CN108259021A - 一种cmos宽带分布式可调带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，包括：K级N通道滤波组模块，分布式电感模块，系列电容Cj模块，以及负载级电路模块；K级N通道滤波组模块分别与分布式电感模块和系列电容Cj模块连接，还接地以及外接外部时钟电路；分布式电感模块还与负载级电路模块连接；系列电容Cj模块还接地，其中，K为正整数，N为正偶数。本发明通过K级N通道滤波组模块和分布式电感模块的结合，实现了一种基于阻抗以转换为更高的时钟频率的高可调带通滤波器，降低了电路的工作电压和功耗，另外，将N通道滤波器与系列电容Cj模块连接，降低了带内***损耗并增加了带外抑制，结构简单，易于集成，有利于满足未来接收机复杂性和灵活性的需求。

Description

一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器。

背景技术

滤波器在无线通信设备中具有关键作用，当前，线性度高、Q值高、调谐范围宽、可全集成的N通道滤波器是研究的热点。对于移动通信的便携设备，一般采用电池供电，要求在低电压、低功耗下工作。研究N通道滤波器的阻抗特性、通带增益、带外衰落等特性，获取滤波器的电路模型，求解滤波器的输入阻抗函数、连输时域传输函数、离散时域传输函数等，并进行噪声分析，新出现的片上N通道滤波器由于其大规模的频率调谐范围，高Q值和可扩展的特性而变得很有吸引力。在此基础上，考虑前端天线或低噪放大器的阻抗匹配、寄生电容、以及后端增益和噪声系数的要求，构建能满足多种通信标准的能完全替代声表面波滤波器(SAWF)的高线性、高Q值、宽调谐可集成N通道滤波器，是重点研究内容之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，包括：K级N通道滤波组模块，分布式电感模块，系列电容Cj模块，以及负载级电路模块；

所述K级N通道滤波组模块分别与所述分布式电感模块和所述系列电容Cj模块连接，还接地以及外接外部时钟电路；

所述分布式电感模块还与所述负载级电路模块连接；

所述系列电容Cj模块还接地；

其中，所述K为正整数，所述N为正偶数。

本发明的有益效果是：本发明通过K级N通道滤波组模块和分布式电感模块的结合，实现了一种基于阻抗以转换为更高的时钟频率的高可调带通滤波器，降低了电路的工作电压和功耗。另外，将N通道滤波器与系列电容Cj模块(并联寄生电容)连接，降低了带内***损耗并增加了带外抑制。又因N通道滤波器的中心频率可调，分布式电感模块中电感将中心频率偏移，随着外部时钟的改变，波形的中心频率偏移对滤波器没有影响，从而实现了CMOS的宽带分布式可调带通滤波器的设计，实现中心在0.4～1.6GHz频率范围可调谐。相比现有的电压模式射频集成电路，本申请的可调带通滤波器具有更高的速度、更好的抗干扰性、更低的功耗和更简化的电路结构，易于集成，改善了传统N通道滤波器的高频响应，有利于满足未来接收机复杂性和灵活性的需求。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进：

进一步，所述分布式电感模块包括：依次连接的射频电压源Vin，电阻R_s，电容C1，第一电感L/2，K-1个电感L，以及第二电感L/2；

所述电容C1、所述第一电感L/2和所述K级N通道滤波组模块依次连接，所述第一电感L/2、第一个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，第一个所述电感L、第二个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，第二个所述电感L、第三个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，依次类推，第K-2个所述电感L、第K-1个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接；

第K-1个所述电感L、所述第二电感L/2和所述负载级电路模块依次连接。

本发明的进一步有益效果是：由于电感器的设计应足以产生最小的带内***损耗。因此，需要实现输入阻抗为纯电阻，在输入输出端分别接入一个值为L/2的电感，并与电阻相连，改善了带外抑制，得到了最小的带内***损耗(34dB)。另外，电容C1由输入端电压源Vin接入，起到一个隔直通交的作用，进而与电感L/2串联，将交流信号引入电路，因此，输入端电容C1的接入，进一步滤除直流信号的干扰。

