CN108121478A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108121478A CN108121478A CN201711203007.3A CN201711203007A CN108121478A CN 108121478 A CN108121478 A CN 108121478A CN 201711203007 A CN201711203007 A CN 201711203007A CN 108121478 A CN108121478 A CN 108121478A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sensor
- light
- display device
- exemplary embodiment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 226
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 101100214494 Solanum lycopersicum TFT4 gene Proteins 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 12
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 11
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 11
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101710151841 Farnesyl pyrophosphate synthase 1 Proteins 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- -1 wherein Substances 0.000 description 3
- 101710151842 Farnesyl pyrophosphate synthase 2 Proteins 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical class O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
- G06F3/0487—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser
- G06F3/0488—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
- G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
- B32B2307/412—Transparent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04106—Multi-sensing digitiser, i.e. digitiser using at least two different sensing technologies simultaneously or alternatively, e.g. for detecting pen and finger, for saving power or for improving position detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一基体层;电路层,设置在第一基体层上并且包括多个开关元件;像素层,设置在电路层上并且包括发光元件,其中,发光元件被构造为从多个开关元件中的至少一个接收电流,以发射第一光;以及传感器层,设置在第一基体层下方并且包括传感器,其中,传感器被构造为接收当第一光被外部物体反射时产生的第二光。
Description
本申请要求于2016年11月28日提交的第10-2016-0159634号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种用于识别用户的指纹的显示装置。
背景技术
显示装置可以通过触摸感测单元识别与屏幕接触的用户的手指。存在可以通过触摸感测单元执行的各种类型的触摸感测方法,诸如电阻膜型方法、光学型方法、静电电容型方法和超声波型方法。在这些方法中,当触摸产生装置(例如,手指)与显示装置的屏幕接触时,静电电容型通过使用电容器并且检测电容器中的电容的变化来检测触摸是否发生。
诸如智能电话和平板个人计算机(PC)的个人移动装置使用这样的显示装置。随着移动装置越来越多地用于存储敏感的、个人的以及财务的信息,它们需要附加的安全性。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,显示装置包括:第一基体层;电路层,设置在第一基体层上并且包括多个开关元件;像素层,设置在电路层上并且包括发光元件,其中,发光元件被构造为从多个开关元件中的至少一个接收电流,以发射第一光;以及传感器层,设置在第一基体层下方并且包括传感器,其中,传感器被构造为接收当第一光被外部物体反射时产生的第二光。
在本发明构思的示例性实施例中,第二光穿过第一基体层。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器层还包括安装传感器的第二基体层。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器包括光电二极管或光电晶体管。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器层还包括与传感器叠置的光学透镜。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括设置在第一基体层与传感器层之间并具有与传感器对应的开口的粘合层。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括设置在像素层上的触摸感测电路。
在本发明构思的示例性实施例中,外部物体是指纹。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括被构造为检测由传感器接收的第二光与第一光之间的变化的传感器控制电路,其中,检测到的变化用于识别指纹。
在本发明构思的示例性实施例中,发光元件是有机发光二极管(OLED)。
根据本发明构思的示例性实施例,显示装置包括:基体层,被构造为透射入射光的至少一部分;电路层,设置在基体层上并且包括多个开关元件;像素层,设置在电路层上并且包括多个发光元件,其中,发光元件被构造为从多个开关元件接收电流,以发射光;以及传感器层,设置在基体层下方并且包括被构造为接收从多个发光元件中的至少一个发射并被外部物体反射的光的第一传感器。在本发明构思的示例性实施例中,基体层包括至少部分透明的材料。
在本发明构思的示例性实施例中,外部物体是指纹。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括设置在像素层上的触摸感测电路。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括设置在触摸感测电路上的窗构件。
在本发明构思的示例性实施例中,其中,第一传感器包括具有底栅结构的晶体管。
