CN107978690B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于防止塑料基板损坏的显示装置。所述显示装置包括：具有上表面和下表面的塑料基板，塑料基板的上表面包括设置了发光元件的显示部分和贴附了膜上芯片的焊盘部分；贴附到塑料基板的上表面的上部保护部件；和贴附到塑料基板的下表面的下部保护部件。上部保护部件至少覆盖显示部分并覆盖焊盘部分的两个边缘。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更特别地，涉及一种用于防止塑料基板损坏的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对于显示图像的显示装置的需求以各种方式日益增长。在显示装置领域中，大尺寸阴极射线管(CRT)已经快速被平板显示器(FOD)取代，平板显示器具有外形薄、重量轻和大尺寸屏幕的优势。平板显示器的实例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(PD)。
OLED显示器包括能够通过自身发光的自发光元件并具有快响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的优势。特别是，OLED显示器可被制造在柔性塑料基板上。此外，与等离子体显示面板或者无机电致发光显示器相比，OLED显示器具有低驱动电压、低功耗和更佳色调的优势。
在被制造在柔性塑料基板上的OLED显示器中，将聚酰亚胺涂覆在玻璃基板上，制造诸如薄膜晶体管、包括有机层的有机发光二极管等元件，将诸如膜上芯片(COF)的柔性印刷电路板贴附到焊盘部分。执行用于将玻璃基板分离的工艺，之后将保护膜贴附到面板的上部和下部，从而制造包括柔性聚酰亚胺基板的OLED显示器。
图1和2是根据现有技术的OLED显示器的截面图。图3是示出损坏的焊盘部分的图像。
参考图1和2，根据现有技术的OLED显示器被配置成使得上部保护膜UP和下部保护膜LP分别贴附到其上形成了诸如有机发光二极管的元件的塑料基板PI的前表面和背表面，膜上芯片(COF)被贴附到位于塑料基板PI一侧的焊盘部分PD，树脂层RE被涂覆到焊盘部分PD上以保护焊盘部分PD。但是由于焊盘部分PD或者塑料基板PI的边缘暴露到上部保护膜UP和下部保护膜LP的外部，存在塑料基板PI容易由于外部冲击力(impact)撕裂的问题。例如，如图3中所示，焊盘部分PD被整体撕掉。由此，存在由于塑料基板PI的损坏导致OLED显示器损坏以及发生OLED显示器的驱动缺陷(defective drive)的问题。
发明内容
本公开提供了一种能够防止基板由于外部冲击力损坏的显示装置。
本公开还提供了一种能够防止损坏和驱动缺陷的显示装置。
在一个方面，提供了一种显示装置，包括：具有上表面和下表面的塑料基板，塑料基板的上表面包括设置了发光元件的显示部分和贴附了膜上芯片的焊盘部分；贴附到塑料基板的上表面的上部保护部件；和贴附到塑料基板的下表面的下部保护部件，其中上部保护部件至少覆盖显示部分并覆盖焊盘部分的两个边缘。
上部保护部件的至少一侧与塑料基板的至少一侧重合。
上部保护部件包括覆盖焊盘部分的两个边缘的第一突出。
上部保护部件包括在膜上芯片之间延伸的第二突出。
上部保护部件的至少一侧和下部保护部件的至少一侧突向塑料基板的至少一侧的外部。
突向塑料基板的至少一侧的外部的上部保护部件和下部保护部件彼此贴附。
上部保护部件的第一突出突向塑料基板的设置了焊盘部分的一侧的外部。
上部保护部件的第二突出突向塑料基板的设置了焊盘部分的一侧的外部。
下部保护部件包括覆盖焊盘部分的两个边缘的第三突出。
下部保护部件包括在膜上芯片之间延伸的第四突出。
下部保护部件的第三突出突向塑料基板的设置了焊盘部分的一侧的外部，以使上部保护部件的第一突出和下部保护部件的第三突出彼此贴附。
下部保护部件的第四突出突向塑料基板的设置了焊盘部分的一侧的外部，以使上部保护部件的第二突出和下部保护部件的第四突出彼此贴附。
下部保护部件贴附到塑料基板的整个下表面。
显示装置还包括覆盖焊盘部分上的膜上芯片和焊盘部分的树脂层。
附图说明
本文包括附图以提供本发明的进一步理解，附图结合到说明书中并构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例且与文字描述一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1和2是根据现有技术的有机发光二极管(OLED)显示器的截面图；
