CN108169575B - 一种cvt电容介损及电容量的测试方法 - Google Patents

一种cvt电容介损及电容量的测试方法 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种CVT电容介损及电容量的测试方法，微分电流传感器钳接在CVT的高压引流端，带屏蔽测试线分别连接微分电流传感器和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪；高压试验测试线分别连接全自动抗干扰介质损耗测试仪的高压测试端和CVT的高压端子，CVT的低压端子接地；第一CVT自激法二次加压线连接全自动抗干扰介质损耗测试仪的低压测试端和CVT的da端，第二CVT自激法二次加压线连接全自动抗干扰介质损耗测试仪的接地端和CVT的dn端。采用微分电流传感器采集CVT主电容的电流，结合全自动抗干扰介质损耗测试仪可以快速准确CVT的主电容和分电容的电容量及介损值。

Description

一种CVT电容介损及电容量的测试方法
技术领域
本申请涉及电气测量技术领域，尤其涉及一种CVT电容介损及电容量的测试方法。
背景技术
电容式电压互感器(CVT，Capacitance type voltage transformer)在电力***中起到为表计、保护装置测量电压，还可以将载波频率耦合到输电线用于长途通信、远方测量、选择性的线路高频保护等。
预防性试验规程中要求：当采用电磁单元作为电源测量电容式电压互感器的电容分压器主电容和分电容的电容量及电容介损时，应按制造厂规定进行。制造厂在进行出厂试验、现场交接时均采用CVT自激法进行测试。
进行预防性试验时也采用CVT自激法进行测试。但对于110kV、35kV电压等级的电容式电压互感器(CVT)进行自激法测试介损及电容时，需脱开互感器高压引流线。因互感器一般均架设于2m高的构架上，脱开互感器高压引流线需人员爬至高处进行，存在高处作业风险，且试验前脱开、试验恢复将浪费试验人员大量的试验时间。因此导致传统的CVT电容介损及电容量的测试工作难度高，工作效率低。
发明内容
本申请提供了一种CVT电容介损及电容量的测试方法，以解决传统的CVT电容介损及电容量的测试工作效率低的问题。
为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了如下技术方案：
一种CVT电容介损及电容量的测试装置，包括：微分电流传感器、带屏蔽测试线、全自动抗干扰介质损耗测试仪、高压试验测试线和CVT自激法二次加压线，其中：所述微分电流传感器钳接在CVT的高压引流端，所述带屏蔽测试线分别连接所述微分电流传感器和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪；所述高压试验测试线分别连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的高压测试端和CVT的高压端子，所述CVT的低压端子接地；所述CVT自激法二次加压线包括第一CVT自激法二次加压线和第二CVT自激法二次加压线，所述第一CVT自激法二次加压线连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的低压测试端和CVT的da端，所述第二CVT自激法二次加压线连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的接地端和CVT的dn端。
可选地，所述微分电流传感器是一个均匀缠绕在非铁磁性材料上的环形线圈，输出信号是电流对时间的积分。
可选地，CVT的高压引流端连接一高压引流导线，所述微分电流传感器与所述高压引流导线相连接。
可选地，所述高压引流导线设置有一接地线，所述接地线一端与所述高压引流导线连接，另一端接地。
一种CVT电容介损及电容量的测试方法，利用CVT电容介损及电容量的测试装置，所述方法包括：微分电流传感器采集CVT内的主电容流过的电流并传输给全自动抗干扰介质损耗测试仪；获取分压电容与全自动抗干扰介质损耗测试仪的标准电容串联作为测试回路标准电容；获取所述测试回路中的回路电流；通过所述回路电流和全自动抗干扰介质损耗测试仪的标准电容值计算全自动抗干扰介质损耗测试仪的标准电容两端的电压；根据CVT内的主电容流过的电流与全自动抗干扰介质损耗测试仪的标准电容两端的电压获取主电容的电容量和介损值；根据主电容的电容量和介损值确定分压电容的电容量和介损值。
由上述技术方案可见，本申请实施例提供的一种CVT电容介损及电容量的测试方法，包括：微分电流传感器、带屏蔽测试线、全自动抗干扰介质损耗测试仪、高压试验测试线和CVT自激法二次加压线，其中：所述微分电流传感器钳接在CVT的高压引流端，所述带屏蔽测试线分别连接所述微分电流传感器和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪；所述高压试验测试线分别连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的高压测试端和CVT的高压端子，所述CVT的低压端子接地；所述CVT自激法二次加压线包括第一CVT自激法二次加压线和第二CVT自激法二次加压线，所述第一CVT自激法二次加压线连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的低压测试端和CVT的da端，所述第二CVT自激法二次加压线连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪的接地端和CVT的dn端。采用微分电流传感器采集CVT主电容的电流，结合全自动抗干扰介质损耗测试仪可以快速准确CVT的主电容和分电容的电容量及介损值。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的一种CVT电容介损及电容量的测试装置的结构示意图；