在本发明构思的示例性实施例中,其中,指纹接触区与指纹和窗构件接触的区域对应,当指纹与窗构件接触时,由与指纹接触区叠置的发光元件产生白光。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器层还包括与第一传感器相邻的第二传感器,其中,第一传感器和第二传感器彼此分隔开,第一传感器和第二传感器之间的间隔距离在大约20μm与大约100μm之间。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器层还包括分别相应地设置在第一传感器和第二传感器上的多个光学透镜。
在本发明构思的示例性实施例中,传感器层还包括粘合层,其中,粘合层包括与第一传感器和第二传感器对应的多个开口。
根据本发明构思的示例性实施例,显示装置包括:基体层;电路层,设置在基体层上并且包括开关元件;像素层,设置在电路层上并且包括连接到开关元件的第一发光元件,其中,第一发光元件被构造为发射第一光;以及传感器层,设置在电路层下方并且包括传感器,传感器包括被构造为接收当第一光由于指纹而被反射时产生的第二光的晶体管。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括设置在像素层上方的触摸感测电路和设置在触摸感测电路上的窗构件。
在本发明构思的示例性实施例中,显示装置还包括第二发光元件,其中,当指纹触摸窗构件时,第二发光元件发射白光。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的以上和其它特征将变得更明显,在附图中:
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图;
图2A和图2B是示出用户的手指与图1中示出的显示装置接触的透视图;
图3是示出图1中示出的显示装置的截面的一部分的图;
图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板的平面图;
图5是根据本发明构思的示例性实施例的像素的电路图;
图6是根据本发明构思的示例性实施例的传感器层的平面图;
图7是根据本发明构思的示例性实施例的传感器的电路图;
图8是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的框图;
图9是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板和传感器层的局部剖视图;
图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板和传感器层的局部剖视图;
图11是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板和传感器层的局部剖视图;
图12是根据本发明构思的示例性实施例的传感器的电路图;
图13是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图;以及
图14是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。将理解的是,当组件(或,区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时,该组件可以直接在另一组件上、直接连接到或直接结合到另一组件,或者可以存在中间组件。
在附图中,同样的附图标记可以表示同样的元件。此外,在附图中,为了清楚起见,可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。此外,除非上下文另外清楚地表示,否则单数表述可以包括复数表述。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD的透视图。图2A和图2B是示出用户的手指FG与图1中示出的显示装置DD接触的透视图。
显示图像IM的显示表面IS是显示装置DD的在第一方向轴DR1和第二方向轴DR2上延伸的表面。第一方向轴DR1与第二方向轴DR2交叉。第三方向轴DR3表示显示表面IS的垂直方向,即,显示装置DD的厚度方向。显示装置DD的前表面(或,例如,上表面)和后表面(或,例如,下表面)是就第三方向轴DR3而言的。在下文中,第一方向至第三方向表示第一至第三方向轴DR1、DR2和DR3表示的相同附图标记的各个方向。
显示装置DD可以用于除了诸如电视机和监视器的大型电子装置之外的诸如移动电话、平板电脑、汽车导航装置、游戏控制台和智能手表的中小型电子装置。
参照图1,显示装置DD的显示表面IS可以包括多个区域。显示表面IS可以包括显示图像IM的显示区DD-DA和与显示区DD-DA相邻的非显示区DD-NDA。非显示区DD-NDA是无图像被显示的区域。图1示出了作为图像IM的一个示例的应用程序图标。作为一个示例,显示区DD-DA可以具有矩形形式。非显示区DD-NDA可以围绕显示区DD-DA。然而,本发明构思不限于此,非显示区DD-NDA可以仅部分地围绕显示区DD-DA。
参照图2A,显示装置DD可以识别用户的手指FG的指纹FP。根据本发明构思的示例性实施例,指纹FP可被识别的区域可以位于显示区DD-DA中。例如,当用户的手指FG的指纹FP与显示区DD-DA接触时,显示装置DD可以扫描或者检测用户的手指FG的指纹FP。
显示装置DD可以识别用户的指纹FP,以确定用户是否是显示装置DD的授权用户。例如,用户的指纹FP可以用于移动装置安全性、金融交易和***控制等。
根据本发明构思的示例性实施例,仅显示区DD-DA的一部分可以识别指纹FP。根据本发明构思的示例性实施例,非显示区DD-NDA可以识别指纹FP。
参照2B,用户的手指FG与显示区DD-DA接触的区域可以是指纹接触区FCA。当手指FG与显示区DD-DA接触的位置改变时,指纹接触区FCA的位置可以改变为与其对应的区域。
从指纹接触区FCA发射的光可以是白色的。因为白光的反射率比其它颜色的光的反射率高,所以当使用白光来识别指纹FP时,可以增大显示装置DD对指纹FP的识别率。例如,发射的白光可以在显示区DD-DA中在手指FG周围形成白色圆形形状。
图3是示出图1中示出的显示装置DD的截面的一部分的图。
显示装置DD中包括保护膜PM、窗WM(例如,窗构件)和显示模块DM。显示模块DM设置在保护膜PM与窗WM之间。显示装置DD还可以包括第一粘合构件和第二粘合构件。第一粘合构件可以使显示模块DM和保护膜PM结合,第二粘合构件可以使显示模块DM和窗WM结合。根据本发明构思的示例性实施例,保护膜PM和窗WM中的每个可以通过涂覆工艺连续地形成。
根据本发明构思的示例性实施例,第一粘合构件和第二粘合构件中的每个可以是光学透明粘合剂(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)膜或压敏粘合剂(PSA)膜。根据本发明构思的示例性实施例,第一粘合构件和第二粘合构件中的每个可以包括光固化粘合材料或热固性粘合材料。然而,第一粘合构件和第二粘合构件的材料不限于此。
保护膜PM可以保护显示模块DM。保护膜PM可以防止外部湿气渗透显示模块DM并且可以吸收外部冲击。
保护膜PM可以包括作为基体层的塑料膜。保护膜PM可以包括包含聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)和它们的组合中的一种的塑料膜。
构成保护膜PM的材料不限于塑料树脂,并且可以包括有机/无机复合材料。保护膜PM可以包括填充在多孔有机层的孔中的无机材料和有机层。保护膜PM还可以包括形成在塑料膜处的功能层。功能层可以包括树脂层。功能层可以通过涂覆方法形成。
窗WM可以保护显示模块DM免受外部冲击并且可以向用户提供触摸感测表面。图1至图2B中示出的显示表面IS可以是用于检测用户是否正在触摸显示表面IS的触摸感测表面。此外,显示表面IS可以是用于扫描或者检测用户的指纹FP的指纹识别表面。
