CN108133981A - 一种发光二极管芯片的返工方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管芯片的返工方法，属于半导体技术领域。所述返工方法包括：提供一半导体器件，半导体器件用于形成至少一个发光二极管芯片，半导体器件的第一表面上设有DBR；将半导体器件的第二表面粘附在面板上，第二表面为与第一表面相反的表面；采用湿法腐蚀技术将DBR从第一表面上去除；将半导体器件与面板分离；在已去除DBR的所述第一表面上重新形成DBR。本发明通过先将半导体器件没有设置DBR的表面粘附在面板上，以利用面板和粘合剂对半导体器件的表面进行保护，再采用湿法腐蚀技术将半导体器件上的DBR去除，不会造成破片，可以避免产品直接报废带来的损失。

Description

一种发光二极管芯片的返工方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片的返工方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。芯片是LED的核心组件，包括外延片和设置在外延片上的电极。

LED外延片目前常用的材料是以氮化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，其具有直接带隙宽、热导率高、硬度大、介电常数小、抗辐射等优点。而氮化镓基LED外延片的衬底材料通常采用蓝宝石，其具有良好的热学特性、极好的电气特性和介电特性，并且化学性质稳定，抗腐蚀，莫式硬度达到9级，仅次于金刚石。

现有氮化镓基LED芯片的制作方法包括：在蓝宝石衬底上沉积Ⅲ-Ⅴ族氮化物，形成外延片；在外延片上设置电极，形成芯片的半成品；对半成品进行裂片，得到多个相互独立的芯片。

由于蓝宝石衬底的厚度较大，不能直接切割，加上蓝宝石衬底的厚度较大会影响芯片散热，因此在裂片之前，会先对蓝宝石衬底进行减薄。具体包括：通过上蜡将半成品中电极所在的表面进行固定；采用含金刚石的砂轮对半成品中蓝宝石衬底所在的表面进行粗磨；采用包括微米级的金刚石粉末和油性物质的钻石液对半成品中蓝宝石衬底所在的表面进行细磨；采用包括纳米级的氧化铝颗粒和二氧化硅颗粒、以及水溶性物质的抛光液对半成品中蓝宝石衬底所在的表面进行精磨；对半成品进行下蜡和清洗。

另外，为了提高芯片的出光效率，在对蓝宝石衬底进行减薄之后，还会在蓝宝石衬底上设置分布式布拉格发射镜(英文：Distributed Bragg Reflection，简称：DBR)，以对射向蓝宝石衬底的光线进行反射，增加射向电极的光线。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

钻石液中的油性物质和抛光液中的纳米级颗粒在精磨后水清洗的过程中可能残留在半成品中蓝宝石衬底所在的表面上。下蜡是通过加热使蜡融化，残留在蓝宝石衬底上的物质会在加热的过程中牢牢粘附在在蓝宝石衬底上，在后续的有机清洗过程中无法去除。在这样的蓝宝石衬底上设置的DBR上会出现大面积脏污，同时DBR本身的设置也可能出现问题，如设置不牢固、反射效果差等，在这些情况下都需要进行返工，先将设置在蓝宝石衬底上的DBR去除，再在蓝宝石衬底上重新设置DBR。

目前去除DBR主要采用研磨的方式，但是蓝宝石衬底和Ⅲ-Ⅴ族氮化物之间晶格失配产生的应力会在蓝宝石衬底减薄的过程中释放出来，造成蓝宝石衬底减薄之后的芯片出现翘曲，重新粘片去除DBR时很难将芯片表面压平，芯片的表面凹凸不平，研磨去除DBR的过程中很容易造成破片，从而导致产品直接报废。即使没有破片，在完全去除DBR的过程中，芯片表面凸起的部分也会被一并去除，导致芯片的厚度不均匀。

发明内容

为了解决现有技术导致产品直接报废的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的返工方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的返工方法，所述返工方法包括：

提供一半导体器件，所述半导体器件用于形成至少一个发光二极管芯片，所述半导体器件的第一表面上设有分布式布拉格反射镜DBR；

将所述半导体器件的第二表面粘附在面板上，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除；

将所述半导体器件与所述面板分离；

在已去除所述DBR的所述第一表面上重新形成DBR。

具体地，所述DBR包括多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述多个第一金属氧化物薄膜和所述多个第二金属氧化物薄膜交替层叠设置，所述第一金属氧化物薄膜的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的折射率不同。

