CN108011052B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。在该显示面板中,多个支撑柱位于像素定义层远离阵列基板的一侧,支撑柱靠近阵列基板的一端的横截面积大于支撑柱远离阵列基板一端的横截面积,多个支撑柱在阵列基板上的正投影与多个第一开口在阵列基板上的正投影不交叠,透明盖板位于支撑柱远离阵列基板的一端,辅助电极覆盖在透明盖板靠近支撑柱的一侧,辅助电极包括朝向透明盖板弯曲的多个凹陷区域,多个凹陷区域与多个支撑柱对应设置,辅助电极上的多个凹陷区域覆盖对应的支撑柱远离阵列基板的一端表面和该支撑柱中靠近该端的部分侧壁,且阴极层与辅助电极耦接,在采用上述设计后,有利于提高显示面板的显示效果和降低透明盖板破损的概率。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在现有技术中,显示面板中的阴极层为一整面结构,且膜层厚度相对较薄,从而使得该阴极层单位面积对应的电阻较大,同时该阴极层通过一个接触点与电源信号线电连接,因此在显示面板工作的过程中,阴极层中离该接触点越远的位置,该位置处的压降越明显,从而导致距离该接触点越远的位置对应的显示区域亮度越小,进而使得显示面板中不同的显示区域的亮度存在差异,即显示面板不同的显示区域亮度不均一,导致显示面板的显示效果较差。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置,用于解决现有技术中显示面板显示效果较差的问题。
一方面,本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括:
阵列基板;
像素定义层,所述像素定义层位于所述衬底基板上,所述像素定义层包括多个第一开口;
多个支撑柱,所述多个支撑柱位于所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧,所述支撑柱靠近所述阵列基板的一端的横截面积大于所述支撑柱远离所述阵列基板一端的横截面积,所述多个支撑柱在所述阵列基板上的正投影与所述多个第一开口在所述阵列基板上的正投影不交叠;
透明盖板,所述透明盖板位于所述支撑柱远离所述阵列基板的一端;
辅助电极,所述辅助电极覆盖在所述透明盖板靠近所述支撑柱的一侧,所述辅助电极包括朝向所述透明盖板弯曲的多个凹陷区域,所述多个凹陷区域与所述多个支撑柱对应设置,所述辅助电极上的所述多个凹陷区域覆盖对应的所述支撑柱远离所述阵列基板的一端表面和该支撑柱中靠近该端的部分侧壁;
阴极层,所述阴极层位于所述像素定义层和所述辅助电极之间,且所述阴极层与所述辅助电极耦接。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括上述所述的显示面板。
上述技术方案中的任一个技术方案具有如下有益效果:
在本发明实施例中,在透明盖板靠近支撑柱的一侧设置有辅助电极,阴极层位于像素定义层和辅助电极之间,且阴极层与辅助电极耦接,在采用上述设计后,阴极层与辅助电极构成并联结构,从而有利于降低阴极层单位面积上的电阻,在显示面板工作的过程中,相对于现有技术,本发明实施例中距离该阴极层和电源信号线接触点较远的位置上的压降相对较小,从而使得距离该接触点较远的位置和距离该接触点较近的位置对应的显示区域亮度差异较小,进而使得显示面板中不同的显示区域的亮度差异较小,有利于提高显示面板的显示效果。同时,在本发明实施例中,支撑柱靠近阵列基板的一端的横截面积大于该支撑柱远离阵列基板一端的横截面积,且由于辅助电极覆盖在透明盖板靠近所述支撑柱的一侧,辅助电极包括朝向透明盖板弯曲的多个凹陷区域,多个凹陷区域与多个支撑柱对应设置,辅助电极上的多个凹陷区域覆盖对应的支撑柱远离阵列基板的一端表面和该支撑柱中靠近该端的部分侧壁,在采用上述设计后,相对于现有技术(支撑柱中横截面积较小的一端与透明盖板接触,支撑柱与透明盖板的接触面积相对较小,容易造成透明盖板破损),在本发明实施例中,增大了支撑柱与透明盖板的接触面积,在外力施加在透明盖板上时,有利于减小单位面积内支撑柱对透明盖板的压强,从而有利于降低透明盖板破损的概率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图;
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图;
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图;
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图;
图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述XXX,但这些XXX不应限于这些术语。这些术语仅用来将XXX彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一XXX也可以被称为第二XXX,类似地,第二XXX也可以被称为第一XXX。
需要注意的是,本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的,不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中,还需要理解的是,当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时,其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”,也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图,如图1,显示面板包括:阵列基板1;像素定义层2,像素定义层2位于衬底基板上,像素定义层2包括多个第一开口21;多个支撑柱3,多个支撑柱3位于像素定义层2远离阵列基板1的一侧,支撑柱3靠近阵列基板1的一端的横截面积大于支撑柱3远离阵列基板1一端的横截面积,多个支撑柱3在阵列基板1上的正投影与多个第一开口21在阵列基板1上的正投影不交叠;透明盖板4,透明盖板4位于支撑柱3远离阵列基板1的一端;辅助电极5,辅助电极5覆盖在透明盖板4靠近支撑柱3的一侧,辅助电极5包括朝向透明盖板4弯曲的多个凹陷区域51,多个凹陷区域51与多个支撑柱3对应设置,辅助电极5上的多个凹陷区域51覆盖对应的支撑柱3远离阵列基板1的一端表面和该支撑柱3中靠近该端的部分侧壁;阴极层6,阴极层6位于像素定义层2和辅助电极5之间,且阴极层6与辅助电极5耦接。
具体的,如图1所示,辅助电极5和阴极层6在每个支撑柱3对应的位置连接,即辅助电极5和阴极层6并联连接,在等效电路中使得阴极层6的横截面积增大,从而有利于降低阴极层6单位面积上的电阻,在采用上述设计后,在显示面板工作的过程中,相对于现有技术,在本发明实施例中距离该阴极层6和电源信号线(未示出)接触点较远的位置上的压降相对较小,从而使得距离该接触点较远的位置和距离该接触点较近的位置对应的电压差异减小,进而有利于降低显示面板中不同的显示区域的亮度差异,从而有利于提高显示面板的显示效果。
如图1所示,在本发明实施例中,支撑柱3靠近阵列基板1的一端的横截面积大于该支撑柱3远离阵列基板1一端的横截面积,且由于辅助电极5覆盖在透明盖板4靠近支撑柱3的一侧,辅助电极5包括朝向透明盖板4弯曲的多个凹陷区域51,多个凹陷区域51与多个支撑柱3对应设置,辅助电极5上的多个凹陷区域51覆盖对应的支撑柱3远离阵列基板1的一端表面和该支撑柱3中靠近该端的部分侧壁,在采用上述设计后,相对于现有技术(支撑柱中横截面积较小的一端与透明盖板接触,支撑柱与透明盖板的接触面积相对较小,容易造成透明盖板破损),在本发明实施例中,增大了支撑柱3与透明盖板4的接触面积,在外力施加在透明盖板4上时,有利于减小单位面积内支撑柱3对透明盖板4的压强,从而有利于降低透明盖板4破损的概率。
如图1所示,像素定义层2用于定义不同的子像素单元22,子像素单元22设置在第一开口21内,其中,每个第一开口21内设置一种颜色的子像素单元22;支撑柱3用于支撑透明盖板4,使得透明盖板4与像素定义层2分离开来,从而使得外界应力不会直接作用在子像素单元22上,有利于保护子像素单元22内的结构,并且支撑柱3在阵列基板1上的正投影位于像素定义层2在阵列基板1上的正投影内,该设计有利于降低支撑柱3对子像素单元射出光线的影响,提高显示面板的出光效率,以及使得支撑柱3不会显示在显示面板上,有利于提高显示面板的显示效果;透明盖板4的可以由玻璃制成,该透明盖板4用于起到保护显示面板内部结构的作用,以及用于隔绝外部水氧,降低外部水氧对显示面板内部结构的侵蚀速率。
可选地,如图1所示,辅助电极5包括多个第一凹槽,多个第一凹槽与多个支撑柱3对应设置,多个第一凹槽构成多个凹陷区域51。
具体的,如图1所示,在辅助电极5靠近支撑柱3的一侧设置多个第一凹槽,该第一凹槽的形状与支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁构成的形状相同或相似,支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁与该第一凹槽接触,即该第一凹槽覆盖在支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁,使得支撑柱3与辅助电极5的接触面积增大,从而有利于减小单位面积内支撑柱3对透明盖板4的压强,从而有利于降低透明盖板4破损的概率,并且,由于透明盖板4各位置处的厚度相等,从而使得透明盖板4各位置处的机械强度相等,进而进一步有利于降低透明盖板4破损的概率。
举例说明,第一凹槽51可以通过半透掩膜工艺制成,该半透掩膜工艺可以包括以下步骤:
步骤1:在辅助电极5靠近支撑柱3的一侧形成光刻胶膜层。
步骤2:在该光刻胶膜层靠近支撑柱3的一侧覆盖半透掩膜版。
其中该半透掩膜版能够使辅助电极5的不同位置刻蚀掉的深度不同。
步骤3:对该光刻胶模块进行曝光。
步骤4:移除该半透掩膜版。
步骤5:对该光刻胶膜层进行显影处理,以使光刻胶膜层形成指定图案。
步骤6:利用具有指定图案的光刻胶模块,采用离子刻蚀工艺,对辅助电极5进行处理,以在辅助电极5上形成多个第一凹槽51.