进一步，所述系列电容Cj模块包括：K个电容Cj；

所述K级N通道滤波组模块还分别通过所述K个电容Cj接地。

本发明的进一步有益效果是：随着NMOS管开关宽度的增加，改善带外抑制的同时，带内***损耗也增加(由于开关的寄生电容增加)。由于与电容Cj有关的增加的通带损耗是近似的，并且由此产生的带外抑制是受限的。因此，本实施例将电容Cj合并到合成传输线中，通过电容和K级N通道滤波组模块的耦合连接，使滤波器响应得到显着的带外抑制。

进一步，所述K级N通道滤波组模块包括：分别通过所述K个电容Cj接地的第1级滤波组至第K级滤波组，K个所述滤波组与所述K个电容Cj一一对应；

所述电容C1、所述第一电感L/2和所述第1级滤波组依次连接，所述第一电感L/2、第一个所述电感L和第2级所述滤波组依次连接，第一个所述电感L、第二个所述电感L和第3级所述滤波组依次连接，第二个所述电感L、第三个所述电感L和第4级所述滤波组依次连接，依次类推，第K-2个所述电感L、第K-1个所述电感L和所述第K级滤波组依次连接。

本发明的进一步有益效果是：通过分布式电感模块将K级N通道滤波组模块级联，感应串联电感和K级N通道滤波组模块的耦合使得可调带通滤波器获得进一步的带外抑制，实现了一种基于阻抗以转换为更高的时钟频率的高可调带通滤波器，降低了电路的工作电压和功耗。

进一步，每一级滤波组包括：N个第一NMOS管、N个第二NMOS管和N/2个电容Ci，共组成N个通道滤波单元；

所述N个通道滤波单元中，每两个通道滤波单元之间采用差分的连接方式；

所述N个第一NMOS管和所述N个第二NMOS管的栅极分别外接外部时钟电路；

所述N个第一NMOS管或所述N个第二NMOS管的源级分别与该级滤波组对应的电感连接，还分别通过该级滤波组对应的所述电容Cj接地；

所述N个第二NMOS管或所述N个第一NMOS管的漏极分别接地。

本发明的进一步有益效果是：传统的N通道滤波器通常受偶次谐波干扰、较低的带外抑制和中心频率调节范围较窄的限制，因此，为了克服这个缺点，本实施例提出了采用K级N通道滤波模式级联的方式，其中的MOS采用差分时钟的连接方式，很好的消除了偶次谐波，使其带外抑制提高。相对现有技术，本实施例结构简单，端口隔离度好，噪声系数低，速度高。

进一步，所述每一级滤波组中，

每一个所述通道滤波单元包括一个所述第一NMOS管、一个所述第二NMOS管和一个所述电容Ci；该第一NMOS管的源级与该级滤波组对应的所述第一电感L/2或一个所述电感L连接，还通过该级滤波组对应的所述电容Cj接地，该第二NMOS管的漏极接地；

第一个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第二个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；

第三个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第四个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；

依次类推，第N-1个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第N个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接。

进一步，所述负载级电路模块包括：相互连接的电容C2和电阻R_L；

所述电阻R_L的一端通过所述电容C2与所述第二电感L/2的一端连接；

所述电阻R_L另一端接地。

本发明的进一步有益效果是：用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出，在中心频率可调范围内实现小的噪声系数。电容C2与负载端相连，与负载电阻R_L串联并接入地线，同样起到隔直通交的作用。输出端电容C2的接入，进一步滤除直流信号的干扰。使得输出信号为高频成分，并且高频性能显著提高，进而可以达到将N通道滤波器的电流信号转换成电压信号的形式输出。