根据本发明构思的示例性实施例,显示模块DM可以包括显示面板DP、触摸感测电路TS和传感器层FPS。
显示面板DP包括多个发光元件。显示面板DP产生与输入的图像数据对应的图像IM(参见,例如,图1)。形成显示面板DP的工艺可以包括低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺。
触摸感测电路TS设置在显示面板DP上。触摸感测电路TS可以获得外部输入(例如,与显示表面IS的区域接触的手指FG)的坐标信息。触摸感测电路TS可以直接设置在显示面板DP的一个表面上。根据本发明构思的示例性实施例,触摸感测电路TS可以通过连续工艺与显示面板DP一起制造。然而,本发明构思不限于此。例如,触摸感测电路TS和显示面板DP可以彼此单独地制造,触摸感测电路TS可以附着到显示面板DP。在本发明构思的示例性实施例中,触摸感测电路TS可以设置在像素层ELL上(参见,例如,图9)。
根据本发明构思的示例性实施例,触摸感测电路TS可以是单层型。例如,触摸感测电路TS可以包括单导电层。这里,单导电层意味着不被绝缘层分离的导电层。第一金属层、第二金属层和金属氧化物层的层叠结构可以与单导电层对应,第一金属层、绝缘层和金属氧化物层的层叠结构可以与双导电层对应。然而,本发明构思不限于此,触摸感测电路TS可以是包括多个导电层的多层型。
通过使单导电层图案化来形成多个触摸传感器和多条触摸信号线。例如,触摸感测电路TS的触摸传感器可以设置在同一层上。触摸传感器可以直接设置在薄膜密封层TFE(参见,例如,图9)上。此外,触摸信号线中的每条触摸信号线的一部分可以与触摸传感器设置在同一层上。
根据本发明构思的示例性实施例,触摸信号线和触摸传感器可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、金属纳米线和/或石墨烯。根据本发明构思的示例性实施例,触摸信号线和触摸传感器可以包括例如钼、银、钛、铜、铝或它们的合金的金属层。触摸信号线和触摸传感器可以包括相同的材料或不同的材料。
传感器层FPS设置在显示面板DP下方。传感器层FPS可以包括用于识别手指FG的指纹FP的多个传感器SN(参见,例如,图6)。
从显示面板DP中的发光元件发射的光L1(在下文中被称为第一光)入射到指纹FP的峰或谷。由指纹FP的峰或谷反射的光L2(在下文中被称为第二光)入射在传感器层FPS的传感器SN(参见,例如,图6)中的至少一个上。显示装置DD可以通过使用第一光L1和第二光L2来识别用户的指纹FP,稍后将描述其详细描述。
根据本发明构思的示例性实施例的显示模块DM还可以包括抗反射层。抗反射层可以包括滤色器或者导电层、电介质层和导电层的层叠结构。抗反射层可以通过吸收从外部入射到显示表面IS的光、使从外部入射到显示表面IS的光相消干涉或偏振来减少外部光反射。
图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP的平面图。图5是根据本发明构思的示例性实施例的像素PX的电路图。
参照图4,在平面上,显示面板DP包括显示区DA和非显示区NDA。显示面板DP的显示区DA和非显示区NDA分别与显示装置DD(参见,例如,图1)的显示区DD-DA(参见,例如,图1)和非显示区DD-NDA(参见,例如,图1)对应。显示面板DP的显示区DA和非显示区NDA可以不与显示装置DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA相同,显示面板DP可以根据显示面板DP的结构/设计而变化。
显示面板DP包括多条信号线SGL和多个像素PX。多个像素PX可以设置在显示区DA中。在该实施例中,非显示区NDA可以是围绕显示区DA的***区。
多条信号线SGL包括栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。栅极线GL分别连接到多个像素PX之中的相应像素PX,数据线DL分别连接到多个像素PX之中的相应像素PX。电力线PL连接到多个像素PX。连接到栅极线GL的栅极驱动电路DCV可以设置在非显示区NDA的一侧处。控制信号线CSL可以向栅极驱动电路DCV提供控制信号。
栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL中的一些可以设置在同一层上,它们中的一些可以设置在不同的层上。栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL中的布置在任何一个层上的信号线可以被视为第一信号线。设置在另一层上的信号线可以被视为第二信号线。设置在又一层上的信号线可以被视为第三信号线。
栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL中的每条包括信号布线部和连接到信号布线部的端部的显示面板焊盘PD-DP。信号布线部可以是除了栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL的显示面板焊盘PD-DP之外的部分。
显示面板焊盘PD-DP可以与用于驱动像素PX的晶体管通过同一工艺形成。例如,显示面板焊盘PD-DP可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。
根据本发明构思的示例性实施例,显示面板焊盘PD-DP可以包括控制焊盘CSL-P、数据焊盘DL-P和电力焊盘PL-P。栅极焊盘部可以与栅极驱动电路DCV叠置并且可以连接到栅极驱动电路DCV。非显示区NDA的控制焊盘CSL-P、数据焊盘DL-P和电力焊盘PL-P在其处对齐的部分可被称为焊盘区。如后面描述的,触摸感测电路TS(参见,例如,图3)的焊盘可以设置为与上述的显示面板DP的焊盘相邻。
图5是连接到任何一条栅极线GL、任何一条数据线DL以及电力线PL的像素PX的示例。然而,像素PX的构造不限于此,并且可以被修改。
像素PX包括作为显示元件的发光元件LM。发光元件LM可以是顶发光型二极管或底发光型二极管。此外,发光元件LM可以是双面发光型二极管。发光元件LM可以是有机发光二极管。像素PX包括作为用于驱动发光元件LM的电路的第一晶体管TFT1(或,例如,开关晶体管)、第二晶体管TFT2(或,例如,驱动晶体管)和电容器CP。发光元件LM通过从第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2提供的电信号而产生光。
第一晶体管TFT1响应于施加到栅极线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器CP充入与从第一晶体管TFT1接收的数据信号对应的电压。
第二晶体管TFT2连接到发光元件LM。第二晶体管TFT2控制与存储在电容器CP中的电荷量对应的流经发光元件LM的驱动电流。发光元件LM可以在第二晶体管TFT2的导通状态期间发光。
此外,像素PX通过电力线PL接收第一电压ELVDD。此外,电力线PL连接到第二晶体管TFT2。像素PX也接收第二电压ELVSS。
图6是根据本发明构思的示例性实施例的传感器层FPS的平面图。图7是根据本发明构思的示例性实施例的传感器SN的等效电路图。
参照图6,在平面上,传感器层FPS包括指纹识别区FPA和非指纹识别区NFPA。传感器层FPS的指纹识别区FPA和非指纹识别区NFPA可以分别与显示装置DD(参见,例如,图1)的显示区DD-DA(参见,例如,图1)和非显示区DD-NDA(参见,例如,图1)对应。传感器层FPS的指纹识别区FPA和非指纹识别区NFPA可以不与显示装置DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA相同,并且可以根据传感器层FPS的结构/设计而变化。