可选地，所述采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除，包括：

将所述半导体器件浸泡在氢氟酸溶液中，直到所述第一表面上的DBR完全去除。

优选地，所述氢氟酸溶液的浓度为5％～70％。

可选地，所述将所述半导体器件的第二表面粘附在面板上，包括：

对所述面板进行加热，并在所述面板上铺设一层蜡；

将所述半导体器件的第二表面压在所述蜡上；

对所述面板进行冷却，使所述半导体器件的第二表面粘附在面板上。

具体地，所述将所述半导体器件与所述面板分离，包括：

对所述面板进行加热，将所述半导体器件和所述面板分开；

采用有机溶剂去除所述半导体器件上的蜡。

优选地，在所述采用有机溶剂去除所述半导体器件上的蜡之后，所述返工方法还包括：

对所述第一表面进行检查，确认所述第一表面上的DBR是否完全去除；

对所述第二表面进行检查，确认所述第二表面上的蜡是否完全去除。

可选地，在所述采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除之后，所述返工方法还包括：

采用水对所述半导体器件进行冲洗。

优选地，在所述采用水对所述半导体器件进行冲洗之后，所述返工方法还包括：

对所述半导体器件进行抛光。

可选地，在所述在已去除所述DBR的所述第一表面上重新形成DBR之后，所述返工方法还包括：

采用紫外分光光度计测试重新形成的DBR的反射率；

在所述半导体器件固定时，对重新形成的DBR施加推力，测试重新形成的DBR的粘附性，所述推力的方向与所述第一表面平行。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过先将半导体器件没有设置DBR的表面粘附在面板上，以利用面板及粘合剂对半导体器件的表面进行保护，再采用湿法腐蚀技术将半导体器件上的DBR去除，由于湿法腐蚀是利用溶液里的反应物将其所接触的材料通过化学反应逐步侵蚀溶解，因此不会造成破片，可以避免产品直接报废带来的损失；同时第一表面上各个区域被腐蚀的DBR基本一致，不会造成半导体器件的厚度不均匀。而且湿法腐蚀的腐蚀厚度可以达到整个半导体器件，可以保证将第一表面上的DBR完全去除。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种发光二极管芯片的返工方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的半导体器件的结构示意图；

图3a-图3e是本发明实施例提供的返工方法执行过程中的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的DBR的光谱图；

图5是本发明实施例提供的推力检测的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的返工方法，特别适用于4inch的大尺寸芯片，图1为返工方法的流程图，参见图1，该返工方法包括：

步骤101：提供一半导体器件，半导体器件用于形成至少一个发光二极管芯片，半导体器件的第一表面上设有DBR。

在本实施例中，DBR可以包括多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜交替层叠设置，第一金属氧化物薄膜的折射率与第二金属氧化物薄膜的折射率不同。

具体地，第一金属氧化物薄膜可以为五氧化三钛膜，第二金属氧化物薄膜可以为二氧化硅膜。五氧化三钛膜和二氧化硅膜的折射率相差较大，形成的DBR反射效果好。

在本实施例中，半导体器件包括外延片和电极，电极设置在外延片上。外延片主要包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，N型半导体层、发光层和P型半导体层依次层叠在衬底上；电极包括N型电极和P型电极，P型电极设置在P型半导体层上，N型电极设置在N型半导体层上。其中，N型电极和P型电极分别设置在外延片的两侧的半导体器件形成的是异侧电极芯片，N型电极和P型电极设置在外延片的同一侧的半导体器件形成的是同侧电极芯片。

具体地，衬底可以为蓝宝石衬底，N型半导体层可以为N型氮化镓层，P型半导体层可以为P型氮化镓层；发光层可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置，量子阱为铟镓氮层，量子垒为氮化镓层。P型电极和N型电极可以包括至少一个金属层。

进一步地，蓝宝石衬底和氮化镓材料之间存在较大的晶格失配，为了缓解晶格失配，一般会在衬底和N型半导体层之间设置缓冲层。具体地，缓冲层可以为氮化铝层，也可以为氮化镓层。

另外，P型半导体层提供的空穴不容易移动，而P型电极通常都设置在P型半导体层的部分区域上，为了使P型电极注入的电流扩展到P型半导体层的整个区域上，一般会在P型半导体层上设置透明导电薄膜，以扩展电流。具体地，透明导电薄膜的材料可以采用氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxides，简称：ITO)、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃(AZO)、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃(GZO)、铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide，简称：IGZO)、ZnO中的一种。

