CN108122884A - 可挠性电子装置 - Google Patents
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Abstract
一种可挠性电子装置，包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区。导电结构包括位于可弯折区上的多个开口，且在平行于延伸方向的投影面上，开口投影于投影面上的投影区域部分重迭。
Description
技术领域
本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种可挠性电子装置。
背景技术
随着电子技术的高度发展，电子产品不断推陈出新。电子产品为了可应用于不同领域，可挠曲、轻薄以及外型不受限的特性逐渐受到重视。也就是说，电子产品逐渐被要求需要依据不同的应用方式以及应用环境而有不同的外型，且常因为使用者需求而需被加以挠曲或弯曲。
然而，在可挠式电子产品在挠曲或弯曲的状态下，有可能会因为硬例而造成结构上的断裂，而可能进一步造成内部线路的断路。因此，如何使可挠式电子产品仍具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种可挠性电子装置，其具有较佳的良率或可靠度。
本发明的可挠性电子装置包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区。导电结构包括位于可弯折区上的多个开口，且在平行于延伸方向的投影面上，开口投影于投影面上的投影区域部分重迭。
本发明的可挠性电子装置包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区，位于可弯折区的部分导电结构在任意的一剖面上具有彼此分离的多个导电区，其中剖面的法线方向基本上相同于延伸方向。
本发明的可挠性电子装置包括可挠式导电结构。可挠式导电结构具有一延伸方向。可挠式导电结构包括多个开口，且在平行于延伸方向的一投影面上，开口投影于投影面上的投影区域形成一连续图案。
本发明的可挠性电子装置包括可挠式导电结构。可挠式导电结构具有一延伸方向，其中在垂直于延伸方向的任意剖面上，可挠式导电结构具有多个导电区，且多个导电区彼此分离。
基于上述，本发明提出的一种可挠性电子装置中，其导电结构具有多个开口，且在平行于延伸方向的一投影面上，这些开口投影于投影面上的投影区域部分重迭，以使导电结构在法线方向相同于延伸方向的剖面上可以形成具有彼此分离的多个导电区。因此，可以降低导电结构断路的可能，而可以提升可挠性电子装置的良率或可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置的剖面示意图。
图1B是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置受到外力时所具有对应的挠曲状态的剖面示意图。
图1C是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。
图1D是沿图1C中剖线A-A’的剖面示意图。
图1E是沿图1C中剖线B-B’的剖面示意图。
图2是依照本发明第二实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。
图3是依照本发明第三实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。
图4是依照本发明第四实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。
图5是依照本发明第五实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。
图6A是依照本发明第六实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图6B是沿图6A中剖面R1的剖面示意图。
图7是依照本发明第七实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图8是依照本发明第八实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图9是依照本发明第九实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图10是依照本发明第十实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图11是依照本发明第十一实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。
图12A是依照本发明的比较例的应力分布图。
图12B是依照本发明的测试例的应力分布图。
其中，附图标记：
100、100'、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100：可挠性电子装置
110：可挠性基板
A1：可弯折区
A2：元件区
111：缓冲层
112：电子元件
S：源极
D：漏极
G：栅极
CH：通道层
GI：栅极介电层
113、113a、113b：线路层
120、220、320、420、520、620、720、1120：导电结构
121：延伸方向
122：电流/电子流方向
123：导线宽度
124、224、324、424、520、624、1124：开口
324a：第一子开口
324b、324b'：第二子开口
125：开口间距
126a、226a、326a、426a、526a、626a：第一导线部分
126b、226b、326b、426b、526b、626b：第二导线部分
126c、326c：第三导线部分
726d：第四导线部分
726e：第五导线部分
