CN107957925B - 用于计算机装置的***信息存取方法 - Google Patents

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Abstract

一种***信息存取方法，通过一计算机装置所包括的一基板管理控制***来实施，该计算机装置还包括一第一非挥发性记忆模块，该***信息存取方法包含以下步骤：(A)在该基板管理控制***进行启动及重新启动之其中一者后，判定一上电复位旗标之一旗标值是否为指示出该基板管理控制***正处于上电复位状态的第一预定值；(B)当判定结果为是时，在接收到与该计算机装置相关的***信息时，判定该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块的先前***信息；及(C)当判定结果为否时，储存步骤(B)所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块。

Description

用于计算机装置的***信息存取方法
技术领域
本发明是有关于计算机装置的***信息，特别是指一种用于计算机装置的***信息存取方法。
背景技术
目前作为服务器使用的一计算机装置通常包括一基板管理控制***(baseboardmanagement control system，BMC)，该基板管理控制***系用以协助管理者管控此计算机装置。
该计算机装置的中央处理单元通过执行一基本输入输出***(Basic Input/Output System，BIOS)程序，以在该计算机装置的开机自我检测(Power-On-Self-Test，POST)阶段，透过IPMI OEM Command传送与该计算机装置相关并包含如，双列直插式存储器模块(Dual In-line Memory Module)，及***元件互连(Peripheral ComponentInterconnect)卡等之***配置信息的***信息至该基板管理控制***，该基板管理控制***将这些***信息以变量的形式储存在该基板管理控制***内部的挥发性记忆模块中。
然而，在该基板管理控制***重新启动或是韧体更新的过程中，以变量形式储存于该基板管理控制***内部的挥发性记忆模块中的***信息会被重设，造成后续该基板管理控制***于需要根据该***信息来监控该计算机装置时，因无法获得与该计算机装置相关之正确的***信息而无法监控，甚至发生异常。
发明内容
因此，本发明之目的，即在提供一种***信息存取方法。
于是，本发明***信息存取方法，通过一计算机装置所包括的一基板管理控制***来实施，该计算机装置还包括一电连接该基板管理控制***的第一非挥发性记忆模块，该基板管理控制***储存有一上电复位旗标，该上电复位旗标的一旗标值是一指示出该基板管理控制***正处于上电复位状态的第一预定值、及一异于该第一预定值并指示出该基板管理控制***未处于上电复位状态的一第二预定值的其中一者，该***信息存取方法包含以下步骤：
(A)在该基板管理控制***进行启动及重新启动之其中一者后，判定该上电复位旗标之该旗标值是否为该第一预定值；
(B)当判定出该上电复位旗标之该旗标值为该第一预定值时，在接收到与该计算机装置相关的***信息时，判定所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块的先前***信息；及
(C)当判定出步骤(B)所接收到的该***信息不相符于该先前***信息时，储存步骤(B)所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块。
本发明之功效在于：通过将该***信息备份于该第一非挥发性记忆模块，以确保在该基板管理控制***重新启动或进行韧体更新后，该基板管理控制***还可自该第一非挥发性记忆模块获得该***信息，此外，该基板管理控制***系在步骤(B)所接收到的该***信息不相符于该先前***信息时，才储存步骤(B)所接收到的该***信息，藉此，可延长该第一非挥发性记忆模块的使用寿命。
【附图说明】
图1是一方块图，说明执行本发明***信息存取方法之实施例的一计算机装置所包括的一基板管理控制***电连接该计算机装置所包括的一中央处理单元、一第一非挥发性记忆模块及一第二非挥发性记忆模块；及
图2及图3配合地说明本发明信息存取方法之实施例。
【具体实施方式】
参阅图1，本发明***信息存取方法之实施例，通过一计算机装置1所包括的一基板管理控制***11来实施。该计算机装置1还包括一电连接该基板管理控制***11的中央处理单元12、一电连接该基板管理控制***11的第一非挥发性记忆模块13，及一电连接该基板管理控制***11的第二非挥发性记忆模块14。
在本实施例中，该计算机装置1例如为一服务器，且该基板管理控制***11例如包括一挥发性记忆模块111及一电连接该挥发性记忆模块111的处理模块112。该第一非挥发性记忆模块13例如包含一电子抹除式可复写唯读存储器(Electrically-ErasableProgrammable Read-Only Memory)并用于储存与该计算机装置1相关的***信息及现场可更换单元(Field Replaceable Unit)配置信息，该***信息包含该中央处理单元12执行一基本输入输出***(Basic Input/Output System)程序而获得并传送至该基板管理控制***11的***配置信息，例如双列直插式存储器模块配置信息，及***元件互连卡配置信息。该第二非挥发性记忆模块14例如包含一快闪存储器(Flash Memory)并用于储存该***信息及储存该基板管理控制***11的韧体。该处理模块112包含一储存一上电复位(Power OnReset)旗标的芯片暂存器(图未示)。该上电复位旗标的一旗标值是一指示出该基板管理控制***11正处于上电复位状态的第一预定值、及一异于该第一预定值并指示出该基板管理控制***11未处于上电复位状态的一第二预定值的其中一者。该挥发性记忆模块111例如包含一随机存取存储器(Random Access Memory)并用于储存该***信息。该第一非挥发性记忆模块13及该第二非挥发性记忆模块14在电源供应中断后，其所储存的资料并不会消失；然而，该挥发性记忆模块111在电源供应中断后，其所储存的资料会被重设为预设资料。
参阅图1、图2与图3，本发明***信息存取方法包含下列步骤。
在步骤21中，在该基板管理控制***11进行启动或重新启动后，该基板管理控制***11的处理模块112判定该上电复位旗标之该旗标值是否为该第一预定值（亦即，判定该基板管理控制***11的启动是否因AC电源线刚提供电源后***初次开机的启动还是基板管理控制***在***开机后的重新启动）。当该基板管理控制***11的处理模块112判定出该上电复位旗标之该旗标值为该第一预定值时(亦即，判定此次的基板管理控制***11进行启动，也就是AC电源刚提供电源后***初次开机的过程中，基板管理控制***初次进行的启动)，流程进行至步骤22。否则，流程进行至步骤26。
在步骤22中，当该基板管理控制***11的处理模块112经由一键盘控制器规格(Keyboard Controller Style)界面接收到与该计算机装置1相关的***信息时，该基板管理控制***11的处理模块112储存所接收到的该***信息于该第二非挥发性记忆模块14及该挥发性记忆模块111。
在本实施例中，该基板管理控制***11的处理模块112在储存所接收到的该***信息于该第二非挥发性记忆模块14时，若该第二非挥发性记忆模块14先前已储存有先前***信息时，该基板管理控制***11的处理模块112系通过将先前已储存于该第二非挥发性记忆模块14的该先前***信息更新为在步骤22所接收到的该***信息，以储存步骤22所接收到的该***信息；若该第二非挥发性记忆模块14未储存有任何***信息时，该基板管理控制***11的处理模块112直接将在步骤22所接收到的该***信息储存于该第二非挥发性记忆模块14。此外，该基板管理控制***11的处理模块112在储存所接收到的该***信息于该挥发性记忆模块111时，该基板管理控制***11的处理模块112系通过将先前已储存于该挥发性记忆模块111的先前***信息更新为在步骤22所接收到的该***信息，以储存步骤22所接收到的该***信息，其中，由于该基板管理控制***系处于上电复位状态，故先前已储存于该挥发性记忆模块111的该先前***信息会被重设为该预设资料。
在步骤23中，该基板管理控制***11的处理模块112判定步骤22所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块13的该先前***信息。当该基板管理控制***11的处理模块112判定出步骤22所接收到的该***信息不相符于该先前***信息时，流程进行至步骤24。否则，流程进行至步骤25。在本实施例中，当该基板管理控制***11的处理模块112接收到与该计算机装置1相关的***信息时，该基板管理控制***11的处理模块112系先储存所接收到的该***信息于该第二非挥发性记忆模块14及该挥发性记忆模块111，再判定所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块13的该先前***信息。然而，在本发明之其他实施例中，该基板管理控制***11的处理模块112亦可先判定所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块13的该先前***信息，再储存所接收到的该***信息于该第二非挥发性记忆模块14及该挥发性记忆模块111，或是同时判定所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块13的该先前***信息，并储存所接收到的该***信息于该第二非挥发性记忆模块14及该挥发性记忆模块111，并不以此为限。
