CN108267450A - 基板检测装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基板检测装置和方法，属于显示技术领域。基板检测装置包括：基台和双折射结构；基台包括光源和承载台，承载台用于放置待检测基板，光源用于从待检测基板靠近承载台的一侧照射待检测基板；双折射结构位于待检测基板远离承载台的一侧，且光源与承载台位于双折射结构的同一侧。本发明通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。

Description

基板检测装置和方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种基板检测装置和方法。
背景技术
各种显示器如液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display；简称：LCD)和有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示器均包括用于进行显示控制的各种基板(如阵列基板)。在将基板与显示器中的其他结构对盒前，会对基板进行检测。
相关技术中的一种基板检测装置包括照明组件和基台，该基台用于放置待检测基板，照明组件用于从待检测基板的一侧照射待检测基板，检测人员可以从待检测基板的另一侧观察待检测基板，若待检测基板上存在一些不均匀的区域，例如具有微小的段差和坡度角的区域，则待检测基板可能由于这些不均匀的区域发生干涉等现象，使得透过待检测基板不同区域的光线的亮度不均匀，检测人员可以将出现亮度不均匀现象(该现象可以称为Mura现象)的待检测基板确定为不合格的基板。
在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大。
发明内容
本发明实施例提供了一种基板检测装置和方法，能够解决相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。所述技术方案如下：
根据本发明的第一方面，提供了一种基板检测装置，所述基板检测装置包括：
基台和双折射结构；
所述基台包括光源和承载台，所述承载台用于放置待检测基板，所述光源用于从所述待检测基板靠近所述承载台的一侧照射所述待检测基板；
所述双折射结构位于所述待检测基板远离所述承载台的一侧，且所述光源与所述承载台位于所述双折射结构的同一侧。
可选的，所述双折射结构包括液晶层和设置在所述液晶层外部的电场组件，
所述电场组件用于控制所述液晶层的双折射率。
可选的，所述双折射结构还包括温度调节组件，
所述温度调节组件用于调节所述液晶层的温度。
可选的，所述温度调节组件包括透明的石墨烯加热膜，所述石墨烯加热膜贴覆在所述液晶层上。
可选的，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的彩膜层。
可选的，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的第一偏光片，
所述承载台上设置有第二偏光片，所述光源用于透过所述第二偏光片照射所述待检测基板，所述第一偏光片和所述第二偏光片用于配合所述液晶层以调整所述双折射结构的透过率。
可选的，所述光源为面光源，
所述面光源设置在所述承载台上；
所述第二偏光片设置在所述面光源的出光侧。
可选的，所述基板检测装置还包括图像采集组件，
所述图像采集组件设置在所述双折射结构远离所述基台的一侧。
根据本发明的第二方面，提供一种基板检测方法，用于基板检测装置，所述基板检测装置包括基台和双折射结构，所述基台包括光源和承载台，所述承载台用于放置待检测基板，所述光源用于从所述待检测基板靠近所述承载台的一侧照射所述基板，所述双折射结构位于所述待检测基板远离所述承载台的一侧，且所述光源与所述承载台位于所述双折射结构的同一侧，所述方法包括：
将所述待检测基板放置在所述承载台上；
启动所述光源；
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像判断所述待检测基板是否合格。
可选的，所述双折射结构包括液晶层和电场组件，
所述根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像判断所述待检测基板是否合格，包括：
通过所述电场组件调节所述液晶层的双折射率；
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格。
可选的，所述双折射结构还包括温度调节组件，
所述通过所述电场组件调节所述液晶层的双折射率，包括：
通过所述电场组件和所述温度调节组件调节所述液晶层的双折射率。
可选的，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的第一偏光片，所述承载台上设置有第二偏光片，所述光源用于透过所述第二偏光片照射所述待检测基板，所述方法还包括：
通过所述电场组件控制所述液晶层中液晶的偏转程度，以调节所述双折射结构的透过率；
所述根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格，包括：
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率以及不同透过率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格。
可选的，所述基板检测装置还包括图像采集组件，所述图像采集组件设置在所述双折射结构远离所述基台的一侧，
所述启动所述光源之后，所述方法还包括：
通过所述图像采集组件采集所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例示出的一种基板检测装置的结构示意图；
图2A是本发明实施例提供的另一种基板检测装置；
图2B是液晶的双折射率随温度的变化曲线；
图3是本发明实施例提供的一种基板检测方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的另一种基板检测方法的流程图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
各种显示面板，如无源矩阵液晶显示面板(英文：passive matrix liquidcrystal display；简称：PM-LCD)、有源矩阵液晶显示面板(英文：Active Matrix LiquidCrystal Display；简称：AM-LCD)、无源矩阵有机发光二极管(英文：passive matrixOrganic Light-Emitting Diode；简称：PM-OLED)显示面板和有源矩阵有机发光二极管(英文：Active Matrix Organic Light-Emitting Diode；简称：AM-OLED)显示面板等，均包括有各种基板，如PM-LCD和AM-LCD中包括阵列基板和彩膜基板，PM-OLED和AM-OLED中包括阵列基板，为了降低基板对盒后构成的显示面板发生不良的几率，通常会在基板对盒之前对基板进行检测，该检测用于检测基板的均匀程度是否符合标准。
检测的原理可以包括：以亮度均匀的光线照射基板，则基板的均匀程度和透过基板的光线的均匀性正相关，即基板越均匀，则透过基板的光线的均匀性越高；基板越不均匀，则透过基板的光线的均匀性越低。这是由于基板越不均匀，基板表面的段差和坡度角就会越不均匀，这些不均匀的位置可能会使光线发生干涉等现象，进而使得透过基板的光线的强度不均匀。但是，基板的亮度不均匀较难以观察到，使得漏检不良基板的可能性较大。
本发明实施例提供的基板检测装置，能够降低漏检不良基板的可能性。
图1是本发明实施例示出的一种基板检测装置的结构示意图。该基板检测装置10可以包括：
基台11和双折射结构12。
基台11包括光源111和承载台112，承载台112用于放置待检测基板20，光源111用于从待检测基板20靠近承载台112的一侧照射待检测基板20。
双折射结构12位于待检测基板20远离承载台112的一侧，且光源111与承载台112位于双折射结构12的同一侧，双折射结构12可以基于双折射现象，扩大透过待检测基板照射到双折射结构12的光线的相位差。
其中，待检测基板20可以是为了便于说明而示出的，其可以不包括在图1所示的基板检测装置10中。
双折射(英文：birefringence)现象是指一条入射光线产生两条折射光线的现象，具有相位差的两束光线发生双折射现象后，该两束光线的相位差会增大。
综上所述，本发明实施例提供的基板检测装置，通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。
图2A是本发明实施例提供的另一种基板检测装置，该基板检测装置在图1所示的基板检测装置的基础上增加了一些部件。
可选的，双折射结构12包括液晶层121和设置在液晶层121外部的电场组件122，电场组件122用于控制液晶层121的双折射率。
双折射率现象产生的两条光中，一条光线遵守折射定律，称为寻常光线，简称O光；另一条光线并不按照折射定律的角度而折射，称为非寻常光线，简称E光。这两条光线的折射率之差即为双折射率。双折射率越大，则双折射现象对于光程差的增大效果也会越大。
通过液晶层121以及设置在液晶层121外部的电场组件122能够组成电控双折射结构，该电控双折射结构能够通过电场来控制液晶层的双折射率的大小。电场组件可以位于液晶层的两侧，也可以位于液晶层的一侧，该电场组件的结构可以参考相关技术，在此不再赘述。
在双折射结构的双折射率较大时(即液晶层的双折射率)，由于双折射现象对于光程差的增大效果也较大，进而使得基板上较为微小的不均匀也能够通过双折射结构观察到。
可选的，双折射结构12还包括温度调节组件123，温度调节组件123用于调节液晶层121的温度。液晶的双折射率还会受到温度的影响。
如图2B所示，其为液晶的双折射率随温度的变化曲线，其中，横轴表示温度，单位为摄氏度，纵轴表示双折射率。由图2B可以看出，液晶的双折射率随着温度的升高而变小。根据液晶的此特性，可以通过调节液晶的温度，以增大液晶的双折射率的可调节范围。
可选的，温度调节组件123包括透明的石墨烯加热膜，该石墨烯加热膜贴覆在液晶层121上。此外，温度调节组件123还可以包括金属电热丝或其他的透明温控材质，本发明实施例不作出限制。
可选的，双折射结构12还包括设置在液晶层一侧的彩膜层124。该彩膜层可以是单一颜色的彩膜层，也可以是多种颜色的彩膜层(如常规液晶面板中的彩膜层)。在基板检测装置中设置彩膜层能够方便检测基板对于不同色光的透过情况，扩大了基板检测装置的检测范围。
可选的，双折射结构12还包括设置在液晶层121远离承载台112一侧的第一偏光片125，承载台112上设置有第二偏光片126，光源用于透过第二偏光片126照射待检测基板，第一偏光片125和第二偏光片126用于配合液晶层121以调整双折射结构12的透过率。通过偏光片以及液晶层来调整透过率的方式可以参考相关技术中的液晶面板，在此不再赘述。
可选的，光源111为面光源，面光源设置在承载台112上；第二偏光片126设置在设置有面光源的承载台112上。
可选的，基板检测装置还包括图像采集组件13，图像采集组件13设置在双折射结构12远离基台11的一侧。该图像采集组件13能够用于采集折射结构12远离基台11一侧的图像，图像采集组件13采集了该图像之后，可以判断该图像是否符合合格标准，若该图像符合合格标准，则确定基板为合格基板，若该图像不符合合格标准，则确定基板为不良基板。其中，图像的合格标准可以为图像的不同区域的均匀程度达到预设程度，图像的均匀程度可以通过多种方式来衡量，示例性的，可以用图像中每个像素点的灰度的方差作为图像的均匀程度，方差越大，则表明图像的均匀程度越低，方差越小则表明图像的均匀程度越高。此外，还可以以其他参数作为图像的均匀程度的衡量标准，本发明实施例不进行限制。
在图2A中，彩膜层124与温度调节组件123之间还可以设置有用于保护彩膜层124以及液晶层121的透明基板127，电场组件122外侧还可以设置有用于保护双折射结构的透明基板128。
可选的，彩膜层124可以设置在液晶层121的出光侧，示例的，彩膜层124可以设置在液晶层121和透明基板127之间，或者，彩膜层124可以设置在透明基板127和温度调节组件123之间。
本发明实施例提供的基板检测装置能够在基板对盒前拦截不良基板，避免了后端的资材产能浪费，提高了显示面板的整体产能。
综上所述，本发明实施例提供的基板检测装置，通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。
图3是本发明实施例提供的一种基板检测方法的流程图，用于上述图1所示的基板检测装置或图2A所示的基板检测装置，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤301、将待检测基板放置在承载台上。
步骤302、启动光源。
步骤303、根据双折射结构远离承载台的一侧所显示的图像判断待检测基板是否合格。
综上所述，本发明实施例提供的基板检测方法，通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。
图4是本发明实施例提供的另一种基板检测方法的流程图，用于上述图2A所示的基板检测装置，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤401、将待检测基板放置在承载台上。
该待检测基板可以为阵列基板或彩膜基板等各种基板。
步骤402、启动光源。
该光源可以为面光源，该面光源设置在承载台上，面光源上还可以设置有第二偏光片。
步骤403、通过图像采集组件采集双折射结构远离承载台的一侧所显示的图像。
在启动光源之后，可以开始通过图像采集组件采集双折射结构远离承载台的一侧所显示的图像，该图像由光源发出的光线依次透过第二偏光片、待检测基板、液晶层和第一偏光片后形成于第一偏光片远离液晶层的一侧。
步骤404、调节液晶层的双折射率。
本步骤可以包括：通过电场组件和/或温度调节组件调节液晶层的双折射率。
通过电场组件调节液晶层的双折射率的方式可以参考相关技术中关于液晶的电控双折射结构的内容，在此不再赘述。
步骤405、通过电场组件控制液晶层中液晶的偏转程度，以调节双折射结构的透过率。
液晶层的两侧设置有与该液晶层配合的偏光片，通过调整液晶层中液晶的偏转程度就能够调节双折射结构的透过率。
步骤406、根据双折射结构远离承载台的一侧在不同双折射率以及不同透过率时所显示的图像，判断待检测基板是否合格。
图像采集组件可以在步骤404调整液晶层的双折射率时，以及步骤405调整双折射结构的透过率时，持续获取双折射结构远离承载台的一侧所显示的图像，并根据获取的图像判断待检测基板是否合格，判断方式可以参考图2A所示实施例。
综上所述，本发明实施例提供的基板检测方法，通过双折射结构层增大光线的相位差，使一些相位差较小的光线也能发生干涉，增加了双折射结构层出光侧不同区域的亮度差异，使得基板上的不均匀更容易显现出。解决了相关技术中一些待检测基板上的Mura现象较难观察到，使得发生漏检的可能性较大的问题。达到了避免漏检的效果。
本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种基板检测装置，其特征在于，所述基板检测装置包括：
基台和双折射结构；
所述基台包括光源和承载台，所述承载台用于放置待检测基板，所述光源用于从所述待检测基板靠近所述承载台的一侧照射所述待检测基板；
所述双折射结构位于所述待检测基板远离所述承载台的一侧，且所述光源与所述承载台位于所述双折射结构的同一侧。
2.根据权利要求1所述的基板检测装置，其特征在于，所述双折射结构包括液晶层和设置在所述液晶层外部的电场组件，
所述电场组件用于控制所述液晶层的双折射率。
3.根据权利要求2所述的基板检测装置，其特征在于，所述双折射结构还包括温度调节组件，
所述温度调节组件用于调节所述液晶层的温度。
4.根据权利要求3所述的基板检测装置，其特征在于，所述温度调节组件包括透明的石墨烯加热膜，所述石墨烯加热膜贴覆在所述液晶层上。
5.根据权利要求2所述的基板检测装置，其特征在于，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的彩膜层。
6.根据权利要求2所述的基板检测装置，其特征在于，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的第一偏光片，
所述承载台上设置有第二偏光片，所述光源用于透过所述第二偏光片照射所述待检测基板，所述第一偏光片和所述第二偏光片用于配合所述液晶层以调整所述双折射结构的透过率。
7.根据权利要求6所述的基板检测装置，其特征在于，所述光源为面光源，
所述面光源设置在所述承载台上；
所述第二偏光片设置在所述面光源的出光侧。
8.根据权利要求1至7任一所述的基板检测装置，其特征在于，所述基板检测装置还包括图像采集组件，
所述图像采集组件设置在所述双折射结构远离所述基台的一侧。
9.一种基板检测方法，其特征在于，用于基板检测装置，所述基板检测装置包括基台和双折射结构，所述基台包括光源和承载台，所述承载台用于放置待检测基板，所述光源用于从所述待检测基板靠近所述承载台的一侧照射所述待检测基板，所述双折射结构位于所述待检测基板远离所述承载台的一侧，且所述光源与所述承载台位于所述双折射结构的同一侧，所述方法包括：
将所述待检测基板放置在所述承载台上；
启动所述光源；
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像判断所述待检测基板是否合格。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述双折射结构包括液晶层和电场组件，
所述根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像判断所述待检测基板是否合格，包括：
通过所述电场组件调节所述液晶层的双折射率；
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述双折射结构还包括温度调节组件，
所述通过所述电场组件调节所述液晶层的双折射率，包括：
通过所述电场组件和所述温度调节组件调节所述液晶层的双折射率。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述双折射结构还包括设置在所述液晶层远离所述承载台一侧的第一偏光片，所述承载台上设置有第二偏光片，所述光源用于透过所述第二偏光片照射所述待检测基板，所述方法还包括：
通过所述电场组件控制所述液晶层中液晶的偏转程度，以调节所述双折射结构的透过率；
所述根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格，包括：
根据所述双折射结构远离所述承载台的一侧在不同双折射率以及不同透过率时所显示的图像，判断所述待检测基板是否合格。
13.根据权利要求9至12任一所述的方法，其特征在于，所述基板检测装置还包括图像采集组件，所述图像采集组件设置在所述双折射结构远离所述基台的一侧，
所述启动所述光源之后，所述方法还包括：
通过所述图像采集组件采集所述双折射结构远离所述承载台的一侧所显示的图像。
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