130：投影面
131：投影区域
140、640a、640b：导电区
150、150b、150c：交会点
1160：导电层
661：第一导电层
662、762：第二导电层
663：导电连接件
626：第一开口
627：第二开口
728：第三开口
X、Y、Z：方向
R1：剖面
P1、P2：最大应力点
具体实施方式
图1A是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置的剖面示意图。图1B是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置受到外力时所具有对应的挠曲状态的剖面示意图。图1C是依照本发明第一实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图1D是沿图1C中剖线A-A’的剖面示意图。图1E是沿图1C中剖线B-B’的剖面示意图。具体而言，为求清晰，图1C至图1D仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。
请同时参照图1A至图1C。在本实施例中，可挠性电子装置100可以包括可挠性基板110、缓冲层111、电子元件112以及导电结构120。可挠性基板110具有可弯折区A1、元件区A2以及联机区A3，元件区A2与联机区A3彼此分离，且可弯折区A1连接于元件区A2与联机区A3之间。缓冲层111覆盖可挠性基板110，电子元件112与导电结构120配置于缓冲层111上，且电子元件112可以与导电结构120电性连接。
可挠性基板110的材料例如是聚亚酰胺(polyimide；PI)或其他可挠性材料，以使具有可挠性基板110的可挠性电子装置100可以在受到外力时对应地被挠曲或弯曲。举例而言，如图1A与图1B所示，在图1A中可挠性电子装置100的一端受到垂直于可挠性基板110方向(如：图1A中的Z方向)的外力时，可以使部分的可挠性基板110(如：可挠性基板110的可弯折区A1)对应地被挠曲或弯曲，且使位于可弯折区A1上的缓冲层111与导电结构120也可以具有对应的挠曲或弯曲，以构成如图1B所示具有挠曲或弯曲状态的可挠性电子装置100’。
一般而言，在可挠性电子装置100的设计上，可以借由元件或膜层的配置，以使可挠性电子装置100所产生的挠曲或弯曲形变可以较为集中于部分的区域(如：可挠性基板110的可弯折区A1)。举例而言，相较于位于可挠性基板110的元件区A2及/或联机区A3上的缓冲层111b，位于可挠性基板110的可弯折区A1上的缓冲层111a可以具有较薄的厚度，以使可挠性基板110的可弯折区A1相较于元件区A2及/或联机区A3可以具有较大的挠曲或弯曲。除此之外，在可挠性基板110的可弯折区A1上，导电结构120也可以借由本实施例或以下任何实施例中的设计方式，以降低导电结构120因挠曲或弯曲所受到的应力，而降低产生断线而导致断路的可能。在一些可行的实施例中，在可挠性基板110的可弯折区A1上，导电结构120也可以直接覆盖在可挠性基板110上。
缓冲层111可以是由无机材料及/或有机材料所构成。前述的无机材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)、氮氧化铝(AlON)、其他类似的材料或上述材料的组合。前述的有机材料所可以为聚硅氮烷、其他类似的高分子材料或上述材料的组合。一般而言，缓冲层111可以为具有良好的绝缘及/或阻水气能力的可挠性材料所构成，以提升可挠性电子装置100的可靠度(reliability)及可挠性。
在本实施例中，电子元件112是以具有源极S、漏极D、栅极G、通道层CH以与门介电层GI的晶体管为例，且电子元件112可以位于可挠性基板110的元件区A2上，但本发明不限于此。在其他实施例中，电子元件112可以是其他类似的主动元件或被动元件，且电子元件112可以位于可挠性基板110的元件区A2及/或可弯折区A1上。举例来说，电子元件112可以为有机发光元件，且有机发光元件的发光区域可以位于可挠性基板110的元件区A2及/或可弯折区A1上。
在本实施例中，导电结构120可以穿过可弯折区A1，以使位于可弯折区A1相对两端的线路层113(即，位于电子元件112一端的线路层113a与相对于电子元件112一端的线路层113b)可以借由穿过可弯折区A1导电结构120而彼此电性连接。换言之，位于可挠性基板110上的导电结构120可以自元件区A2沿一延伸方向121延伸至可弯折区A1。就结构上而言，导电结构120的延伸方向121大致上为导电结构120分别连接线路层113的相对两端所构成的方向。就电路上而言，导电结构120的延伸方向121可以为信号的传递方向，也就是借由导电结构120所传递的电流/电子流方向122。举例而言，如图1A与图1B所示，导电结构120可以于元件区A2内借由线路层113与电子元件112电性连接，且沿着延伸方向121(如：图1A中大致上的X方向或图1C中大致上的电流/电子流方向122)延伸至可弯折区A1。
一般而言，基于导电性、延展性及/或可挠性的考虑，导电结构120可以使用金属材料，但本发明不限于此。在其他实施例中，导电结构120也可以使用石墨烯、奈米碳管或其他类似的可挠性导电材料。在本实施例中，在垂直于导电结构120的延伸方向121上，导线的导线宽度123可以小于10微米(micrometer；μm)。换句话说，导电结构120中彼此相邻最近的两个开口124之间的开口间距125也可以小于10微米。如此一来，可以提升导电结构120的断裂韧性(fracture toughness)而降低其断裂的可能。
