CN108054113A - 一种抽样检测方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000012502 risk assessment Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本分发明提供了一种抽样检测方法，应用于半导体产品的制备中，其中，提供多个量测设备；提供多个批次的待测的半导体产品；包括以下步骤：根据预设的设备评估规则获取关于总的量测设备的第一风险评估值；根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于半导体产品的第二风险评估值；将每个批次半导体产品对应的第二风险评估值与第一风险评估值进行比较，以获得比较结果；根据比较结果，仅将第二风险评估值高于第一风险评估值的批次的半导体产品作为检测对象，第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳过量测设备，不进量测设备检测。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中采用的固定抽样方式并不能真实的反应出产品的质量的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种抽样检测方法。
背景技术
在半导体产品制备过程中，首先是获取晶圆，然后在晶圆上经过多个站点分别执行多种制程形成半导体产品，其中每个站点上执行的制程对产品最终的良率都会造成影响，因此对于经过相关制程之后的半导体产品都是需要进行相关的量测，根据量测结果判断半导体产品是否在物理缺陷，进而根据物理缺陷反馈出站点对应的制程是否存在问题，针对存在问题的站点可针对性的改进，以提高制备半导体产品的良率。
现有技术中对半导体产品执行量测时，每个半导体产品对应一身份标识码(lotID),通过抽样的方式，即随机选择lot ID的尾数，于每一批中选取出尾数相同的半导体产品执行量测，而这种抽样的量测方式存在以下缺陷；随机性太强，可能抽样出的半导体产品都是良率较高的产品，并不能真实的反应出产品的质量。
发明内容
针对现有技术中采取的抽样检测的方式对半导体产品执行检测存在的上述问题，现提供一种旨在评估出量测设备以及半导体产品的风险值，然后根据两者风险值的比较结果，动态选择出半导体产品执行量测的抽样检测方法
具体技术方案如下：
一种抽样检测方法，应用于半导体产品的制备中，其中，提供多个量测设备；提供多个批次的待测的半导体产品；
包括以下步骤：
步骤S1、根据预设的设备评估规则获取关于总的所述量测设备的第一风险评估值；
步骤S2、根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于所述半导体产品的第二风险评估值；
步骤S3、将每个批次所述半导体产品对应的所述第二风险评估值与所述第一风险评估值进行比较，以获得比较结果；
步骤S4、根据所述比较结果，仅将所述第二风险评估值高于所述第一风险评估值的批次的所述半导体产品作为检测对象，所述第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳所述过量测设备，不进所述量测设备检测。
优选的，根据所述设备评估规则获取所述第一风险评估值的方法如下：
S＝50t(t<＝2)
其中，t＝N/(A*(S1+S2+……+Sn))
t表示自变量；
S表示第一风险评估值；
n表示量测设备组包含的量测设备数；
S1…Sn表示量测设备对应的状态值；
A表示量测设备组的量测能力值；
N表示当前等待的半导体产品批数。
优选的，每个所述量测设备的状态包括两种状态：
所述状态值为1，表示当前的所述量测设备为可用状态；
所述状态值为0，表示当前的所述量测设备为不可用状态。
优选的，所述量测设备的所述量测能力值为所述量测设备每小时可量测通过所述半导体产品的数量的能力。
优选的，根据所述半导体产品的所述产品评估规则获取每一批次中所述半导体产品的所述第二风险评估值的方法如下：
其中，L表示所述第二风险评估值；Ri表示产品评估规则项对应的分值；Wi表示所述产品评估规则项对应的权重，i表示表示产品评估规则项。
优选的，所述半导体产品经过多个站点完成其站点对应的制程之后，形成待测的所述半导体产品；
所述产品评估规则项包括：
每个所述站点定义的超控率；
每个所述站点定期维护后的风险产品；