图3是示出损坏的焊盘部分的图像；
图4是根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图5示出了子像素电路结构的第一实例；
图6示出了子像素电路结构的第二实例；
图7是根据第一示例性实施例的OLED显示器的平面图；
图8是示出根据第一示例性实施例的OLED显示器的子像素的截面图；
图9是沿着图7的线I-I’取得的截面图；
图10是沿着图7的线II-II’取得的截面图；
图11是根据第一示例性实施例的OLED显示器的平面图；
图12是根据第二示例性实施例的显示装置的平面图；
图13是沿着图12的线III-III’取得的截面图；
图14是沿着图12的线IV-IV’取得的截面图；
图15是根据第二示例性实施例的显示装置的平面图；
图16是示出根据一示例性实施例的显示装置的图像；
图17是示出施加冲击力到显示装置时的图像；
图18是示出施加冲击力到显示装置之后的图像。
具体实施方式
现在将参考本公开的实施例，其实例于附图中示出。只要可以，全部附图使用相同参考数字表示相同或相似部分。将注意，如果确定公知技术会误导本发明的实施例，则将省略该项技术的具体描述。选择在下文解释中使用的各元件的名称仅为了便于撰写说明书，且由此元件名称可不同于实际产品中使用的名称。
根据示例性实施例的显示装置是柔性显示器，其中显示元件形成在柔性塑料基板上。柔性显示器的实例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。作为示例，使用OLED显示器描述实施例。OLED显示器包括在用作阳极的第一电极和用作阴极的第二电极之间由有机材料形成的有机层。OLED显示器是自发光显示装置，被配置成通过结合从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子在有机层内部形成空穴电子对，即激子，并且通过激子返回到基态能级时产生的能量发光。但是，除了塑料基板之外，根据示例性实施例的OLED显示器可被制造在玻璃基板上。
下文参考图4至18描述示例性实施例。
图4是根据示例性实施例的OLED显示器的示意性框图。图5示出了子像素电路结构的第一实例。图6示出了子像素电路结构的第二实例。
参考图4，根据示例性实施例的OLED显示器包括图像处理单元10、时序控制器20、数据驱动器30、栅极驱动器40和显示面板50。
图像处理单元10输出外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元10可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个。为了便于解释，未示出这些信号。图像处理单元10可作为集成电路(IC)形成在***电路上。
时序控制器20自图像处理单元10接收数据信号DATA和包括数据使能信号DE、或者垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。
基于驱动信号，时序控制器20输出用于控制栅极驱动器40的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动器30的操作时序的数据时序控制信号DDC。时序控制器20可作为IC形成在控制电路板上。
数据驱动器30响应于时序控制器20提供的数据时序控制信号DDC取样并锁存自时序控制器20接收的数据信号DATA，并使用伽马参考电压转换经取样并锁存的数据信号DATA。数据驱动器30将转换的数据信号DATA输出至数据线DL1至DLn。数据驱动器30可作为IC贴附到基板。
栅极驱动器40输出栅极信号同时响应于时序控制器20提供的栅极时序控制信号GDC移位栅极电压的电平。栅极驱动器40将栅极信号输出至栅极线GL1至GLm。栅极驱动器40可作为IC形成在栅极电路板上，或者以面板内栅极(GIP)形式形成在显示面板50上。
显示面板50响应于分别自数据驱动器30和栅极驱动器40接收的数据信号DATA和栅极信号显示图像。显示面板50包括用于显示图像的子像素SP。
如图5中所示，每个子像素可包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED基于驱动晶体管DR产生的驱动电流操作以发光。