请同时参照图1A至图1E，在本实施例中，导电结构120可以包括由多个导线所构成的网状结构，其中部分的导线两两平行。举例而言，在本实施例中，多个导线可以包括多个彼此平行的第一导线部分126a、多个彼此平行的第二导线部分126b以及多个彼此平行的第三导线部分126c。第一导线部分126a、第二导线部分126b以及第三导线部分126c之间彼此不平行，且不同的第一导线部分126a、第二导线部分126b以及第三导线部分126c可以分别相连于不同的一点，以构成如图1C所绘示的网状结构。换句话说，于导电结构120中，可以借由彼此相邻且相连接的第一导线部分126a、第二导线部分126b以及第三导线部分126c以构成多个具有封闭轮廓的开口124，且开口124位于可挠性基板110的可弯折区A1上。在本实施例中，开口124的轮廓具有实质相同的形状，且相邻的两个开口124是以点对称(pointsymmetry)的方式交错配置，但本发明不限于此。
在本实施例中，在平行于导电结构120的延伸方向121的一投影面130上，开口124投影于投影面130上的投影区域131部分重迭且不完全重迭。具体而言，如图1C所示，以可挠性电子装置100未受到外力时的状态为例，可挠性基板110可以位于X方向与Y方向所构成的XY平面(即，纸面)上，导电结构120的延伸方向121大致上可以为X方向，且投影面130可以位于X方向与Z方向所构成的XZ平面上。在图1C中，相邻的两个开口124投影于投影面130上的投影区域131部分重迭且不完全重迭，且这些开口124投影于投影面130上的投影区域131构成一连续图案，且前述的连续图案穿过可弯折区A1。值得注意的是，在图1C所绘示的实施例中，投影面130是以平面为例，在本发明不限于此。在其他实施例中，投影面130也可以是曲面或弧面，只要投影面130上任意一点的法线向量与延伸方向121的向量正交(orthogonal)即可。
如图1C至图1E所示，在垂直于导电结构120的延伸方向121的任意剖面上，位于可弯折区A1的导电结构120在前述的剖面上可以具有彼此分离的多个导电区140。举例而言，如图1D所示，在相邻的两个开口124未重迭的区域，导电结构120在剖面上可以具有由两个彼此分离的第一导线部分126a所构成的导电区140。并且，如图1E所示，在相邻的两个开口124部分重迭的区域，导电结构120在剖面上可以具有由两个彼此分离的第一导线部分126a及一个第二导线部分126b所构成的导电区140。施加于结构上的应力会集中于几何结构上不连续(不平滑)区域，而相较于网状结构的其他部分，这些区域由于应力的集中而较容易产生断裂，且断裂的裂纹方向大致上垂直于导电结构120的延伸方向121。一般而言，网状结构的不连续区域大多是在交会点150的附近。因此，借由交错配置的开口124可以使各个交会点150(如：第一导线部分126a与第二导线部分126b的交会点150b或第一导线部分126a与第三导线部分126c的交会点150c)不会在同一个剖面上。如此一来，借由具有上述网状的导电结构120，可以使导电结构120上的应力值降低，以降低导电结构120因受力而断裂的可能。并且，在可挠性电子装置100在受到外力而具有的对应挠曲状态下，纵使部分的导电结构120在交会点150附近可能因材料的疲劳而导致断裂，但仍可以使导电结构120的断裂面止于开口124，而使导电结构120仍可以传递电子信号，因而可以提升可挠性电子装置100的良率或可靠度。
在本实施例中，缓冲层111可以填充于开口124内，但本发明不限于此。在一些实施例中，缓冲层111可以更覆盖于导电结构120上，以使导电结构120可以嵌入于缓冲层111。
图2是依照本发明第二实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。具体而言，为求清晰，图2仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图1C与图2，本实施例的可挠性电子装置200与上述实施例的可挠性电子装置100类似，差别在于：导电结构220的开口224可以具有不同的配置方式。
在本实施例中，导电结构220可以包括由多个导线所构成的网状结构，且多个导线可以包括多个彼此平行的第一导线部分226a以及多个彼此平行的第二导线部分226b，且第一导线部分226a垂直于第二导线部分226b。如此一来，借由彼此相邻且相连接的第一导线部分226a以及第二导线部分226b以构成多个具有矩形轮廓的开口224。在本实施例中，开口224的轮廓大小可以不同，且相邻的两个开口224交错配置。
图3是依照本发明第三实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。具体而言，为求清晰，图3仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图1C与图3，本实施例的可挠性电子装置300与上述实施例的可挠性电子装置100类似，差别在于：导电结构320的开口324可以具有不同的配置方式。
在本实施例中，开口324包括第一子开口324a以及位于第一子开口324a相对两侧的多个第二子开口324b，其中第一子开口324a具有以第一导线部分326a以及第二导线部分326b所构成的封闭轮廓，且第二子开口324b具有以第一导线部分326a、第二导线部分326b以及第三导线部分326c所构成的封闭轮廓。在同一个开口324中，第一子开口324a与第二子开口324b投影于投影面130(如图1C所示)上的投影区域131部分重迭。在相邻且交错配置的两个开口324中，且位于两个第一子开口324a之间的两个第二子开口324b、324b’在投影面130上所形成的投影区域131可以完全重迭。
图4是依照本发明第四实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。具体而言，为求清晰，图4仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图1C与图4，本实施例的可挠性电子装置400与上述实施例的可挠性电子装置100类似，差别在于：导电结构420的开口424可以具有不同的配置方式。