传感器层FPS包括多条扫描线SL、多条引出线RL和多个传感器SN。多个传感器SN可以布置在指纹识别区FPA上。
扫描线SL分别连接到多个传感器SN之中的相应传感器SN,引出线RL分别连接到多个传感器SN之中的相应传感器SN。
多个传感器SN之中的相邻传感器SN之间的间隔距离可以为大约3μm或更大且大约120μm或更小。传感器SN之间的间隔距离可以为大约20μm或更大且大约100μm或更小。如果传感器SN之间的间隔距离大于100μm,那么它可能不能够获得具有用于识别指纹FP的足够分辨率的扫描图像。如果间隔距离小于20μm,那么用于识别指纹FP的工艺会变得复杂,并且会增加制造成本。
连接到扫描线SL的扫描驱动电路SCV可以设置在非指纹识别区NFPA的一侧处。在本发明构思的示例性实施例中,扫描驱动电路SCV可以与栅极驱动电路DCV(参见,例如,图4)相同。
连接到引出线RL的引出电路RCV可以设置在非指纹识别区NFPA的一侧处。在本发明构思的示例性实施例中,从外部集成电路施加的信号可以被施加到引出线RL而没有引出电路RCV。
扫描线SL和引出线RL中的每条可以包括连接到它们的一端的传感器焊盘PD-SN。
传感器焊盘PD-SN可以与用于驱动传感器SN的晶体管通过同一工艺形成。例如,传感器焊盘PD-SN可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。
可以向扫描线SL顺序地供应扫描信号,引出线RL可以接收从传感器SN输出的信号并且将信号传递到引出电路RCV。在本发明构思的示例性实施例中,可以将从传感器SN输出的信号传递到处理信号的另一电路。
图7是连接到一条扫描线SL和一条引出线RL的传感器SN的示例。传感器SN的构造不限于此并且可以被修改。
传感器SN可以包括第三晶体管TFT3、第四晶体管TFT4和感测电容器CP-SN。
关于作为开关元件的第三晶体管TFT3,第三晶体管TFT3的控制电极连接到扫描线SL,第三晶体管TFT3的输出电极连接到引出线RL,第三晶体管TFT3的输入电极连接到感测电容器CP-SN。此外,第四晶体管TFT4的输入电极连接到输入电压线VDD,第四晶体管TFT4的输出电极连接到感测电容器CP-SN,第四晶体管TFT4的控制电极连接到共电压线VSS。
当向第四晶体管TFT4供应从外部物体反射的光时,因为由非晶硅或多晶硅形成的沟道部分的半导体形成电流,所以电流可以通过输入到输入电压线VDD的输入电压流向感测电容器CP-CN和第三晶体管TFT3。例如,第四晶体管TFT4是光电晶体管。作为将光能转换成电能的一种类型的光学传感器的光电晶体管利用基于光的强度产生电流的光电效应。光电晶体管此时通过使用晶体管来放大光电流。
当向扫描线SL输入选择信号时,电流流经引出线RL。
根据本发明构思的示例性实施例,像素PX的数量和传感器SN的数量可以彼此不同。传感器SN的数量可以比像素PX的数量小,但是本发明构思不限于此。
图8是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD的框图。参照图8,根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD还可以包括传感器控制电路SC和显示驱动电路PC。
传感器控制电路SC可以控制传感器层FPS的操作,并且可以在通过传感器层FPS接收到光时检测光变化量来识别用户的指纹FP。例如,光变化量可以与入射到指纹FP并由发光元件LM产生的光(例如,第一光L1)与从指纹FP反射到传感器层FPS的反射光(例如,第二光L2)之间的差异对应。此外,传感器控制电路SC连接到传感器层FPS。
显示驱动电路PC可以通过向显示面板DP供应图像驱动信号来控制显示面板DP的图像显示操作。为此,显示驱动电路PC可以通过使用从外部装置供应的图像数据和控制信号来产生图像驱动信号。例如,显示驱动电路PC可以从主机接收图像数据和控制信号,控制信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号和主时钟信号。此外,图像驱动信号可以包括由图像数据产生的扫描信号和数据信号。
传感器控制电路SC和显示驱动电路PC可以集成到一个构造中。例如,传感器控制电路SC和显示驱动电路PC可以实现为集成电路(IC)。
图9是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP和传感器层FPS的局部剖视图。例如,图9示出了与图5和图7中示出的第二晶体管TFT2、第四晶体管TFT4和发光元件LM对应的局部剖视图。
显示面板DP包括第一基体层SUB1、电路层CL、像素层ELL和薄膜密封层TFE。
第一基体层SUB1可以包括有机材料或无机材料。例如,第一基体层SUB1可以是透明材料或至少部分透明的材料。第一基体层SUB1可以传输从用户的指纹FP反射的第二光L2的至少一部分(例如,允许从用户的指纹FP反射的第二光L2的至少一部分穿过)。例如,第二光L2可以穿过第一基体层SUB1。
电路层CL设置在第一基体层SUB1上。第二晶体管TFT2的半导体图案AL2(在下文中被称为第二半导体图案)设置在第一基体层SUB1上。第二半导体图案AL2的材料可以从非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体中选择。
电路层CL可以包括有机/无机层BR、BF、12、14、16和第二晶体管TFT2。有机/无机层BR、BF、12、14、16可以包括功能层BR和BF、第一绝缘层12、第二绝缘层14以及第三绝缘层16。电路层CL可以包括第一晶体管TFT1(参见,例如,图5)和电容器CP(参见,例如,图5)。
功能层BR和BF可以设置在第一基体层SUB1的一个表面上。功能层BR和BF包括阻挡层BR和缓冲层BF中的至少一个。第二半导体图案AL2可以设置在阻挡层BR或缓冲层BF上。
第一绝缘层12覆盖第二半导体图案AL2并且设置在第一基体层SUB1上。第一绝缘层12可以包括有机层和/或无机层。第一绝缘层12可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和/或氧化硅层。
第二晶体管TFT2的控制电极GE2(在下文中被称为第二控制电极)设置在第一绝缘层12上。第二控制电极GE2可以与栅极线GL(参见,例如,图5)通过同一光刻工艺来制造。例如,第二控制电极GE2可以由与栅极线GL相同的材料形成,可以具有与栅极线GL相同的层叠结构,并且可以与栅极线GL设置在同一层上。
覆盖第二控制电极GE2的第二绝缘层14设置在第一绝缘层12上。第二绝缘层14可以包括有机层和/或无机层。第二绝缘层14可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和/或氧化硅层。
第二晶体管TFT2的输入电极SE2(在下文中被称为第二输入电极)和输出电极DE2(在下文中被称为第二输出电极)设置在第二绝缘层14上。第二输入电极SE2可以从电力线PL(参见,例如,图5)分支。
第二输入电极SE2和第二输出电极DE2可以根据与数据线DL(参见,例如,图5)的光刻工艺和电力线PL(参见,例如,图5)的光刻工艺相同的光刻工艺制造,可以由与数据线DL(参见,例如,图5)的材料和电力线PL(参见,例如,图5)的材料相同的材料形成,可以具有与数据线DL(参见,例如,图5)的层叠结构和电力线PL(参见,例如,图5)的层叠结构相同的层叠结构,并且可以设置在与数据线DL(参见,例如,图5)的层和电力线PL(参见,例如,图5)的层相同的层上。
第二输入电极SE2和第二输出电极DE2分别通过贯穿第一绝缘层12和第二绝缘层14的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接到第二半导体图案AL2。此外,根据本发明构思的示例性实施例,第二晶体管TFT2可以被修改为底栅结构并且如此实现。
