CN107946459B - 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 - Google Patents
一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107946459B CN107946459B CN201710966487.2A CN201710966487A CN107946459B CN 107946459 B CN107946459 B CN 107946459B CN 201710966487 A CN201710966487 A CN 201710966487A CN 107946459 B CN107946459 B CN 107946459B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- azo
- electrode layer
- substrate
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims abstract description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 28
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 4
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 aluminum ion Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- MAJZZCVHPGUSPM-UHFFFAOYSA-N nitric acid nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O[N+]([O-])=O MAJZZCVHPGUSPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- XNDZQQSKSQTQQD-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohex-2-en-1-ol Chemical compound CC1=CC(O)CCC1 XNDZQQSKSQTQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- GQGALSZAKYJWGB-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;zinc Chemical group [Zn].NCCO GQGALSZAKYJWGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法，所述氧化物忆阻器由下至上依次包括衬底、底电极层、中间介质层、以及顶电极层，其中所述底电极层的材料为AZO导电薄膜，厚度为50~300nm；所述中间介质层的材料为ZnO，厚度为20~100nm；所述顶电极层的材料为石墨烯薄膜，厚度为20~200nm。所述全溶液法制备氧化物忆阻器包括三个主要步骤：溶胶‑凝胶法在清洗后的衬底上制备AZO底电极层，在底电极层上沉积ZnO中间介质层，抽滤法在AZO中间介质层上沉积石墨烯顶电极层。本发明通过全溶液方法制得忆阻器，大大降低了制备忆阻器的成本，且工艺简单，适合大规模工业化。
Description
技术领域
本发明涉及一种忆阻器的制备方法，尤其涉及一种低成本的、可大规模工业化生产忆阻器的全溶液制备方法。
背景技术
忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种基本无源电子器件。忆阻器具有电阻的量纲，但有着不同于普通电阻的非线性电学性质。忆阻器的阻值会随着流经它的电荷量而发生改变，并且能够在断开电流时保持它的阻值状态。忆阻器在阻变存储器和神经网络上已有广泛的研究。阻变存储器具有结构简单、集成度高、操作速度高、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势，在不久的将来有望全面取代静态存储器、动态存储器及闪存。忆阻器用于人工智能神经网络芯片，它能够突破传统计算机体系结构所遭遇的瓶颈，更好应对复杂的大数据问题，且功耗更低、速度更快。
忆阻器的结构从上到下依次为上电极、存储介质层和下电极。ZnO作为介质层的忆阻器具有良好的阻变性能。ZnO忆阻器的介质层和电极通常采用电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射等真空气相沉积制备，但是这些制备方法对设备要求高，制备成本高昂。溶液法作为是一种在非真空条件下的镀膜方法，具有成本低，设备简单的优点，国内外已有一些研究机构利用溶液法制备除了具有优良忆阻性能的ZnO介质层。然而，由于电极尺寸小、导电性能要求高，用溶液法实现电极的制备比较困难。本专利采用全溶液法制备了具有优良阻变性能的AZO/ZnO/ G忆阻器件，这种方法对于降低忆阻器的制备成本，实现产业的生产，具有重要意义。发明内容
本发明的目的在于提供一种非真空条件下全溶液法制备忆阻器的低成本方法，采用溶液方法依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层三层结构组成的忆阻器。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
采用全溶液法制备氧化物忆阻器，所述氧化物忆阻器由下至上依次包括底电极层、中间介质层、以及顶电极层，其中所述底电极层的材料为AZO导电薄膜，厚度为50~300nm；所述中间介质层的材料为ZnO，厚度为20~120nm；所述顶电极层的材料为石墨烯薄膜，厚度为20~200nm。所述全溶液法制备氧化物忆阻器包括三个主要步骤，步骤1：采用溶胶-凝胶法在清洗后的衬底上制备AZO底电极层；步骤2：采用溶胶-凝胶法在底电极层上沉积ZnO中间介质层；步骤3，采用抽滤法在AZO中间介质层上沉积石墨烯顶电极层。
具体的，所述步骤1包括：
1）衬底处理：清洗衬底基片，并对该衬底进行预处理：先分别采用丙酮、无水乙醇、去离子水对所述衬底进行超声处理5~10分钟，氮气吹干，为的是去除表面杂质灰尘物质；再对衬底进行等离子处理2~5分钟以提高溶胶对衬底的浸润性；
2）在衬底上沉积AZO底电极层：a）二水合乙酸锌、九水硝酸溶解为反应前驱体，乙醇胺为稳定剂，无水乙醇为溶剂；加入硝酸调节溶液的PH值，有利于提高最终AZO薄膜的导电性；其中锌离子的摩尔浓度为0.4mol/L，其中各组分的摩尔比为：锌离子:乙醇胺:铝离子:硝酸=1:1:（0.008~0.01）:（0.055~0.1）；将各组分配比好的溶液放入超声清洗机中震荡1小时，然后烘箱中60℃保持半小时，室温下再陈化5天，得到澄清透明的AZO前驱体溶胶；b）将配制的前驱体溶胶旋涂在衬底上，250℃烘焙5分钟。重复旋涂-烘焙5~7次得到合适厚度的AZO；c）将烘焙后得到的AZO，在氩气中，600~1000℃快速退火1~5分钟以激活Al3+，提高AZO薄膜的导电性；得到AZO底电极层。
具体的，所述步骤2包括： 1）二水合乙酸锌为反应前驱体，乙醇胺为稳定剂，无水乙醇为溶剂，形成混合溶液，锌离子的摩尔浓度范围为0.4~1mol/L，锌离子:乙醇胺按的摩尔浓度比=1:1；将混合溶液超声清洗机中震荡1小时，烘箱中60℃保持半小时，室温下陈化5天，得到澄清透明的ZnO前驱体溶胶；2）将前驱体溶胶旋涂于AZO底电极层上，250℃烘焙5分钟，得到ZnO介质层薄膜；3）将烘焙后的ZnO介质层薄膜，在保温炉中300℃退火1小时，并冷却至室温，以进一步提高薄膜晶体质量；得到ZnO中间介质层。