开关晶体管SW执行开关操作，从而响应于经由栅极线GL1提供的栅极信号，将经由第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR可基于存储在电容器Cst中的数据电压，使驱动电流在高电势电源线VDD和低电势电源线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压的电路。连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器可安装在补偿电路CC内部。补偿电路CC包括一个或多个薄膜晶体管(TFT)和电容器。补偿电路CC的结构可根据补偿方法进行各种改变。将简要描述补偿电路CC。
如图6中所示，包括补偿电路CC的子像素可进一步包括用于驱动补偿TFT且提供预定信号或电源的信号线和电源线。栅极线GL1可包括将栅极信号提供至开关晶体管SW的1-1栅极线GL1a和用于驱动包括在子像素中的补偿TFT的1-2栅极线GL1b。增加的电源线被定义为用于将子像素的预定节点初始化为预定电压的初始化电源线INIT。但是，这仅是示例，且实施例不限于此。
图5和6借助于实例示出了一个子像素包括补偿电路CC。但是，当补偿对象(例如数据驱动器30)位于子像素外部时，可省略补偿电路CC。子像素具有2T(晶体管)1C(电容器)的结构，其中提供了开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst和OLED。但是，当将补偿电路CC增加到子像素时，子像素可具有各种结构，诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等。而且，图5和6借助于实例示出了补偿电路CC位于开关晶体管SW和驱动晶体管DR之间。但是，补偿电路CC可进一步位于驱动晶体管DR和OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图5和6中示出的那些。
<第一实施例>
图7是根据第一示例性实施例的OLED显示器的平面图。图8是示出根据第一示例性实施例的OLED显示器的子像素的截面图。图9是沿着图7的线I-I’取得的截面图。图10是沿着图7的线II-II’取得的截面图。图11是根据第一示例性实施例的OLED显示器的平面图。
参考图7，OLED显示器包括塑料基板PI，塑料基板PI具有显示部分A/A和设置在显示部分A/A外部的塑料基板PI一侧上的焊盘部分PD。显示部分A/A可包括多个子像素SP。例如，显示部分A/A的R(红)、G(绿)和B(蓝)子像素或者R、G、B和W(白)子像素可发光以表现全色彩。膜上芯片COF贴附到设置于显示部分A/A一侧，诸如下侧的焊盘部分PD。数据信号和电源被施加到经由膜上芯片COF连接到显示部分A/A的多条信号线(未示出)。尽管未示出，但是OLED显示器可进一步包括在塑料基板PI一侧的面内栅极(GIP)驱动器。
下文参考图8描述根据实施例的OLED显示器的子像素SP的截面结构。
如图8中所示，在根据实施例的OLED显示器中，第一缓冲层BUF1位于塑料基板PI上。塑料基板PI例如可以是聚酰亚胺基板。由此，根据实施例的塑料基板PI具有柔性特性。第一缓冲层BUF1保护后续工艺中形成的薄膜晶体管不受塑料基板PI释出的杂质，例如碱性离子的影响。第一缓冲层BUF1可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。
屏蔽层LS位于第一缓冲层BUF1上。屏蔽层LS防止由于使用聚酰亚胺基板产生的面板驱动电流降低。第二缓冲层BUF2位于屏蔽层LS上。第二缓冲层BUF2保护后续工艺中形成的薄膜晶体管不受屏蔽层LS释出的杂质，例如碱性离子的影响。第二缓冲层BUF2可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。
半导体层ACT位于第二缓冲层BUF2上且可由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可包括非晶硅或结晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如,大于100cm2/Vs)、低功耗和优良的可靠性。由此，多晶硅可用于在驱动元件中使用的栅极驱动器和/或多路复用器(MUX)或用于OLED显示器的每个像素的驱动TFT。由于氧化物半导体具有低的关断电流，因此氧化物半导体适合于开关TFT，其具有短的开启时间和长的关断时间。而且，由于低关断电流，氧化物半导体增加了像素的电压保持时间，因此氧化物半导体适合于需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层ACT包括漏极区和源极区以及在漏极区和源极区之间的沟道区，漏极区和源极区的每一个包括p型或n型杂质。