覆盖第二输出电极DE2和第二输入电极SE2的第三绝缘层16可以设置在第二绝缘层14上。第三绝缘层16可以包括有机层和/或无机层。第三绝缘层16可以包括用于提供平坦表面的有机材料。
根据像素PX的电路结构,可以省略第一绝缘层12、第二绝缘层14和第三绝缘层16中的一个。第二绝缘层14和第三绝缘层16中的每个可以被称为层间绝缘层。层间绝缘层设置在设置于下部处的导电图案与设置于上部处的导电图案之间,从而层间绝缘层可以使导电图案彼此绝缘。
像素层ELL设置在第三绝缘层16上。像素层ELL包括像素限定层PXL和发光元件LM。阳极AE设置在第三绝缘层16上。阳极AE通过贯穿第三绝缘层16的第三通孔CH3连接到第二输出电极DE2。像素限定层PXL设置在第三绝缘层16上并且包括与阳极AE对应的开口OP。像素限定层PXL的开口OP暴露阳极AE的至少一部分。
像素层ELL包括发光区PXA和与发光区PXA相邻的非发光区NPXA。非发光区NPXA可以围绕发光区PXA。根据该实施例,发光区PXA与阳极AE对应。然而,发光区PXA不限于此。例如,发光区PXA可以与产生光的区域对应而不是与阳极AE对应。发光区PXA可以与阳极AE的由开口OP暴露的局部区域对应。
空穴控制层HCL可以设置在发光区PXA和非发光区NPXA中。诸如空穴控制层HCL的公共层可以共同地形成在多个像素PX(参见,例如,图4)中。
发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与像素限定层PXL的开口OP对应的区域中。换言之,发光层EML可以被划分并且形成在多个像素PX中的每个处。
发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。阴极CE设置在电子控制层ECL上。阴极CE共同地设置在多个像素PX处。
虽然图案化的发光层EML根据该实施例示出为设置在单个像素PX中,但是发光层EML可以设置在多个像素PX中。
根据本发明构思的示例性实施例,发光层EML可以产生蓝光、红光和绿光中的至少一种。在本发明构思的示例性实施例中,发光层EML可以产生白光。此外,发光层EML可以具有多层结构。
根据本发明构思的示例性实施例,薄膜密封层TFE可以直接覆盖阴极CE。在本发明构思的示例性实施例中,薄膜密封层TFE可以通过附加的粘合剂设置在像素层ELL上。
根据本发明构思的示例性实施例,用于覆盖阴极CE的盖层可以设置在阴极CE上方。此外,薄膜密封层TFE可以覆盖盖层。薄膜密封层TFE可以包括包含有机材料的有机层和包含无机材料的无机层。
传感器层FPS设置在显示面板DP下方。传感器层FPS可以包括第二基体层SUB2、第四晶体管TFT4、第四绝缘层22和第五绝缘层24。
第二基体层SUB2可以包括有机材料或无机材料。根据本发明构思的示例性实施例,第二基体层SUB2可以是包括聚酰亚胺的膜。在本发明构思的示例性实施例中,第二基体层SUB2可以是包括玻璃的薄膜。
第四晶体管TFT4的控制电极GE4(在下文中被称为第四控制电极)设置在第二基体层SUB2上。
第四绝缘层22覆盖第四控制电极GE4并且设置在第二基体层SUB2上。第四绝缘层22可以包括有机层和/或无机层。第四绝缘层22可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和/或氧化硅层。
第四晶体管TFT4的半导体图案AL4(在下文中被称为第四半导体图案)设置在第四绝缘层22上。第四半导体图案AL4的材料可以从非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体中选择。
第四晶体管TFT4的输入电极SE4(在下文中被称为第四输入电极)和输出电极DE4(在下文中被称为第四输出电极)中的每个设置为与第四半导体图案AL4的一部分叠置。
用于覆盖第四输入电极SE4和第四输出电极DE4的第五绝缘层24设置在第四绝缘层22上。第五绝缘层24可以包括有机层和/或无机层。第五绝缘层24可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和/或氧化硅层。根据本发明构思的示例性实施例,第五绝缘层24可以直接设置在第一基体层SUB1的下表面上。根据本发明构思的示例性实施例,第五绝缘层24可以通过粘合构件附着到第一基体层SUB1。根据本发明构思的示例性实施例,当显示面板DP和传感器层FPS通过单独的工艺制造并且通过粘合工艺彼此结合时,提高了制造工艺的效率。
参照图3和图9,由发光元件LM产生的第一光L1被手指FG的指纹FP反射,从而第一光L1在被反射时变为第二光L2。第二光L2可以穿过显示面板DP的每个层并且到达第四晶体管TFT4的第四半导体图案AL4。第四晶体管TFT4检测第一光L1与第二光L2之间的变化,并且识别指纹FP。第四晶体管TFT4可以如图9中所示地具有底栅结构,以通过第四半导体图案AL4来检测第一光L1与第二光L2之间的变化。
根据本发明构思的示例性实施例,可以部分地去除设置在第四晶体管TFT4上的多个层的与第四晶体管TFT4叠置的部分,以增大第二光L2的对第四晶体管TFT4的透射率。
图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP和传感器层FPS-1的局部剖视图。
传感器层FPS-1可以包括设置在第四晶体管TFT4的第四半导体图案AL4上的光学透镜LNS。光学透镜LNS使第二光L2(参见,例如,图3)聚集,从而第二光L2被施加到第四晶体管TFT4的第四半导体图案AL4而不是相邻晶体管的半导体图案。通过使用光学透镜LNS,可以增大用于扫描指纹的分辨率。
传感器层FPS-1可以包括覆盖光学透镜LNS的粘合构件AD。传感器层FPS-1和显示面板DP可以通过粘合构件AD彼此结合。可以省略与参照图9描述的那些元件基本相同的其它元件的描述。
图11是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP和传感器层FPS-2的局部剖视图。
传感器层FPS-2可以包括设置在第五绝缘层24上的粘合构件AD-1(例如,粘合层)。与传感器SN(参见,例如,图7)的第四晶体管TFT4对应的开口OP-AD可以包括在粘合构件AD-1中。
根据本发明构思的示例性实施例,粘合构件AD-1的除了粘合构件AD-1的开口OP-AD所位于的区域之外的区域可以不透射光。然而,本发明构思不限于此。
粘合构件AD-1具有预定的厚度HH。粘合构件AD-1的开口OP-AD可以起到与图10的光学透镜LNS的功能相似的功能。换言之,由于粘合构件AD-1的开口OP-AD和预定的厚度HH,可以提高第二光L2(参见,例如,图3)被施加到第四晶体管TFT4的第四半导体图案AL4而不是另一相邻晶体管的半导体图案的概率。可以省略与参照图9描述的那些元件基本相同的其它元件的描述。
图12是根据本发明构思的示例性实施例的传感器SN-1的电路图。
传感器SN-1可以包括第三晶体管TFT3、感测电容器CP-SN和光电二极管PD。
光电二极管PD可以代替用作图7的第四晶体管TFT4。与光电二极管PD的结构特性和操作特性对应,传感器SN-1的等效电路可以与图7中示出的传感器SN的等效电路不同。
因为当光被施加到光电二极管PD时,光电二极管PD中不存在附加的电流放大,所以光电二极管PD对光的灵敏度会比光电晶体管小,但是光电二极管PD对接收的光的反应速度可以较快。
图13是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD2的透视图。图14是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD3的透视图。
参照图13,显示装置DD2可以被部分地或完全地弯曲、折叠或卷曲。