具体的，所述步骤3包括：1）将丙酮溶解在去离子水中，使丙酮的质量分数约为75%，在室温下搅拌均匀后，加入高纯鳞片石墨，得到浓度约为3mg/ml的石墨分散液；2）将石墨分散液超声波分散处理后，静置24小时得到含有石墨烯的分散液，将含石墨烯的分散液进行离心分离处理后得到均匀的石墨烯分散液；3）用铜网作为掩模板，采用真空抽滤的方式在滤膜上得到一个个石墨烯电极，然后将这些电极分别转移到沉积了ZnO/AZO的衬底上,制得G/ZnO/AZO器件。2）将制得的器件在氮气中300℃，退火5-10 min，经过风冷和水冷快速冷却至室温，得到具有忆阻性能的G/ZnO/AZO器件。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明采用价格低廉的二水合乙酸锌、九水硝酸铝、石墨等作为原材料，以无水乙醇、丙酮等有机溶液作为溶剂，通过全溶液方法制得忆阻器，大大降低了制备忆阻器的成本。
（2）本发明采用溶液法制备薄膜，不需要复杂的设备，制备工艺简单，可实现大规模工业化生产。
附图说明
图1为本发明忆阻器的结构示意图。
图1中1为衬底，2为底电极层，3为中间介质层，4为顶电极层。
图2为实施例1制备中间介质层厚度约为30nm的忆阻器的电流-电压特性曲线。
图3为实施例1制备中间介质层厚度约为50nm的忆阻器的电流-电压特性曲线。
图4为实施例1制备中间介质层厚度约为75nm的忆阻器的电流-电压特性曲线。
图5为实施例1制备中间介质层厚度约为100nm的忆阻器的电流-电压特性曲线。
具体实施方式
为了更为具体地描述本发明，下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明制备的忆阻器，其结构如附图1所示，依次包括衬底、在衬底上形成的底电极层、中间介质层和顶电极层。本发明各实施例的底电极层采用溶胶凝胶旋涂法制备的AZO薄膜，中间介质层采用溶胶凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜，顶电极层采用真空抽滤制备的石墨烯薄膜。
实施例1
本实施例的忆阻器的制备方法如下：
步骤1，提供一衬底基片，并对该衬底进行预处理：本实施例的衬底为热氧化硅片，即利用热氧化的方法在单晶硅片上形成一层二氧化硅层，是一种绝缘衬底。先分别采用丙酮、无水乙醇、去离子水分别对所述衬底进行超声处理5~10分钟，氮气吹干，去除表面杂质灰尘物质；再对衬底进行等离子处理2~5分钟以提高溶胶对衬底的浸润。
步骤2，采用溶液法在衬底上沉积底电极层：将二水合乙酸锌溶解在无水乙醇中，使锌离子的摩尔浓度为0.4mol/L，在室温下搅拌至溶解后，向溶液中依次加入乙醇胺、九水硝酸铝和硝酸，其中乙醇胺的含量按摩尔比为乙醇胺:锌离子=1:1，Al3+的掺杂比为0.8at%，硝酸的掺杂比为5.5 at%，将混合溶液在超声清洗机中震荡1小时，然后烘箱中60℃保持半小时，所得混合溶液在室温下陈化5天，得到澄清透明的AZO前驱体溶胶；将配制的底电极溶胶采用旋涂方式沉积在衬底上，重复5次得到160nm厚的薄膜；将得到的底电极薄膜放入快速退火炉中进行退火处理，退火条件是在氩气中，800℃快速退火2分钟。
步骤3，采用溶液法在底电极层上沉积中间介质层：将二水合乙酸锌溶解在无水乙醇中，使锌离子的摩尔浓度为0.81mol/L，，在室温下搅拌至溶解后，向溶液中加入乙醇胺，乙醇胺的含量按摩尔比为乙醇胺:锌离子=1:1，将混合溶液在超声清洗机中震荡1小时，然后烘箱中60℃保持半小时后，所得混合溶液在室温下陈化5天，得到澄清透明的ZnO前驱体溶胶；将配制的中间介质层溶胶采用旋涂的方式沉积在底电极层上；将得到的中间介质层薄膜在空气中，300℃条件下进行退火处理1小时。
步骤4，采用溶液法在中间介质层上沉积顶电极层：1）将丙酮溶解在去离子水中，使丙酮的质量分数约为75%，在室温下搅拌均匀后，向混合液中加入高纯鳞片石墨，得到浓度约为3mg/ml的石墨分散液。2）将石墨分散液超声波分散处理后，静置24小时得到含有石墨烯的分散液，将含石墨烯的分散液进行离心分离处理后得到均匀的石墨烯分散液。3）用铜网作为掩模板，采用真空抽滤的方式在滤膜上得到一个个石墨烯电极，然后将这些电极分别转移到沉积了ZnO/AZO的衬底上,制得G/ZnO/AZO器件。2）将制得的器件在氮气中300℃，退火5min，经过风冷和水冷快速冷却至室温，得到具有忆阻性能的G/ZnO/AZO器件。