栅极绝缘层GI位于半导体层ACT上且可由氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层形成。栅极GA位于与半导体层ACT的预定区域(即，当注入杂质时的沟道区)对应的位置处的栅极绝缘层GI上。栅极GA可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合中的一种形成。而且，栅极GA可以是钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合中的一种形成的多层。例如，栅极GA可形成为Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。
层间介电层ILD位于栅极GA上且将栅极GA绝缘。层间介电层ILD可由氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层形成。在形成了层间介电层ILD和栅极绝缘层GI中每一个的部分，形成暴露出一部分半导体层ACT的接触孔CH。
漏极DE和源极SE位于层间介电层ILD上。漏极DE经由暴露出半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接到半导体层ACT，源极SE经由暴露出半导体层ACT的源极区的接触孔CH连接到半导体层ACT。源极SE和漏极DE的每一个形成为单层或多层。当源极SE和漏极DE的每一个形成为单层时，源极SE和漏极DE的每一个由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合中的一种形成。当源极SE和漏极DE的每一个由多层形成时，源极SE和漏极DE的每一个可形成为Mo/Al-Nd的双层或者Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层。由此，形成包括半导体层ACT、栅极GA、源极SE和漏极DE的薄膜晶体管TFT。
而且，钝化层PAS位于包括薄膜晶体管TFT的塑料基板PI上。钝化层PAS是保护钝化层PAS下方的部件的绝缘层，且可由氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层形成。滤色器CF位于钝化层PAS上。滤色器CF用于将有机发光二极管OLED发出的白光转换成红、绿或蓝色光。覆层OC位于滤色器CF上。覆层OC可以是用于减小下部结构的高度差(或台阶覆盖)的平坦化层且可由有机材料，诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸形成。例如，可经由以液态涂覆有机材料、之后固化有机材料的玻璃上旋涂(SOG)方法形成覆层OC。
暴露出薄膜晶体管TFT的漏极DE的通孔VIA位于覆层OC的一部分中。有机发光二极管OLED位于覆层OC上。更具体地，第一电极ANO位于覆层OC上。第一电极ANO用作像素电极且经由通孔VIA连接到薄膜晶体管TFT的漏极DE。第一电极ANO是阳极且可由透明导电材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)形成。当第一电极ANO是反射电极时，第一电极ANO可进一步包括反射层。反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或其组合形成。例如，反射层可由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，界定像素的堤岸层BNK位于包括第一电极ANO的塑料基板PI上。堤岸层BNK可由有机材料，诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸形成。堤岸层BNK包括暴露出第一电极ANO的像素界定部分OP。接触第一电极ANO的有机层OLE位于塑料基板PI的前表面。有机层OLE是电子和空穴结合并发光的层。空穴注入层和/或空穴传输层可位于有机层OLE和第一电极ANO之间，电子注入层和/或电子传输层可位于有机层OLE上。
第二电极CAT位于有机层OLE上且可位于显示区A/A的整个表面上(见图4)。此外，第二电极CAT是阴极且可由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其组合形成。当第二电极CAT是透射电极时，第二电极CAT可以足够薄以传输光。而且，当第二电极CAT是反射电极时，第二电极CAT可以足够厚以反射光。
上部保护部件UP经由粘合层ADL贴附到其上形成了薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED的塑料基板PI的上表面。上部保护部件UP可以是透明塑料基板或者金属薄膜。而且，下部保护部件LP贴附到塑料基板PI的下表面。由于下部保护部件LP需要传输光，因此下部保护部件LP可由透明塑料基板形成。
参考图7至9，下部保护部件LP设置在塑料基板PI的整个下表面上，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的上表面上。由于在塑料基板PI的下表面上不存在任何元件，因此下部保护部件LP可贴附到塑料基板PI的整个下表面。而且，树脂层RE设置成覆盖焊盘部分PD上的膜上芯片COF和焊盘部分PD。
焊盘部分PD位于塑料基板PI的上表面，膜上芯片COF贴附到焊盘部分PD。上部保护部件UP不能贴附到焊盘部分PD的贴附了膜上芯片COF的部分。由此，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的除了一部分焊盘部分PD之外的整个上表面上。
由于位于塑料基板PI上方和下方的上部保护部件UP和下部保护部件LP覆盖了塑料基板PI，因此可防止塑料基板PI被外部冲击力损坏。特别是，当塑料基板PI的侧边最易于受到冲击力损坏且产生破裂时，冲击力延伸到塑料基板PI内部的元件，引起显示装置损坏。由此，实施例使用上部保护部件UP和下部保护部件LP覆盖塑料基板PI，从而防止塑料基板PI的损坏。
为此，下部保护部件LP的所有侧边形成为与塑料基板PI的所有侧边重合。即，下部保护部件LP和塑料基板PI具有相同尺寸。因此，下部保护部件LP贴附到塑料基板PI的整个下表面且覆盖塑料基板PI的整个下表面。此外，除了塑料基板PI的形成了焊盘部分PD的侧边之外，上部保护部件UP的侧边形成为与塑料基板PI的侧边重合。
参考图7和10，在第一实施例中，即使在形成了焊盘部分PD的侧边，上部保护部件UP也设置成覆盖塑料基板PI的两个边缘。如图7中所示，多个膜上芯片COF贴附到焊盘部分PD，且塑料基板PI的边缘位于焊盘部分PD的未贴附膜上芯片COF的左侧和右侧之外。上部保护部件UP包括突向焊盘部分PD的第一突出PP1，第一突出PP1设置成与塑料基板PI的边缘交叠。由此，除了贴附膜上芯片COF的部分之外，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的整个上表面上。即使在形成焊盘部分PD的区域中，根据实施例的上部保护部件UP也设置在塑料基板PI的两个边缘。因此，即使将冲击力施加到塑料基板PI的边缘时，在焊盘部分PD的形成区域中，上部保护部件UP也能防止塑料基板PI被撕掉。
如图11中所示，作为第一实施例的另一实例，下部保护部件LP可设置在塑料基板PI的整个下表面上，在焊盘部分PD的形成区域中，上部保护部件UP设置成覆盖塑料基板PI的两个边缘与膜上芯片COF之间的部分。
上部保护部件UP包括覆盖塑料基板PI的设置了焊盘部分PD的侧边的两个边缘的第一突出PP1，和覆盖膜上芯片COF之间的塑料基板PI的第二突出PP2。即，第二突出PP2在膜上芯片COF之间延伸并突出，且设置成与塑料基板PI的侧边重合。
因此，除了贴附膜上芯片COF的部分之外，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的整个上表面上，从而在将冲击力施加到塑料基板PI边缘时，防止了设置在焊盘部分PD处的塑料基板PI被撕掉。
如上所述，根据第一实施例的显示装置在塑料基板PI的整个下表面上形成下部保护部件LP，且除了贴附膜上芯片COF的部分之外，在塑料基板PI的整个上表面上形成上部保护部件UP，从而防止塑料基板PI被施加至塑料基板PI侧边的冲击力损坏。由此，第一实施例可防止显示装置的损坏和驱动缺陷。
<第二实施例>