参照图14,显示装置DD3可以是穿戴在身体的一部分上的可穿戴装置。虽然作为示例在图14中示出了手表型装置,但是本发明构思不限于此,并且可以具有穿戴在用户的身体的部分上或连接到用户的身体的部分的各种形式。
根据本发明构思的示例性实施例,可以提供用于以高分辨率扫描指纹的图像的显示装置。
根据本发明构思的示例性实施例,可以用简单的制造工艺和低的成本来制造显示装置。
虽然已经参照本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思,但是本领域的普通技术人员将理解的是,在不脱离权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下,可以对其做出形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一基体层;
电路层,设置在所述第一基体层上并且包括多个开关元件;
像素层,设置在所述电路层上并且包括发光元件,其中,所述发光元件被构造为从所述多个开关元件中的至少一个接收电流,以发射第一光;以及
传感器层,设置在所述第一基体层下方并且包括传感器,其中,所述传感器被构造为接收当所述第一光被外部物体反射时产生的第二光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二光穿过所述第一基体层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述传感器层还包括安装所述传感器的第二基体层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述传感器包括光电二极管。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述传感器包括光电晶体管。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述传感器层还包括与所述传感器叠置的光学透镜。
7.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述第一基体层与所述传感器层之间并具有与所述传感器对应的开口的粘合层。
8.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述像素层上的触摸感测电路。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述外部物体是指纹。
10.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括被构造为检测由所述传感器接收的所述第二光与所述第一光之间的变化的传感器控制电路,其中,检测到的所述变化用于识别所述指纹。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0159634 | 2016-11-28 | ||
KR1020160159634A KR102675011B1 (ko) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108121478A true CN108121478A (zh) | 2018-06-05 |
CN108121478B CN108121478B (zh) | 2023-04-28 |
Family
ID=62190224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711203007.3A Active CN108121478B (zh) | 2016-11-28 | 2017-11-27 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10943082B2 (zh) |
KR (1) | KR102675011B1 (zh) |
CN (1) | CN108121478B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108878488A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置及显示面板的制作方法 |
TWI694368B (zh) * | 2019-05-10 | 2020-05-21 | 新鉅科技股份有限公司 | 具有指紋辨識結構之電子裝置 |
CN111244196A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 云谷(固安)科技有限公司 | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
CN111725426A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置和电子设备 |
CN112149489A (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-29 | 乐金显示有限公司 | 传感器面板和包括该传感器面板的显示装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102675011B1 (ko) | 2016-11-28 | 2024-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP6734771B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2020-08-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102452251B1 (ko) | 2017-08-04 | 2022-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN108803932A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、阵列基板、显示面板及其驱动方法 |
CN108899344B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板、其驱动方法及显示装置 |
CN109117733B (zh) * | 2018-07-17 | 2020-06-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种指纹识别oled显示面板及显示装置 |
KR102197941B1 (ko) * | 2018-08-27 | 2021-01-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 광학식 지문센서의 지문인식률 개선 수단을 포함하는 광학 센서 모듈 |
CN111092098A (zh) * | 2018-10-08 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法和显示面板、显示装置 |
US11296155B2 (en) * | 2019-01-04 | 2022-04-05 | Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. | Display panel and operation method thereof |