每个关键所述站点的产品间隔预定时间之后必须量测的半导体产品；
当前的制程距离上一次量测的时间间隔；
当前的制程在预定时间段内的物理缺陷率。
优选的，所述量测设备用以量测所述半导体产品存在的物理缺陷，以根据所述物理缺陷判断执行过的所述制程是否合格。
优选的，所述量测设备采用动态监控方式判断对每一批次中的每个所述半导体产品的所述第二风险评估值是否大于所述第一风险评估值；
若是，所述量测设备对当前的所述半导体产品执行量测以获得量测结果；
若否，则对当前的所述半导体产品跳过量测。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：可对量测设备以及待量测的批次的半导体产品分别评估出对应的风险评估值，通过比较两者的风险评估值，若半导体产品的风险评估值高于量测设备的风险评估值，则表示当前批次的半导体产品的风险度较高需要量测设备执行量测操作，进而能够真实的反应出半导体产品存在的物理缺陷，提高了量测设备的利用率，克服了现有技术中采用的固定抽样方式并不能真实的反应出产品的质量的缺陷。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明一种抽样检测方法的实施例的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明的技术方案中包括一种抽样检测方法。
一种抽样检测方法的实施例，应用于半导体产品的制备中，其中，提供多个量测设备；提供多个批次的待测的半导体产品；
如图1所示，包括以下步骤：
步骤S1、根据预设的设备评估规则获取关于总的量测设备的第一风险评估值；
步骤S2、根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于半导体产品的第二风险评估值；
步骤S3、将每个批次半导体产品对应的第二风险评估值与第一风险评估值进行比较，以获得比较结果；
步骤S4、根据比较结果，仅将第二风险评估值高于第一风险评估值的批次的半导体产品作为检测对象，第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳过量测设备，不进量测设备检测。
针对现有技术中，在对半导体产品执行量测时，通常是采用随机选取lot码的尾数，然后基于尾数于每一批中获取尾数相同的半导体产品执行量测，这种固定的抽样方式存在着随机性强，不能准确的反应出半导体产品质量的问题。
本发明中，将量测设备和半导体产品分别进行评估，然后获得关于量测设备的第一风险评估值以及关于不同批次的半导体产品的第二风险评估值，量测机台每一次执行半导体产品量测的数量是有限制的，因此对于每一批的半导体产品，量测机台采取的检测方式是，对第二风险评估值高于等于第一风险评估值的半导体产品执行量测，而对于第二风险评估值低于第一风险评估值的半导体产品跳过量测；
通过上述的根据评估值之间的比较结果，选择对半导体产品执行量测的方式，不仅提高了量测设备的利用率，克服了现有技术中采用的固定抽样方式并不能真实的反应出产品的质量的缺陷。
需要说明的是，每个量测设备在半导体领域中，表示对半导体产品进行相关制程所对应的站点。
在一种较优的实施方式中，根据设备评估规则获取第一风险评估值的方法如下：
S＝50t(t<＝2)
其中，t＝N/(A*(S1+S2+……+Sn))
S表示第一风险评估值；
t表示自变量；
n表示量测设备组包含的量测设备数；
S1…Sn表示量测设备对应的状态值；
A表示量测设备组的量测能力值；
N表示当前等待的半导体产品批数。
在一种较优的实施方式中，每个量测设备的状态包括两种状态：
状态值为1，表示当前的量测设备为可用状态；
状态值为0，表示当前的量测设备为不可用状态。
在一种较优的实施方式中，量测设备的量测能力值为量测设备每小时可量测通过半导体产品的数量的能力。
以下对获取量测设备的第一风险评估值的方法给出一具体的实施例进行说明：
我们假设，量测设备组的量测机台的数量n＝5，其中5个量测设备中，状态值为1的量测设备的数量为2，即状态值为0的量测设备的数量为3；
当前等待的半导体产品批数N＝145；
量测设备组的量测能力值A＝50；
通过上式，最终获得S＝50*(N/(A*(S1+S2+……+Sn))＝50*(145/(50*(1+1+1+0+0))＝48.3。
在一种较优的实施方式中，根据半导体产品的产品评估规则获取每一批次中半导体产品的第二风险评估值的方法如下：