附图说明

图1为本发明一个实施例提供的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器的结构框图；

图2为本发明一个实施例提供的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器的结构示意图；

图3为图2对应的中心频率可调仿真结果图；

图4为图2对应的带外抑制仿真结果图；

图5为图2对应的噪声系数仿真结果图；

图6为图2对应的带内***损耗S11在中心频率为1GHz处的仿真图。

附图中，各标号所代表的元件列表如下：

1、K级N通道滤波组模块，2、分布式电感模块，3、系列电容Cj模块，4、负载级电路模块。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

实施例一

一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，如图1所示，包括：K级N通道滤波组模块，分布式电感模块，系列电容Cj模块，以及负载级电路模块。

其中，K级N通道滤波组模块分别与分布式电感模块和系列电容Cj模块连接，还接地以及外接外部时钟电路；分布式电感模块还与负载级电路模块连接；系列电容Cj模块还接地，K为正整数，N为正偶数。

本实施例中，通过分布式电感模块将K级N通道滤波组模块级联，感应串联电感和K级N通道滤波组模块的耦合使得可调带通滤波器获得进一步的带外抑制，同时是一种基于阻抗以转换为更高的时钟频率的高可调带通滤波器，降低了电路的工作电压和功耗。系列电容Cj模块通过K级N通道滤波组模块合并到传输线中，使得滤波响应得到显著的宽带化，从而降低带内***损耗并增加带外抑制，本实施例得到了较高的带外抑制(72dB)。负载级电路模块用于将电流信号转换成电压信号进行输出。

因此，本实施例通过K级N通道滤波组模块和分布式电感模块的结合，实现了一种基于阻抗以转换为更高的时钟频率的高可调带通滤波器，降低了电路的工作电压和功耗。另外，将N通道滤波器与系列电容Cj模块(并联寄生电容)连接，降低了带内***损耗并增加了带外抑制。又因N通道滤波器的中心频率可调，分布式电感模块中电感将中心频率偏移，随着外部时钟的改变，波形的中心频率偏移对滤波器没有影响，从而实现了CMOS的宽带分布式可调带通滤波器的设计，实现中心在0.4～1.6GHz频率范围可调谐。

实施例二

在实施例一的基础上，如图2所示，分布式电感模块2包括：依次连接的射频电压源Vin，电阻R_s，电容C1，第一电感L/2，K-1个电感L，以及第二电感L/2。

其中，电容C1、第一电感L/2和K级N通道滤波组模块1依次连接，第一电感L/2、第一个电感L和K级N通道滤波组模块依次连接，第一个电感L、第二个电感L和K级N通道滤波组模块依次连接，第二个电感L、第三个电感L和K级N通道滤波组模块依次连接，依次类推，第K-2个电感L、第K-1个电感L和K级N通道滤波组模块依次连接；第K-1个电感L、第二电感L/2和负载级电路模块依次连接。

如图2所示，分布式电感模块包括第1级N通道滤波组和第K级N通道滤波组之间的电感L，以及第1级N通道滤波组和第K级N通道滤波组两端的电感L/2，具体的，第1级N通道滤波组和第2级N通道滤波组之间通过电感L相连接，第2级N通道滤波组和第3级N通道滤波组之间通过电感L连接，第3级N通道滤波组和第4级N通道滤波组之间通过电感L连接，第4级N通道滤波组和第5级N通道滤波组之间通过电感L连接，第5级N通道滤波组和第6级N通道滤波组之间通过电感L连接，依次相连接至第K级N通道滤波组。两个两端电感L/2(第一电感L/2和第二电感L/2)和中间系列电感L采用与K级N通道滤波组模块耦合的连接方式，提高了带外抑制。

由于电感器的有限Q值与带内***损耗成正比，电感器的设计应足以产生最小的带内***损耗。因此，需要实现输入阻抗为纯电阻，在输入输出端分别接入一个值为L/2的电感，并与电阻相连，改善了带外抑制，得到了最小的带内***损耗(34dB)。另外，电容C1由输入端电压源Vin接入，起到一个隔直通交的作用，进而与电感L/2串联，将交流信号引入电路，因此，输入端电容C1的接入，进一步滤除直流信号的干扰。

实施例三

在实施例一或实施例二的基础上，如图2所示，系列电容Cj模块3包括：K个电容Cj。

其中，K级N通道滤波组模块还分别通过K个电容Cj接地。

随着NMOS管开关宽度的增加，改善带外抑制的同时，带内***损耗也增加(由于开关的寄生电容增加)。由于与电容Cj有关的增加的通带损耗是近似的，并且由此产生的带外抑制是受限的。因此，本实施例将电容Cj合并到合成传输线中，通过电容和K级N通道滤波组模块的耦合连接，使滤波器响应得到显着的带外抑制。

因此，本实施例的K个电容Cj降低了带内***损耗并增加了带外抑制，带内***损耗S11最大为34dB。

实施例四

在实施例三的基础上，如图2所示，K级N通道滤波组模块包括：分别通过K个电容Cj接地的第1级滤波组至第K级滤波组，K个滤波组与K个电容Cj一一对应。电容C1、第一电感L/2和第1级滤波组依次连接，第一电感L/2、第一个电感L和第2级滤波组依次连接，第一个电感L、第二个电感L和第3级滤波组依次连接，第二个电感L、第三个电感L和第4级滤波组依次连接，依次类推，第K-2个电感L、第K-1个电感L和第K级滤波组依次连接。

实施例五

在实施例四的基础上，如图2所示，每一级滤波组包括：N个第一NMOS管、N个第二NMOS管和N/2个电容Ci，共组成N个通道滤波单元；N个通道滤波单元中，每两个通道滤波单元之间采用差分的连接方式；

N个第一NMOS管和N个第二NMOS管的栅极分别外接外部时钟电路；N个第一NMOS管或N个第二NMOS管的源级分别与该级滤波组对应的第一电感L/2或一个电感L连接，还分别通过该级滤波组对应的电容Cj接地；N个第二NMOS管或N个第一NMOS管的漏极分别接地。

优选的，如图2所示，每一级滤波组中，每一个通道滤波单元包括一个第一NMOS管、一个第二NMOS管和一个电容Ci；该第一NMOS管的源级与该级滤波组对应的第一电感L/2或一个电感L连接，还通过该级滤波组对应的电容Cj接地，该第二NMOS管的漏极接地；第一个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第二个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；第三个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第四个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；依次类推，第N-1个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第N个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接。

传统的N通道滤波器通常受偶次谐波干扰、较低的带外抑制和中心频率调节范围较窄的限制，因此，为了克服这个缺点，本实施例提出了采用K级N通道滤波模式级联的方式，其中的MOS采用差分时钟的连接方式，很好的消除了偶次谐波，使其带外抑制提高。相对现有技术，本实施例结构简单，端口隔离度好，噪声系数低，速度高。

实施例六

在实施例二至实施例五中任一实施例的基础上，如图2所示，负载级电路模块4包括：相互连接的电容C2和电阻R_L。

其中，电阻R_L的一端通过电容C2与第二电感L/2的一端连接；电阻R_L另一端接地。

用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出，如图5所示，在中心频率可调范围内实现小的噪声系数。

电容C2与负载端相连，与负载电阻R_L串联并接入地线，同样起到隔直通交的作用。输出端电容C2的接入，进一步滤除直流信号的干扰。

使得输出信号为高频成分，并且高频性能显著提高，进而可以达到将N通道滤波器的电流信号转换成电压信号的形式输出。

例如，如图2所示，K级N通道滤波组模块1包括第1级滤波组到第K级滤波组。每一级滤波组由NMOS管S1～NMOS管SN和N/2个电容Ci组成。需要说明的是，在每一级滤波组中，每一个NMOS管的标号用于表示两个NMOS管，位于左边的代表第一NMOS管，位于右边的代表第二NMOS管，如图2中，左边第1级滤波组中，NMOS管“S1”分别用于表示“第一NMOS管S1”和“第二NMOS管S1”，第一NMOS管S1为该第1级滤波组中位于左边的NMOS管“S1”，第二NMOS管S1为该第1级滤波组中位于右边的“NMOS管S1”。同样的，图2中，左边第1级滤波组中，NMOS管“SN/2+1”用于表示“第一NMOS管SN/2+1”和“第二NMOS管SN/2+1”，“第一NMOS管SN/2+1”为该第1级滤波组中位于左边的“NMOS管SN/2+1”，“第二NMOS管SN/2+1”为该第1级滤波组中位于右边的“NMOS管SN/2+1”。

“第一NMOS管S1”和“第一NMOS管SN/2+1”即分别为上述的第一NMOS管，“第二NMOS管S1”和“第二NMOS管SN/2+1”即分别为上述的第二NMOS管。

“第一NMOS管S1”、“第二NMOS管S1”和第一个电容Ci构成第一个通道滤波单元，“第一NMOS管SN/2+1”、“第二NMOS管SN/2+1”和第一个电容Ci构成第二个通道滤波单元，第一个通道滤波单元和第二个通道滤波单元采用差分的连接方式，即第一个通道滤波单元中的“第一NMOS管S1”的漏极通过第一个电容Ci与“第二NMOS管S1”的源级连接，第二个通道滤波单元中的“第一NMOS管SN/2+1”的漏极通过该第一个电容Ci与“第二NMOS管SN/2+1”的源级连接。第三通道滤波单元至第N通道滤波单元的标号意义以及相邻两个通道滤波单元的连接关系同上述第一通道滤波单元和第二通道滤波单元。

NMOS管S1～NMOS管SN的栅极与外部时钟(由外部提供)的输出信号相连接，时钟的高电平使得开关管导通，低电平使其截止。

具体的，采用电容和NMOS开关耦合的简单连接方式(即NMOS管S1～NMOS管SN与电容Ci的连接采用耦合的结构)，且NMOS开关管采用差分时钟的连接方式，NMOS开关管的栅极S1～SN与外部差分时钟连接。NMOS开关管的栅极S1～SN通过外部的差分时钟接入本振信号，NMOS开关管交叉导通，S1～SN/2在前T/2个周期内导通，SN/2+1～SN在后T/2个周期内导通，当S1～SN/2导通的时候，会产生一个正相的谐波，当SN/2+1～SN导通的时候，会产生一个反相的谐波，正反相谐波相互抵消，从而消除了偶次谐波产生的干扰，提高了带外抑制的性能，使得中心频率可调范围达到0.4～1.6GHz。

另外，各级滤波组通过第一NMOS管和第二NMOS管的源级以及电感与外部输入设备连接，接入射频电压，通过电容和电感，将射频电压转化为射频电流，使得滤波器获得较好的带外抑制(72dB)。

传统的N通道滤波器通常受偶次谐波干扰、较低的带外抑制和中心频率调节范围较窄的限制，因此，为了克服这个缺点，本实施例提出了采用K级N通道滤波模式级联的方式，其中的MOS采用差分时钟的连接方式，很好的消除了偶次谐波，使其带外抑制提高。相对现有技术，本实施例结构简单，端口隔离度好，噪声系数低，速度高。

在上述实施例二至实施例七中，在输入输出端接入一个值为L/2的电感，并与电阻相连，实现了输入阻抗为纯电阻，改善了带外抑制。NMOS管S1～NMOS管SN与电容Ci的连接采用耦合的结构，“第一NMOS管”和“第二NMOS管的源级”与电感相连接，调整输入电路的谐振频率，一系列的电感L能够很好的完成输入的阻抗匹配，由串并联电容分配，易得出电感被选择提供的特征阻抗为：

所得到的频率为：

进而，截止频率

这优于传统的N通道滤波器，传统的滤波器其***损耗L1和带外抑制S21可由下式给出

L₁＝1/(1+s/Qω₀)

和

S₂₁(s)≈R_on/R_s

而对于本实施例所示的电路来说，可以假设K级联传输线中部分导出最小的带外抑制S₂₁，如下所示：

其中，R_on是开关导通电阻，R_s是端口阻抗(即电阻R_s)，K是阶段数。

仿真结果显示，如图3、图4和图6所示，该可调带通滤波器，其中心频率可调范围为0.4～1.6GHz，带内***损耗S11最大为34dB，可调带通滤波器具有72dB的带外抑制，相比现有的电压模式射频集成电路，本实施例的可调带通滤波器具有更高的速度、更好的抗干扰性、更低的功耗和更简化的电路结构，易于集成，改善了传统N通道滤波器的高频响应，有利于满足未来接收机复杂性和灵活性的需求。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，包括：K级N通道滤波组模块，分布式电感模块，系列电容Cj模块，以及负载级电路模块；

所述K级N通道滤波组模块分别与所述分布式电感模块和所述系列电容Cj模块连接，还接地以及外接外部时钟电路；

所述分布式电感模块还与所述负载级电路模块连接；

所述系列电容Cj模块还接地；

其中，所述K为正整数，所述N为正偶数。

2.根据权利要求1所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，所述分布式电感模块包括：依次连接的射频电压源Vin，电阻R_s，电容C1，第一电感L/2，K-1个电感L，以及第二电感L/2；

所述电容C1、所述第一电感L/2和所述K级N通道滤波组模块依次连接，所述第一电感L/2、第一个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，第一个所述电感L、第二个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，第二个所述电感L、第三个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接，依次类推，第K-2个所述电感L、第K-1个所述电感L和所述K级N通道滤波组模块依次连接；

第K-1个所述电感L、所述第二电感L/2和所述负载级电路模块依次连接。

3.根据权利要求2所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，所述系列电容Cj模块包括：K个电容Cj；

所述K级N通道滤波组模块还分别通过所述K个电容Cj接地。

4.根据权利要求3所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，所述K级N通道滤波组模块包括：分别通过所述K个电容Cj接地的第1级滤波组至第K级滤波组，K个所述滤波组与所述K个电容Cj一一对应；

所述电容C1、所述第一电感L/2和所述第1级滤波组依次连接，所述第一电感L/2、第一个所述电感L和第2级所述滤波组依次连接，第一个所述电感L、第二个所述电感L和第3级所述滤波组依次连接，第二个所述电感L、第三个所述电感L和第4级所述滤波组依次连接，依次类推，第K-2个所述电感L、第K-1个所述电感L和所述第K级滤波组依次连接。

5.根据权利要求4所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，每一级滤波组包括：N个第一NMOS管、N个第二NMOS管和N/2个电容Ci，共组成N个通道滤波单元；

所述N个通道滤波单元中，每两个通道滤波单元之间采用差分的连接方式；

所述N个第一NMOS管和所述N个第二NMOS管的栅极分别外接外部时钟电路；

所述N个第一NMOS管或所述N个第二NMOS管的源级分别与该级滤波组对应的电感连接，还分别通过该级滤波组对应的所述电容Cj接地；

所述N个第二NMOS管或所述N个第一NMOS管的漏极分别接地。

6.根据权利要求5所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，所述每一级滤波组中，

每一个所述通道滤波单元包括一个所述第一NMOS管、一个所述第二NMOS管和一个所述电容Ci；该第一NMOS管的源级与该级滤波组对应的所述第一电感L/2或一个所述电感L连接，还通过该级滤波组对应的所述电容Cj接地，该第二NMOS管的漏极接地；

第一个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第二个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第一个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；

第三个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第四个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第二个电容Ci与第二NMOS管的源级连接；

依次类推，第N-1个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接，第N个通道滤波单元中，第一NMOS管的漏极通过该第N/2个电容Ci与第二NMOS管的源级连接。

7.根据权利要求2至6任一项所述的一种CMOS宽带分布式可调带通滤波器，其特征在于，所述负载级电路模块包括：相互连接的电容C2和电阻R_L；

所述电阻R_L的一端通过所述电容C2与所述第二电感L/2的一端连接；

所述电阻R_L另一端接地。