CN108112176A - 讯号量测介质软板制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种讯号量测介质软板制造方法，包括：形成一基础层。形成多个金属层及多个聚合物层于基础层之上。于第三聚合物层及第四聚合物层间形成分离接口。于第六聚合物层及第七聚合物层间形成量测介质分离接口。于多个金属层上分别设置图案层，并使用电镀制程及电铸制程于图案中镀上导电物质以形成不同用途的导电线路层。使用蚀刻震荡程序将第一聚合物层和第二聚合物层之间的金属层分离，并将第六聚合物层和第七聚合物层由介质分离接口分开露出量测介质，藉以完成讯号量测介质软板的制程。
Description
技术领域
本发明是关于一种量测介质制造方法；且特别是关于一种量测介质软板制造方法。
背景技术
一般而言，制作完成的晶圆(wafer)会经过量测测试，以判断半导体组件是否可正常运作。这样的量测测试通常在晶圆被切分为各个分开的芯片和封装之前进行。此量测测试程序可同时测试多个半导体芯片，相较于芯片封装过后分别量测测试各个芯片，切割及封装前的量测测试可有效降低制作成本。
现有使用于晶圆的量测测试单元或载具，大部分使用传统机械加工制作的介质，经过特殊的处理，再将介质布置于所需求的位置点，并从介质另一端将讯号接引至机台，达到讯号量测测试的目的。但在高频的量测测试作业中，讯号的传递可能因过长的路径、或周遭讯号的干扰，会影响整体高频讯号作动的响应条件，因此传统的量测测试架构无法达到高频的量测测试需求。所以我们利用特殊的材料保护线路，整体的讯号完整避免干扰，并且大幅缩短讯号传递路径，因而开发此类测试载具的应用。
在晶圆量测测试中，主要是以介质卡(probe card)、针测机(prober)与测试机(tester)对晶圆上的晶粒进行电性量测测试。介质卡是一片具有许多微细介质的平台，作为测试机与待测半导体组件的量测测试接口。针测机负责把一片片的晶圆准确地移动到介质卡的对应位置，使得介质卡上的介质接触到晶粒所对应的接垫(pad)，再由测试机透过介质卡送出量测测试讯号，以量测半导体组件的功能、参数与特性。
由于近年来晶圆级封装(wafer-level package)、高频电路及三维堆积电路(3DIC)的应用迅速成长，使得高频的晶圆量测测试(wafer probing/chip probing)需求增加。现有的使用于晶圆节省制程时间的量测测试单元或载具，大部分是使用传统机械加工制作的介质。其经过特殊的处理，再将介质布置于所需求的位置点，并从介质另一端将讯号接引至机台，达到讯号量测测试的目的。但在高频的量测测试作业中，讯号的传递可能因过长的路径、或周遭讯号的干扰，会影响整体高频讯号作动的响应条件，因此传统的测试架构在高频量测测试需求下，仍有很大的改进空间，如保护线路，使得整体的讯号完整避免干扰，以及大幅缩短讯号传递路径。
发明内容
因此，本发明的主要目的是在于提供一种量测介质的制作方法，其可同时制作出一整片具有量测介质的软板，并且该些量测介质的软板可用于进行高频的晶圆量测测试。
为达此一目的，本发明提供的量测介质的软板制造方法包括形成基底层、金属分离层及第一聚合物层，金属分离层覆盖于基底层之上，第一聚合物层覆盖于金属分离层之上，基底层、金属分离层及第一聚合物层形成基础层；形成第一金属层，覆盖于基础层之上，并形成第二聚合物层，覆盖于第一金属层之上；形成第二金属层于第二聚合物层之上，并执行第一图案化程序以形成导电层；形成第三聚合物层于导电层之上；形成第四聚合物层于第三聚合物层之上并形成分离接口；执行第二图案化程序，将载板电信界面(Interface)相对位置图形，以离子蚀刻穿透第三聚合物层及第四聚合物层显示于部分裸露的该导电层之上，并执行电铸制程，将已蚀刻位置进行电铸程序于部分裸露的导电层上以形成导电凸块部份；形成第三金属层于第四聚合物层之上及导电凸块部分之上，执行第三图案化程序于第三金属层之上以形成接地图案，并执行电镀制程，将接地图案镀上金属以形成接地层；形成第五聚合物层于接地层、导电凸块部分及第四聚合物层之上，以形成桥阶层厚度；执行第四图案化程序于第五聚合物之上以形成桥接图案，并以离子蚀刻成形后并执行电铸制程，将桥接图案镀上桥阶层；执行第四图案化程序于第五聚合物之上以形成桥接图案，并执行电铸制程，将桥接层镀在桥接图案内；形成第四金属层于桥接层及第五聚合物层之上，执行第五图案化程序于第四金属层之上以形成线路图，并执行电镀制程，将线路图案镀上导电物质以形成线路层；形成第六聚合物层于线路层及第五聚合物层之上，以形成介质厚度；形成第七聚合物层于第六聚合物层之上以形成介质分离接口；形成第五金属层于第七聚合物层之上，执行第六图案化程序于第五金属层之上以形成晶圆测试垫介质图案，并执行电铸制程，将金属沉积至第七聚合物层执行第七图案画程序,并以离子蚀刻成行完成讯号量测介质软板外型的图像,最后执行蚀刻震荡程序，使得第一聚合物层及第二聚合物层彼此分开，并使得第三、四聚合物层及第六、七聚合物层彼此分开，以完成讯号量测介质软板。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例并配合所附图式做详细说明。
附图说明