KR20200124800A (ko) * | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110348414B (zh) * | 2019-07-17 | 2021-07-13 | 广州国显科技有限公司 | 指纹识别装置、显示面板、显示装置和指纹识别方法 |
CN110993616B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制备方法和显示装置 |
CN113471251B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-12-08 | 华为技术有限公司 | 一种显示组件、显示装置和驱动方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101482662A (zh) * | 2007-12-03 | 2009-07-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
US20100007632A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20100134735A1 (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensor and display device |
US20110227875A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and touch controlled display device having the same |
US20150364527A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display including sensors |
CN105373772A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学指纹/掌纹识别器件、触控显示面板和显示装置 |
US20160093644A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same |
US20160188950A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Quanta Computer Inc. | Optical fingerprint recognition device |
US20160266695A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Crucialtec Co., Ltd. | Display apparatus having image scanning function |
CN106067018A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002312771A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Omron Corp | 指紋画像入力装置 |
KR100436376B1 (ko) | 2002-03-29 | 2004-06-19 | 테스텍 주식회사 | 접촉발광소자와 tft 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치 |
JP5012162B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2012-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
EP2073055A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-24 | TPO Displays Corp. | Detection of an incident light distribution |
WO2009110293A1 (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-11 | シャープ株式会社 | 光センサ付き表示装置 |
KR101571683B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
US20120113361A1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Tpk Touch Solutions Inc. | Optical Level Composite Pressure-Sensitive Adhesive and an Apparatus Therewith |
KR101965259B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2019-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스선 검출기 |
WO2015008642A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | シャープ株式会社 | フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置 |
KR102153599B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2020-09-08 | 삼성전자주식회사 | 머리 착용형 디스플레이 장치 및 머리 착용형 디스플레이 장치의 광 투과율 변경 방법 |
WO2015132694A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
US20150296622A1 (en) * | 2014-04-11 | 2015-10-15 | Apple Inc. | Flexible Printed Circuit With Semiconductor Strain Gauge |
US9836165B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-12-05 | Apple Inc. | Integrated silicon-OLED display and touch sensor panel |
KR101758047B1 (ko) | 2014-09-04 | 2017-07-17 | 크루셜텍 (주) | 이미지 센싱이 가능한 표시 장치 |
KR102400440B1 (ko) | 2014-11-10 | 2022-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토 센서를 갖는 어레이 기판 및 이를 이용한 표시 장치 |
KR102585764B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-10-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 및 터치 디스플레이 패널 |
KR102675011B1 (ko) | 2016-11-28 | 2024-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2016
