CN108047368B - 一种异氰酸酯类聚合物的制备方法及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，异氰酸酯类聚合物为聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物或类似聚合物，采用引发式化学气相沉积方法沉积聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物，在反应腔中，通入引发剂和单体，设置反应腔内的压强到达预定的值，加热，使反应腔内和基底材料的基底温度达到各自预定的温度，在腔体内部的引发剂气体分子会因高温发生裂解产生初级自由基，初级自由基与吸附在样品表面的单体进行原位聚合形成高分子薄膜；对该薄膜进行进一步的退火工艺。将制得聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物应用于于微电子器件，生物医学，生物芯片，微流体器件、薄膜、织物等领域作粘结剂或交联剂使用，具有优异的膜基结合力。

Description

一种异氰酸酯类聚合物的制备方法及应用
技术领域
本发明涉及一种异氰酸酯类聚合物的制备及应用，尤其涉及一种丙烯酸酯类异氰酸酯基聚合物的气相制备法及其应用。
背景技术
薄膜材料作为一种超薄的材料，厚度通常在几十个纳米到几个微米之间，因其超薄性与多功能性能够广泛应用在表面改性，微电子器件，生物医学，生物芯片，微流体器件、织物等领域。在应用过程中，膜基结合力在薄膜材料的应用过程中至关重要，如果膜基结合力差、膜强度差会成为其耐持久性使用的阻碍。
多异氰酸酯（CN103387648A，CN1399148A, CN1488660）作为工业上常用的一种粘结剂与固化剂，主要是因为异氰酸酯是非常活泼的官能团能够与许多常见的官能团反应，如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等含有活泼氢的官能团。但是这种粘结剂在使用的时候需要人工涂敷，这样操作繁琐不可控因素多，因此不适用在微电子器件、生物芯片等复杂敏感的基底材料上使用。如果能将异氰酸酯基在这些复杂基底的表面进行原位聚合，利用异氰酸酯与基底材料表面的活泼官能团反应，另一端能够与其他单体共聚合，这样既能提高膜基结合力又能实现表面多功能化。
引发式化学气相沉积作为一种新型的薄膜材料的制备方法，具有原位生长、干式镀膜、共形成积、条件可控的优点，即使在具有微纳米结构的表面也能够均匀镀膜。因此如果能采用引发式化学气相沉积的方法制备异氰酸酯类聚合物，一方面能够提高薄膜与基底间的膜基结合力与多功能化，另一方面又能兼顾气相镀膜的优势。
针对以上的不足，本发明提出引发式化学气相沉积制备丙烯酸酯异氰酸酯类聚合物，可作为交联剂和粘结剂使用。
发明内容
针对以上现有技术中的问题，本发明拟提供一种异氰酸酯类聚合物的气相制备方法，且此种方法制备的异氰酸酯类聚合物与基底具有良好的结合力，可同时作为交联剂和粘结剂使用提高薄膜的膜基结合力。
为实现上述发明目的，本发明采用技术方案如下：
本发明提供了一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其中所述异氰酸酯类聚合物为聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物，所述制备方法为采用引发式化学气相沉积方法沉积聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜，具体步骤如下：
将待沉积的基底材料放置在腔体内，反应腔内抽成真空状态。将已经加热到预定温度的前躯体以气体的形式按照一定的比率通入到反应腔体内，前躯体包括用于引发聚合的引发剂和单体，其中每一种前躯体的流量和比率可以通过针阀来控制。前躯体通过进气管道进入反应腔内，设置反应腔内的压强到达预定的值，既控制每一种反应气体在腔体里面的总量防止气体出现饱和冷凝在腔体内部。开始加热，使反应腔内和基底材料的基底温度达到预定的温度，在腔体内部的引发剂气体分子会因高温发生裂解产生初级自由基，初级自由基与吸附在样品表面的单体进行原位聚合形成高分子薄膜。反应终止可以通过还原腔体的真空状态和降低热丝的腔体温度来实现。
其中本发明中待沉积的基底材料优选为表面含有如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等含有活泼氢的官能团的基底材料；因为异氰酸酯是非常活泼的官能团，它能够与这些常见的官能团反应，这些基底表面的官能团在聚合物形成过程中与异氰酸酯基反应，能够通过界面化学反应实现薄膜的表面接枝，达到增强薄膜与基底的结合力,同时通过交联，增强制备的聚合物薄膜的致密性。