图2为本申请提供的一种CVT电容介损及电容量的测试装置的测试原理图；
图1-2中符号表示为：
1-微分电流传感器，2-带屏蔽测试线，3-全自动抗干扰介质损耗测试仪，4-高压试验测试线，5-CVT自激法二次加压线，51-第一CVT自激法二次加压线，52-第二CVT自激法二次加压线，6-高压引流导线，7-接地线，8-CVT。
具体实施方式
下面结合附图对本申请进行详细说明。
参见图1为本申请提供的一种CVT电容介损及电容量的测试装置的结构示意图，如图1所示，所述装置包括：微分电流传感器1、带屏蔽测试线2、全自动抗干扰介质损耗测试仪3、高压试验测试线4和CVT自激法二次加压线5。
所述微分电流传感器1钳接在CVT8的高压引流端，所述微分电流传感器是一个均匀缠绕在非铁磁性材料上的环形线圈，输出信号是电流对时间的积分，通过一个对输出的电压信号进行积分的电路，可真实还原输入电流。CVT8的高压引流端连接高压引流导线6，所述微分电流传感器1与所述高压引流导线6相连接。高压引流导线6设置有一接地线7，所述接地线7一端与所述高压引流导线6连接，另一端接地。
所述带屏蔽测试线2分别连接所述微分电流传感器1和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3，所述带屏蔽测试线2连接所述微分电流传感器1的一端与所述高压引流导线6导通。所述高压试验测试线4分别连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的高压测试端和CVT8的高压端子，所述CVT8的低压端子接地。
所述CVT自激法二次加压线5包括第一CVT自激法二次加压线51和第二CVT自激法二次加压线52，所述第一CVT自激法二次加压线51连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的低压测试端和CVT8的da端，所述第二CVT自激法二次加压线52连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的接地端和CVT8的dn端。
由上述实施例可见，本申请实施例提供的一种CVT电容介损及电容量的测试装置包括：微分电流传感器1、带屏蔽测试线2、全自动抗干扰介质损耗测试仪3、高压试验测试线4和CVT自激法二次加压线5，其中：所述微分电流传感器1钳接在CVT8的高压引流端，所述带屏蔽测试线2分别连接所述微分电流传感器1和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3；所述高压试验测试线4分别连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的高压测试端和CVT8的高压端子，所述CV8T的低压端子接地；所述CVT自激法二次加压线5包括第一CVT自激法二次加压线51和第二CVT自激法二次加压线52，所述第一CVT自激法二次加压线51连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的低压测试端和CVT8的da端，所述第二CVT自激法二次加压线52连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪3的接地端和CVT8的dn端。采用微分电流传感器1采集CVT8主电容的电流，结合全自动抗干扰介质损耗测试仪可以快速准确CVT的主电容和分电容的电容量及介损值。
如图2所示为为本申请提供的一种CVT电容介损及电容量的测试装置的测试原理图，图2中C11为CVT8的主电容，C2为CVT8的分压电容，C11和C2串联连接。以CVT8的中间变压器作为试验变压器，从二次侧施加电压对其进行激磁，在一次侧感应出高压作为电源来测量CVT主电容C11和分压电容C2的电容及介损值。
现场测量时，按如下步骤进行：将连接在电容式电压互感器高压引流端的高压引流线6通过接地线7可靠接地，将微分电流传感1缠绕在电容式电压互感器高压引流线上悬挂接地线以内并固定好，将微分电流传感器1通过带屏蔽测试线2接至全自动抗干扰介质损耗测试仪3，将电容式电压互感器尾端N脱开，将高压试验测试线4接至全自动抗干扰介质损耗测试仪3；将第一CVT自激法二次加压线51和第二CVT自激法二次加压线52从全自动抗干扰介质损耗测试仪3接至电容式电压互感器的二次端子da、dn。
测量方法原理如下：测量CVT8主电容C11时，将主电容C11内流过的电流通过微分电流传感器1采集通过带屏蔽测试线2传输至全自动抗干扰介质损耗测试仪3，而分压电容C2与全自动抗干扰介质损耗测试仪3的标准电容串联作为测试回路标准电容。获取测试回路电流，根据测试回路电流和全自动抗干扰介质损耗测试仪3的标准电容值计算出全自动抗干扰介质损耗测试仪3的标准电容上的电压。根据微分电流传感器1采集到的电流与计算得到的全自动抗干扰介质损耗测试仪3的标准电容上的电压获得主电容C11的电容量和介损值。
测量分压电容C2时，用已经确定电容量、介损值的C11作为标准电容进行测量，同理得到分压电容C2的电容量和介损值。测试中因全自动抗干扰介质损耗测试仪3的标准电容的电容量远小于分压电压C2的电容量，C2与Cn串联作为测试回路的标准电容，对测试结果影响可以忽略不计。所述方法让试验人员在无需拆除电容式电压互感器高压引流线的情况下准确、快速的测试CVT的主电容及分压电容的介损及电容量。
通过本申请实施例上述的CVT电容介损及电容量的测试方法，无需拆拆除与CVT的高压引流线的情况下，即可快速、准确的测试CVT主电容及分压电容的电容量及介损值。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述的本申请实施方式并不构成对本申请保护范围的限定。

Claims (4)

1.一种CVT电容介损及电容量的测试方法，其特征在于，基于CVT电容介损及电容量的测试装置，所述测试装置包括：微分电流传感器(1)、带屏蔽测试线(2)、全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)、高压试验测试线(4)和CVT自激法二次加压线(5)，其中：所述微分电流传感器(1)钳接在CVT的高压引流端，所述带屏蔽测试线(2)分别连接所述微分电流传感器(1)和所述全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)；所述高压试验测试线(4)分别连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的高压测试端和CVT的高压端子，所述CVT的低压端子接地；所述CVT自激法二次加压线(5)包括第一CVT自激法二次加压线(51)和第二CVT自激法二次加压线(52)，所述第一CVT自激法二次加压线(51)连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的低压测试端和CVT的da端，所述第二CVT自激法二次加压线(52)连接所述全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的接地端和CVT的dn端；所述方法包括:
微分电流传感器(1)采集CVT内的主电容流过的电流并传输给全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)；
获取分压电容与全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的标准电容串联作为测试回路标准电容；
获取所述测试回路中的回路电流；
通过所述回路电流和全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的标准电容值计算全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的标准电容两端的电压；
根据CVT内的主电容流过的电流与全自动抗干扰介质损耗测试仪(3)的标准电容两端的电压获取主电容的电容量和介损值；
根据主电容的电容量和介损值确定分压电容的电容量和介损值。
2.根据权利要求1所述的CVT电容介损及电容量的测试方法，其特征在于，所述微分电流传感器(1)是一个均匀缠绕在非铁磁性材料上的环形线圈，输出信号是电流对时间的积分。
3.根据权利要求1或2所述的CVT电容介损及电容量的测试方法，其特征在于，CVT的高压引流端连接一高压引流导线(6)，所述微分电流传感器(1)与所述高压引流导线(6)相连接。
4.根据权利要求3所述的CVT电容介损及电容量的测试方法，其特征在于，所述高压引流导线(6)设置有一接地线(7)，所述接地线(7)一端与所述高压引流导线(6)连接，另一端接地。
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