同时为了对外延片和电极进行保护，还会在外延片上除电极所在区域以外的区域上、以及电极的上表面的边缘区域和侧面的所有区域上设置钝化层，只留出电极的上表面的中间区域进行打线。具体地，钝化层的材料可以为二氧化硅。

在实际应用中，通常在外延片上设置多个芯片的电极形成半导体器件，再对外延片进行裂片，从而得到多个相互独立的芯片。图2以形成2个同侧电极芯片的半导体器件为例，参见图2，半导体器件包括外延片10、N型电极20a、P型电极20b、钝化层30、透明导电薄膜40。其中，外延片包括衬底11、缓冲层12、N型半导体层13、发光层14和P型半导体层15，缓冲层12、N型半导体层13、发光层14和P型半导体层15依次层叠在衬底11上，P型半导体层14上设有延伸至N型半导体层12的凹槽50，N型电极20a设置在凹槽50内的N型半导体层12上。透明导电薄膜40设置在P型半导体层14上，P型电极20b设置在透明导电薄膜40上。钝化层30设置在除N型电极20a和P型电极20b所在区域之外的其它区域上。

进一步地，DBR可以具体设置在衬底上与设置缓冲层的表面相反的表面上。图2中的2为DBR，如图2所示，DBR 2和缓冲层12分别设置在衬底11的两侧。

具体地，该步骤101可以包括：

在衬底的一个表面上依次生长缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成外延片；

在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽；

在P型半导体层上形成透明导电薄膜；

在透明导电薄膜上设置P型电极，在凹槽内的N型半导体层上设置N型电极；

在外延片上形成钝化层；

减薄衬底；

在衬底的另一个表面上形成DBR。

步骤102：将半导体器件的第二表面粘附在面板上，第二表面为与第一表面相反的表面。

可选地，该步骤102可以包括：

对面板进行加热，并在面板上铺设一层蜡；

将半导体器件的第二表面压在蜡上；

对面板进行冷却，使半导体器件的第二表面粘附在面板上。

图3a为步骤102执行之后的结构示意图。其中，1为半导体器件，2为DBR，3为面板，4为蜡。如图3a所示，DBR 2设置在半导体器件1的一个表面上，半导体器件1的另一个表面通过蜡4固定在面板3上。

在上述实现方式中，对面板进行加热，铺设在面板上的蜡呈液态，将半导体器件压在蜡上，蜡与半导体器件紧密接触，再将面板冷却，蜡会凝固成固体，将半导体器件和面板连接在一起。

由于蜡耐腐蚀，通过蜡将半导体器件的第二表面粘附在面板上，可以在湿法腐蚀DBR的过程中，确保半导体器器件和面板不会分离，从而利用面板对半导体器件的第二表面进行保护。同时如果对半导体器件加热并在半导体器件的第二表面铺设蜡，虽然可以直接利用蜡对半导体器件的第二表面进行保护，但是加热会对半导体器件造成影响，而且蜡的保护效果比不上面板，因此通过蜡将半导体器件的第二表面粘附在面板上，可以对半导体器件的第二表面进行最好的保护。

优选地，对面板进行加热的温度可以为80℃～160℃，以在保证蜡处于液态的情况下，尽可能避免高温对半导体器件造成影响。

优选地，将半导体器件的第二表面压在蜡上施加的压力可以为200N～1200N，以在保证半导体器件的第二表面与蜡紧密接触的情况下，尽可能避免高温对半导体器件造成影响。由于不存在研磨去除芯片的翘起部分的问题，因此不需要利用高压将芯片尽可能压平，从而可以有效避免压力过大而造成的裂片的问题。

需要说明的是，半导体器件除第一表面和第二表面之外的表面通常为需要剔除的外延缺陷区(在正常加工流程中就属于必须被剔除的区域)，即使在湿法腐蚀过程中被腐蚀也不会造成负影响，因此本发明可以不对这部分区域进行保护。

具体实现时，可以将面板放置在加热板上进行加热。铺设蜡时，可以先将面板固定在支撑件上，再由人将蜡涂覆或者滴在面板上。待将芯片压在面板上，面板上的蜡即可均匀覆盖在芯片上。

可选地，蜡的厚度可以小于100μm，以避免蜡的厚度过厚，一方面造成材料的浪费，增加生产成本；另一方面为后续蜡的去除造成不必要的麻烦。

优选地，蜡的厚度可以小于20μm。在保证将半导体器件粘附在面板上的情况下，尽可能避免蜡的厚度过厚。

可选地，面板可以为陶瓷片。陶瓷片导热性好，又耐高温，很容易通过蜡与半导体器件连接；同时陶瓷片的性能稳定，耐腐蚀，可以对半导体器件的表面进行很好的保护，并且实现成本低。

在具体实现中，面板也可以为其它平整度高、耐高温的治具，如石墨盘。

步骤103：采用湿法腐蚀技术将DBR从第一表面上去除。

可选地，该步骤103可以包括：

将所述半导体器件浸泡在氢氟酸溶液中，直到所述第一表面上的DBR完全去除。

具体实现时，氢氟酸溶液中的氢离子与金属氧化物中的氧原子发生化学反应，生成的反应物溶解在氢氟酸溶液中，从而逐渐被侵蚀，而半导体器件由于被面板挡住而保留下来。在实际应用中，为了确保第一表面上的DBR被完全去除，氢氟酸溶液腐蚀的厚度会大于DBR的厚度，并且两者的差值在设定范围内。例如，DBR的厚度为2.2μm，氢氟酸溶液腐蚀的厚度可以为2.5μm，以确保DBR被完全去除。

另外，由于氢氟酸有毒性，因此湿法腐蚀需要设置通风设备。但是与干法刻蚀的设备相比，通风设备的成本低得多。

具体地，氢氟酸溶液的浓度可以为5％～70％。若氢氟酸溶液的浓度小于5％，则可能由于氢氟酸溶液的溶度太低而无法快速有效的去除DBR；若氢氟酸溶液的溶度大于70％，则可能腐蚀速率过快。

具体实现时，在氢氟酸溶液的浓度确定的情况下，氢氟酸溶液的腐蚀速率是一定的，氢氟酸溶液的腐蚀厚度主要由浸泡的时间决定，而浸泡的时间可以根据DBR的厚度进行设定。DBR的厚度越后，浸泡的时间越长。具体地，湿法腐蚀的时间可以为3min～2h，可以根据氢氟酸溶液的浓度和DBR的厚度进行选择。例如，去除50对氧化膜组成的DBR，氢氟酸溶液的浓度为50％，湿法腐蚀的时间为5min；又如，还是去除50对氧化膜组成的DBR，氢氟酸溶液的浓度为5％，湿法腐蚀的时间为2h。

在实际应用中，盛放氢氟酸溶液的盛液槽的材料可以为聚四氟乙烯，其具有优良的化学稳定性、耐腐蚀、密封性好，不会与对盛放的氢氟酸溶液发生化学反应。

图3b为步骤103执行过程中的结构示意图。其中，5为氢氟酸溶液，6为盛液槽。如图3b所示，盛液槽6内盛有氢氟酸溶液5，半导体器件1和面板3一起浸泡在氢氟酸溶液5中，半导体器件1上的DBR 2与氢氟酸溶液5发生化学反应。

在本实施例的一种实现方式中，在该步骤103之后，该返工方法还可以包括：

采用水对半导体器件进行冲洗。

通过水的冲洗，将半导体器件上残留的氢氟酸溶液去除干净，以便后续再次形成DBR。

在本实施例的另一种实现方式中，在该步骤103之后，该返工方法还可以包括：

对半导体器件进行抛光。

通过抛光使半导体器件的表面粗糙度降低，得到光亮、平整的表面，一方面有利于后续DBR的铺展；另一方面可以去除半导体器件表面的杂质，避免影响后续形成的DBR的质量。

具体地，可以采用化学机械抛光(英文：Chemical Mechanical Polishing，简称：CMP)技术对半导体器件进行抛光，抛光效果好。

更具体地，CMP采用的抛光液的成分可以包括三氧化二铝或者二氧化硅，实现成本低。

需要说明的是，抛光液中的物质可能也会粘附在蓝宝石衬底上，导致DBR再次返工。但是DBR进行返工的概率是很低的，一般为千分之几，因此对整个工艺的影响较低。

在本实施例的又一种实现方式中，在该步骤103之后，该返工方法还可以包括：

采用水对半导体器件进行冲洗；

对半导体器件进行抛光。

结合上述两种实现方式，以达到最佳的处理效果。

步骤104：将半导体器件与面板分离。

可选地，该步骤104可以包括：

第一步，对面板进行加热，将半导体器件和面板分开；

第二步，采用有机溶剂去除半导体器件上的蜡。

上述实现方式与步骤102的实现方式对应，对面板进行加热，铺设在面板上的蜡又融化成液体，无法将半导体器件和面板连接在一起，可以直接将半导体器件和面板分开，此时面板和半导体器件上都会残留有蜡。再将半导体器件上的蜡去除，即可重新形成DBR。

