CN108152749A - 一种bms多功能集成高压监测*** - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种BMS多功能集成高压***监测方案，包括高压采集电路、高压处理电路、DC/DC隔离电路和SPI隔离电路。所述高压采集电路用于电池组总电流采集和电池组内、外侧总电压采集；所述高压处理电路用于将所述高压采集电路采集的毫伏级电压值进行A/D转换；所述DC/DC隔离电路用于给A/D芯片和SPI隔离芯片提供隔离稳定的电压；所述SPI隔离电路用于将A/D芯片计算值通过隔离SPI总线上报给MCU，由MCU计算出实际值；通过BMS多功能集成高压***监测方案，可同时有效进行电动汽车高压动力***总压测量（包括电池组内、外侧总压测量）、绝缘监测和总电流检测（采用分流器方案）。整个方案电路形式简单，设计灵活，检测精度高，电路反应速度快，成本较低。
Description
技术领域
本发明属于电动汽车电池管理***技术领域，具体地说是涉及一种BMS多功能集成高压监测***。
背景技术
目前，电动汽车的一个重要特点是车内装有保证足够动力性能的高压电池组，并形成具有高电压、大电流的动力回路。高压电池组由多个电池单体串并联组成，其工作电压大部分都在300V以上，正常工作电流可达数十、甚至数百安培，瞬时短路电流更是成倍增加。特别是当高压回路发生绝缘失效故障时，高电压和大电流将会危及车上乘客的人身安全，同时还会影响低压电器、车辆控制器和其他设备的正常工作。因此，出于对电动汽车的可靠性和安全性考虑，针对电动汽车高压***的总压测量、绝缘监测和总电流检测具有极其重要的意义。
国内外已有多种针对电动汽车高压动力***总压测量、绝缘监测和总电流检测的方法：如采用电压传感器或者电阻分压法测量电池组内、外侧总压，采用交流注入法或者开关切换法测量电池组***绝缘等级和采用电流传感器或者分流器测量总电流。以上三个功能模块大部分都是采用独立方案完成，有少部分集成两个功能模块，以上方案电路架构复杂、成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种BMS多功能集成高压监测***，其电路结构简单，成本低，精度和可靠性高。
为解决上述技术问题，本发明的目的是这样实现的：
一种BMS多功能集成高压***监测方案，包括高压采集电路、高压处理电路、DC/DC隔离电路、SPI隔离电路以及MCU；
所述高压采集电路包括开关S0、开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、开关S3、电阻R5、电阻R6、开关S4、开关S5、电阻R7和电阻R8。所述开关S0一端接电动汽车底盘地，另一端接A/D芯片地；所述开关S1一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R1一端；所述电阻R1另一端接所述电阻R2一端，同时接所述A/D芯片7脚，所述电阻R2另一端接A/D芯片地，所述电阻R3一端接A/D芯片地，另一端接所述电阻R4一端，同时接所述A/D芯片8脚，所述电阻R4另一端接所述开关S2一端，所述开关S2另一端接电池组PACK负，所述开关S3一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R5一端，所述电阻R5另一端接A/D芯片地，所述电阻R6一端接A/D芯片地，另一端接所述开关S4一端，所述开关S4另一端接电池组PACK负，所述开关S5一端接电池组LINK正，另一端接所述电阻R7一端，所述电阻R7另一端接所述电阻R8一端，同时接所述A/D芯片9脚，所述电阻R8另一端接电池组LINK负；
高压采集电路用于电池组总电流采集和电池组内、外侧总电压采集；
所述高压处理电路包括A/D芯片U2、电容C1、电容C2、电容C3。所述A/D芯片10脚、14脚、6脚接所述A/D芯片地，所述A/D芯片11脚接所述SPI隔离芯片14脚，所述A/D芯片13脚接所述SPI隔离芯片11脚，所述A/D芯片12脚接所述SPI隔离芯片13脚，所述A/D芯片18脚接所述SPI隔离芯片12脚，所述A/D芯片4脚、20脚、19脚、17脚、16脚悬空，所述A/D芯片1脚接分流器一端，所述A/D芯片2脚接分流器另一端，所述A/D芯片3脚接所述电容C1一端，所述电容C1另一端所述A/D芯片地，所述A/D芯片15脚接所述电容C2一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C2另一端接所述A/D芯片地，所述A/D芯片5脚接所述电容C3一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地；
高压处理电路用于将所述高压采集电路采集的毫伏级电压值进行A/D转换；