其中，本发明实施例中，使用的基底材料之一为棉布，棉布表面含有如–OH 、–COOH等官能团，直接作为基底材料使用；还可以使用其他不含这些官能团的基底材料，使用前对这些基底材料进行活化处理，例如在本发明的实施例中，使用的基底材料还包括硅片，为使硅片表面有如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团，使用前对硅片进行了活化处理。其活化处理的方法如下：1，所需化学试剂为浓硫酸、质量分数不低于30%的双氧水、无水乙醇、蒸馏水，其中浓硫酸：双氧水体积比=3:1；2，活化液配制：将烧杯置于磁力搅拌器上倒入浓硫酸，并用磁力搅拌器进行搅拌，转速大约为100r/min；用一次性滴管将双氧水缓缓滴入浓硫酸，加热温度至70-80°之间；3，将硅片用镊子小心的放入活化液且不要互相重叠；温度保持在70-80°之间，煮30min；等待温度冷却后取出硅片用蒸馏水清洗3次，再用无水乙醇超声清洗5min用氮气吹干，备用。活化处理后的硅片表面含有更多的羟基。
或者，对于不含如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团的基底材料，使用含有-NH2、-OH、-COOH、-NH-的硅烷偶联剂进一步处理使表面带有活化的官能团。具体可通过硅烷偶联剂蒸气，涂敷，浸润的方法中的一种或者几种处理，本处理方法可以在上面活化处理后再使用或者单独使用。
其中，本发明中使用引发式化学气相沉积制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜所使用的引发剂为叔丁基过氧化氢、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酰叔丁酯、全氟丁基磺酰氟、全氟辛基磺酰氟、过氧化二苯甲酰类的一种或几种；所述单体为丙烯酸异氰酸酯基类，具体包括甲基丙烯酸异氰基乙酯、甲基丙烯酸多异氰酸酯、对异氰酸酯基苯乙烯的一种或者几种。
进一步地，所述引发剂与单体的流量比为1：10～10：1。本发明制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物时，引发剂流量为0.2sccm～2 sccm、单体流量为0.2sccm-2sccm，其中一个实施例的单体的流量为0.2sccm，另一个实施例中单体流量为0.4sccm，另一个实施例中单体流量为0.6sccm。
本发明使用引发式化学气相沉积的方法制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜时所采用的腔体的压强为100 mTorr -5Torr,压强越大表面腔体中前躯体的浓度越大，但是压强过大之后会导致腔体内气达到饱和状态冷凝在腔体内壁，因此在其中一个实施例中腔体压强为150mTorr,在另一个实施例中腔体压强为200mTorr,在其中一个实施例中腔体压强为300mTorr。
本发明中使用引发式化学气相沉积的方法制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜可以做到低温引发，控制反应腔体在较低的温度范围内就可使引发剂分解为自由基，本发明中反应腔体温度为180-300℃。在本发明的实施例中，反应腔体通过热丝加热控制其温度，一个具体实施例中热丝温度为180℃，在其中一个实施例中热丝温度为220℃，在另一个实施例中热丝温度为280℃，相比较等离子体化学气相沉积,本发明能够做到低能量引发聚合，低能量的输入可以使甲基丙烯酸异氰基乙酯中的活性官能团异氰酸酯基能够保留下来，与等离子体真空镀膜法相比，本发明制备的涂层组分化学稳定性高和功能基团完整性高；而等离子体反应能量引入很高，沉积过程中常伴随副反应发生，因此等离子体真空镀膜法制备出的涂层组分中，其关键作用的功能基团保留度只能达到40-60%(美国专利：US8900663 B2)；而本发明如附图1中为甲基丙酸异氰基乙酯单体与本发明实施例引发式化学气相沉积聚合得到的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物的傅里叶红外光谱图，两者比较，使用引发式化学气相沉积的得到的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物在-2276cm-1处（异氰酸酯基的出峰位置）有很强的吸收峰，证实了本发明的制备方法中保留的官能基团完整性高,通过反应前后的峰值比较表面异氰酸酯基的官能团保留度为100%。
本发明中使用引发式化学气相沉积的方法得到的甲基丙烯酸异氰基乙酯薄膜所采用的基底温度为20-45℃，在较低的基底温度下，活化的自由基与单体分子吸附在样品表面进行聚合反应，本发明中所采用的基底材料有棉布布料，在较低的基底温度下，可以很好地保护棉布不被损坏，因此本发明适用于很多热敏感型的材料。本发明其中一个实施例的基底温度为25℃，本发明中其中一个实施例中基底温度为30℃，本发明其中一个实施例的基底温度为35℃。控制基底在较低的温度下一方面能够增加单体分子和引发剂自由基的吸附速率，增加其沉积速率，本发明使用引发式化学气相沉积的方法制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜时沉积速率为10-50nm/min；另一方面能够保护对温度敏感的基底材料。
本发明中沉积的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜厚度在20nm-1um之间。
进一步地，本发明使用引发式化学气相沉积的方法制备聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜沉积在活化的硅片或棉布等基底材料上，为使聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物中的异氰酸酯基能够和基底材料表面的羟基等官能团反应，其中退火处理会使反应更充分，使得聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜与基底的结合力更强。本发明优选的退火工艺为：退火温度50-100℃之间，退火时间为2-24h。
本发明还提供了上述制备方法制得的异氰酸酯类聚合物的应用，将本发明制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物用作微电子器件，生物医学，生物芯片，微流体器件、织物等领域的粘结剂或交联剂。本发明的一个应用模拟实施例中，模拟微电子器件，人造器官，生物芯片等器件表面含有的如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团，采用对氨基苯乙烯作为单体的一部分，与单体甲基丙烯酸异氰基乙酯共沉积,形成的聚合物聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物；证实同时共沉积甲基丙烯酸异氰基乙酯和对氨基苯乙烯形成聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物复合薄膜过程中,异氰酸酯基能够与对氨基苯乙烯中的-NH2发生反应从而起到交联的作用，且进一步的退火处理能缩短反应时间增加反应程度从而进一步提高薄膜交联度。
与传统液相法相比较，引发式化学气相沉积的薄膜厚度可控，薄膜均匀，保型性好，单体利用率高，制备速率快。与其他气相法比较,需要的能量低，设备损耗小，反应条件更加温和可控，可以更好的保留活性官能团，实现薄膜功能最大化和最优化。
同时，本方法制得异氰酸酯类聚合物，在后续空气的保存过程中，因为含有异氰酸酯基，可以与空气中的水蒸气反应实现自交联，使得聚合物薄膜更加致密。
在将本发明制备方法应用于各种器件，比如微电子器件，人造器官，生物芯片，微流体器件等领域的过程中，如果器件表面不含有如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团，可以添加含有氨基、羧基等的共聚单体，异氰酸酯基可以与添加的单体中的这些基团反应产生交联作用，实现基底材料的表面官能团化又能增加其制得的聚合物的化学稳定性，同时提高膜基结合力又能实现表面多功能化。
附图说明
图1为甲基丙烯酸异氰基乙酯单体以及实施例1制备的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物傅里叶红外光谱图。
图2为应用模拟实施例1中制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物复合薄膜退火前和退火后的红外光谱图。
图3为对比例1制得样品的膜基结合测试结果图。
图4为实施例1中在硅片上制得的样品的膜基结合测试结果图。
图5为对比例2制得样品的膜基结合测试结果的SEM图。
图6实施例1中在棉布上制得样品的膜基结合测试结果的SEM图。
具体实施方式
本发明采用引发式化学气相沉积的方法制备异氰酸酯类聚合物，各实施例中采用的引发式化学气相沉积设备包括进气***，反应***，真空***，激光检测装置以跟踪薄膜形成的厚度。引发式化学气相沉积设备的进气***包括放置单体的的石英管，给石英管加热的金属圈和保温带以控制前躯体气体的温度，以及传输气体的金属管道和用于控制气体流量的隔膜阀与针阀。反应***主要包括反应腔体和缠绕在腔体外部的加热带、腔体内部的热丝阵列以控制反应腔的温度，放置基底材料的样品台，以及位于样品台下面的用于冷却基底材料的冷却循环装置以控制基底温度。真空***是由真空泵和用于检测真空度的真空计组成。激光检测***包括激光发射器，激光接受探头，电脑显示软件。制备异氰酸酯类聚合物时，前躯体气体进气***，在进气***将各前躯体气体加热到合适的温度，通过进气***中的阀门控制不同的前躯体气体的流量，进入达到预设温度的反应腔，气体在反应腔反应沉积于基底材料表面。
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
将棉布和经过活化处理好的的硅片作为基底材料放置在反应腔体内的样品台上，，固定好基底材料，使其与腔体底部紧密接触，反应腔体和管道抽至真空状态，前躯体气体包括引发剂和单体，引发剂为叔丁基过氧化氢，控制引发剂温度为30℃；单体为甲基丙烯酸异氰基乙酯，控制单体温度为55℃，引发剂与单体的流量分别为1sccm、0.2sccm；反应腔热丝加热温度为220℃，腔体压强为200mTorr,基底温度为30℃，沉积时间为30min,薄膜厚度约为400nm,沉积速度约为13nm/min。在棉布表面以及硅片表面制得聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜。之后对制得聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜进行退火工艺，在真空条件下，退火温度为80℃，退火时间为10h。
实施例2
将实施例1中的甲基丙烯酸异氰基乙酯单体的流量改为0.4sccm，引发剂为全氟丁基磺酰氟；其他条件不变，沉积时间为20min，薄膜厚度约为400nm，沉积速度约为20nm/min。
实施例3
将实施例1中的甲基丙烯酸异氰基乙酯单体，流量为0.6sccm；引发剂换为全氟辛基磺酰氟，其他条件与实施例1同，沉积时间为16min，薄膜厚度约为400nm，沉积速度约为25nm/min。
实施例4
与实施例2不同的为，引发剂为过氧化苯甲酰，流量为1 sccm；单体流量为2 sccm，反应腔中热丝温度设置为180℃，腔体压强为300mTorr，沉积时间为6min，薄膜厚度约为200nm，沉积速度约为33nm/min。
实施例5
将实施例4中热丝温度设为280℃，腔体压强为300mTorr，基底温度为25℃，沉积时间2min,薄膜厚度约为100nm,沉积速度约为50nm/min。
实施例6
将实施例5中基底温度设置为35℃，其他条件相同，沉积时间为6min，薄膜厚度约为200nm。沉积速度约为33nm/min。
以上各实施例中，所采用的基底材料之一硅片，均为经过活化处理的硅片，其活化处理过程为：
1）所需化学试剂为浓硫酸、、无水乙醇、蒸馏水，其中1，活化液配制：将烧杯置于磁力搅拌器上倒入浓硫酸，并用磁力搅拌器进行搅拌，转速大约为100r/min；用一次性滴管将双氧水缓缓滴入浓硫酸，加热温度至70-80°之间；其中双氧水的质量分数不低于30%；浓硫酸：双氧水体积比=3:1；
2）将硅片用镊子小心的放入活化液且不要互相重叠；温度保持在70-80°之间，煮30min；等待温度冷却后取出硅片用蒸馏水清洗3次，再用无水乙醇超声清洗5min用氮气吹干，备用。活化处理后的硅片表面含有更多的羟基。
对比例1
与实施例1的区别为：硅片未进行活化处理作为基底材料，进行聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜的沉积。
对比例2
与实施例1的区别为：棉布作为基底材料，进行聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜的沉积，沉积后未进行退火处理工艺。
应用模拟实施例1
在本应用模拟实施例中，模拟微电子器件，人造器官，生物芯片等器件表面含有的如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团，采用对氨基苯乙烯作为单体的一部分，与单体甲基丙烯酸异氰基乙酯共沉积,形成的聚合物聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物；以证实同时共沉积甲基丙烯酸异氰基乙酯和对氨基苯乙烯形成聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物复合薄膜过程中,异氰酸酯基能够与对氨基苯乙烯中的-NH2是否会发生反应从而起到交联的作用，提高薄膜交联度。具体步骤为：
将没有进行活化处理的硅片放置在腔体内，单体为甲基丙烯酸异氰基乙酯和对氨基苯乙烯两种单体，其中甲基丙烯酸异氰基乙酯单体与对氨基苯乙烯单体流量分别为0.6sccm，0.2sccm,引发剂为叔丁基过氧化氢，引发剂温度为30℃，甲基丙烯酸异氰基乙酯单体温度为55℃，对氨基苯乙烯单体温度为80℃；反应腔中热丝加热温度为205℃，基底温度为25℃，腔体压强为300mTorr,共沉积时间为30min,薄膜厚度约为400nm,沉积速度约为5nm/min。得到的样品在真空条件下退火10h，退火温度为60℃，制得聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物复合薄膜。
本应用模拟实施例同时也进一步证实，本发明制备方法中，当应用的器件表面不含有如-NH2、–OH 、–COOH 、-NH- 等官能团时，而作为基底材料的器件又不能进行本发明的表面活化处理时，可以在前躯体单体中添加添加含有氨基、羧基等的共聚单体，异氰酸酯基可以与添加的单体中的这些基团反应产生交联作用，实现基底材料的表面官能团化又能增加其制得的聚合物的化学稳定性，同时提高膜基结合力又能实现表面多功能化。
测试试验
1）红外光谱测试：将以上各实施例、对比例以及应用模拟实施例中制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物等进行傅里叶红外光谱分析。如附图1为甲基丙烯酸异氰基乙酯单体以及实施例1制备的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物傅里叶红外光谱图。从图中可以看到，两者比较，使用引发式化学气相沉积的得到的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物在-2276cm-1处（异氰酸酯基的出峰位置）有很强的吸收峰，证实了本发明的制备方法中保留的官能基团完整性高。本发明采用的制备方法能够做到低能量引发聚合，低能量的输入可以使甲基丙烯酸异氰基乙酯中的活性官能团异氰酸酯基能够保留下来，从而制备的涂层组分化学稳定性高和功能基团完整性高。
如附图2为应用模拟实施例1中制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物复合薄膜退火前和退火后的红外光谱图，从图中可以看到，在没有经过退火处理时，聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物和对氨基苯乙烯的共聚物在1660cm-1和1550cm-1处有较强的吸收峰，归属于-C=O的伸缩振动和-NH-的弯曲振动，表明即使不经过退火处理异氰酸酯基与氨基就具有很好的反应性。 进一步退火处理后-2276cm-1处异氰酸酯基的吸收峰明显变弱，表明进一步的退火处理能缩短反应时间提高反应程度，从而进一步提高交联度。因此可以由此推断本方法制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜可应用于用作表面含有的如-NH2、–OH 、–COOH、-NH- 等官能团的微电子器件、人造器官、生物芯片、微流体器件等领域的粘结剂或交联剂。
2）膜基结合的测试
将实施例1-6，对比例1～2，以及应用模拟实施例中得到的样品利用胶带进行膜基结合测试。本发明中用来检测制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜与基底间结合力的主要方法为胶带法，所选用的胶带为3M Scotch600高级透明胶带，胶带的粘结力为43.6 g/mm。如附图3为对比例1制得样品的膜基结合测试结果图，附图4为实施例1中在硅片上制得的样品的膜基结合测试结果图，两者样品的差别在于，对比例1中基底材料硅片没有经过活化处理，实施例1中的基底材料硅片经过活化处理，从图中可以看到，图3中的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜经过胶带测试，基本脱落，而图4中的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜经过胶带测试依然完整的粘附于基底上。可见异氰酸酯基与基底材料的官能团能够发生反应从而起到交联的作用，能很好的增加制得的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜与基底的附着力。