图12是根据第二示例性实施例的显示装置的平面图。图13是沿着图12的线III-III’取得的截面图。图14是沿着图12的线IV-IV’取得的截面图。图15是根据第二示例性实施例的显示装置的平面图。
参考图12至14，在第二实施例中，下部保护部件LP设置在塑料基板PI的整个下表面上，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的上表面上。与第一实施例不同，下部保护部件LP和上部保护部件UP的每一个具有大于塑料基板PI的尺寸。由此，除了塑料基板PI的形成焊盘部分PD的侧边之外，下部保护部件LP和上部保护部件UP完全覆盖塑料基板PI，从而塑料基板PI的侧边不暴露至外部。
更具体地，焊盘部分PD设置在塑料基板PI的上表面，膜上芯片COF贴附到焊盘部分PD。上部保护部件UP不能贴附到焊盘部分PD的其上贴附了膜上芯片COF的部分。由此，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的除了一部分焊盘部分PD之外的整个上表面上。如上所述，由于上部保护部件UP具有大于塑料基板PI的尺寸，因此除了形成焊盘部分PD的侧边之外，上部保护部件UP进一步突向塑料基板PI的侧边的外部。例如，如图12中所示，上部保护部件UP比塑料基板PI的上侧、左侧和右侧进一步突出。此外，如图12至14中所示，如上文所述，下部保护部件LP具有比塑料基板PI大的尺寸，但是下部保护部件LP配置成使得下部保护部件LP的一侧与塑料基板PI的形成了焊盘部分PD的下侧重合。由此，除了塑料基板PI的形成焊盘部分PD的侧边之外，下部保护部件LP比塑料基板PI的其余侧边进一步突出。
在第二实施例中，在焊盘部分PD的形成区域中，上部保护部件UP覆盖塑料基板PI的两个边缘，且比焊盘部分PD的侧边进一步突出。如图12中所示，多个膜上芯片COF贴附到焊盘部分PD，且塑料基板PI的边缘位于焊盘部分PD的未贴附膜上芯片COF的左侧和右侧的外部。上部保护部件UP包括突向焊盘部分PD的第三突出PP3，第三突出PP3设置成与塑料基板PI的边缘交叠。由此，除了贴附膜上芯片COF的部分之外，上部保护部件UP设置在塑料基板PI的整个上表面上。
在焊盘部分PD的形成区域中，下部保护部件LP覆盖塑料基板PI的两个边缘，且比焊盘部分PD的侧边进一步突出。下部保护部件LP包括突向焊盘部分PD的第五突出PP5，第五突出PP5设置成与塑料基板PI的边缘交叠。由此，下部保护部件LP覆盖塑料基板PI的整个下表面，且除了贴附膜上芯片COF的部分之外，下部保护部件LP从塑料基板PI的所有侧边突出。
通过粘合层，突向塑料基板PI外部的上部保护部件UP和下部保护部件LP彼此贴附，且密封除了一部分焊盘部分PD之外的塑料基板PI。而且，上部保护部件UP的第三突出PP3和下部保护部件LP的第五突出PP5彼此贴附。突向塑料基板PI外部的上部保护部件UP和下部保护部件LP突出预定长度。例如，如图13中所示，上部保护部件UP和下部保护部件LP自塑料基板PI的侧边突出的长度“d”可等于或大于200μm。因此，上部保护部件UP和下部保护部件LP的粘合强度增加，且可保护塑料基板PI不受外部冲击力影响。即使在形成焊盘部分PD的区域中，根据实施例的上部保护部件UP和下部保护部件LP也设置在塑料基板PI的两个边缘。因此，即使将冲击力施加到塑料基板PI的边缘，在焊盘部分PD的形成区域中，根据实施例的上部保护部件UP和下部保护部件LP也可防止塑料基板PI被撕掉。
如上所述，除了焊盘部分PD的形成区域之外，上部保护部件UP和下部保护部件LP完全覆盖塑料基板PI，从而塑料基板PI的大部分不暴露到外部。因此，上部保护部件UP和下部保护部件LP能防止塑料基板PI被外部冲击力损坏。特别是，当塑料基板PI的侧边最易于受到冲击力影响并产生破裂时，冲击力传播到塑料基板PI内部的元件，因此损坏显示装置。由此，实施例使用上部保护部件UP和下部保护部件LP覆盖塑料基板PI的侧边，从而防止塑料基板PI的损坏。
如图15中所示，作为第二实施例的另一实例，上部保护部件UP和下部保护部件LP的每一个具有比塑料基板PI大的尺寸，且设置成突向塑料基板PI至少一侧的外部。特别是，在焊盘部分PD的形成区域中，上部保护部件UP和下部保护部件LP设置成覆盖塑料基板PI的两个边缘和膜上芯片COF之间的部分。