图1A是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1B是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1C是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1D是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1E是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1F是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1G是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1H是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1I是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1J是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1K是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1L是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1M是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1N是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1O是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1P是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1Q是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1R是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1S是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图1T是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。
图2A是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法所制造出的量测介质软板量测介质软板装置的俯视图。
图2B是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法所制造出的量测介质软板的量测介质软板装置的俯视图。
图2C是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法所制造出的量测介质软板的量测介质软板装置的俯视图。
图3A是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的主要流程图。
图3B是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的主要流程图。
图4是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图5是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图6是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图7是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图8是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图9是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图10是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图11是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图12是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图13是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图14是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图15是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图16是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
图17是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。
具体实施方式
以下配合附图及本发明的较佳实施例，进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段。
本发明的一实施例揭露了一种量测介质软板的制造方法。
请参考图1A、图3A及图4。图1A是根据本发明一量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图3A是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的主要流程图。图4是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成基底层110、金属介层120及第一聚合物层130。金属介层120覆盖于基底层110之上；第一聚合物层130覆盖于金属介层120之上，但并不以此为限。基底层110、金属介层120及第一聚合物层130共同形成基础层100(S1)。
在本实施例中，基底层110可以是玻璃基板，金属介层120可以是金属材质，例如是铬(Cr)。其中金属介层120置于基板110上的方式可以是用沈积的方式，例如是金属热蒸镀(thermal evaporation)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)或是电子枪蒸镀(electron gun evaporation)，但不以此为限。此外，金属介层120(在本实施例中以铬(Cr)金属为例)是用以让基底层110及第一聚合物层130更易于结合的一黏着层(adhesivelayer)，以避免聚合物层与玻璃基板接着不佳的情况，导致聚合物自玻璃基板上产生剥离。
在本实施例中，第一聚合物层130可以是化学性质稳定的非导体聚合物，例如是聚酰亚胺(Polyimide,PI)，但不以此为限。第一聚合物层130可以是涂布(spin coating)于金属介层120之上，使得第一聚合物层130可以尽量的贴近且平铺于金属介层120/基底层110。
其中，形成该基础层100更包括一加热步骤(S’11)。加热步骤(S’11)可以是将基础层100放置于烤箱进行升温。此升温(烘烤)步骤可使得第一聚合物层130(在本实施例中已聚酰亚胺polymide,PI为例)进行链结。第一聚合物层130的链结是指第一聚合物层130经过高温之后，材料分子的重新组合变化，一般为相态的变化。本实施例中为液态转固态的相态变化。
请参考图1B、图3A及图5。图1B是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图5是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在一些实施例中，请参照图1B，金属分离层140形成并覆盖于基础层100之上，再来，第二聚合物层150形成并覆盖于金属分离层140之上(S2)。金属分离层140可以是钨金属(tungsten,W)，且可以是用溅镀的方式形成于基础层100之上，但不以此为限。第二聚合物层150可以是聚酰亚胺，且可以是以涂布的方式形成于金属分离层140之上，但不以此为限。
其中，在形成金属分离层140于基础层100之上，且形成第二聚合物层150于金属分离层140之上后，更包括一加热步骤(S21)。加热步骤S21可以是将第二聚合物层150/金属分离层140/基础层100放置于烤箱进行升温。此升温(烘烤)步骤可使得第二聚合物层150进行链结。藉此，金属分离层140可作为后续步骤中金属分离层140与第二聚合物层150分离时的分隔层，因此称作金属分离层。
请参考图1C、图1D、图3A及图6。图1C是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1D是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图6是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第二金属层160于第二聚合物层150之上，并执行第一图案化程序(S31)以形成导电层160'(S3)。其中，第二金属层160可以是多层金属层。在本实施例中，例如是钨(W)/铜(Cu)/钨(W)，如此的三层金属结构。三层金属的厚度范围分别是100nm至500nm不等，但不以此为限。除此之外，第二金属层160可以是用溅镀的方式形成于第二聚合物层150之上。
承上，第一图案化程序(S31)包括形成感光层(图未示)于第二金属层160之上(S311)。接着进行照光程序(S312)以形成反应图案(图未示)。然后进行去除程序(S313)以形成导电层160'。
其中，感光层可以是一种光阻材料，像是正光阻(例如是酚醛树脂)或负光阻(例如是聚异戊二烯,polyisoprene)。正光阻是指曝光的部分会溶解于显影剂；负光阻是指未曝光的部分会溶解于显影剂。
照光程序(S312)例如是使用短波长的紫外光以一指定的秒数曝照在感光层上(俗称“曝光”)，使得感光层162产生一分子键结的化学变化。例如，在使用正光阻时，曝光会使得正光阻产生极性的变化(例如是断键)；而在使用负光阻时，曝光会使得负光阻中的分子产生交连的变化。此外，反应图案可以是预先设计在光罩(Photo Mask)上的电路图案。
请参考图1E、图3A及图7。图1E是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图7是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。接着，于本实施例中，形成第三聚合物层170于导电层160'之上(S4)。第三聚合物层170可以是聚酰亚胺且可以是以涂布的方式形成于导电层160'之上。其中形成第三聚合物层170于导电层160'之上更包括一加热步骤(S41)。加热步骤(S41)可以是在第三聚合物层170形成于导电层160'之后进行烤箱升温。加热步骤(S41)是可产生后续步骤中用以连接外部的导电凸块的高度的步骤。此升温(烘烤)步骤可使得第三聚合物层170进行链结。
请参考图1F、图3A及图8。图1F是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图8是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第四聚合物层180于第三聚合物层170之上并形成分离接口I1(S5)。第四聚合物层180可以是聚酰亚胺，但不以此为限。第四聚合物层180可以是以涂布的方式形成于第三聚合物层170之上。其中，形成第四聚合物层180于第三聚合物层170之上(S5)更包括低温加热步骤(S51)。低温加热步骤(S51)可以是在第四聚合物层180形成于第三聚合物层170之上后进行烤箱升温。此相较于一般加热步骤较为低温的升温(烘烤)步骤可使得第四聚合物层180进行程度较弱的链结，并形成后续步骤中上述的凸块分开用的分离接口I1。
请参考图1G、图1H、图3A及图9。图1G是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1H是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图9是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可执行第二图案化程序(S61)，将印刷电路图案(图未示)离子蚀刻于第三聚合物层170及第四聚合物层180，显示于一部分裸露的导电层1602‘之上，并执行电铸制程(S62)，将印刷电路图案电铸于部分裸露的导电层上1602'以形成导电凸块部份190(S6)。
其中第二图案化程序(S61)包括形成感光层(图未示)于第四聚合物层180之上(S611)；使用离子蚀刻方式形成载板电信接口图案(S612)；进行一去除程序(S613)，将第四聚合物层180及第三聚合物层170部分去除至去除部分下方的导电层160‘裸露以形成该印刷电路图案的图样。进行去除程序(S613)，将第四聚合物层180及第三聚合物层170部分去除至去除部分下方的导电层160‘裸露以形成印刷电路图案的图样。其中，去除程序(S613)可以是使用干式蚀刻来完成。部分去除第四聚合物层180及第三聚合物层170可以是去除掉上述的反应图案至去除部分下方的导电层160'裸露，但不以此为限。反应图案可以是预先用计算机绘图软件绘制并制作成软式或硬式的光屏蔽(photomask)而成。
更详细地，其中电铸制程(S62)更包括在部分裸露的导电层(1602')之上将导电凸块部分190电铸至一预设高度。在本实施例中，预设高度与形成于导电层160'之上的第三聚合物层170的高度h1及第四聚合物层180的高度h2的总和相同，但在其他实施例中并不以此为限。
请参考图1I、图1J、图3A及图10。图1I是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1J是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图10是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第三金属层200于第四聚合物层180之上及导电凸块190部分之上。执行第三图案化程序(S71)于第三金属层200之上以形成接地图案(图未示)，并执行电镀制程(S72)，将接地图案镀上导电物质以形成接地层210(S7)。其中，第三金属层200可以是一多层金属，例如是钨(tungsten,W)和铜(copper,Cu)组合而成的多层金属。
承上，第三图案化程序(S71)包括形成一感光层(图未示)于第三金属层200之上(S711)；进行照光程序(S712)以形成接地反应图案(图未示)；以及使用离子蚀刻及蚀刻液搭配进行蚀刻金属(S713)，将第三金属层200部分去除。
更详细地，电镀制程(S72)更包括在接地图案之上电镀接地层210至一设定高度，如图1I所示，其为本发明的一实施例电镀制程后的侧视剖面图，但不以此为限。
请参考图1K、图3A及图11。图1K是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图11是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第五聚合物层220于接地层210、导电凸块190部分及第四聚合物层180之上，用以形成桥阶层厚度(S8)。其中，形成第五聚合物层220于接地层210、导电凸块190部分及第四聚合物层180之上更包括加热步骤(S81)。更详细地，加热步骤(S81)可以是在五聚合物层220形成于接地层210及第三金属层200之后进行烤箱升温。加热步骤(S81)是可产生及确认后续步骤中用以桥接的桥接层厚度的步骤。此升温(烘烤)步骤可使得第五聚合物层220进行链结。
请参考图1L、图1M、图3A及图12。图1L是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1L是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1M是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图12是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可执行第四图案化程序(S91)于第五聚合物220之上以形成桥接图案(1606’)，并执行电铸制程(S92)，将桥接层230镀在桥接图案1606’内(S9)。其中，第四图案化程序(S91)包括形成感光层(图未示)于桥接层230及第五聚合物层220之上(S911)；使用离子蚀刻方式形成桥接图案(S912)。更详细地，电铸制程(S92)更包括将桥接层230电铸在桥接图案1606‘内。在本实施例中，桥接层230的高度与第五聚合物层220的高度相同，但不以此为限。在其他实施例中，桥接层230的高度亦可依据使用者的需求进行调整或客制化。
接着，请参考图1N、图1O、图3B及图13。图1N是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图1O是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图3B是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的主要流程图。图13是根据本发明的一实施例的量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第四金属层240于桥接层230及第五聚合物层220之上，执行第五图案化程序(S101)于第四金属层240之上以形成线路图案(图未示)，并执行电镀制程(S102)，将线路图案(图未示)镀上导电物质以形成线路层250(S10)。
其中，第四金属层240类似于第三金属层200；第五图案画程序(S101)类似于第三图案化程序(S71)；电镀制程102类似于电镀制程72，故在此不再赘述。
请参考图1P、图3B及图14。图1P是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图14是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第六聚合物层260于线路层250及第五聚合物220之上以预先形成并决定后续步骤中制作介质的厚度(S11)。其中，形成第六聚合物层260于线路层250及第五聚合物220之上更包括加热步骤(S111)。更详细地，加热步骤(S111)可以是在形成第六聚合物层260于线路层250及第四金属层240之上之后进行烤箱升温。加热步骤(S111)亦是可产生及确认后续步骤中介质厚度的步骤。此升温(烘烤)步骤可使得第六聚合物层260进行链结。
请参考图1Q、图3B及图15。图1Q是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图15是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第七聚合物层280于第六聚合物层260之上以形成介质分离接口I2(S12)。其中，形成第七聚合物层280于第六聚合物层260之上更包括执行低温加热步骤(S121)。低温加热步骤(S121)与前述的加热步骤(S51)雷同，在此不再赘述。
请参考图1R、图3B及图16。图1R是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的一步骤的侧剖面图。图16是根据本发明的一实施例量测介质软板制造方法的子集流程图。在本实施例中，可形成第五金属层(图未示)于第七聚合物层280之上。执行第六图案化程序(S131)于第五金属层之上以形成晶圆测试垫介质图案(图未示)，并执行电铸制程(S132)，将晶圆测试垫介质图案镀上导电物质以形成第一线路层310(S13)。
其中，第六图案化程序(S131)包括形成感光层(未显示)于第五金属层之上(S1311)，进行照光程序(S1312)以形成接地反应图案(图未示)，以及进行去除程序(S1313)，将第五金属层部分去除。更详细地，在本实施例中，电铸制程(S132)更包括在一部分裸露的第五金属层(图未示)上将第一线路层310电铸至与第七聚合物层280的高度一致。但在其他实施例中，第一线路层310的电铸高度并不以此为限，并可依据实际需求进行调整及客制化。
最后，执行分离程序(S143)，包括以蚀刻溶液(例如是金属蚀刻容易)渗透蚀刻，并配以超音波震荡(ultrasonic vibration)以分离第一聚合物层130及金属分离层140。此外，分离程序(S143)还包含将第三聚合物层170及第四聚合物层180之间撕开，也将第六聚合物层260及第七聚合物层280之间撕开，以完成讯号量测介质软板340(S14)。
请参照图2A，在一些实施例中，线路层250具有一些绕线结构，是直接用来输入以及输出量测测试讯号的路径。请参照图2B，在一些实施例中，接地层210把接地的路径由***连接到内部，可以提供量测测试讯号更好的环境。请参照图2C，在一些实施例中，金属分离层140可以有图案的结构。金属分离层140是作为制作量测介质软板的一个基础，但是当量测介质软板完成之后，金属分离层140会被去除。
以下简要叙述上述实施例的主要步骤：形成一第一金属层(140W分离层)覆盖于该基础层100之上并形成一第二聚合物层150覆盖于该第一金属层140之上(S2)(图1B)。形成一第二金属层160于该第二聚合物层150之上，并执行一第一图案化程序(S31)以形成一导电层160'(S3)(图1C图1D)。形成一第三聚合物层170于该导电层160'之上(S4)(图1E)。形成一第四聚合物层180于该第三聚合物层170之上并形成一分离接口I1(S5)(图1F)。执行一第二图案化程序(S61)，将一印刷电路图案(未显示)穿透该第三聚合物层170及该第四聚合物层180显示于一部分裸露的该导电层1602'之上，并执行一电铸制程(S62)，将该印刷电路图案电铸于该部分裸露的该导电层上1602'以形成一导电凸块部份190(S6)(图1G、图1H)。形成一第三金属层200于该第四聚合物层180之上及该导电凸块部分190之上，执行一第三图案化程序(S71)于该第三金属层200之上以形成一接地图案，并执行一电镀制程(S72)，将该接地图案镀上导电物质以形成一接地层210(S7)(图1I、图1J)。形成一第五聚合物层220于该接地层210、该导电凸块190部分及该第四聚合物层180之上，以形成一桥阶层厚度h3(S8)(图1K)。执行一第四图案化程序(S91)于该第五聚合物220之上以形成一桥接图案，并执行一电铸制程(S92)，将该桥接图案镀上一桥阶层230(S9)(图1L、图1M)。执行一第四图案化程序(S91)于该第五聚合物220之上以形成一桥接图案1606‘，并执行一电铸制程(S92)，将一桥接层230镀在该桥接图案1606’内(S9)(图1L、图1M)。形成一第四金属层240于该桥接层230及该第五聚合物层220之上，执行一第五图案化程序(S101)于该第四金属层240之上以形成一线路图案，并执行一电镀制程(S102)，将该线路图案镀上导电物质以形成一线路层250(S10)(图1N、图1O)。形成一第六聚合物层260于该线路层250及该第五聚合物220之上，以形成一介质厚度h4(S11)(图1P)。形成一第七聚合物层280于该第六聚合物层260之上以形成一介质分离接口I2(S12)(图1Q)。形成一第五金属层于该第七聚合物层280之上，执行一第六图案化程序(S131)于该第五金属层之上以形成一晶圆测试垫介质图案，并执行一电铸制程(S132)，将该晶圆测试垫介质图案镀上导电物质以形成一第一线路层310(S13)(图1R)。形成一第六金属层于该第七聚合物层280及该线路层310之上，执行一第七图案化程序(S141)，用以在该第六金属层上形成一讯号量测介质软板外型图案穿透并显示于该部分裸露的导电层(1610‘)之上，使用离子蚀刻制程将讯号量测介质软板外型成形行(S142)。
综上所述，本发明的量测介质软板制造方法既可以使用于高频的晶圆测试，亦可一次性的产生具有多个介质的软板结构，达到省时又降低成本的功效。
以上所述仅是本发明的优选实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (18)
1.一种讯号量测介质软板制造方法，该方法包含：
形成一基底层、一金属介层及一第一聚合物层，该金属介层覆盖于该基底层之上，该第一聚合物层覆盖于该金属介层之上，该基底层、该金属介层及该第一聚合物层形成一基础层；
形成一第一金属层覆盖于该基础层之上并形成一第二聚合物层覆盖于该第一金属层之上；
形成一第二金属层于该第二聚合物层之上，并执行一第一图案化程序以形成一导电层；
形成一第三聚合物层于该导电层之上；
形成一第四聚合物层于该第三聚合物层之上并形成一分离接口；
执行一第二图案化程序，将一印刷电路图案穿透该第三聚合物层及该第四聚合物层显示于一部分裸露的该导电层之上，并执行一电铸制程，将该印刷电路图案电铸于该部分裸露的该导电层上以形成一导电凸块部份；
形成一第三金属层于该第四聚合物层之上及该导电凸块部分之上，执行一第三图案化程序于该第三金属层之上以形成一接地图案，并执行一电镀制程，将该接地图案镀上导电物质以形成一接地层；
形成一第五聚合物层于该接地层、该导电凸块部分及该第四聚合物层之上，以形成一桥阶层厚度；
执行一第四图案化程序于该第五聚合物之上以形成一桥接图案，并执行一电铸制程，将该桥接图案镀上一桥阶层；
执行一第四图案化程序于该第五聚合物之上以形成一桥接图案，并执行一电铸制程，将一桥接层镀在该桥接图案内；