其中，L表示第二风险评估值；Ri表示产品评估规则项对应的分值；Wi表示产品评估规则项对应的权重，i表示表示产品评估规则项，i的取值为1-n，n表示产品评估规则项第n条产品评估规则项。
在一种较优的实施方式中，半导体产品经过多个站点完成其站点对应的制程之后，形成待测的半导体产品；
产品评估规则项包括：
每个站点定义的超控率；
每个站点定期维护后的风险产品；
每个关键站点的产品间隔预定时间之后必须量测的半导体产品；
当前的制程距离上一次量测的时间间隔；
当前的制程在预定时间段内的物理缺陷率。
在一种较优的实施方式中，量测设备用以量测半导体产品存在的物理缺陷，以根据物理缺陷判断执行过的制程是否合格。
在一种较优的实施方式中，量测设备采用动态监控方式判断对每一批次中的每个半导体产品的第二风险评估值是否大于第一风险评估值；
若是，量测设备对当前的半导体产品执行量测以获得量测结果；
若否，则对当前的半导体产品跳过量测。
以下对获得半导体产品的第二风险评估值的方法给出具体的实施方式进行说：
我们假设有三个批次的半导体产品，分别为第一批次(L1)，第二批次(L2)，第三批次(L3)；
每个站点定义的超控率(OOC Ratio：out of control ratio)，其分值计算方式如下：R1＝25t(t<＝4)，其中，
m为第一预定天数内的ooc rate(超控率)
M为第二预定天数内的ooc rate(超控率)；
其中，m<M；
t＝m/M。
根据计算方式，t分别取1、2、4，则获得当前的产品评估规则项的分值如下：
L1的对应的分值为25，以及权值为80％；
L2的对应的分值为50，以及权值为80％；
L3的对应的分值为100，以及权值为80％；
需要说明的是每个产品评估规则项的权重都是预先配置好的，我们假设当前的产品评估规则项的权值为80％。
我们假设每个站点定期维护(PM)后定义的风险产品，其分值计算方式如下：
R2＝130-30n(1<＝n<＝3)，
n:为PM后的第n个lot。
n>3的时候，R2＝0,表示只取PM后的三个批次。
根据计算方式，n取1、2以及大于3，获得当前的产品评估规则项的分值如下:
L1的对应的分值为100，以及权值为90％；
L2的对应的分值为70，以及权值为90％；
L3的对应的分值为0，以及权值为90％；
我们假设当前的产品评估规则项的权值为90％。
每个关键站点的产品间隔预定时间之后必须量测的半导体产品，其分值计算方式如下：
R3＝70m2(m<＝1)
＝30m+40(1<m<＝2)
其中，m＝x/M，x为Interval(间隔),M为Max Interval(最大间隔)。
根据计算方式，m取1.5、1.6以及2，获得前的产品评估规则项的分值如下：
L1的对应的分值为,85，以及权值为50％；
L2的对应的分值为88，以及权值为50％；
L3的对应的分值为100，以及权值为50％；
我们假设当前的产品评估规则项的权值为50％。
当前的制程距离上一次量测的时间间隔，其分值计算方式如下：
R4＝100t/24(0<＝t<＝24)
其中，t:Recipe(制程)最后一次扫货(量测)的时间跟当前时间的间隔。
根据分值计算方式，t取1、2以及24，获得前的产品评估规则项的分值如下：
L1的对应的分值为4，以及权值为100％；
L2的对应的分值为8，以及权值为100％；
L3的对应的分值为100，以及权值为100％；
我们假设当前的产品评估规则项的权值为100％。
当前的制程在预定时间段内的物理缺陷率(DN Ratio)，其分值计算方式如下：
R5＝25t(t<＝4)
其中，m为第一预定天数内的DN rate(缺陷率比率)
M为第二预定天数内的DN rate(缺陷率比率)；
其中，m<M；
t＝m/M。
根分值计算方式，t取1、2以及4，获得前的产品评估规则项的分值如下：
L1的对应的分值为25，以及权值为70％；
L2的对应的分值为50，以及权值为70％；
L3的对应的分值为100，以及权值为70％；
我们假设当前的产品评估规则项的权值为70％。
根据每个产品评估规则项，获得每一批次产品的第二风险评估值：
将L1，L2，L3对应的第二风险评估值与上述的第一风险评估值比较，可获得L2、L3的风险评估值大于第一风险评估值，表示L2、L3为高风险批次的半导体产品，因此将L2、L3作为检测对象，需要进入量测设备检测；
而L1由于其对应的第二风险评估值小于第一风险评估值，即L1非高风险批次半导体产品，跳过量测设备，不进量测设备检测。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种抽样检测方法，应用于半导体产品的制备中，其特征在于，提供多个量测设备；提供多个批次的待测的半导体产品；
包括以下步骤：
步骤S1、根据预设的设备评估规则获取关于总的所述量测设备的第一风险评估值；
步骤S2、根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于所述半导体产品的第二风险评估值；
步骤S3、将每个批次的所述半导体产品对应的所述第二风险评估值与所述第一风险评估值进行比较，以获得比较结果；
步骤S4、根据所述比较结果，仅将所述第二风险评估值高于所述第一风险评估值的批次的所述半导体产品作为检测对象，所述第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳所述过量测设备，不进所述量测设备检测。
2.根据权利要求1所述的抽样检测方法，其特征在于，根据所述设备评估规则获取所述第一风险评估值的方法如下：
S＝50t(t<＝2)
其中，t＝N/(A*(S1+S2+……+Sn))
t表示自变量；
S表示第一风险评估值；
n表示量测设备组包含的量测设备数；
S1…Sn表示量测设备对应的状态值；
A表示量测设备组的量测能力值；
N表示当前等待的半导体产品批数。
3.根据权利要求2所述的抽样检测方法，其特征在于，每个所述量测设备的状态包括两种状态：
所述状态值为1，表示当前的所述量测设备为可用状态；
所述状态值为0，表示当前的所述量测设备为不可用状态。
4.根据权利要求2所述的抽样检测方法，其特征在于，所述量测设备的所述量测能力值为所述量测设备每小时可量测通过所述半导体产品的数量的能力。
5.根据权利要求1所述的抽样检测方法，其特征在于，根据所述半导体产品的所述产品评估规则获取每一批次的关于所述半导体产品的所述第二风险评估值的方法如下：
<mrow>
<mi>L</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>&Sigma;W</mi>
<mi>i</mi>
</msub>
<mo>&times;</mo>
<msub>
<mi>R</mi>
<mi>i</mi>
</msub>
</mrow>
<mrow>
<msub>
<mi>&Sigma;W</mi>
<mi>i</mi>
</msub>
</mrow>
</mfrac>
</mrow>
其中，L表示所述第二风险评估值；Ri表示产品评估规则项的分值；Wi表示所述产品评估规则项对应的权重，i表示表示产品评估规则项。
6.根据权利要求3所述的抽样检测方法，其特征在于，所述半导体产品经过多个站点完成其站点对应的制程之后，形成待测的所述半导体产品；
所述产品评估规则项包括：
每个所述站点定义的超控率；
每个所述站点定期维护后的风险产品；
每个关键所述站点的产品间隔预定时间之后必须量测的半导体产品；
当前的制程距离上一次量测的时间间隔；
当前的制程在预定时间段内的物理缺陷率。
7.根据权利要求6所述的抽样检测方法，其特征在于，所述量测设备用以量测所述半导体产品存在的物理缺陷，以根据所述物理缺陷判断执行过的所述制程是否合格。
8.根据权利要求1所述的抽样检测方法，其特征在于，所述量测设备采用动态监控方式判断对每一批次中的每个所述半导体产品的所述第二风险评估值是否大于所述第一风险评估值；
若是，所述量测设备对当前的所述半导体产品执行量测以获得量测结果；
若否，则对当前的所述半导体产品跳过量测。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711415466.8A CN108054113B (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种抽样检测方法 |
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| CN201711415466.8A Active CN108054113B (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种抽样检测方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. Country or region before: China |