在本实施例中，导电结构420可以包括由多个导线所构成的网状结构，且多个导线可以包括多个彼此平行的第一导线部分426a以及多个彼此平行的第二导线部分426b。第一导线部分426a为具有曲折状的图案线路，第二导线部分426b沿着第一导线部分426a的图案方向交错配置，且第二导线部分426b在第一导线部分426a的转折点将相邻的两个第一导线部分426a彼此连接。如此一来，由彼此相邻且相连接的第一导线部分426a以及第二导线部分426b所可以构成的具有类似于曲折状轮廓的开口424，且相邻的两个开口424交错配置。
图5是依照本发明第五实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。具体而言，为求清晰，图5仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图1C与图5，本实施例的可挠性电子装置500与上述实施例的可挠性电子装置100类似，差别在于：导电结构520的开口524可以具有不同的配置方式。
在本实施例中，导电结构520可以包括由多个导线所构成的网状结构，且多个导线可以包括多个彼此平行的第一导线部分526a以及多个彼此平行的第二导线部分526b。如此一来，借由彼此相邻且相连接的第一导线部分526a以及第二导线部分526b所构成的开口524具有点对称的轮廓，且相邻的两个开口524交错配置。
图6A是依照本发明第六实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图6B是沿图6A中剖面R1的剖面示意图。具体而言，为求清晰，图6A仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图2与图6A，本实施例的可挠性电子装置600与上述实施例的可挠性电子装置100类似，差别在于：导电结构620具有立体网状结构。
在本实施例中，导电结构620可以是由第一导电层661、第二导电层662以及多个导电连接件663所构成，且导电连接件663连接于第一导电层661与第二导电层662之间。第一导电层661以及第二导电层662可以借由一般电子元件工艺中常用的沉积及蚀刻等图案化的工艺所形成，且导电连接件663可以为导电通孔(conductive via)，故于此对于第一导电层661、第二导电层662以及导电连接件663不加以赘述。
在本实施例中，导电结构620的开口624可以包括多个第一开口626以及多个第二开口627。第一导电层661可以包括多个彼此平行的第一导线部分626a以及多个彼此平行的第二导线部分626b，且彼此相邻且相连接的第一导线部分626a以及第二导线部分626b可以构成具有封闭轮廓的第一开口626。第一导电层661的第一导线部分626a、两个相邻的导电连接件663与第二导电层662可以构成第二开口627。第一开口626与第二开口627在平行于延伸方向121的投影面130(如：图1C所示)上部分重迭。值得注意的是，为求精简以简单表示，在图6A中，仅示例性地绘示一个导电连接件663，但导电结构620中其他未绘示出的导电连接件663可以位于相邻的两个第二导线部分626b之间。
就结构上而言，如图6B所示，在垂直于导电结构120的延伸方向121的任意剖面上，位于可弯折区A1的导电结构120在前述的剖面上可以具有彼此分离的多个导电区640a、640b，且该些导电区640a、640b呈非直线形分布。举例而言，如图6B所示，在两个相邻的第二开口627之间(即，位于导电连接件663上)的剖面上，部分的第一导电层661所构成的导电区640a不位于导电连接件663所构成的导电区640b的延伸方向上。除此之外，在第一开口626与第二开口627重迭区域的剖面(未绘示)上，两个彼此分离的第一导线部分626a与第二导电层662所构成的导电区可以呈三角形分布。
由于本实施例中具有上述立体网状的导电结构620，因此纵使在可挠性电子装置600在受到外力而具有的对应挠曲或扭曲(twist)状态下，部分的导电结构620因材料的疲劳而导致断裂，但仍可以使导电结构620的断裂面止于第一开口626或第二开口627，而使导电结构620仍可以传递电子信号，因而可以提升可挠性电子装置600的良率或可靠度。
图7是依照本发明第七实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。具体而言，为求清晰，图7仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图7与图6，本实施例的可挠性电子装置800与上述实施例的可挠性电子装置600类似，差别在于：导电结构720的第二导电层762可以具有多个第三开口728。
在本实施例中，导电结构720的开口724可以包括多个第一开口626、多个第二开口627以及多个第三开口728。第二导电层762可以包括多个彼此平行的第四导线部分726d以及多个彼此平行的第五导线部分726e，且彼此相邻且相连接的第四导线部分726d以及第五导线部分726e可以构成具有封闭轮廓的第三开口728。在本实施例中，第二导电层762的布局(layout)设计可以类似于第一导电层661，但本发明不限于此。
在本实施例中，在平行于延伸方向121的投影面130(如：图1C所示)上，彼此相邻的第二开口627与第一开口626部分重迭且不完全重迭，且彼此相邻的第二开口627与第三开口728部分重迭且不完全重迭。如此一来，位于可弯折区A1的部分导电结构120在任意的剖面上可以具有彼此分离的多个导电区。
图8是依照本发明第八实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。具体而言，为求清晰，图8仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图8与图7，本实施例的可挠性电子装置800与上述实施例的可挠性电子装置700类似，差别在于：第二导线部分126b与第五导线部分726e于投影面130(如：图1C所示)上不重迭。如此一来，第一开口626与第三开口728可以部分重迭且不完全重迭。
图9是依照本发明第九实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。具体而言，为求清晰，图9仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图9与图7，本实施例的可挠性电子装置900与上述实施例的可挠性电子装置700类似，差别在于：多个导电连接件663可以交错配置。换言之，在平行于延伸方向121的投影面130(如：图1C所示)上，多个导电连接件663可以不重迭。
图10是依照本发明第十实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。具体而言，为求清晰，图10仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图10与图7，本实施例的可挠性电子装置1000与上述实施例的可挠性电子装置700类似，差别在于：第一开口626的开口区域可以小于第三开口728的开口区域。换言之，第三开口728的部分开口区域可以与第一开口626完全重迭。
图11是依照本发明第十一实施例的可挠性电子装置1100的部分立体示意图。具体而言，为求清晰，图11仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请参考图11与图2，本实施例的可挠性电子装置1100与上述实施例的可挠性电子装置200类似，差别在于：导电结构1120的是以垂直于可挠性基板110的方式配置。具体而言，导电结构1120可以是由多个导电层1160及位于导电层1160之间的导电连接件663所构成。且由个导电层1160与导电连接件663可以构成多个开口1124。在本实施例中，开口1124的轮廓大小可以不同，且相邻的两个开口1124交错配置。
测试例
为了证明在相同的桡曲或弯曲程度下，借由本发明的导电结构可以降低应力，特别以下列测试例作为说明。然而，这些测试例在任何意义上均不解释为限制本发明的范畴。
请同时参考图12A及图12B。在下列的比较例与测试例中，是利用仿真软件计算在相同的桡曲或弯曲程度下，不同的导电结构的应力分布图。图12A是依照本发明的比较例的应力分布图。图12B是依照本发明的测试例的应力分布图。具体而言，图12B中的导电结构可以类似于图1C中的导电结构120。比较例的导电结构与测试例的导电结构具有类似的网状结构，差别仅在于：在测试例中，相邻的两个开口在一平行于延伸方向的投影面上的投影区域部分重迭。并且，于测试例中，最大导线宽度小于10微米。换句话说，导电结构中彼此相邻最近的两个开口之间的开口间距也小于10微米。
如图12A及图12B所示，在相同的桡曲或弯曲程度下，在图12A的比较例中，最大应力点P1所对应的应力值约为1150MPa，而在图12A的测试例中，最大应力点P1所对应的应力值约为1100MPa。也就是说，在相同的桡曲或弯曲程度下，借由本发明的导电结构所对应的应力值降低，以降低导电结构因受力而断裂的可能，因而可以提升可挠性电子装置的良率或可靠度。
综上所述，在本发明的可挠性电子装置中，导电结构可以具有多个开口，且在平行于延伸方向的一投影面上，这些开口投影于投影面上的投影区域部分重迭。换言之，导电结构120在任意的剖面上可以形成具有彼此分离的多个导电区，其中剖面的法线方向基本上相同于延伸方向。如此一来，在可挠性电子装置在受到外力时而被挠曲或弯曲时，导电结构对应受到的应力值可以降低，而可以降低导电结构因受力而断裂的可能。除此之外，纵使部分的导电结构可能因材料的疲劳而导致断裂，但仍可以使导电结构的断裂面止于开口，而使导电结构仍可以传递电子信号。如此一来，可以降低导电结构断路的可能，而可以提升可挠性电子装置的良率或可靠度。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (25)
1.一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：
一可挠性基板，具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区；以及
一导电结构，位于该可挠性基板上且自该元件区沿一延伸方向延伸至该可弯折区，该导电结构包括位于该可弯折区上的多个开口，且在平行于该延伸方向的一投影面上，该些开口投影于该投影面上的投影区域部分重迭。
2.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口投影于该投影面上的投影区域形成一连续图案。
3.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口投影于该投影面上的投影区域不完全重迭。
4.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口的间距小于10微米。
5.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该投影面更垂直于该可挠性基板的该可弯折区。
6.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口包括一第一子开口以及相邻于该第一子开口的多个第二子开口，其中该第一子开口与该些第二子开口投影于该投影面上的投影区域部分重迭，且该些第二子开口在该投影面上所形成的投影区域完全重迭。
7.根据权利要求6所述的可挠性电子装置，其特征在于，该第一子开口的轮廓与该些第二子开口的轮廓分别为不同的几何形状。
8.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，部分的该些开口的轮廓具有相同的形状。