步骤7:将具有指定图案的光刻胶膜层移除。
可选地,图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图,如图2所示,透明盖板4靠近阵列基板1的一侧设有多个第二凹槽,多个第二凹槽与多个支撑柱3对应设置,辅助电极5在第二凹槽处形成多个凹陷区域51。
具体的,如图2所示,在透明盖板4靠近阵列基板1的一侧设置第二凹槽,该第二凹槽的形状与支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁构成的形状相同或相似,辅助电极5覆盖在透明盖板4靠近阵列基板1的一侧,从而使得辅助电极5覆盖在支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁,使得支撑柱3与辅助电极5的接触面积增大,从而有利于减小单位面积内支撑柱3对透明盖板4的压强,从而有利于降低透明盖板4破损的概率,并且,在采用上述设计后,可以使辅助电极5各位置处的厚度相等,使得辅助电极5各位置处单位面积内的电阻相等,从而使得辅助电极5各位置出的电性能相同,在辅助电极5与阴极层6耦接后,使得阴极层6各位置处的等效电阻也基本相等,有利于提高阴极层6各位置处的电性能。
同时,在制作辅助电极5时,可以只采用化学气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺将辅助电极5的材料沉积上去就可以形成辅助电极5,不需要进行曝光处理、显影处理、刻蚀工艺等,从而可以降低辅助电极5的工艺复杂度,以及辅助电极5的制作周期,有利于提高生产效率,以及降低显示面板的制造成本。
可选地,图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图,如图3所示,透明盖板4靠近阵列基板1的一侧设有多个凸起结构,多个凸起结构与多个支撑柱3对应设置,凸起结构靠近阵列基板1的一侧设有第二凹槽。
具体的,如图3所示,在透明盖板4靠近阵列基板1的一侧设有多个凸起结构,凸起结构靠近阵列基板1的一侧设有第二凹槽,辅助电极5覆盖在透明盖板4靠近阵列基板1的一侧,辅助电极5在第二凹槽处形成凹陷区域51,使得辅助电极5在第二凹槽处能够覆盖支撑柱3远离阵列基板1的一侧和部分侧壁,使得支撑柱3与辅助电极5的接触面积增大,从而有利于减小单位面积内支撑柱3对透明盖板4的压强,从而有利于降低透明盖板4破损的概率,并且,在采用上述设计后,由于透明盖板4中与支撑柱3相对应的位置上的厚度更厚,从而使得该位置上的机械强度更大,由于透明盖板4在收到外界应力后,支撑柱3与透明盖板4之间的里会作用在该位置上,由于该位置上的机械强度较大,从而使得透明盖板4在收到外界应力后不易发生破损,同时,由于辅助电极5各位置处的厚度相等,使得辅助电极5各位置处单位面积内的电阻相等,从而使得辅助电极5各位置出的电性能相同,在辅助电极5与阴极层6耦接后,使得阴极层6各位置处的等效电阻也基本相等,有利于提高阴极层6各位置处的电性能。
可选地,如图1至图3所示,辅助电极5为整面结构,且辅助电极5为透明电极。
具体的,如图1至图3所示,当辅助电极5为整面结构时,辅助电极5的总电阻相对较大,在与阴极层6并联后,可以使阴极层6的等效总电阻相对较小,从而进一步减小阴极层6单位面积内的电阻,进而进一步有利于降低显示面板中不同的显示区域的亮度差异,从而有利于提高显示面板的显示效果。并且在辅助电极5为透明电极时,有利于降低辅助电极5对显示面板射出的光线产生影响,从而有利于提高显示面板的出光效率。
需要注意的是,辅助电极5为整面结构是指辅助电极5在阵列基板1上的正投影能够覆盖整个阵列基板1的显示区。
可选地,图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图,图5为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图,如图4和图5所示,辅助电极5为网状结构,辅助电极5在阵列基板1上的正投影位于像素定义层2在阵列基板1上的正投影内,并且辅助电极5在阵列基板1上的正投影与多个支撑柱3在阵列基板1上的正投影至少部分重叠。
具体的,如图4和图5所示,辅助电极5为网状结构,且辅助电极5在阵列基板1上的正投影位于像素定义层2在阵列基板1上的正投影内,可以在降低阴极层6单位面积上的电阻时,辅助电极5也不会对显示面板射出的光线产生任何影响,并且可以使用不透明但导电效率较高的材料,使得辅助电极5的材料的选择更加丰富。
可选地,如图1至图4所示,阴极层6为整面结构,阴极层6覆盖在多个支撑柱3远离阵列基板1的一端和该端的侧壁,阴极层6在凹陷区域51与辅助电极5耦接。
具体的,如图1至图4所示,在阴极层6为整面结构时,可以使阴极层6的等效横截面积相对较大,有利于降低阴极层6不同位置上的压降差异,进而使得显示面板中不同的显示区域的亮度差异较小,有利于提高显示面板的显示效果,并且阴极层6在凹陷区域51与辅助电极5耦接时,可以使得阴极层6与辅助电极5接触的面积相对较大,使得阴极层6和辅助电极5的耦接更加稳定,且可以避免由于阴极层6与辅助电极5接触的面积较小时,在连接处产生尖端放电的现象,从而提高了显示面板内部结构的安全性。
可选地,图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图,如图6所示,显示面板还包括:多个导电部7,多个导电部7与多个支撑柱3对应设置,导电部7覆盖在对应的支撑柱3远离阵列基板1的一端表面和该支撑柱3的侧壁;有机层8,有机层8位于阴极层6和像素定义层2之间,有机层8在阵列基板1上的正投影位于第一开口21在阵列基板1上的正投影内;阴极层6为整面结构,阴极层6覆盖在导电部7远离阵列基板1的一侧,阴极层6在凹陷区域51与辅助电极5耦接。
在现有技术中,有机层包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层和控住注入层等,上述膜层结构为整面结构,在本发明实施例中,有机层8可以采用高精度金属掩模板工艺形成,使得有机层8在阵列基板1上的正投影位于第一开口21在阵列基板1上的正投影内,在采用上述设计后,可以在阴极层6破损后,阴极层6和辅助电极5仍然可以通过导电部7相互电连接,以及还可以解决电子传输层、电子注入层、空穴传输层和控住注入层等为整面结构时横向漏电导致子像素单元偷亮的问题。
具体的,关于图6中阴极层6为整面结构的设计的详细说明可以参考图1至图4所示,在此不再详细赘述,在显示面板使用过程中,辅助电极5和阴极层6会发生轻微的相对位移,使得阴极层6可能发生破损,如图6所示,在阴极层6发生破损后,阴极层6任然可以通过导电部7与辅助电极5耦接,从而提高了显示面板的可靠性。
如图6所示,每个第一开口21内的有机层8构成一个子像素单元22,不同第一开口21内的有机层8构成不同颜色的子像素单元22,从而使得显示面板在工作过程中,不同第一开口21内显示的不同颜色,进而使显示面板能够显示图像。
可选地,图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图,图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图,如图7和图8所示,显示面板还包括:多个导电部7,多个导电部7与多个支撑柱3对应设置,导电部7覆盖在对应的支撑柱3远离阵列基板1的一端表面和该支撑柱3的侧壁;有机层8,有机层8位于阴极层6和像素定义层2之间,有机层8在阵列基板1上的正投影位于第一开口21在阵列基板1上的正投影内;阴极层6为网状结构,网状结构包括多个第二开口61,多个第二开口61与多个导电部7对应设置,导电部7在阵列基板1上的正投影位于对应的第二开口61在阵列基板1上的正投影内,阴极层6与多个导电部7耦接,多个导电部7在凹陷区域51与辅助电极5耦接。
具体的,如图7和图8所示,关于导电部7和有机层8的详细说明可参考图图6所示,在此不再详细赘述,如图7和图8所示,阴极层6为网状结构,网状结构包括多个第二开口61,导电部7在阵列基板1上的正投影位于对应的第二开口61在阵列基板1上的正投影内,阴极层6通过导电部7与辅助电极5耦接,在采用上述设计后,可以避免阴极层6覆盖在导电部7上时,阴极层6与辅助电极5在应力的作用下会发生轻微的相对位移,在阴极层6发生破损后,对破损的阴极层6显示面板造成影响,影响显示面板的显示效果,同时也避免了应力对辅助电极5造成的损伤,有利于提高辅助电极5的导电可靠性。
可选地,如图6和图7所示,导电部7的材料包括银和/或铝。
具体的,银和/或铝具有良好的导电性,如图6和图7所示,在导电部7采用银和/或铝制成,阴极层6通过导电部7与辅助电极5耦接时,可以使阴极层6和辅助电极5之间具有良好的导电性,并且可以降低在导电部7上的压降,从而有利于提高显示面板的显示效果。
可选地,如图6和图7所示,导电部7的厚度为h,50埃<h<1000埃。
具体的,如图6和图7所示,在导电部7的厚度为h时,可以使导电部7单位面积内的电阻相对较小,使得导电部7具有良好的导电性,且该厚度不会对显示面板的内部结构造成较大影响,有利于降低导电部7对显示面板制作工艺的影响,有利于降低显示面板的制作难度。
可选地,如图1至图7所示,辅助电极5的材料包括氧化铟锡、氧化锌、聚对苯二甲酸类导电薄膜。
具体的,氧化铟锡、氧化锌、聚对苯二甲酸类导电薄膜(例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯)具有良好的导电性和透明性,如图1和图7所示,辅助电极5在采用氧化铟锡、氧化锌、聚对苯二甲酸类导电薄膜制成时,可以降低辅助电极5对显示面板出光效率的影响,同时可以有利于降低阴极层6单位面积内的电阻,从而提高显示面板的显示效果。
可选地,如图1至图7所示,辅助电极5的厚度为H,200埃<H<6000埃。
具体的,如图1至图7所示,在辅助电极5的厚度为H时,可以使得辅助电极5具有良好的透光性,降低辅助电极5对显示面板出光效率的影响,同时该厚度可以提高辅助电极5的导电性,从而有利于降低阴极层6单位面积内的电阻,进而提高显示面板的显示效果。
图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图9所示,该显示装置包括上述的显示面板100,关于显示装置的工作原理在此不再详细赘述。
需要说明的是,本发明实施例中所涉及的显示装置可以包括但不限于个人计算机(Personal Computer,PC)、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、无线手持设备、平板电脑(Tablet Computer)、手机、MP3播放器、MP4播放器、智能手表、车载显示等。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
阵列基板;
像素定义层,所述像素定义层位于所述阵列基板上,所述像素定义层包括多个第一开口;
多个支撑柱,所述多个支撑柱位于所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧,所述支撑柱靠近所述阵列基板的一端的横截面积大于所述支撑柱远离所述阵列基板一端的横截面积,所述多个支撑柱在所述阵列基板上的正投影与所述多个第一开口在所述阵列基板上的正投影不交叠;
透明盖板,所述透明盖板位于所述支撑柱远离所述阵列基板的一端;
辅助电极,所述辅助电极覆盖在所述透明盖板靠近所述支撑柱的一侧,所述辅助电极包括朝向所述透明盖板弯曲的多个凹陷区域,所述多个凹陷区域与所述多个支撑柱对应设置,所述辅助电极上的所述多个凹陷区域覆盖对应的所述支撑柱远离所述阵列基板的一端表面和该支撑柱中靠近该端的部分侧壁;
阴极层,所述阴极层位于所述像素定义层和所述辅助电极之间,且所述阴极层与所述辅助电极耦接;
多个导电部,所述多个导电部与所述多个支撑柱对应设置,所述导电部覆盖在对应的所述支撑柱远离所述阵列基板的一端表面和该支撑柱的侧壁;
有机层,所述有机层位于所述阴极层和所述像素定义层之间,所述有机层在所述阵列基板上的正投影位于所述第一开口在所述阵列基板上的正投影内;
所述阴极层为整面结构,所述阴极层覆盖在所述导电部远离所述阵列基板的一侧,所述阴极层在所述凹陷区域与所述辅助电极耦接;
或者,
所述阴极层为网状结构,所述网状结构包括多个第二开口,所述多个第二开口与所述多个导电部对应设置,所述导电部在所述阵列基板上的正投影位于对应的所述第二开口在所述阵列基板上的正投影内,所述阴极层与所述多个导电部耦接,所述多个导电部在所述凹陷区域与所述辅助电极耦接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极包括多个第一凹槽,所述多个第一凹槽与所述多个支撑柱对应设置,所述多个第一凹槽构成所述多个凹陷区域。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述透明盖板靠近所述阵列基板的一侧设有多个第二凹槽,所述多个第二凹槽与所述多个支撑柱对应设置,所述辅助电极在所述第二凹槽处形成多个凹陷区域。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述透明盖板靠近所述阵列基板的一侧设有多个凸起结构,所述多个凸起结构与所述多个支撑柱对应设置,所述凸起结构靠近所述阵列基板的一侧设有所述第二凹槽。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极为整面结构,且所述辅助电极为透明电极。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极为网状结构,所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影位于所述像素定义层在所述阵列基板上的正投影内,并且所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影与所述多个支撑柱在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电部的材料包括银和/或铝。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电部的厚度为h,50埃<h<1000埃。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极的厚度为H,200埃<H<6000埃。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的显示面板。
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