所述DC/DC隔离电路包括电容C1、电容C2、电感L1、DC/DC隔离模块U1、电阻R1、电容C3、电容C4。所述电容C1一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电容C2一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电感L1一端接所述MCU电源正，另一端接所述DC/DC隔离模块2脚，所述DC/DC隔离模块1脚接所述MCU电源地，所述DC/DC隔离模块8脚悬空，所述DC/DC隔离模块4脚接所述A/D芯片地，所述DC/DC隔离模块5脚接所述电阻R1一端、所述电容C3一端和所述电容C4一端，所述电阻R1另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地；
DC/DC隔离电路用于给A/D芯片和SPI隔离芯片提供隔离稳定的电压；
所述SPI隔离电路包括隔离芯片U1、电容C1、电容C50。所述隔离芯片2脚、8脚接所述MCU电源地，所述隔离芯片9脚、15脚接所述A/D芯片地，所述隔离芯片1脚、7脚接所述MCU电源正，同时接所述电容C50一端，所述电容C50另一端接所述MCU电源地，所述隔离芯片10脚、16脚接所述DC/DC隔离模块5脚，同时接所述电容C1一端，所述电容C1另一端接所述A/D芯片地，所述隔离芯片3脚接所述MCU SPI端口CS脚，所述隔离芯片4脚接所述MCU SPI端口SCLK脚，所述隔离芯片5脚接所述MCU SPI端口SDI脚，所述隔离芯片6脚接所述MCU SPI端口SDO脚。
SPI隔离电路用于将A/D芯片计算值通过隔离SPI总线上报给MCU，由MCU计算出实际值。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中分流器选用量程须满足≤160mV。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中R1、R4、R5、R6、R7是由多个电阻串联组成。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8阻值根据电池组实际平台电压和相关法律法规更改，需要进一步注意地是，电阻分压值需满足A/D芯片所能允许最大值，即±160mV。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中电阻R1、R4、R5、R6、R7为了计算方便，可选用相同等级的电阻。进一步地，所述高压采集电路中电阻R2、R3为了电路对称，可选用相同阻值的电阻。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中开关S0、S1、S2、S3、S4、S5为光隔离继电器或者高压光耦。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中ETR、ETS、VBAT_IN分压值范围是±160mV。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压采集电路中K1、K2接触器为电池组主正和主负接触器。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述高压处理电路中A/D芯片型号是AS8510。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述DC/DC隔离电路中DC/DC隔离模块型号是F0503XT-1WR。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述DC/DC隔离电路中电阻R1是增加电路负载能力，其具体阻值根据实际运用调整。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述SPI隔离电路中隔离芯片型号是ADUM1401 。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：还包括对电池组绝缘电阻值、电池组内、外侧总电压采集和计算的步骤：
S1：断开S5，断开S3，断开S4，闭合S0，闭合S1，测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb，得出公式1：Va / [Rn //（R1+R2）]=Vb / [Rp //（R3+R4）]；
S2：如果步骤S1测量值Va≧Vb，则断开S5，断开S4，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S3，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式2：Vc / [Rn//（R1+R2）//R5] = Vd / [Rp//（R3+R4）]；
S3：根据公式1和公式2以及步骤S1和步骤S2两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S4：如果步骤S1测量值Va＜Vb，则断开S5，断开S3，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S4，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式3：Vc / [Rn//（R1+R2）]=Vd /[Rp//（R3+R4）//R6]；
S5：根据公式1和公式3，以及步骤S1和步骤S4两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd，可计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S6：对步骤S1中测得的Va、Vb绝对值求和即可得到电池组内侧总电压；
S7：接触器K1、接触器K2闭合，闭合S5，断开S0，断开S1，断开S2，断开S3，断开S4，即可得到电池组外侧总电压。
本发明相比现有技术突出且有益的技术效果是：通过BMS多功能集成高压***监测方案，可同时有效进行电动汽车高压动力***总压测量（包括电池组内、外侧总压测量）、绝缘监测和总电流检测（采用分流器方案）。整个方案电路形式简单，设计灵活，检测精度高，电路反应速度快，成本较低。
附图说明
图1是本发明的高压采集电路图。
图2是本发明的高压处理电路图。
图3是本发明的DC/DC隔离电路图。
图4是本发明的SPI隔离电路图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于已给出的实施例，本领域普通技术人员在未做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
一种BMS多功能集成高压***监测方案，包括高压采集电路、高压处理电路、DC/DC隔离电路和SPI隔离电路。
所述高压采集电路用于电池组总电流采集和电池组内、外侧总电压采集；
所述高压处理电路用于将所述高压采集电路采集的毫伏级电压值进行A/D转换；
所述DC/DC隔离电路用于给A/D芯片和SPI隔离芯片提供隔离稳定的电压；
所述SPI隔离电路用于将A/D芯片计算值通过隔离SPI总线上报给MCU，由MCU计算出实际值。
如上图1所示：所述高压采集电路包括开关S0、开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、开关S3、电阻R5、电阻R6、开关S4、开关S5、电阻R7和电阻R8。所述开关S0一端接电动汽车底盘地，另一端接A/D芯片地；所述开关S1一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R1一端；所述电阻R1另一端接所述电阻R2一端，同时接所述A/D芯片7脚，所述电阻R2另一端接A/D芯片地，所述电阻R3一端接A/D芯片地，另一端接所述电阻R4一端，同时接所述A/D芯片8脚，所述电阻R4另一端接所述开关S2一端，所述开关S2另一端接电池组PACK负，所述开关S3一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R5一端，所述电阻R5另一端接A/D芯片地，所述电阻R6一端接A/D芯片地，另一端接所述开关S4一端，所述开关S4另一端接电池组PACK负，所述开关S5一端接电池组LINK正，另一端接所述电阻R7一端，所述电阻R7另一端接所述电阻R8一端，同时接所述A/D芯片9脚，所述电阻R8另一端接电池组LINK负。
作为优选的，所述高压采集电路中所述电阻Rn、所述电阻Rp为电池组绝缘电阻值。
作为优选的，所述高压采集电路中分流器选用量程须满足≤160mV。
作为优选的，所述高压采集电路中R1、R4、R5、R6、R7是由多个电阻串联组成。
作为优选的，所述高压采集电路中电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8阻值根据电池组实际平台电压和相关法律法规更改，需要进一步注意地是，电阻分压值需满足A/D芯片所能允许最大值，即±160mV。
作为优选的，所述高压采集电路中电阻R1、R4、R5、R6、R7为了计算方便，可选用相同等级的电阻。
作为优选的，所述高压采集电路中电阻R2、R3为了电路对称，可选用相同阻值的电阻。
作为优选的，所述高压采集电路中开关S0、S1、S2、S3、S4、S5为光隔离继电器或者高压光耦。
作为优选的，所述高压采集电路中ETR、ETS、VBAT_IN分压值范围是±160mV。
作为优选的，所述高压采集电路中K1、K2接触器为电池组主正和主负接触器。
如上图2所示：所述高压处理电路包括A/D芯片U2、电容C1、电容C2、电容C3。所述A/D芯片10脚、14脚、6脚接所述A/D芯片地，所述A/D芯片11脚接所述SPI隔离芯片14脚，所述A/D芯片13脚接所述SPI隔离芯片11脚，所述A/D芯片12脚接所述SPI隔离芯片13脚，所述A/D芯片18脚接所述SPI隔离芯片12脚，所述A/D芯片4脚、20脚、19脚、17脚、16脚悬空，所述A/D芯片1脚接分流器一端，所述A/D芯片2脚接分流器另一端，所述A/D芯片3脚接所述电容C1一端，所述电容C1另一端所述A/D芯片地，所述A/D芯片15脚接所述电容C2一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C2另一端接所述A/D芯片地，所述A/D芯片5脚接所述电容C3一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地。
作为优选的，所述高压处理电路中A/D芯片型号是AS8510。