9.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口沿该延伸方向交错配置。
10.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，更包括：
一缓冲层，位于该可挠性基板与该导电结构之间。
11.根据权利要求10所述的可挠性电子装置，其特征在于，该缓冲层更填充于该些开口。
12.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口包括多个第一开口以及多个第二开口，且该导电结构包括：
第一导电层，具有该些第一开口；
第二导电层，其中该第一导电层位于该可挠性基板以及该第二导电层之间；以及
多个导电连接件，连接于该第一导电层与该第二导电层之间，且该第一导电层、该些导电连接件与该第二导电层构成该些第二开口，其中该些第一开口与该些第二开口部分重迭。
13.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口包括多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口，且该导电结构包括：
第一导电层，具有该些第一开口；
第二导电层，具有该些第三开口，其中该第一导电层位于该可挠性基板以及该第二导电层之间；以及
多个导电连接件，连接于该第一导电层与该第二导电层之间，且该第一导电层、该些导电连接件与该第二导电层构成该些第二开口，其中：
该些第二开口与该些第一开口部分重迭；或
该些第二开口与该些第三开口部分重迭。
14.一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：
一可挠性基板，具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区；以及
一导电结构，位于该可挠性基板上且自该元件区沿一延伸方向延伸至该可弯折区，位于该可弯折区的部分该导电结构在任意的一剖面上具有彼此分离的多个导电区，其中该剖面的法线方向基本上相同于该延伸方向。
15.根据权利要求14所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些导电区彼此重迭。
16.根据权利要求14所述的可挠性电子装置，其特征在于，该导电结构包括一网状结构，且该网状结构包括相连的多个导线。
17.根据权利要求16所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些导线的宽度小于10微米。
18.根据权利要求16所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些导线两两平行。
19.根据权利要求16所述的可挠性电子装置，其特征在于，部分的该些导线两两平行，且其余部分的该些导线两两不平行。
20.根据权利要求19所述的可挠性电子装置，其特征在于，彼此不平行的该些导线相连于一点。
21.根据权利要求14所述的可挠性电子装置，其特征在于，更包括：
一缓冲层，位于该可挠性基板与该导电结构之间。
22.根据权利要求21所述的可挠性电子装置，其特征在于，该导电结构更嵌入于该缓冲层。
23.根据权利要求14所述的可挠性电子装置，其特征在于，在部分的该些剖面上，该些导电区呈非直线形分布。
24.一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：
一可挠式导电结构，具有一延伸方向，该可挠式导电结构包括多个开口，且在平行于该延伸方向的一投影面上，该些开口投影于该投影面上的投影区域形成一连续图案。
25.一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：
一可挠式导电结构，具有一延伸方向，其中在垂直于该延伸方向的任意剖面上，该可挠式导电结构具有多个导电区，且该些导电区彼此分离。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109859625A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
| CN110751902A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| CN111199685A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-26 | 群创光电股份有限公司 | 拼接装置和电子装置 |
| CN111754867A (zh) * | 2020-01-31 | 2020-10-09 | 友达光电股份有限公司 | 可弯折显示设备 |
| CN111768702A (zh) * | 2019-07-24 | 2020-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性电子装置 |
| CN112530285A (zh) * | 2020-01-14 | 2021-03-19 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN113744650A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种阵列基板及柔性显示装置 |