在步骤24中，该基板管理控制***11的处理模块112储存步骤22所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块13。在本实施例中，该基板管理控制***11的处理模块112系通过将先前已储存于该第一非挥发性记忆模块13的该先前***信息更新为在步骤22所接收到的该***信息，以储存步骤22所接收到的该***信息。
在步骤25中，当该基板管理控制***11的处理模块112判定出步骤22所接收到的该***信息相符于该先前***信息时，该基板管理控制***11的处理模块112不储存步骤22所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块13。换言之，该基板管理控制***11即不会写入步骤22所接收到的该***信息至该第一非挥发性记忆模块13，藉此，可减少该电子抹除式可复写唯读存储器因擦写而导致使用寿命的耗损。
值得特别说明的是，该挥发性记忆模块111于该基板管理控制***11重新启动的过程中，会因该基板管理控制***11重新将储存于该第二非挥发性记忆模块14的韧体载入\存入该挥发性记忆模块111而破坏\重设储存于该挥发性存储器模块111的该***信息，且由于该第二非挥发性记忆模块14之特性为即使电力消失内部储存资料仍会保留不受影响，因此，通过将该***信息备份于该第二非挥发性记忆模块14，可使得该***信息不会因该基板管理控制***11之重新启动而被清除。然而，在该基板管理控制***11进行韧体更新的过程中，该基板管理控制***11的处理模块112会清除储存于该第二非挥发性记忆模块14的***信息，且该挥发性记忆模块111会因该基板管理控制***11重新将储存于该第二非挥发性记忆模块14之更新后的韧体载入\存入该挥发性记忆模块111而破坏\重设储存于该挥发性存储器模块111的该***信息，且在韧体更新完毕后，该基板管理控制***11还会重新启动。因此，该基板管理控制***11的处理模块112还进一步将该***信息备份于该第一非挥发性记忆模块13，由于该第一非挥发性记忆模块13并没有储存该基板管理控制***11的韧体，所以在执行该基板管理控制***11的韧体更新的过程中，该基板管理控制***11并不会清除该第一非挥发性存储器模块13内所储存的***信息，而使得备份于该第一非挥发性记忆模块13中的该***信息不论是在该基板管理控制***11重新启动时，或是在该基板管理控制***11进行韧体更新的过程中，皆不会被清除。藉此，在该基板管理控制***11重新启动或进行韧体更新后，该基板管理控制***11还可自该第一非挥发性记忆模块13读取出该***信息。此外，该***信息系以例如，变量形式储存于该挥发性记忆模块111，并以例如，档案形式储存于该第二非挥发性记忆模块14，且以例如，原始资料(Raw Data)形式储存于该第一非挥发性记忆模块13。举例来说，该***信息所包含之双列直插式存储器模块配置信息系用以指示出例如，该计算机装置1的四个存储器插槽A、B、C、D的插置情形，若该等存储器插槽A、C、D皆插置有存储器，则该***信息系以值为0b1011的变量形式储存于该挥发性记忆模块111、并以一记录有A=1、B=0、C=1、D=1的文字档形式储存于该第二非挥发性记忆模块14，且以1、0、1、1的原始资料形式储存于该第一非挥发性记忆模块13的四个预设的存储器位址如0x10、0x11、0x12、0x13。
在步骤26中，该基板管理控制***11的处理模块112判定该第二非挥发性记忆模块14是否储存有任何***信息。当该基板管理控制***11的处理模块112判定出该第二非挥发性记忆模块14储存有与该计算机装置1相关的该***信息时，流程进行至步骤27。否则，流程进行至步骤28。
在步骤27中，该基板管理控制***11的处理模块112读取储存于该第二非挥发性记忆模块14的该***信息，并将自该第二非挥发性记忆模块14所读取到的该***信息储存于该挥发性记忆模块111。在本实施例中，该基板管理控制***11系经由一例如，串列周边界面(Serial Peripheral Interface)以自该第二非挥发性记忆模块14读取该***信息
在步骤28中，当该基板管理控制***11的处理模块112判定出该第二非挥发性记忆模块14不储存有任何***信息时，读取储存于该第一非挥发性记忆模块13的该***信息，并将自该第一非挥发性记忆模块13所读取到的该***信息储存于该挥发性记忆模块111及该第二非挥发性记忆模块14。在本实施例中，该基板管理控制***11系经由一例如，内部集成电路(Inter Integrated Circuit，简称I2C)界面以自该第一非挥发性记忆模块13读取该***信息。
不论该基板管理控制***11是因如，韧体更新完毕或接收到IPMI Command等其他状况而进行重新启动，还是因该基板管理控制***11的AC电源线才刚插上而进行启动，通过本发明的***信息存取方法，可确保该挥发性记忆模块111储存有与该计算机装置1相关之正确的该***信息。详言之，若该基板管理控制***11之重新启动不涉及韧体更新，则该基板管理控制***11可自该第二非挥发性记忆模块14读取该***信息并存入该挥发性记忆模块111。若该基板管理控制***11之重新启动涉及韧体更新，则该基板管理控制***11可自该第一非挥发性记忆模块13读取该***信息并存入该挥发性记忆模块111。若该基板管理控制***11是因其AC电源线才刚插上而进行启动，则该基板管理控制***11会接收到与该计算机装置1相关的该***信息，并将所接收到的该***信息储存于该第二非挥发性记忆模块14及该挥发性记忆模块111。因此，可确保该挥发性记忆模块111储存有与该计算机装置1相关之正确的该***信息，藉此，后续该基板管理控制***11在需要根据该***信息来监控该计算机装置1时，即可直接读取储存于该挥发性记忆模块111的该***信息。此外，由于该挥发性记忆模块111系包含于该基板管理控制***11中，且该***信息系以变量形式储存于该挥发性记忆模块111，因此，该基板管理控制***11自该挥发性记忆模块111读取该***信息所需耗费的时间相对最短。
综上所述，本发明***信息存取方法通过将该***信息备份于该第一非挥发性记忆模块13及该第二非挥发性记忆模块14，以确保在该基板管理控制***11进行重新启动或韧体更新后，该基板管理控制***11还可自该第一非挥发性记忆模块13或该第二非挥发性记忆模块14读取该***信息并存入该挥发性记忆模块111，故确实能达成本发明之目的。
上面结合附图对本发明的具体实施方式和实施例做了详细说明，但不能以之限定本发明的范围，在本发明申请专利范围内所作的均等修饰和变化，皆应该属于本发明专利范围内。

Claims (8)

1.一种***信息存取方法，通过一计算机装置所包括的一基板管理控制***来实施，该计算机装置还包括一电连接该基板管理控制***的第一非挥发性记忆模块，该基板管理控制***储存有一上电复位旗标，该上电复位旗标的一旗标值是一指示出该基板管理控制***正处于上电复位状态的第一预定值、及一异于该第一预定值并指示出该基板管理控制***未处于上电复位状态的一第二预定值的其中一者，其特征在于：该***信息存取方法包含以下步骤：
(A)在该基板管理控制***进行上电后的初次开机启动，判定该上电复位旗标之该旗标值是该第一预定值；
(B)当判定出该上电复位旗标之该旗标值为该第一预定值时，在接收到与该计算机装置相关的***信息时，判定所接收到的该***信息是否相符于先前已储存于该第一非挥发性记忆模块的先前***信息；及
(C)当判定出步骤(B)所接收到的该***信息不相符于该先前***信息时，储存步骤(B)所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块。
2.根据权利要求1所述的***信息存取方法，其特征在于：该计算机装置还包括一电连接该基板管理控制***的中央处理单元，在步骤(B)中，该***信息包含该中央处理单元执行一基本输入输出***程序而获得并传送至该基板管理控制***的***配置信息。
3.根据权利要求1所述的***信息存取方法，其特征在于：在步骤(B)中，该***信息包含双列直插式存储器模块配置信息，及***元件互连卡配置信息。
4.根据权利要求1所述的***信息存取方法，其特征在于：在步骤(C)之后，还包含以下步骤：
(D)当判定出步骤(B)所接收到的该***信息相符于该先前***信息时，不储存步骤(B)所接收到的该***信息于该第一非挥发性记忆模块。
5.根据权利要求1所述的***信息存取方法，其特征在于：该计算机装置还包括一电连接该基板管理控制***的第二非挥发性记忆模块，该基板管理控制***包括一用于储存该***信息的挥发性记忆模块，在步骤(B)中，在接收到与该计算机装置相关的***信息时，该基板管理控制***还将所接收到的该***信息储存于该第二非挥发性记忆模块及该挥发性记忆模块。
6.根据权利要求5所述的***信息存取方法，其特征在于：在步骤(A)之后，还包含下列步骤：
(E)当判定出该上电复位旗标之该旗标值为该第二预定值时，判定该第二非挥发性记忆模块是否储存有任何***信息；及
(F)当判定出该第二非挥发性记忆模块储存有与该计算机装置相关的该***信息时，读取储存于该第二非挥发性记忆模块的该***信息，并将自该第二非挥发性记忆模块所读取到的该***信息储存于该挥发性记忆模块。
7.根据权利要求6所述的***信息存取方法，其特征在于：在步骤(E)之后，还包含下列步骤：
(G)当判定出该第二非挥发性记忆模块不储存有任何***信息时，读取储存于该第一非挥发性记忆模块的该***信息，并将自该第一非挥发性记忆模块所读取到的该***信息储存于该挥发性记忆模块。
8.根据权利要求7所述的***信息存取方法，其特征在于：在步骤(G)中，该基板管理控制***还将自该第一非挥发性记忆模块所读取到的该***信息储存于该第二非挥发性记忆模块。
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