更具体地，上部保护部件UP包括覆盖塑料基板PI的设置了焊盘部分PD的侧边上的两个边缘的第三突出PP3、和覆盖膜上芯片COF之间的塑料基板PI的第四突出PP4。即，第四突出PP4在膜上芯片COF之间延伸和突出，且设置成突向塑料基板PI的侧边外部。而且，下部保护部件LP包括覆盖塑料基板PI的设置了焊盘部分PD的侧边的两个边缘的第五突出PP5、和覆盖膜上芯片COF之间的塑料基板PI的第六突出PP6。即，第六突出PP6在膜上芯片COF之间延伸和突出，且设置成突向塑料基板PI的侧边外部。
因此，除了贴附膜上芯片COF的部分之外，上部保护部件UP和下部保护部件LP密封塑料基板PI，从而在整个塑料基板PI，塑料基板PI的侧边不暴露到外部。因此，即使将冲击力施加到塑料基板PI的边缘时，上部保护部件UP和下部保护部件LP也可防止位于焊盘部分PD或塑料基板PI边缘的塑料基板PI被撕掉。
如上所述，根据第二实施例的显示装置形成了比塑料基板PI的整个下表面的尺寸更大的下部保护部件LP，且除了贴附膜上芯片COF的部分之外，形成了比塑料基板PI的整个上表面的尺寸更大的上部保护部件UP。因此，根据第二实施例的显示装置能防止塑料基板PI被施加到塑料基板PI侧边的冲击力损坏，且能防止显示装置的损坏和驱动缺陷。
图16是示出根据示例性实施例的显示装置的图像。图17是示出施加冲击力到显示装置时的图像。图18是示出施加冲击力到显示装置之后的图像。
参考图16，保护部件分别贴附到其上形成了有机发光二极管的塑料基板的上表面和下表面。这种情况下，上部保护部件和下部保护部件贴附到塑料基板，自塑料基板的侧边突出约200μm，且彼此贴附。作为参考，自PI基板一侧到TAB接合部分的距离是30mm。
如图17中所示，用手弯曲塑料基板边缘约20次，以施加冲击力到塑料基板。如图18中所示，即使在施加冲击力到塑料基板之后，在塑料基板边缘处也没有发现诸如破裂的损坏。
如上所述，根据实施例的显示装置包括保护部件，保护部件分别设置在塑料基板的上表面和下表面以覆盖焊盘部分的边缘，从而防止塑料基板被施加到塑料基板侧边的冲击力损坏。由此，根据实施例的显示装置能防止显示装置的损坏和驱动缺陷。
对本领域技术人员显而易见的是，对本公开的显示装置可做出各种修改和变化，而不超出本发明的精神和范围。由此，本公开意在覆盖修改和变化，只要其落入到所附权利要求及其等价物的范围即可。

Claims (6)

1.一种显示装置，包括：
具有上表面和下表面的塑料基板，所述塑料基板的上表面包括设置了发光元件的显示部分和贴附了膜上芯片的焊盘部分；
贴附到所述塑料基板的除了贴附了所述膜上芯片的部分之外的上表面的上部保护部件；和
贴附到所述塑料基板的下表面的下部保护部件，
其中，所述上部保护部件至少覆盖所述显示部分并覆盖所述焊盘部分的两个边缘，
其中，所述上部保护部件包括第一突出和第二突出，所述第一突出覆盖所述焊盘部分的两个边缘，所述第二突出在所述膜上芯片之间延伸，所述第一突出和所述第二突出突向所述塑料基板的设置了所述焊盘部分的一侧的外部，
其中，所述下部保护部件包括第三突出和第四突出，所述第三突出覆盖所述焊盘部分的两个边缘，所述第四突出在所述膜上芯片之间延伸，所述第三突出和所述第四突出突向所述塑料基板的设置了所述焊盘部分的一侧的外部，
其中，所述上部保护部件的第一突出和所述下部保护部件的第三突出彼此贴附以覆盖所述塑料基板的侧边来防止所述塑料基板被施加到所述塑料基板的所述侧边的冲击损坏，并且
其中，所述上部保护部件的第二突出和所述下部保护部件的第四突出彼此贴附以覆盖所述塑料基板的侧边来防止所述塑料基板被施加到所述塑料基板的所述侧边的冲击损坏。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中上部保护部件的至少一侧与塑料基板的至少一侧重合。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中上部保护部件的至少一侧和下部保护部件的至少一侧突向塑料基板的至少一侧的外部。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中突向塑料基板的至少一侧的外部的上部保护部件和下部保护部件彼此贴附。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中下部保护部件贴附到塑料基板的整个下表面。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括覆盖焊盘部分上的膜上芯片和焊盘部分的树脂层。
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