- 2016-11-28 KR KR1020160159634A patent/KR102675011B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-09-19 US US15/708,325 patent/US10943082B2/en active Active
- 2017-11-27 CN CN201711203007.3A patent/CN108121478B/zh active Active
-
2021
- 2021-03-08 US US17/194,491 patent/US11501556B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101482662A (zh) * | 2007-12-03 | 2009-07-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
US20100007632A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20100134735A1 (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensor and display device |
CN101753861A (zh) * | 2008-11-28 | 2010-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 光传感器和显示装置 |
US20110227875A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and touch controlled display device having the same |
US20150364527A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display including sensors |
US20160093644A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same |
US20160188950A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Quanta Computer Inc. | Optical fingerprint recognition device |
US20160266695A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Crucialtec Co., Ltd. | Display apparatus having image scanning function |
CN105373772A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学指纹/掌纹识别器件、触控显示面板和显示装置 |
CN106067018A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别显示面板及显示装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108878488A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置及显示面板的制作方法 |
CN108878488B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置及显示面板的制作方法 |
TWI694368B (zh) * | 2019-05-10 | 2020-05-21 | 新鉅科技股份有限公司 | 具有指紋辨識結構之電子裝置 |
CN112149489A (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-29 | 乐金显示有限公司 | 传感器面板和包括该传感器面板的显示装置 |
CN111244196A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 云谷(固安)科技有限公司 | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
CN111244196B (zh) * | 2020-01-16 | 2021-09-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
CN111725426A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置和电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210192172A1 (en) | 2021-06-24 |
US11501556B2 (en) | 2022-11-15 |
KR20180061482A (ko) | 2018-06-08 |
KR102675011B1 (ko) | 2024-06-17 |
CN108121478B (zh) | 2023-04-28 |
US20180150670A1 (en) | 2018-05-31 |
US10943082B2 (en) | 2021-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108121478A (zh) | 显示装置 | |
US11803278B2 (en) | Display device having electrodes having sensor and auxiliary sensor parts | |
KR102557140B1 (ko) | 표시장치 | |
KR102508978B1 (ko) | 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
KR102426008B1 (ko) | 입력감지회로 및 이를 포함하는 표시모듈 | |
KR20180070785A (ko) | 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR102679506B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102594615B1 (ko) | 입력감지유닛 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR20210156922A (ko) | 표시 장치 | |
KR20180008968A (ko) | 표시장치 및 이를 포함하는 휴대용 단말기 | |
KR20180074880A (ko) | 표시장치 | |
KR102636503B1 (ko) | 표시모듈 | |
KR102505333B1 (ko) | 전자장치 및 이에 구비된 표시모듈 | |
KR20230048177A (ko) | 표시 장치 | |
US11726622B2 (en) | Display device for detecting incident light | |
US20230315224A1 (en) | Display devce including a touch electrode | |
KR20230142061A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230151587A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |