CN108091775A - 一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板和蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板和蒸镀方法，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：所述第一掩膜板包含第一边缘；所述第二掩膜板包含第二边缘；所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。通过相邻掩膜板的边缘相互配合，对相邻掩膜板之间的非蒸镀部分进行遮挡，确保掩膜板的蒸镀部分的平整度，有效提高有机发光二极管蒸镀的良品率。

Description

一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板和蒸镀方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板和蒸镀方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)不仅具有自发光特性，而且结构简单、轻薄、响应速度快、可视角度大、发光效率高以及可实现柔性显示，是一种极具发展前景的平板显示技术。
有机发光二极管中包含玻璃基板和非常薄的有机发光材料层，当有电流通过有机材料层时，有机材料层发光。有机发光材料层中包含M×N个按照矩阵结构排列的发光像素单元。
在现有技术中，通常采用掩膜板(mask)对有机发光二极管进行有机发光材料的蒸镀，蒸镀用掩膜板包含有开孔的精密掩膜板(fine mask)和无开孔的遮挡掩膜板(covermask)。精密掩膜板上开孔的位置与玻璃基板上需要进行有机发光材料蒸镀的发光像素单元的位置相对应，通过这些开孔将有机发光材料蒸镀至玻璃基板上，形成有机发光材料。无开孔的遮挡掩膜板用于将相邻的两个精密掩膜板之间无需进行有机发光材料蒸镀的非蒸镀部分遮挡。
在制备蒸镀用掩膜板时，如图1所示，首先制备最底层的无开孔的遮挡掩膜板11，在遮挡掩膜板11上依次制备有开孔的精密掩膜板12、玻璃基板13以及磁性背板14。但是，由于玻璃基板13的重力作用引发精密掩膜板12下垂，以及玻璃基板13上方的磁性背板14对精密掩膜板12和遮挡掩膜板11的吸附作用，使得精密掩膜板12与遮挡掩膜板11之间的重叠部分发生挤压，影响精密掩膜板12的平整度，使得精密掩膜板12上的开孔与发光像素单元之间出现对位不准，降低有机发光二极管蒸镀的良品率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板和蒸镀方法，用于解决现有技术中有机发光二极管的蒸镀良品率较低的问题。
本发明实施例提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：
所述第一掩膜板包含第一边缘；
所述第二掩膜板包含第二边缘；
所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。
本发明实施例还提供了一种有机发光二极管的蒸镀方法，所述蒸镀方法使用以上所述蒸镀用掩膜板，进行有机发光二极管的蒸镀。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：所述第一掩膜板包含第一边缘；所述第二掩膜板包含第二边缘；所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。通过相邻掩膜板的边缘相互配合，对相邻掩膜板之间的非蒸镀部分进行遮挡，确保掩膜板的蒸镀部分的平整度，有效提高有机发光二极管蒸镀的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的示意图；
图2为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
为了实现本发明的目的，本发明实施例提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：所述第一掩膜板包含第一边缘；所述第二掩膜板包含第二边缘；所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。
通过相邻掩膜板的边缘相互配合，对相邻掩膜板之间的非蒸镀部分进行遮挡，确保掩膜板的蒸镀部分的平整度，有效提高有机发光二极管蒸镀的良品率。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
图2为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板21和第二掩膜板22，其中：
所述第一掩膜板包含第一边缘2101；
所述第二掩膜板包含第二边缘2201；
所述第一边缘2101和所述第二边缘2201配合，使得所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22之间的空隙23被遮挡，所述第一边缘2101、所述第二边缘2201以及所述空隙23为非蒸镀区域。
需要说明的是，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板指的是有开孔的精密掩膜板(fine mask)。
在本发明的可选实施例中，所述第一掩膜板21至少包含一个所述第一边缘2101；所述第二掩膜板至少包含一个所述第二边缘2201。
如图2所示，所述第一掩膜板21位于所述蒸镀用掩膜板的非边缘区域，所述第一掩膜板21包含两个所述第一边缘2101；如图3所示，所述第一掩膜板21位于所述蒸镀用掩膜板的边缘区域，所述第一掩膜板21仅包含一个所述第一边缘2101。
如图2所示，所述第二掩膜板22位于所述蒸镀用掩膜板的非边缘区域，所述第一掩膜板22包含两个所述第一边缘2201；如图3所示，所述第二掩膜板22位于所述蒸镀用掩膜板的边缘区域，所述第一掩膜板22仅包含一个所述第一边缘2201。
在本发明所记载的实施例中，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201配合，对所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22之间的空隙进行遮挡的配合方式可以包含下面两种：
第一种：
所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22相邻侧的所述第一边缘2101的投影和所述第二边缘2201的投影重叠。
所述第一边缘2101和所述第二边缘2201的叠加投影的长度为第三长度f；
所述第一边缘2101具有第一长度c，所述第一长度c小于所述第三长度f，即c＜f；
所述第二边缘2201具有第二长度d，所述第二长度d小于所述第三长度f，即d＜f。
如图2所示，所述第一边缘2101的投影和所述第二边缘2201的投影配合构成的重叠投影，可以对所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22之间的空隙23进行遮挡，即对无需进行有机发光材料蒸镀的非蒸镀部分进行遮挡，起到遮挡掩膜板(cover mask)的效果。
所述第一掩膜板21包括：第一主体2102；所述第二掩膜板22包括：第二主体2202，其中：
所述第一主体2102具有第一厚度g，所述第一边缘2101具有第二厚度h；
所述第二主体2202具有第一厚度g，所述第二边缘2201具有第三厚度l；
所述第一厚度g大于等于所述第二厚度h与所述第三厚度l之和，即g≥h+l。
所述第一边缘2101是通过将所述第一主体2102的边缘进行局部延伸得到的；所述第二边缘2201是通过将所述第二主体2202的边缘进行局部延伸得到的。
需要说明的是，所述第一主体2102和所述第二主体2202为蒸镀部分。
当所述第一厚度g大于所述第二厚度h与所述第三厚度l之和，即g＞h+l时，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201不接触。此时，所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22不接触，不会出现相互作用力影响所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22的蒸镀部分的平整度，进而在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
当所述第一厚度g等于所述第二厚度h与所述第三厚度l之和，即g＝h+l时，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201接触。此时，所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22接触，会出现相互作用力。
但是，相对于现有技术，所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22之间的接触面积增大，使得所述接触部分的受力均匀化，不会出现局部作用力过大造成的褶皱，不影响第一掩膜板21、第二掩膜板22的蒸镀部分的平整度，进而在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
需要说明的是，为了使得所述接触部分的受力均匀化，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201的尺寸，即所述第一长度c、所述第二长度d与所述第一掩膜板的整体尺寸、所述第二掩膜板的整体尺寸有关，可以根据实际蒸镀情况确定，这里不做具体限定。
需要说明的是，所述第一长度c和所述第二长度d可以相等，即c＝d，也可以不相等，即c≠d；所述第二厚度h和所述第三厚度l可以相等，即h＝l，也可以不相等，即h≠l，这里不做具体限定。
当c＝d，h＝l时，所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22对称分布，可以使得在所述蒸镀用掩膜板的制备过程中，所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22的形变一致，确保所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22的蒸镀部分的平整度一致，在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
在本发明的可选实施例中，所述第一掩膜板还包括：第五主体2103；所述第二掩膜板还包括：第六主体2203，其中：
所述第五主体具有第一厚度g、第六长度b，其中：b≥0；
所述第六主体具有第一厚度g、第七长度e，其中：e≥0。
所述第五主体2103是通过将所述第一主体2102进行整体延伸得到的，再对所述第五主体2103的边缘进行局部延伸，得到所述第一边缘2101；所述第六主体2203是通过将所述第二主体2202进行整体延伸得到的，再对所述第六主体2203的边缘进行局部延伸，得到所述第二边缘2201。
所述第三主体2103、所述第一边缘2101、所述第四主体2203、所述第二边缘2201以及所述空隙23为非蒸镀区域。
需要说明的是，所述第八长度b和所述第九长度e可以相等，即b＝e；也可以不相等，即b≠e，这里不做具体限定。
在所述蒸镀用掩膜板的制备过程中，所述第三主体2103使得所述第一主体2102的受力平均化，提高所述第一掩膜板21的平整度；所述第四主体2203使得所述第二主体2202的受力平均化，提高所述第二掩膜板22的平整度，进而在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
在本发明的可选实施例中，所述第一边缘2201和所述第二边缘2201配合，对所述空隙23进行遮挡，可以采用如图4所示的结构，也可以采用其他结构，这里不做具体限定，图4为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图。
第二种：
图5为本发明实施例提供的一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板的结构示意图。
如图5所示，所述蒸镀用掩膜板还包括：第三掩膜板24，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201配合，包括：
所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22相邻侧的所述第一边缘2101和所述第二边缘2201形成凹槽；
所述第三掩膜板24位于所述凹槽内。
需要说明的是，所述第三掩膜板指的是没有开孔的遮挡掩膜板(cover mask)。
具体地，所述第三掩膜板24具有第四长度x；
所述第一边缘2101和所述第二边缘2201之间的所述空隙23具有第五长度r；
所述第四长度x大于所述第五长度r，即x＞r。
如图5所示，所述第一边缘2101和所述第二边缘2201配合，形成所述凹槽，所述第三掩膜板24位于所述凹槽内，所述第三掩膜板24的长度大于所述空隙23的长度，因此，所述第三掩膜板24可以对所述空隙23，即无需进行有机发光材料蒸镀的非蒸镀部分进行遮挡。
如图5所示，所述第三掩膜板24可以阻挡所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22出现左右漂移的现象，在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高所述第一掩膜板21和所述第二掩膜板22上的开孔与需要进行有机发光材料蒸镀的像素单元之间的对位准确度，提高有机发光二极管蒸镀的良品率。
所述第一掩膜板21包括：第三主体2104；所述第二掩膜板包括：第四主体2204，其中：
所述第三主体2104具有第四厚度q，所述第一边缘2101具有第五厚度p；所述第四主体2204具有第四厚度q，所述第二边缘2201具有第五厚度p；
所述第三掩膜板24具有第六厚度s；
所述第五厚度p和所述第六厚度s之和小于等于所述第四厚度q，即p+s≤q。
当所述第五厚度p和所述第六厚度s之和小于所述第四厚度q，即p+s＜q时，所述第三掩膜板24和所述第一边缘2101、所述第二边缘2201不接触。此时，所述第三掩膜板24对非蒸镀部分的所述空隙23进行遮挡，并且，所述第三掩膜板24和所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22不接触，不会出现相互作用力影响所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22的蒸镀部分的平整度，进而在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
当所述第五厚度p和所述第六厚度s之和等于所述第四厚度q时，即p+s＝q，所述第三掩膜板24和所述第一边缘2101、所述第二边缘2201接触。此时，所述第三掩膜板24和所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22接触，会出现相互作用力。
但是，相对于现有技术，所述第三掩膜板和所述第一掩膜板21、所述第二掩膜板22之间的接触面积增大，使得所述接触部分的受力均匀化，不会出现局部作用力过大造成的褶皱，不影响第一掩膜板21、第二掩膜板22的蒸镀部分的平整度，进而在使用所述蒸镀用掩膜板蒸镀有机发光二极管时，提高有机发光二极管的良品率。
需要说明的是，为了使得所述接触部分的受力均匀化，所述第一边缘2101、所述第二边缘2201以及所述第三掩膜板24的尺寸，即所述第四长度m、所述第五长度n、所述第七长度x与所述第一掩膜板21的整体尺寸、所述第二掩膜板22的整体尺寸有关，可以根据实际蒸镀情况确定，这里不做具体限定。
需要说明的是，所述第四长度m和所述第五长度n可以相等，即m＝n，也可以不相等，即m≠n，这里不做具体限定。
本发明提供了一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：所述第一掩膜板包含第一边缘；所述第二掩膜板包含第二边缘；所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。通过相邻掩膜板的边缘相互配合，对相邻掩膜板之间的非蒸镀部分进行遮挡，确保掩膜板蒸镀的部分的平整度，有效提高有机发光二极管蒸镀的良品率。
与此同时，本发明实施例还提供一种有机发光二极管的蒸镀方法，所述蒸镀方法使用本发明实施例提供的有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，进行有机发光二极管的蒸镀。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(设备)流程图和/或方框图来描述的。尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述蒸镀用掩膜板至少包括第一掩膜板和第二掩膜板，其中：
所述第一掩膜板包含第一边缘；
所述第二掩膜板包含第二边缘；
所述第一边缘和所述第二边缘配合，使得所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间的空隙被遮挡，所述第一边缘、所述第二边缘以及所述空隙为非蒸镀部分。
2.如权利要求1所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第一边缘和所述第二边缘配合，包括：
所述第一掩膜板和所述第二掩膜板相邻侧的所述第一边缘的投影和所述第二边缘的投影重叠。
3.如权利要求2所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第一边缘和所述第二边缘的叠加投影的长度为第三长度；
所述第一边缘具有第一长度，所述第一长度小于所述第三长度；
所述第二边缘具有第二长度，所述第二长度小于所述第三长度。
4.如权利要求2所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板包括：第一主体；所述第二掩膜板包括：第二主体，其中：
所述第一主体具有第一厚度，所述第一边缘具有第二厚度；
所述第二主体具有第一厚度，所述第二边缘具有第三厚度；
所述第一厚度大于等于所述第二厚度与所述第三厚度之和。
5.如权利要求1所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述蒸镀用掩膜板还包括：第三掩膜板，所述第一边缘和所述第二边缘配合，包括：
所述第一掩膜板和所述第二掩膜板相邻侧的所述第一边缘和所述第二边缘形成凹槽；
所述第三掩膜板位于所述凹槽内。
6.如权利要求5所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第三掩膜板具第四长度；
所述第一边缘和所述第二边缘之间的空隙具有第五长度；
所述第五长度大于所述第四长度。
7.如权利要求5所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板包括：第三主体；所述第二掩膜板包括：第四主体，其中：
所述第三主体具有第四厚度，所述第一边缘具有第五厚度；所述第四主体具有第四厚度，所述第二边缘具有第五厚度；
所述第三掩膜板具有第六厚度；
所述第五厚度和所述第六厚度之和小于等于所述第四厚度。
8.如权利要求1所述的蒸镀用掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板至少包含一个所述第一边缘；所述第二掩膜板至少包含一个所述第二边缘。
9.一种有机发光二极管的蒸镀方法，其特征在于，使用如权利要求1至8任一项所述的蒸镀用掩膜板，进行有机发光二极管的蒸镀。
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