其中，第一步可以与步骤102中对面板进行加热相同，在此不再详述。

图3c为第一步执行之后的结构示意图。其中，7为加热板。如图3c所示，面板3放置在加热板7上，半导体器件1与加热板7分离，半导体器件1和面板3上都残留有蜡4。

图3d为第二步执行过程中的结构示意图。其中，8为有机溶剂。如图3d所示，有机溶剂8盛放在盛液槽6内，半导体器件1浸泡在有机溶剂8中，半导体器件1上的蜡4溶解在有机溶剂8中。

优选地，有机溶剂可以为丙酮溶液，实现成本低，实现效果好。

更优选地，丙酮溶液的温度可以为40℃～60℃，如50℃。一方面避免温度过高而对半导体器件造成影响；另一方面通过温度的提高加快反应速率，保证加工效率。

具体地，浸泡的时长可以为5min～10min。在保证完全去除蜡的情况下，尽可能避免对半导体器件造成影响。

进一步地，在采用有机溶剂去除半导体器件上的蜡之后，该返工方法还可以包括：

对半导体器件的表面进行检查。

具体地，对半导体器件的表面进行检查，可以包括：

对第一表面进行检查，确认第一表面上的DBR是否完全去除；

对第二表面进行检查，确认第二表面上的蜡是否完全去除。

其中，对第一表面和第二表面进行检查没有先后顺序：可以先对第一表面进行检查，再对第二表面进行检查；也可以先对第二表面进行检查，再对第一表面进行检查。

通过检查确认半导体器件的第一表面的DBR和第二表面的蜡是否都已完全去除，以避免残留的DBR或者蜡影响后续形成的DBR。容易知道，如果第一表面上的DBR没有完全去除，则需要再次执行步骤102～步骤104，直到第一表面上的DBR完全去除；如果第二表面的蜡没有完全去除，则需要再次采用有机溶剂去除半导体器件上的蜡，直到第二表面的蜡完全去除。只有当第一表面上的DBR完全去除且第二表面的蜡完全去除时，才重新形成DBR(即步骤105)。

在实际应用中，可以采用金相显微镜对半导体器件的表面进行检查，实现方便，检测效果好。

步骤105：在已去除DBR的第一表面上重新形成DBR。

图3e为步骤105执行之后的结构示意图。如图3e所示，半导体器件1上重新形成有DBR 2。

具体地，该步骤105可以包括：

采用电子束蒸发技术在已去除DBR的第一表面上重新形成DBR。

在实际应用中，可以使用光学镀膜机在已去除DBR的第一表面上重新形成DBR。

在本实施例中，重新形成的DBR的结构可以与之前设置在第一表面上的DBR的结构相同，在此不再详述。在实际应用中，重新形成的DBR的结构也可以与之前设置在第一表面上的DBR的结构不同，本发明对此不作限制。

可选地，在该步骤105之后，该返工方法还可以包括：

对重新形成的DBR进行测试。

在本实施例的一种实现方式中，对重新形成的DBR进行测试，可以包括：

采用紫外分光光度计测试重新形成的DBR的反射率。

具体地，可以在重新形成的DBR上选择9个不同的位置，分别采用紫外分光光度计测试在420nm～620nm的波长范围内相对银的相对反射率是否大于105。如果在420nm～620nm的波长范围内相对银的相对反射率是否大于105，则表示其绝对反射率大于97％。图4为采用本实施例的返工方法得到的DBR的光谱图，参见图4，各个位置(每一条线对应一个位置)在420nm～620nm的波长范围内相对银的相对反射率都大于105，说明采用本实施例的返工方法得到的DBR在不同位置的相对反射率的拟合度较好，DBR的良率较高。

在本实施例的另一种实现方式中，对重新形成的DBR进行测试，可以包括：

在半导体器件固定时，对重新形成的DBR施加推力，测试重新形成的DBR的粘附性，推力的方向与第一表面平行。

在实际应用中，通常会先对半导体器件进行裂片，得到各个相互独立的芯片；再将各个芯片分别固定在支架上，对重新形成的DBR施加推力，直到将芯片从支架上推掉。图5为推力作用在DBR上的示意图。其中，箭头表示推力的方向，9为支架，1a为由半导体器件得到的芯片。如图5所示，芯片1a固定在支架9上，DBR 2位于芯片1a的顶端，推力作用在DBR 2上，力的方向与芯片1a固定在支架9上的表面平行。

在芯片从支架上推掉之后，可以在显微镜下检查DBR是否从半导体器件上脱落。如果DBR从半导体器件上脱落，则说明DBR的粘附性不好，需要重新加工；如果DBR没有从半导体器件上脱落，则说明DBR的粘附性较好，可进行后续工艺。

在本实施例的又一种实现方式中，对重新形成的DBR进行测试，可以包括：

采用紫外分光光度计测试重新形成的DBR的反射率；

在半导体器件固定时，对重新形成的DBR施加推力，测试重新形成的DBR的粘附性，推力的方向与第一表面平行。

结合上述两种实现方式，以对半导体器件进行充分检测。其中，对反射率和粘附性的测试没有先后顺序：可以先测试反射率，再测试粘附性；也可以先测试粘附性，再测试反射率。

本发明实施例通过先将半导体器件没有设置DBR的表面粘附在面板上，以利用面板对半导体器件的表面进行保护，再采用湿法腐蚀技术将半导体器件上的DBR去除，由于湿法腐蚀是利用溶液里的反应物将其所接触的材料通过化学反应逐步侵蚀溶解，因此不会造成破片，可以避免产品直接报废带来的损失；同时第一表面上各个区域被腐蚀的DBR基本一致，不会造成半导体器件的厚度不均匀。而且湿法腐蚀的腐蚀厚度可以达到整个半导体器件，可以保证将第一表面上的DBR完全去除。另外，湿法腐蚀的速率远大于干法刻蚀，可以大大提高生产效率；同时湿法腐蚀不需要成本昂贵的设备实现，生产成本低。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述返工方法包括：

提供一半导体器件，所述半导体器件用于形成至少一个发光二极管芯片，所述半导体器件的第一表面上设有分布式布拉格反射镜DBR；

将所述半导体器件的第二表面粘附在面板上，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除；

将所述半导体器件与所述面板分离；

在已去除所述DBR的第一表面上重新形成DBR。

2.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于，所述DBR包括多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述多个第一金属氧化物薄膜和所述多个第二金属氧化物薄膜交替层叠设置，所述第一金属氧化物薄膜的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的折射率不同。

3.根据权利要求2所述的返工方法，其特征在于，所述采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除，包括：

将所述半导体器件浸泡在氢氟酸溶液中，直到所述第一表面上的DBR完全去除。

4.根据权利要求3所述的返工方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为5％～70％。

5.根据权利要求1～4任一项所述的返工方法，其特征在于，所述将所述半导体器件的第二表面粘附在面板上，包括：

对所述面板进行加热，并在所述面板上铺设一层蜡；

将所述半导体器件的第二表面压在所述蜡上；

对所述面板进行冷却，使所述半导体器件的第二表面粘附在面板上。

6.根据权利要求5所述的返工方法，其特征在于，所述将所述半导体器件与所述面板分离，包括：

对所述面板进行加热，将所述半导体器件和所述面板分开；

采用有机溶剂去除所述半导体器件上的蜡。

7.根据权利要求6所述的返工方法，其特征在于，在所述采用有机溶剂去除所述半导体器件上的蜡之后，所述返工方法还包括：

对所述第一表面进行检查，确认所述第一表面上的DBR是否完全去除；

对所述第二表面进行检查，确认所述第二表面上的蜡是否完全去除。

8.根据权利要求1～4任一项所述的返工方法，其特征在于，在所述采用湿法腐蚀技术将所述DBR从所述第一表面上去除之后，所述返工方法还包括：

采用水对所述半导体器件进行冲洗。

9.根据权利要求8所述的返工方法，其特征在于，在所述采用水对所述半导体器件进行冲洗之后，所述返工方法还包括：

对所述半导体器件进行抛光。

10.根据权利要求1～4任一项所述的返工方法，其特征在于，在所述在已去除所述DBR的所述第一表面上重新形成DBR之后，所述返工方法还包括：

采用紫外分光光度计测试重新形成的DBR的反射率；

在所述半导体器件固定时，对重新形成的DBR施加推力，测试重新形成的DBR的粘附性，所述推力的方向与所述第一表面平行。