如附图5为对比例2制得样品的膜基结合测试结果的SEM图，附图6实施例1中在棉布上制得的样品的膜基结合测试结果的SEM图，两者样品的差别在于，对比例2的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物未经退火处理，实施例1经过退火处理。比较两图可以看到，图5的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜经胶带测试稍有脱落，而图6的聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物薄膜经胶带测试后依然完整的附着于基底棉布上。由此可以看到，进一步的退火处理能促进异氰酸酯基与基底材料的官能团反应、增加反应程度，从而进一步提高薄膜交联度，使得退火后膜基结合更好。

Claims (6)

1.一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其特征在于：所述异氰酸酯类聚合物为聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物，所述制备方法为采用引发式化学气相沉积方法沉积聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物，步骤包括如下：
将待沉积的基底材料放置在反应腔体内，反应腔内抽成真空状态，将前躯体气体加热到预定温度,各前躯体气体按照一定的流量比通入到反应腔体内，前躯体包括用于引发聚合的引发剂和单体，设置反应腔内的压强到达预定的值，控制每一种反应气体在腔体里面的总量防止气体出现饱和冷凝在腔体内部；开始加热，使反应腔内和基底材料的基底温度达到各自预定的温度，在腔体内部的引发剂气体分子会因高温发生裂解产生初级自由基，初级自由基与吸附在样品表面的单体进行原位聚合形成高分子薄膜；
其中所述引发剂为叔丁基过氧化氢、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酰叔丁酯、全氟丁基磺酰氟、全氟辛基磺酰氟的一种或几种；所述单体包括丙烯酸异氰酸酯基类单体、和含有氨基、羧基的有机分子气体共聚单体； 其中所述丙烯酸异氰酸酯基类单体选自甲基丙烯酸异氰基乙酯、甲基丙烯酸多异氰酸酯、对异氰酸酯基苯乙烯的一种或者几种；
所述待沉积的基底材料为表面不含有具备活泼氢的官能团的基底材料，所述官能团为-NH2、–OH 、–COOH或-NH-活性官能团。
2.根据权利要求1所述的一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其特征在于：所述共聚单体为对氨基苯乙烯。
3.根据权利要求1所述的一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其特征在于：所述待沉积的基底材料为没有进行活化处理的硅片，即表面不含有所述具备活泼氢的官能团的硅片。
4.根据权利要求1所述一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其特征在于：所述引发剂与单体的流量比为10：1～1:10；反应腔内压强为100 mTorr -5Torr；反应腔内温度为180-300℃；基底材料的基底温度为20-45℃。
5.根据权利要求1～4任一项所述一种异氰酸酯类聚合物的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括退火处理工艺：在真空条件下，退火温度50-100℃，退火时间为2-24h。
6.根据权利要求1～5任一项所述制备方法制得的异氰酸酯类聚合物的应用，其特征在于：所述聚丙烯酸异氰基乙酯类聚合物用于微电子器件，生物医学，生物芯片，微流体器件、织物领域作粘结剂或交联剂使用。
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