形成一第四金属层于该桥接层及该第五聚合物层之上，执行一第五图案化程序于该第四金属层之上以形成一线路图案，并执行一电镀制程，将该线路图案镀上导电物质以形成一线路层；
形成一第六聚合物层于该线路层及该第五聚合物之上，以形成一介质厚度；
形成一第七聚合物层于该第六聚合物层之上以形成一介质分离接口；
形成一第五金属层于该第七聚合物层之上，执行一第六图案化程序于该第五金属层之上以形成一晶圆测试垫介质图案，并执行一电铸制程，将该晶圆测试垫介质图案镀上导电物质以形成一第一线路层；
形成一第六金属层于该第七聚合物层及该线路层之上，执行一第七图案化程序，用以在该第六金属层上形成一讯号量测介质软板外型图案穿透并显示于该部分裸露的导电层之上，执行一离子蚀刻制程，将该讯号量测介质软板外型图案完成；以及
执行一分离程序，将该金属分离层以蚀刻液渗入蚀刻分离，以及将该第三聚合物层及该第四聚合物层彼此分开，将该第六聚合物层及该第七聚合物层彼此分开。
2.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该基础层更包括一加热步骤。
3.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中在形成该第一金属层于该基础层之上，且形成一第二聚合物层于该第一金属层之上后，更包括一加热步骤。
4.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该第一图案化程序包括：
形成一感光层于该第二金属层之上；
进行一照光程序以形成一反应图案；以及
进行一去除程序以形成该导电层。
5.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该第三聚合物层于该导电层之上更包括一加热步骤。
6.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该第四聚合物层于该第三聚合物层之上更包括一低温加热步骤。
7.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该第二图案化程序包括：
形成一感光层于该第四聚合物层之上；
进行一照光程序以形成一第一反应图案；以及
进行一去除程序，将第四聚合物层及第三聚合物层部分去除至去除部分下方的导电层裸露以形成该印刷电路图案的图样。
8.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该电铸制程更包括在该部分裸露的导电层之上将该导电凸块部分电铸至一高度，该高度与形成于该导电层之上的该第三聚合物层的高度及该第四聚合物层的高度的总和相同。
9.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该第三图案化程序包括：
形成一感光层于第三金属层之上；
进行照光程序以形成接地反应图案；以及
使用离子蚀刻及蚀刻液搭配进行蚀刻金属，将第三金属层部分去除。
10.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该电镀制程更包括在该接地图案之上电镀该接地层至一设定高度。
11.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该第五聚合物层于该接地层、该导电凸块部分及该第四聚合物层之上更包括一加热步骤。
12.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该第四图案化程序包括：
形成一感光层于该桥接层及该第五聚合物层之上；以及
进行一照光程序以形成该桥接图案。
13.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该电铸制程更包括将该桥接层电铸在该桥接图案内，且该桥接层的高度与该第五聚合物层的高度相同。
14.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该第六聚合物层于该线路层及该第五聚合物之上更包括一加热步骤。
15.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中形成该第七聚合物层于该第六聚合物层之上更包括执行一低温加热步骤。
16.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该第六图案化程序包括：
形成一感光层于该第五金属层之上；
进行一照光程序以形成一接地反应图案；以及
进行一去除程序，将该第五金属层部分去除。
17.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该电铸制程更包括在一部分裸露的第五金属层上将该线路层电铸至与该第七聚合物层的高度一致。
18.根据权利要求1所述的讯号量测介质软板制造方法，其中该分离程序包括以金属蚀刻溶液渗透蚀刻配以超音波震荡以分离该第一聚合物层及该金属分离层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180601 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |