CN108257850B - 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜 - Google Patents

一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜 Download PDF

Info

Publication number
CN108257850B
CN108257850B CN201611248053.0A CN201611248053A CN108257850B CN 108257850 B CN108257850 B CN 108257850B CN 201611248053 A CN201611248053 A CN 201611248053A CN 108257850 B CN108257850 B CN 108257850B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
water
photosensitive film
cutting
soluble photosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611248053.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108257850A (zh
Inventor
倪图强
李俊良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to CN201611248053.0A priority Critical patent/CN108257850B/zh
Publication of CN108257850A publication Critical patent/CN108257850A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108257850B publication Critical patent/CN108257850B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种等离子基片切割方法和用于等离子基片切割的掩膜。本发明利用一种可溶性感光膜贴附与基片上表面，并利用该感光膜作为底部缓冲层对基片背面进行机械减薄处理，同时感光膜还能进行曝光工艺形成刻蚀图形。随后利用曝光形成的刻蚀图形对基片进行深硅刻蚀，分割基片上不同的区块。最后将等离子刻蚀完成后的基片放入水溶液，本发明的水溶性感光膜能够溶液中溶解后被去除，省去了传统的光刻胶氧化去除步骤。

Description

一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种等离子基片切割方法，以及用于等离子切割的掩膜。
背景技术
在半导体工业中，半导体基片上包括多个处理加工区，各个处理加工区之间由分隔线隔离。处理加工区在经过大量如刻蚀、沉积、掺杂等处理工艺后形成了所需要的半导体器件，需要进行基片的切割，将整个基片切割为多个半导体模块，这些模块内具有加工完成的半导体功能结构，最后这些半导体模块会被封装到外壳中形成应用于各个领域的芯片。传统的基片切割方法是利用电锯等机械方法切割基片，但是这种切割方法存在明显的弊端：切割占据的基片面积较大，需要为切割预留大于0.1mm的宽度的分隔线；切割的线条只能是直线排列，上述两个特点会造成基片上表面大量面积无法作为处理加工区利用，形成巨大浪费。所以现在等离子切割越来越受到欢迎，因为等离子切割只需要在基片表面利用旋涂或者喷涂工艺涂覆一层光刻胶，然后曝光显影，在光刻胶上形成需要切割的图形掩膜。再利用光刻较掩膜向下进行等离子深硅刻蚀，形成很深的沟道，最后翻转基片利用机械研磨对基片背面进行减薄最终使得各个刻蚀形成的沟道两侧的处理加工区分离。利用光刻胶形成切割图形的分隔线宽度可以在远小于0.1mm(100um)，甚至可以达到几个微米，所以分隔线占地面积小，同时光刻胶上形成的图形可以根据需要任意设计，最终可以达到最优化的排布，能够安排最大面积的处理加工区。所以等离子切割能显著提高基片的利用率。但是等离子刻蚀也存在一些问题，比如光刻较材质较软，在基片翻转减薄时背面的巨大压力会使得光刻较破损，造成晶元上半导体器件的损坏，而且光刻胶去除需要将基片放置到专用的真空反应腔内，利用等离子和氧气将光刻胶氧化反应掉，这些专用反应腔占据大量洁净室空间而且成本高昂，同时等离子还会对基片表面造成潜在的破坏。
所以业内需要开发一种新的等离子基片切割方法，同时避免上述利用等离子进行切割时出现的各种缺点。
发明内容
本发明公开一种等离子基片切割方法，所述基片上具有多个处理加工区，不同处理加工区之间包括分隔线，所述切割方法包括：步骤一、贴附水溶性感光膜到基片表面；步骤二、翻转基片使得基片背面朝上，利用机械研磨设备减薄所述基片背面材料层；步骤三、在完成减薄基片背面材料后，在基片背面贴附切割保护膜；步骤四、完成基片背面贴附切割保护膜后，翻转基片并将基片放入等离子刻蚀腔，利用所述水溶性感光膜为掩膜进行等离子刻蚀，使得基片上形成多条深沟槽；步骤五、完成等离子刻蚀后，将基片放入水溶液中去除所述水溶性感光膜。在执行步骤五后利用所述切割保护膜将所述基片从水溶液中取出，然后取下贴附在切割保护膜上的切割后形成的多个基片有效部分，所述有效部分对应基片的至少一处理加工区。
本发明等离子基片切割方法还包括水溶性感光膜曝光步骤，在水溶性感光膜上形成切割图形，所述图形的线宽小于30um。其中水溶性感光膜曝光步骤可以设置在所述步骤一、二之间进行也可以是在步骤三、四之间进行。所述等离子刻蚀步骤中利用所述切割图形为掩膜向下刻蚀基片，所述切割图形为各个处理加工区之间的分隔线的组合。
其中等离子刻蚀步骤使中形成的多条深沟槽贯穿基片的上表面和下表面，使得基片上的各个处理加工区互相分离。或者等离子刻蚀形成的沟槽在底部还剩余小于50um的基片材料层，通过后续工艺将各个处理加工区分离。
本发明所述的用于等离子基片切割方法的水溶性感光膜，所述水溶性感光膜由水溶性丙烯酸树脂制成，厚度小于等于40um。
附图说明
图1为本发明基片切割方法处理流程示意图；
图2为本发明基片切割方法处理流程第二实施例示意图。
具体实施方式
以下结合附图1，说明本发明的具体实施例。本发明公开了一种新的基片切割方法，如图1所示，本发明切割方法包括S11-S16等多个步骤。其中基片10内靠近上表面一定厚度区域10a包括处理加工后形成的半导体器件，基片下部10b层大部分为晶体硅。感光膜20由于是固体的干膜，机械强度远大于传统的光刻较，所以可以经受后续机械减薄过程中的压力而不被损坏。
在切割过程中依次执行步骤S11：在基片10上表面贴附或者放置一层固体的感光膜20；
S12：翻转基片10使得基片背面朝上，然后利用机械研磨设备将基片背面晶体硅材料层减薄，直到10b材料层厚度减到适合进行等离子深硅刻蚀的厚度。
S13在减薄后的基片背面贴附切割固定膜30，切割固定膜30可以由有机聚合物制成，能够将切割流程完成后形成的多个半导体模块固定在整张切割保护膜上，便于转移，避免这些模块散落。
S14:再次翻转基片，使得感光膜20朝上，随后将设计好的切割图形曝光投影到感光膜20上，使得感光膜上形成切割图形的沟槽T1。
S15将完成感光膜曝光的基片放入等离子刻蚀腔中，利用感光膜为掩膜向下刻蚀基片，直到沟槽T1向下刻蚀到切割保护膜30表面形成第二深度的沟槽T2。
S16：感光膜20是水溶性的，将完成等离子刻蚀的基片放入水溶液中，使得水溶性感光膜20溶解消除，最终利用切割保护膜30将基片上各个半导体模块从水溶液中取出，进行后续的工序。
本发明还提供第二实施例的切割方法，包括下述各个步骤S21-S26：
S21：与S11相同，将感光膜20贴附到基片上表面。
S22：与S14相同，将设计好的切割图形曝光投影到感光膜20上，使得感光膜上形成切割图形的沟槽T1。
S23：将基片翻转，使得基片背面朝上，利用机械研磨设备将基片背面晶体硅材料层减薄，直到10b材料层厚度减到适合进行等离子深硅刻蚀的厚度。
S24:在基片背面贴上切割固定膜30。
S25：再次翻转基片，使得感光膜20朝上，利用感光膜上的形成的切割图形为掩膜向下对基片10进行等离子刻蚀，直到刻蚀沟槽T1向下延伸到切割固定膜30，形成深沟槽T2，互相联通的深沟槽T2将各个半导体模块互相分隔。
S26：与S16相同，将完成等离子刻蚀的基片放入水溶液中，使得水溶性感光膜20溶解消除，最终利用切割保护膜30将基片上各个半导体模块从水溶液中取出，进行后续的工序。
上述两种基片切割工艺中的步骤S15和S25中通过等离子对基片进行刻蚀过程中，刻蚀的深度也可以不刻蚀穿整片基片，到达切割固定膜30，而是留很薄的基片材料层如小于50um的硅材料层，最佳的需要小于25um。不同的半导体模块通过这种刻蚀后剩余的的硅材料层连接可以使得基片在后续传输过程中定位更精准，在需要分离这些半导体模块时可以将切割固定膜30放入专用设备拉伸，这些残留的薄层会在拉力作用下断裂，最终使得所有半导体模块互相分离。
本发明由于采用了水溶性的固体感光膜作为刻蚀掩膜，所以可以将基片翻转，利用感光膜为底部缓冲层在基片被进行减薄加工。同时由于本发明感光膜是水溶性的，在去除过程中可以选择直接将一片或多片基片放入水溶液中直接溶化感光膜层。相比现有技术光刻较无法执行减薄加工，而且去除光刻胶需要昂贵的设备和缓慢的处理效率，本发明方法中采用了水溶性的固体感光膜具有明显的优势。本发明水溶性的固体感光膜材料可以选择水溶性丙烯酸树脂，也可以是其它可以用于本发明领域的树脂。本发明所用水溶性感光膜可以用溶液聚合法合成该水溶性树脂干膜，本发明采用的丙烯酸树脂膜厚约为30um，其在曝光显影后能够获得15-30um线宽(critical dimension)的图形。采用不同的原材料配比和和合成方法可以获得不同分解析度的的感光树脂薄膜，只要这些感光薄膜的曝光后形成的图形的线宽能够达到10-30um就可以应用于本发明应用领域，这个解析度远小于现有技术基片切割装置能达到的100um。所以采用本发明切割方法后基片上的有效处理区域面积显著增加，增加了产量降低了成本。
本发明由于采用水溶性感光干膜作为等离子切割的掩膜材料层，所以能够耐受减薄过程中的机械压力，也能够在等离子刻蚀完成后只用水溶液溶解就能去除感光膜，所以能够大幅简化等离子切割流程，避免对基片表面的破坏，同时还降低了成本，具有明显的竞争优势。本发明所述基片可以是晶体硅的基片也可以是复合基片比如硅和绝缘材料层(SOI)叠加形成的基片，只要能够采用等离子刻蚀的基片均属于本发明应用范围。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (7)

1.一种等离子基片切割方法，所述基片上具有多个处理加工区，不同处理加工区之间包括分隔线，所述切割方法包括：
步骤一、贴附水溶性感光膜到基片表面，所述水溶性感光膜的厚度大于30um小于40um；
步骤二、翻转基片使得基片背面朝上，利用机械研磨设备减薄所述基片背面材料层；
步骤三、在完成减薄基片背面材料后，在基片背面贴附切割保护膜；
步骤四、完成基片背面贴附切割保护膜后，翻转基片并将基片放入等离子刻蚀腔，利用所述水溶性感光膜为掩膜进行等离子刻蚀，使得基片上形成多条深沟槽，所述等离子刻蚀形成的沟槽在底部还剩余小于50um的基片材料层；
步骤五、完成等离子刻蚀后，将基片放入水溶液中去除所述水溶性感光膜；
提供切割图形，对所述水溶性感光膜进行曝光，将所述切割图形投影在水溶性感光膜上，在所述水溶性感光膜内形成切割图形的沟槽，所述切割图形的线宽小于30um，所述沟槽的底部暴露出基片的表面。
2.如权利要求1所述的基片切割方法，其特征在于，所述等离子刻蚀步骤中利用所述切割图形为掩膜向下刻蚀基片，所述切割图形为各个处理加工区之间的分隔线的组合。
3.如权利要求1所述的基片切割方法，其特征在于，在执行步骤五后利用所述切割保护膜将所述基片从水溶液中取出，然后取下贴附在切割保护膜上的切割后形成的多个基片有效部分，所述有效部分对应基片的至少一处理加工区。
4.如权利要求1所述的基片切割方法，其特征在于，所述水溶性感光膜曝光步骤在所述步骤一、二之间进行。
5.如权利要求1所述的基片切割方法，其特征在于，所述水溶性感光膜曝光步骤在步骤三、四之间进行。
6.一种用于权利要求1所述的等离子基片切割方法的水溶性感光膜，所述水溶性感光膜由水溶性丙烯酸树脂制成。
7.一种等离子基片切割方法，所述基片上具有多个处理加工区，不同处理加工区之间包括分隔线，所述切割方法包括：
步骤一、贴附水溶性感光膜到基片表面，所述水溶性感光膜的厚度大于30um小于40um；
步骤二、水溶性感光膜曝光步骤，提供切割图形，对水溶性感光膜进行曝光，将所述切割图形投影在水溶性感光膜上，在所述水溶性感光膜上形成切割图形的沟槽，所述切割图形的线宽小于30um，所述沟槽的底部暴露出基片的表面；
步骤三、利用所述水溶性感光膜为掩膜进行等离子刻蚀，使得基片上形成多条深沟槽，所述等离子刻蚀形成的沟槽在底部还剩余小于50um的基片材料层；
步骤四、完成等离子刻蚀后，将基片放入水溶液中去除所述水溶性感光膜。
CN201611248053.0A 2016-12-29 2016-12-29 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜 Active CN108257850B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611248053.0A CN108257850B (zh) 2016-12-29 2016-12-29 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611248053.0A CN108257850B (zh) 2016-12-29 2016-12-29 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108257850A CN108257850A (zh) 2018-07-06
CN108257850B true CN108257850B (zh) 2022-02-15

Family

ID=62721262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611248053.0A Active CN108257850B (zh) 2016-12-29 2016-12-29 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108257850B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098114A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体长形条及其加工方法
CN109202297A (zh) * 2018-08-01 2019-01-15 南京理工大学 一种适用于任意曲面透明介电材料的激光湿法蚀刻方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8703581B2 (en) * 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US9721839B2 (en) * 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
水溶性丙烯酸酯类感光干膜的制备及性能研究;李伟杰等;《影像科学与光化学》;20160331;第34卷(第2期);第172-180页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108257850A (zh) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8629040B2 (en) Methods for epitaxially growing active regions between STI regions
US8963278B2 (en) Three-dimensional integrated circuit device using a wafer scale membrane
TW202245116A (zh) 平面光子電路及裝置用之晶圓級蝕刻方法
CN1705138A (zh) 用于制造微型机电***的方法
JP2016115803A (ja) 半導体片の製造方法
CN108257850B (zh) 一种等离子基片切割方法和用于该方法的水溶性感光膜
KR20120007524A (ko) 반도체의 준비를 위한 그라인딩 공정 이전의 다이싱
JP2009130242A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018110156A (ja) 半導体装置、その製造方法およびカメラ
US10475649B2 (en) Patterning method
US8518802B2 (en) Process for fabricating integrated-circuit chips
KR20110018482A (ko) 활성 영역 구조물의 형성방법
KR100996314B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
US9340411B2 (en) Defect-less directed self-assembly
CN111689461B (zh) 一种嵌入式微***模组中的芯片切割误差的协调方法
JP2008218820A (ja) ウェーハとその製造方法
JP5674304B2 (ja) Ｓｏｉウェハの製造方法
KR20050106573A (ko) 선택적 에피택셜 성장법을 이용한 반도체 소자의 소자분리 방법
KR20220090906A (ko) 반도체 장치 및 반도체 칩의 싱귤레이션 방법
KR100831676B1 (ko) 반도체 디바이스의 소자 분리막 제조방법
KR100561972B1 (ko) 반도체 소자분리 방법
CN110911356A (zh) 用于制造半导体设备的方法以及半导体设备
CN116344365A (zh) 一种晶圆键合结构及其形成方法
KR20110060723A (ko) 반도체 장치의 패턴 형성 방법
WO2014081926A1 (en) Forming a substantially uniform wing height among elements in a charge trap semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.

Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant before: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant