可以在第二接头P2处从第二线路L2分叉。第三电抗器件437和次级天线413可以并行地连接至第二接头P2。作为实例，第三电抗器件437可以是电容器。

图4是示例地示出根据本发明构思的另一个示例性实施例的功率分配器530的图。

功率分配器530可以包括可变电抗器件533、第二电抗器件535和第三电抗器件537。图4中的可变电抗器件533、第二电抗器件535和第三电抗器件537可以被配置为具有与参考图3描述的可变电抗器件433、第二电抗器件435和第三电抗器件437大致相同的形状或者功能。然而，第一电抗器件可以不设置在图4中的功率分配器530中。

可变电抗器件533可以被配置为与第三电抗器件537一起引起次级天线513上的谐振。第三电抗器件537可以允许初级天线和次级天线511和513以具有平均操作特征，并且这使得稳定RF***的整个操作特征成为可能。另外，第二电抗器件535可以设置在初级天线和次级天线511和513之间，以控制初级天线和次级天线511和513之间的功率耦合效应。可变电抗器件533可以控制通过次级天线513和/或通过初级天线511流动的电流。

如以上所描述，在天线被设计为具有彼此成反比的电抗特征的情况下，能够更容易控制待被供应至相应天线的功率的量级和它们之间的比率。

图5和图6是示出了图3的初级天线和次级天线411和413上电流和它们之间相应比例的图。图5和图6示出了电流和它们之间比例，当可变电抗器件433改变时测量该电流和它们之间比例。如图6中所示出的，穿过初级天线411的第一电流Ip和穿过次级天线413的第二电流Is可以在从0.5至6.5的范围内改变。

每个可变器件可以被配置为使得其电特征可以通过由控制器(未示出)传输的控制信号而改变。换句话说，通过在控制器的控制下调节可变器件的电特征，能够生成具有对于等离子体过程稳定的物理性能的等离子体。

根据本发明构思的前述示例性实施例，能够在更大的范围中实现由RF电源420看见的加载电抗(即，初级天线411的电抗Z1和次级天线413的电抗Z2)。

结果是，变得更易于设计初级天线和次级天线411和413并且此外，能够更容易地控制将被供应至相应线圈的功率的量级和它们之间的比率。

根据本发明构思的示例性实施例，能够大范围控制被供应至每个线圈的功率的量和分割比率。

虽然本发明构思的示例性实施例已经具体示出和描述，但是本领域技术人员可以理解的是可以在其中作出形式和细节上的变形而不偏离所附权利要求书的精神和范围。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，包括：

过程室；

支撑单元，其设置在所述过程室中以支撑基板；

气体供应单元，其供应过程气体进入所述过程室；以及

等离子体生成单元，其从供应进入所述过程室的过程气体中生成等离子体；

其中，所述等离子体生成单元包括：

高频电源；

初级天线，其通过第一线路连接至所述高频电源；

次级天线，其通过在第一接头处从所述第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，所述初级天线和所述次级天线与所述高频电源并行连接；

第三电抗器件，其通过在第二接头处从所述第二线路分叉的第三线路连接至所述高频电源，并且所述次级天线和所述第三电抗器件与所述高频电源并行连接；以及

可变电抗器件，其安装在定位在所述第二接头和所述次级天线之间的所述第二线路的节段上，其中所述可变电抗器件被配置为与第三电抗器件一起引起次级天线上的谐振。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体生成单元进一步包括第二电抗器件，所述第二电抗器件设置于定位在所述第一接头和所述第二接头之间的第二线路的另一个节段上并且串行连接至所述次级天线。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体生成单元还包括安装在所述第一线路上的第一电抗器件。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述可变电抗器件包括串行连接至所述次级天线的可变电容器。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第一电抗器件是感应器。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二电抗器件是电容器。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第三电抗器件是电容器。

8.根据权利要求1中任何一项所述的基板处理装置，其中，所述初级天线和所述次级天线设置成环的形式，并且所述初级天线具有比所述次级天线更小的半径。

9.根据权利要求1中任何一项所述的基板处理装置，其中，所述初级天线和所述次级天线设置在所述过程室的顶部。

10.一种等离子体生成单元，包括：

高频电源，其生成高频信号；

初级天线，其通过第一线路连接至所述高频电源；

次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与高频电源并行连接；

第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至所述高频电源，并且所述次级天线和所述第三电抗器件与所述高频电源并行连接；以及

可变电抗器件，其安装在定位在所述第二接头和所述次级天线之间的第二线路的节段上，其中所述可变电抗器件被配置为与第三电抗器件一起引起次级天线上的谐振。

11.根据权利要求10所述的等离子体生成单元，进一步包括第二电抗器件，所述第二电抗器件设置于定位在所述第一接头和所述第二接头之间的第二线路的另一个节段上并且串行连接至所述次级天线。

12.根据权利要求10所述的等离子体生成单元，进一步包括安装在所述第一线路上的第一电抗器件。

13.根据权利要求12所述的等离子体生成单元，其中，所述可变电抗器件包括串行连接至所述次级天线的可变电容器。

14.根据权利要求13所述的等离子体生成单元，其中，所述第一电抗器件是感应器。

15.根据权利要求14所述的等离子体生成单元，其中，所述第二电抗器件是电容器。

16.根据权利要求15所述的等离子体生成单元，其中，所述第三电抗器件是电容器。