| CN114694510A (zh) * | 2018-06-26 | 2022-07-01 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI804315B (zh) * | 2022-05-16 | 2023-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 可拉伸畫素陣列基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005337874A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
| US7906784B2 (en) * | 2005-02-25 | 2011-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN107004617A (zh) * | 2014-12-10 | 2017-08-01 | 乐金显示有限公司 | 具有桥接配线迹线的柔性显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6216545B1 (en) * | 1995-11-14 | 2001-04-17 | Geoffrey L. Taylor | Piezoresistive foot pressure measurement |
| US8933468B2 (en) * | 2012-03-16 | 2015-01-13 | Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing | Electronic device with reduced non-device edge area |
| US9195354B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-11-24 | Synaptics Incorporated | Device and method for localized force and proximity sensing |
| US9425418B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-08-23 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same |
-
2017
- 2017-11-15 TW TW106139568A patent/TWI645389B/zh active
- 2017-12-18 CN CN201711364038.7A patent/CN108122884B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005337874A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
| US7906784B2 (en) * | 2005-02-25 | 2011-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN107004617A (zh) * | 2014-12-10 | 2017-08-01 | 乐金显示有限公司 | 具有桥接配线迹线的柔性显示装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114694510A (zh) * | 2018-06-26 | 2022-07-01 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| CN110751902A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| US11251383B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-02-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US11785832B2 (en) | 2018-07-24 | 2023-10-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN109859625A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
| US11217519B2 (en) | 2018-11-06 | 2022-01-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display panel and display device |
| CN111199685A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-26 | 群创光电股份有限公司 | 拼接装置和电子装置 |
| CN113744650A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种阵列基板及柔性显示装置 |
| CN111768702A (zh) * | 2019-07-24 | 2020-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性电子装置 |
| CN112530285A (zh) * | 2020-01-14 | 2021-03-19 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN111754867A (zh) * | 2020-01-31 | 2020-10-09 | 友达光电股份有限公司 | 可弯折显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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