如上图3所示：所述DC/DC隔离电路包括电容C1、电容C2、电感L1、DC/DC隔离模块U1、电阻R1、电容C3、电容C4。所述电容C1一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电容C2一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电感L1一端接所述MCU电源正，另一端接所述DC/DC隔离模块2脚，所述DC/DC隔离模块1脚接所述MCU电源地，所述DC/DC隔离模块8脚悬空，所述DC/DC隔离模块4脚接所述A/D芯片地，所述DC/DC隔离模块5脚接所述电阻R1一端、所述电容C3一端和所述电容C4一端，所述电阻R1另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地。
作为优选的，所述DC/DC隔离电路中DC/DC隔离模块型号是F0503XT-1WR。
作为优选的，所述DC/DC隔离电路中电阻R1是增加电路负载能力，其具体阻值根据实际运用调整。
进一步地，如上图4所示：所述SPI隔离电路包括隔离芯片U1、电容C1、电容C50。所述隔离芯片2脚、8脚接所述MCU电源地，所述隔离芯片9脚、15脚接所述A/D芯片地，所述隔离芯片1脚、7脚接所述MCU电源正，同时接所述电容C50一端，所述电容C50另一端接所述MCU电源地，所述隔离芯片10脚、16脚接所述DC/DC隔离模块5脚，同时接所述电容C1一端，所述电容C1另一端接所述A/D芯片地，所述隔离芯片3脚接所述MCU SPI端口CS脚，所述隔离芯片4脚接所述MCU SPI端口SCLK脚，所述隔离芯片5脚接所述MCU SPI端口SDI脚，所述隔离芯片6脚接所述MCU SPI端口SDO脚。
作为优选的，所述SPI隔离电路中隔离芯片型号是ADUM1401。
需要说明的是，PACK正、PACK负、LINK正、LINK负是通用说法，其中PACK正、PACK负表示电池组正端和负端，LINK正、LINK负表示负载正端和负端。
基于本发明所述电路对电池组绝缘电阻值、电池组内、外侧总电压采集和计算的步骤：
S1：断开S5，断开S3，断开S4，闭合S0，闭合S1，测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb，得出公式1：Va / [Rn //（R1+R2）]=Vb / [Rp //（R3+R4）]；
S2：如果步骤S1测量值Va≧Vb，则断开S5，断开S4，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S3，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式2：Vc / [Rn//（R1+R2）//R5] = Vd / [Rp//（R3+R4）]；
S3：根据公式1和公式2以及步骤S1和步骤S2两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S4：如果步骤S1测量值Va＜Vb，则断开S5，断开S3，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S4，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式3：Vc / [Rn//（R1+R2）]=Vd /[Rp//（R3+R4）//R6]；
S5：根据公式1和公式3，以及步骤S1和步骤S4两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd，可计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S6：对步骤S1中测得的Va、Vb绝对值求和即可得到电池组内侧总电压；
S7：接触器K1、接触器K2闭合，闭合S5，断开S0，断开S1，断开S2，断开S3，断开S4，即可得到电池组外侧总电压。
上述实施例仅为本发明的较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，故：凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种BMS多功能集成高压***监测方案，包括高压采集电路、高压处理电路、DC/DC隔离电路、SPI隔离电路以及MCU；
所述高压采集电路包括开关S0、开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、开关S3、电阻R5、电阻R6、开关S4、开关S5、电阻R7和电阻R8；所述开关S0一端接电动汽车底盘地，另一端接A/D芯片地；所述开关S1一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R1一端；所述电阻R1另一端接所述电阻R2一端，同时接所述A/D芯片7脚，所述电阻R2另一端接A/D芯片地，所述电阻R3一端接A/D芯片地，另一端接所述电阻R4一端，同时接所述A/D芯片8脚，所述电阻R4另一端接所述开关S2一端，所述开关S2另一端接电池组PACK负，所述开关S3一端接电池组PACK正，另一端接所述电阻R5一端，所述电阻R5另一端接A/D芯片地，所述电阻R6一端接A/D芯片地，另一端接所述开关S4一端，所述开关S4另一端接电池组PACK负，所述开关S5一端接电池组LINK正，另一端接所述电阻R7一端，所述电阻R7另一端接所述电阻R8一端，同时接所述A/D芯片9脚，所述电阻R8另一端接电池组LINK负；
所述高压处理电路包括A/D芯片U2、电容C1、电容C2、电容C3；所述A/D芯片10脚、14脚、6脚接所述A/D芯片地，所述A/D芯片11脚接所述SPI隔离芯片14脚，所述A/D芯片13脚接所述SPI隔离芯片11脚，所述A/D芯片12脚接所述SPI隔离芯片13脚，所述A/D芯片18脚接所述SPI隔离芯片12脚，所述A/D芯片4脚、20脚、19脚、17脚、16脚悬空，所述A/D芯片1脚接分流器一端，所述A/D芯片2脚接分流器另一端，所述A/D芯片3脚接所述电容C1一端，所述电容C1另一端所述A/D芯片地，所述A/D芯片15脚接所述电容C2一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C2另一端接所述A/D芯片地，所述A/D芯片5脚接所述电容C3一端，同时接所述DC/DC隔离模块5脚，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地；
所述DC/DC隔离电路包括电容C1、电容C2、电感L1、DC/DC隔离模块U1、电阻R1、电容C3、电容C4；所述电容C1一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电容C2一端接所述MCU电源正，另一端接所述MCU电源地，所述电感L1一端接所述MCU电源正，另一端接所述DC/DC隔离模块2脚，所述DC/DC隔离模块1脚接所述MCU电源地，所述DC/DC隔离模块8脚悬空，所述DC/DC隔离模块4脚接所述A/D芯片地，所述DC/DC隔离模块5脚接所述电阻R1一端、所述电容C3一端和所述电容C4一端，所述电阻R1另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地，所述电容C3另一端接所述A/D芯片地；
所述SPI隔离电路包括隔离芯片U1、电容C1、电容C50；所述隔离芯片2脚、8脚接所述MCU电源地，所述隔离芯片9脚、15脚接所述A/D芯片地，所述隔离芯片1脚、7脚接所述MCU电源正，同时接所述电容C50一端，所述电容C50另一端接所述MCU电源地，所述隔离芯片10脚、16脚接所述DC/DC隔离模块5脚，同时接所述电容C1一端，所述电容C1另一端接所述A/D芯片地，所述隔离芯片3脚接所述MCU SPI端口CS脚，所述隔离芯片4脚接所述MCU SPI端口SCLK脚，所述隔离芯片5脚接所述MCU SPI端口SDI脚，所述隔离芯片6脚接所述MCU SPI端口SDO脚。
2.根据权利要求1所述的一种BMS多功能集成高压***监测方案，其特征在于：所述高压采集电路中分流器选用量程须满足≤160mV。
3.根据权利要求1所述的一种BMS多功能集成高压***监测方案，其特征在于：所述高压采集电路中R1、R4、R5、R6、R7是由多个电阻串联组成。
4.根据权利要求1所述的一种BMS多功能集成高压***监测方案，其特征在于：所述高压采集电路中开关S0、S1、S2、S3、S4、S5为光隔离继电器或者高压光耦。
5.根据权利要求1所述的一种BMS多功能集成高压***监测方案，其特征在于：还包括对电池组绝缘电阻值、电池组内、外侧总电压采集和计算的步骤：
S1：断开S5，断开S3，断开S4，闭合S0，闭合S1，测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb，得出公式1：Va / [Rn //（R1+R2）]=Vb / [Rp //（R3+R4）]；
S2：如果步骤S1测量值Va≧Vb，则断开S5，断开S4，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S3，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式2：Vc / [Rn//（R1+R2）//R5] = Vd / [Rp//（R3+R4）]；
S3：根据公式1和公式2以及步骤S1和步骤S2两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S4：如果步骤S1测量值Va＜Vb，则断开S5，断开S3，闭合S0，闭合S1，闭合S2，闭合S4，再次测量出电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Vc、Vd。得出公式3：Vc / [Rn//（R1+R2）]=Vd /[Rp//（R3+R4）//R6]；
S5：根据公式1和公式3，以及步骤S1和步骤S4两次测量的电池组PACK正端、负端对底盘的分压值Va、Vb和Vc、Vd，可计算出绝缘电阻Rn、绝缘电阻Rp值；
S6：对步骤S1中测得的Va、Vb绝对值求和即可得到电池组内侧总电压；
S7：接触器K1、接触器K2闭合，闭合S5，断开S0，断开S1，断开S2，断开S3，断开S4，即可得到电池组外侧总电压。
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