CN108136776B - 流体喷射设备 - Google Patents

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Abstract

根据示例，流体喷射设备可以包括基底、定位在基底上的电阻器、定位在电阻器之上的外涂层、具有在所述电阻器周围形成发射腔的表面的流体层，其中外涂层被定位在电阻器与发射腔之间，以及覆盖所述流体层的表面的薄膜膜片，所述流体层的表面形成所述发射腔和在所述发射腔中的外涂层的部分。

Description

流体喷射设备
背景技术
热喷墨打印头通过使电流通过包含在发射腔(firing chamber)中的电阻器元件来从喷嘴喷射流体墨水液滴。来自电阻器元件的热量产生迅速膨胀的蒸汽气泡，其将小墨水液滴压出发射腔的喷嘴。当电阻器元件冷却时，蒸汽气泡快速塌缩并且将更多流体墨水抽进发射腔来为通过喷嘴喷射另一个液滴做准备。流体墨水是经由流体槽从贮存器中抽取的，该流体槽延伸通过其上形成电阻器元件和发射腔的基底。
附图说明
通过示例的方式图示本公开的特征并且本公开的特征不限于以下(一个或多个)附图，其中相同的附图标记指示相同的元件，其中：
图1示出了根据本公开的示例的具有覆盖发射腔的壁的薄膜膜片的流体喷射***的简化框图。
图2示出了根据本公开的示例的被实现为墨盒的流体供给设备。
图3示出了根据本公开的示例的流体喷射设备(或打印头)的部分横截面视图，所述流体喷射设备(或打印头)在流体喷射设备的部件之上采用薄膜膜片来保护例如流体层免受由发射腔中的墨水所引起的损坏。
图4示出了根据本公开的示例的制造流体喷射设备(诸如在图1-3中所描绘的流体喷射设备)的方法的流程图。
图5A-5F示出了根据本公开的示例的在图1-3中描绘的制造流体喷射设备的各种阶段。
图6A和6B分别示出了根据本公开的两个示例的流体喷射设备的部分横截面视图，该流体喷射设备在流体喷射设备的部件之上采用薄膜膜片来保护例如流体层免受由发射腔中的墨水所引起的损坏。
具体实施方式
出于简单和说明的目的，通过主要参照其示例来描述本公开。在以下描述中，阐述了许多具体的细节以便提供对本公开的全面理解。然而将显而易见的是，可以在不限制到这些具体细节的情况下实践本公开。在其他实例中，没有详细描述一些方法和结构以免不必要地使本公开晦涩难懂。如本文中所使用的，术语“一”和“一个”意图表示至少一个特定元件，术语“包括”意为包括但不限于，术语“包含”意为包含但不限于，以及术语“基于”意为至少部分基于。
此外，应理解的是在附图中描绘的元件可以包括附加的部件，并且在那些附图中所描述的部件中的一些可以被去除和/或修改而不偏离本文中所公开的元件的范围。还应理解的是，附图中描绘的元件可以不按比例绘制，并且因此元件可以具有除了如在附图中示出的的那样之外的不同的大小和/或配置。
本文中所公开的是流体喷射设备以及制造该流体喷射设备的方法。该流体喷射设备可以包括流体层，其包括在电阻器附近(例如，周围)形成的发射腔的表面。根据本公开的示例，可以形成薄膜膜片来覆盖形成发射腔的流体层的表面。薄膜膜片可以因此在流体层和发射腔之间形成屏障。在这方面，薄膜膜片可以保护流体层免受可能由包含在发射腔中的流体所引起的分层和分解，特别当流体包含侵略性墨水化学成分时。
根据示例，通过保护流体喷射设备中的流体层，与常规流体喷射设备相比，流体喷射设备可以被制成具有相对更大的发射腔、可以具有更强的耐久性以及可以能够利用改进的光密度打印。薄膜膜片还可以在发射腔的壁之上形成可浸润的涂层，其可以促进用流体填充发射腔。如本文中所公开的，薄膜膜片可以被应用在形成流体层之后制造流体喷射设备期间的许多阶段中的任何阶段。此外，还可以通过在相对低温度下执行的沉积技术(诸如原子层沉积)来形成薄膜膜片。
首先参照图1，示出根据本公开的示例的具有覆盖发射腔的壁(或表面)的薄膜膜片的流体喷射***100的简化框图。流体喷射***100可以是喷墨打印***100，其包括具有电子控制器104的打印引擎102、安装组件106、可替换的流体供给设备108或多个流体供给设备(例如，如在图2中示出的)、介质传输组件110以及向喷墨打印***100的各种电学部件提供功率的电源112。喷墨打印***100还包括被实现为打印头114的流体喷射设备114，其通过多个喷嘴116(在本文中也被称为孔口或钻孔)朝向打印介质118喷射墨水或其他流体的液滴以便打印到打印介质118上。
在一些示例中，打印头114可以是供给设备108的整体部分，而在其他示例中，打印头114可以被安装在安装组件106的打印条(未示出)上并且被耦合到供给设备108(例如，经由管)。打印介质118可以是任何类型的合适的片材或卷材，诸如纸、卡片纸、透明片、聚酯薄膜、聚酯纤维、胶合板、泡沫板、织物、帆布等等。
图1中的打印头114被描绘为热喷墨(TIJ)打印头114。在TIJ打印头114中，电流通过电阻器元件以在填充了墨水的腔室中生成热量。热量将少量墨水或其他液体汽化，产生迅速膨胀的蒸汽气泡，其将流体液滴压出喷嘴116。随着电阻器元件冷却蒸汽气泡塌缩，将更多流体从贮存器抽进腔室来为通过喷嘴116喷射另一个液滴做准备。喷嘴116通常被布置在沿着打印头114的一个或多个列或阵列中，使得当打印头114和打印介质118相对于彼此移动时，来自喷嘴116的墨水的适当的顺序的喷射使字符、符号和/或其他图形或图像打印在打印介质118上。
安装组件106将打印头114相对于介质传输组件110定位，并且介质传输组件110将打印介质118相对于打印头114放置。因此，打印区120可以被限定为在打印头114和打印介质118之间的区域中临近喷嘴116。在一个示例中，打印引擎102是扫描型打印引擎。在该示例中，安装组件106包括用于相对于介质传输组件110移动打印头114来扫描打印介质118的托架。在另一个示例中，打印引擎102是非扫描型打印引擎。在该示例中，安装组件106将打印头114固定在相对于介质传输组件110的指定位置处，而同时介质传输组件110相对于打印头114定位打印介质118。
电子控制器104可以包括诸如处理器、存储器、固件以及用于与供给设备108、打印头114、安装组件106以及介质传输组件110进行通信以及对其进行控制的其他打印机电子器件之类的部件。电子控制器104可以从诸如计算机之类的主机***接收数据122并且可以暂时地将数据122储存在存储器中。数据122可以例如表示要被打印的文档和/或文件。因此，数据122可以形成用于喷墨打印***100的打印作业，其包括打印作业命令和/或命令参数。使用数据122，电子控制器104可以控制打印头114来以定义的图案从喷嘴116喷射墨水液滴，其在打印介质118上形成字符、符号和/或其他图形或图像。
现在转到图2，示出的是根据本公开的示例的被实现为墨盒108的流体供给设备108。墨盒供给设备108通常包括墨盒主体200、打印头114以及电接触部202。打印头114内的单独的流体液滴生成器可以由在接触部202处提供的电信号供能，以从所选的喷嘴116喷射流体液滴。流体可以是在打印过程中使用的任何合适的流体，诸如各种可打印的流体、墨水、预处理组成物、定影剂等等。在一些示例中，流体可以是除了打印流体之外的流体。供给设备108可以包含在墨盒主体200内的其自己的流体供给设备，或者供给设备108可以从例如诸如通过管连接到设备108的流体贮存器之类的外部供给(未示出)来接收流体。
现在参照图3，示出根据本公开的示例的流体喷射设备(或打印头)114的部分横截面视图，其在流体喷射设备114的部件之上采用薄膜膜片322来保护例如流体层免受由发射腔中的墨水所引起的损坏。流体喷射设备114被描绘为包括基底300，其可以由硅(Si)或诸如玻璃、半导体材料、各种组成物等另一个适当的材料制成。基底300上的薄膜材料的堆叠以及通过基底300和薄膜堆叠的流体槽的形成可以给流体喷射设备114提供功能性。
薄膜堆叠可以包括基底300之上的密封剂或封盖层(未示出)，诸如热生长的场氧化物以及例如通过等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)技术而沉积的绝缘玻璃层。封盖层形成用于热电阻器层302的氧化物垫层。虽然未示出，但是可以在基底300中创建场效应晶体管(FET)并且所述场效应晶体管(FET)可以经由导电迹线304而被连接到电阻器306，其中FET根据来自电子控制器104的数据来开启和关闭电阻器306。可以通过在基底300之上沉积(例如，通过溅射沉积)热电阻器层302来形成热/发射电阻器。热电阻器层302可以具有大约0.1到0.75微米厚的数量级，并且可以由各种合适的电阻材料形成，该电阻材料例如包括钽铝、氮化硅钨、镍铬、碳化物、铂、氮化钛等。具有其他厚度的电阻器层也在该公开的范围内。
由导体迹线304形成的导电层可以被沉积(例如，通过溅射沉积技术)在热电阻层302上并且可以被图案化(例如，通过光刻)并且被蚀刻来形成导体迹线304和来自底层电阻层302的单独形成的电阻器306。导电迹线304可以由各种材料制成，所述材料包括例如铝、铝/铜合金、铜、金等等。可以在电阻器306之上形成(一层或多层)外涂层(overcoat layer)308来提供附加的结构稳定性和与发射腔314中的流体之间的电气绝缘。(一层或多层)外涂层308可以一般被视为电阻器306的不可缺少的部分，以及如此可以向电阻器306提供最终层。(一层或多层)外涂层308可以包括在电阻器306和导体迹线304之上形成的绝缘钝化层来防止在使用导电流体的情况下对流体的充电或对设备的腐蚀。
钝化层可以具有大约0.1到0.75微米数量级的厚度，但是可以具有其他厚度，并且可以由诸如二氧化硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅、玻璃等的合适材料形成(例如，通过溅射、蒸发、PECVD等)。(一层或多层)外涂层308还可以包括钝化层之上的空穴屏障层，其有助于消散紧随每个被喷射的流体液滴而来的驱动气泡塌缩的力。空穴层可以具有大约0.1到0.75微米数量级的厚度，但是还可以具有更大或更小的厚度，并且可以由通过溅射沉积技术沉积的钽形成。
空穴层可以通常被视为电阻器306的最终层并且因此可以构成电阻器306的表面。流体可以从流体源流动通过基底300中的流体槽310并且所述流体可以通过另一个槽(未示出)流进发射腔314。流体槽310可以通过下述处理在基底300中形成，所述处理包括例如激光剥蚀步骤，之后是使用诸如氢氧化钾(KOH)或氢氧化四甲基铵(TMAH)之类的化学品的非各向同性湿法蚀刻步骤。激光剥蚀步骤可以在基底300中微加工深沟槽，在基底的底部开始并且向上前进通过基底来去除基底的一大部分。通过将基底300从先前已经将薄膜层302、304和308去除的前测去除并且通过将从深激光沟槽的背面前进的基底300去除二者，湿法蚀刻步骤通常可以完成激光深沟槽的形成。此外或作为替选，流体槽310可以通过激光剥蚀步骤、之后是干法蚀刻步骤以及湿法蚀刻步骤来形成。
如也在图3中示出的，流体喷射设备114可以包括流体层312，其可以是图案化的SU8层或其他聚合化合物，诸如作为例如通过热量和压力层压的干膜或者作为通过旋涂施加的湿膜而形成在基底300的顶部上的IJ5000。SU8和IJ5000是可光成像负作用化合物，并且发射腔314(以及其他通道/过道)可以通过光成像技术在流体层312中形成。可以在相应发射腔314之上提供包括喷嘴(孔口)116的孔板316，使得每个发射腔316、相关联的喷嘴116以及相关联的热电阻器306对齐。在一些示例中，流体层312和孔板316被集成为由SU8或另一个适当材料所形成的单个结构。在其他示例中，孔板316是单独的元件并且被附接或接合到流体层上，如图3所示。
流体喷射设备114被进一步描绘为包括接合焊盘318，其可以由与导电迹线304电通信的导电材料(诸如金)形成。接合焊盘318还被描绘为与电互连320进行电通信。电互连320(其可以是柔性的电互连320)可以将电阻器306电连接到电接触部202(图2)。在这方面，电阻器306可以经由电互连320接收到发射信号。
还在图3中示出覆盖了在该附图中示出的流体喷射设备114的大多数暴露的表面的薄膜膜片322。根据示例，薄膜膜片322可以是用作被包含在发射腔314中的流体(例如，墨水)和流体层312之间的屏障的薄膜。在这方面，薄膜膜片可以保护流体层312在被暴露给某些类型的流体(例如具有侵略性化学物质的流体)时免受分解的影响，并且还可以保护流体层312免受从基底300分层的影响。薄膜膜片322还可以给电阻器306提供附加的保护。此外，薄膜膜片322可以在电连接320上提供防潮保护，其可以改善电连接320的可靠性。
薄膜膜片322可以由电介质材料(诸如金属氧化物)形成。合适材料的示例可以包括氧化铪、氧化钛、氧化铝、硅氮化铪、氧化硅、氮化硅等等。此外，薄膜膜片322可以在相对低的温度下(例如，小于约150摄氏度)通过薄膜材料的原子层沉积(ALD)形成。通过在相对低的温度下沉积薄膜材料，可以避免由高热量引起的对流体层312和流体喷射设备114的其他部件所造成的损害。还可以执行薄膜材料的ALD来使薄膜膜片322具有相对小的厚度(例如，约100埃)，并且薄膜膜片322可以被形成为具有无针孔和裂缝的并且来共形地覆盖形成发射腔314的流体层312的(一个或多个)壁。
虽然薄膜膜片322已经在图3中描绘为形成到流体层312、孔板316以及电互连320上，但是在其他示例中，薄膜膜片322可以在这些部件中的一个或多个的形成或放置之前而形成。例如，薄膜膜片322可以在将电互连320附接到接合焊盘318上之前和/或在将孔板316附接到流体层312上之前形成。在其中在将电互连320附接到接合焊盘318之前形成薄膜膜片322的示例中，薄膜膜片322的一部分可以被形成在接合焊盘318的顶部上。在一个示例中，由于薄膜膜片322可能足够薄以使得足够水平的电信号能够通过所述薄膜膜片，电互连320可以被直接定位在薄膜膜片322的该部分的顶部上。在另一个示例中，被直接定位在接合焊盘318顶部上的薄膜膜片322的该部分可以在将电互连320附接到接合焊盘318之前被去除。在该示例中，接合焊盘318顶部上的薄膜膜片322的部分可以经由蚀刻或其他合适的去除方式来去除。在以下的本文中详细描述了关于薄膜膜片322的形成的各种其他示例。
现在参照图4，示出根据本公开示例的制造流体喷射设备(诸如图1-3中描绘的流体喷射设备114)的方法400的流程图。虽然方法400包括以特定次序列出的方框，但要理解的是这不一定将方框限制为以该次序或以任何其他特定的次序来执行。一般来说，除了在方法400中特别指出的制造技术之外，还可以使用诸如电成型、激光剥蚀、各向异性蚀刻、溅射、干法蚀刻、湿法蚀刻、光刻等之类的各种精确微制造技术来执行方法400中的各种操作。
还可以参考图5A-5F描述方法500中的各种操作，其示出了制作流体喷射设备114的各种阶段。
如在图4中示出的，在方框402处，在基底300上形成电阻器306。根据示例，可以如在图5A中示出的那样获得基底300，所述基底300可以由硅或诸如玻璃、半导体材料、复合材料等的其他材料形成。可以在基底300上形成电阻器306之前或之后，形成具有流体槽的基底300。此外，电阻器306可以通过例如溅射沉积而形成在基底300上，并且电阻器306可以由如上文所记录的各种材料和厚度形成。电阻器306的形成还可以包括热电阻器层302和导体迹线304的形成，如也在上文所讨论的以及如在图5B中示出的。
在方框404处，可以在电阻器306上形成一层或多层外涂层308。例如，(一层或多层)外涂层308可以通过任何合适的沉积过程被沉积到导体迹线304和电阻器306上。在图5C示出了所沉积的(一层或多层)外涂层308的示例。如其中示出的，导体迹线304的一部分可以在(一层或多层)外涂层308的沉积之前而被去除。此外，(一层或多层)外涂层308的沉积可以形成电阻器306的最终层，并且可以被称为空穴屏障层。(一层或多层)外涂层308例如由钽制成。
在方框406处，可以在基底300之上形成流体层312。如上文所讨论的，流体层312可以是诸如SU8或IJ5000之类的膜，其被施加在基底300之上并且使用光成像技术图案化。在一方面，除其他特征之外，可以将流体层312图案化为具有限定在电阻器306附近的发射腔314的表面。在图5D中示出流体层312和发射腔314的示例。如也在图5D中示出的，可以形成接合焊盘318来与导体迹线304电接触，使得可以通过接合焊盘318和导体迹线304将电信号传送到电阻器306。
此外，如在图5E中示出的，孔板316可以被定位在流体层312上使得孔板316的喷嘴116被定位在发射腔314之上，并且与发射腔314流体连通。此外，如在图5F中示出的，电互连320可以被放置得与接合焊盘318进行电通信。电互连320可以包括由导电材料(例如，金)形成的接触部，其中之一可以通过任何合适的接合技术而被接合到接合焊盘318上。根据示例，电互连320是柔性的电互连320。
在方框408处，薄膜材料可以被沉积到流体层312的表面上，所述流体层312的表面限定发射腔314和形成发射腔314的部分的(一层或多层)外涂层308的一部分，来形成覆盖流体层的表面的薄膜膜片322，流体层的表面限定发射腔和形成发射腔的部分的外涂层的部分。薄膜材料可以是从包括氧化铪、氧化钛、氧化铝、氮硅化铪、氧化硅等的材料的组中选出的材料。根据示例以及如在图5F中示出的，可以通过原子层沉积(ALD)来沉积薄膜材料324。通过执行ALD，薄膜材料324可以被沉积在喷嘴116之上并且可以进入发射腔314，覆盖形成发射腔314的表面。
此外，可以在相对低温度(例如，小于约150摄氏度)下执行薄膜材料324的ALD，以从而在沉积过程期间防止流体层312的降解。此外，薄膜膜片322可以被形成为跨流体喷射设备114部件具有大约100埃的大体恒定的厚度，并且大体上无针孔和裂缝。接着方法400的实现，流体喷射设备114可以具有如例如图3所示出的薄膜膜片322。作为ALD的替换方式，可以在低温下通过等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)来沉积薄膜材料324。
根据示例，可以在沉积薄膜材料324之前，在电互连320的顶部接触部328上提供覆盖物326(例如，带)。在该示例中，可以在形成薄膜膜片322之后，来去除覆盖物326以从而暴露电互连320的顶部接触部328。
然而在其他示例中，可以在流体喷射设备114制造的另一个其他阶段形成薄膜膜片322。在第一示例中，可以在将孔板316放置在流体层312上之后并且在放置电互连320之前，形成薄膜膜片322。在该第一示例中，薄膜材料324可以被沉积到如在图6A中示出的部件上，其可以导致薄膜膜片322的一部分330覆盖接合焊盘318。根据示例，可以例如通过蚀刻、剥蚀技术等在放置电互连320之前去除覆盖接合焊盘318的薄膜材料324的该部分330。在另一个示例中，可以在薄膜材料324沉积之前在接合焊盘318上提供覆盖物(未示出)，并且可以在形成薄膜材料322之后并且在放置电互连320之前去除覆盖物。在又一个示例中，电互连320可以被放置在覆盖接合焊盘318的薄膜膜片322的部分330上。由于薄膜膜片322相对薄(例如，大约100埃)，因此，电信号可以通过薄膜材料324的部分330从电互连320流到接合焊盘318。
在第二示例中，可以在形成流体层312和发射腔314之后形成薄膜膜片322。在该第二示例中，薄膜材料324可以被沉积到如在图6B中示出的部件上，其可以导致薄膜材料324的一部分330覆盖接合焊盘318，并且薄膜材料324的其他部分332、334覆盖流体层312的顶部表面。覆盖接合焊盘318的薄膜材料324的部分330可以如上文关于第一示例所讨论的那样被去除或者保留。此外，也可以以上文关于接合焊盘318所讨论的任何方式(例如，蚀刻、剥蚀技术、使用覆盖物等)在流体层312上布置孔板316之前去除覆盖流体层312的顶部表面的薄膜材料324的部分332、334，孔板316要被放置在所述流体层312的顶部表面上。可替代地，孔板316可以被放置在流体层312的顶部上，其中薄膜膜片322的部分332、334被放置在其之间。
虽然贯穿本公开的整体具体地描述，但本公开的代表性示例在广泛范围的应用上具有实用性，并且上述讨论并不意图并且不应被解释为限制性的，而是被提供作为对本公开的方面的说明性讨论。
本文中已经进行描述和说明的是该公开的示例连同其一些变型。本文中所使用的术语、描述和附图仅通过说明的方式进行阐述并且不意为限制。在本公开的精神和范围内的许多变化是可能的，其意图由以下权利要求——以及其等同物——来限定，其中所有术语意为以它们最广泛的合理意义，除非另有指示。

Claims (15)

1.一种流体喷射设备，其包括：
基底；
定位在所述基底上包括电阻器的热电阻层；
导体迹线，其定位在不同于所述电阻器的热电阻层的部分上；
定位在所述电阻器和所述导体迹线之上的外涂层，其中所述导体迹线定位在所述热电阻层的部分和所述外涂层之间；
具有表面的流体层，所述表面在所述电阻器周围形成发射腔，其中所述外涂层被定位在所述电阻器和所述发射腔之间；以及
薄膜膜片,所述薄膜膜片包括电介质材料，其中所述薄膜膜片覆盖形成所述发射腔的所述流体层的表面并且覆盖在所述发射腔中的外涂层的部分。
2.根据权利要求1所述的流体喷射设备，还包括：
孔板，其被定位在所述流体层上，所述孔板具有被定位成与所述发射腔流体连通的喷嘴；以及
其中所述薄膜膜片覆盖所述孔板和覆盖形成所述喷嘴的孔板的壁。
3.根据权利要求1所述的流体喷射设备，还包括：
接合焊盘，其被定位在所述发射腔外的基底上，其中所述薄膜膜片覆盖所述接合焊盘。
4.根据权利要求1所述的流体喷射设备，还包括：
接合焊盘，其被定位在所述发射腔外的基底上；
电互连，其具有到所述接合焊盘的电连接；以及
其中所述薄膜膜片覆盖所述电互连。
5.根据权利要求1所述的流体喷射设备，其中所述薄膜膜片的所述电介质材料包括提供所述流体层和包含在所述发射腔中的流体之间的屏障的金属氧化物材料。
6.根据权利要求1所述的流体喷射设备，其中所述薄膜膜片在小于150摄氏度的温度下经由金属氧化物材料的原子层沉积而进行沉积。
7.根据权利要求1所述的流体喷射设备，其中所述薄膜膜片的厚度为100埃。
8.一种制造流体喷射设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成包括电阻器的热电阻层；
形成导体迹线，其定位在不同于所述电阻器的热电阻层的部分上；
在所述电阻器和所述导体迹线上形成外涂层，其中所述导体迹线定位在所述热电阻层的部分和所述外涂层之间；
形成具有表面的流体层，所述表面限定发射腔，其中所述外涂层形成所述发射腔的部分；以及
将包括电介质材料的薄膜材料沉积到限定所述发射腔的流体层的表面上和沉积到形成所述发射腔的部分的外涂层的部分，以形成薄膜膜片，所述薄膜膜片覆盖形成限定所述发射腔的所述流体层的表面并且覆盖形成所述发射腔的部分的外涂层的部分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述流体喷射设备还包括定位在所述流体层上的孔板，所述孔板具有定位成与所述发射腔流体连通的喷嘴，并且其中沉积所述薄膜材料还包括将所述薄膜材料沉积到所述孔板上以使所述薄膜材料覆盖所述孔板和覆盖形成所述喷嘴的孔板的壁。
10.根据权利要求8所述的方法，其中沉积所述薄膜材料还包括在小于150摄氏度的温度下经由原子层沉积来沉积所述薄膜材料。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述流体喷射设备还包括被电连接到所述电阻器的接合焊盘以及被电连接到所述接合焊盘的电互连，并且其中沉积所述薄膜材料还包括将所述薄膜材料沉积到所述电互连上以使所述薄膜膜片覆盖所述电互连。
12.根据权利要求8所述的方法，其中沉积所述薄膜材料还包括沉积所述薄膜材料以形成所述薄膜膜片，以具有遍及所述薄膜膜片的大体上均匀的厚度。
13.一种制造流体喷射设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成包括电阻器的热电阻层；
形成导体迹线，其定位在不同于所述电阻器的热电阻层的部分上；
在所述电阻器和所述导体迹线上形成外涂层，其中所述导体迹线定位在所述热电阻层的部分和所述外涂层之间；
形成与所述电阻器进行电通信的接合焊盘；
形成具有表面的流体层，所述表面限定发射腔，其中所述外涂层形成所述发射腔的部分，并且其中所述接合焊盘在所述发射腔外；
在所述流体层上定位孔板，所述孔板具有定位成与所述发射腔流体连通的喷嘴；
将电互连连接到所述接合焊盘；以及
将包括电介质材料的薄膜膜片形成到所述电互连上、形成到所述孔板上、形成到限定所述发射腔的流体层的表面上、形成到所述外涂层上以及形成到处于所述发射腔外部的流体层的表面上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述薄膜膜片还包括在小于150摄氏度的温度下经由原子层沉积来沉积金属氧化物。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述电互连包括连接器，所述方法还包括：
利用覆盖物覆盖所述连接器，其中形成所述薄膜膜片包括在所述覆盖物上形成所述薄膜膜片；以及
在形成所述薄膜膜片之后，去除所述覆盖物以暴露所述连接器。
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