对本实施例制备的忆阻器进行电学测试，测试时，均以底电极接地，顶电极施加电压。其电流-电压特性曲线如图2～5所示，其中通过步骤3）中旋涂参数的控制，获得不同厚度的中间介质层ZnO薄膜；图2为中间介质层ZnO薄膜厚度约为30nm的特性曲线图，图3为中间介质层ZnO薄膜厚度约为50nm的特性曲线图，图4为中间介质层ZnO薄膜厚度约为75nm的特性曲线图，图5为中间介质层ZnO薄膜厚度约为100nm的特性曲线图。由图可知器件的特性曲线图都包含了两部分：一部分是电形成过程，另一部分是置位过程和复位过程的工作曲线。可以看出所有器件都实现了电阻的转变。
实施例2
与实施例1的区别在于底电极材料AZO前驱体溶液中，硝酸的含量为10 at%。
实施例3
与实施例1的区别在于底电极材料AZO前驱体溶液，旋涂-烘焙7次，得到200 nm厚的薄膜。
实施例4
与实施例1的区别在于中间介质层的前驱体锌离子的摩尔浓度分别为0.6mol/L。
另外，在以上实施例基础上，本发明人进行各工艺参数的调节，经反复试验，本发明优选的工艺参数如：在衬底上沉积AZO底电极层时，各组分的摩尔比可优选为：锌离子:乙醇胺:铝离子:硝酸=1:1:（0.008~0.01）:（0.055~0.1）；将AZO薄膜在氩气中快速退火时，可优选温度600~1000℃，时间1~5分钟以激活Al3+，提高AZO薄膜的导电性；忆阻器各层厚度优选AZO导电薄膜厚度为50~300nm、中间介质层为ZnO厚度为20~100nm、顶电极层石墨烯薄膜厚度为20~200nm。在以上优选的参数范围内调节工艺，均得到与实施例1相当的具有忆阻性能的G/ZnO/AZO器件。
以上所述的具体实施方式对本发明的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的最优选实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充和等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，采用溶胶-凝胶法在清洗后的衬底上制备AZO底电极层；
步骤2，采用溶胶-凝胶法在底电极层上沉积ZnO中间介质层；
步骤3，采用抽滤法在ZnO中间介质层上沉积石墨烯顶电极层；
其中：
1）步骤1所述的衬底，其清洗包括等离子处理2-5分钟，以提高溶胶对衬底的浸润性；
2）步骤1所述在清洗后的衬底上制备AZO底电极层的步骤包括：二水合乙酸锌、九水硝酸溶解为反应前驱体，乙醇胺为稳定剂，无水乙醇为溶剂，加入硝酸调节溶液的PH值；其中锌离子的摩尔浓度为0.4mol/L，其中各组分的摩尔比为锌离子：乙醇胺：铝离子：硝酸=1:1：（0.008~0.01）：（0.055~0.1）；配比好的溶液放入超声清洗机中震荡1小时，烘箱中60℃保持半小时，室温下陈化5天，得到澄清透明的AZO前驱体溶胶；将配制的前驱体溶胶旋涂衬底上，250℃烘焙5分钟；重复旋涂、烘焙多次；将烘焙后的AZO在氩气中、600~1000℃快速退火1~5分钟以激活Al3+以提高薄膜的导电性；获得AZO底电极层。
2.根据权利要求1所述的氧化物忆阻器的全溶液制备方法，其特征在于，步骤2所述的沉积ZnO中间介质层的步骤包括：1）二水合乙酸锌为反应前驱体，乙醇胺为稳定剂，无水乙醇为溶剂；锌离子的摩尔浓度锌离子的摩尔浓度范围为0.4~1mol/L，锌离子：乙醇胺的摩尔比1:1;超声清洗机中震荡1小时，烘箱中60℃保持半小时，室温下陈化5天，得到澄清透明的ZnO前驱体溶胶；将配制的前驱体溶胶旋涂衬底上，250℃烘焙5分钟，得到ZnO介质层薄膜；2）旋涂、烘焙后得到ZnO薄膜，在保温炉中300℃退火1小时，并冷却至室温，以进一步提高薄膜晶体质量；获得ZnO中间介质层。
3.根据权利要求1所述的氧化物忆阻器的全溶液制备方法，其特征在于，步骤3所述的沉积石墨烯顶电极层的步骤包括：1）将丙酮溶解在去离子水中，使丙酮的质量分数为75%，在室温下搅拌均匀后，向混合液中加入高纯鳞片石墨，得到浓度为3mg/ml的石墨分散液；2）将石墨分散液超声波分散处理后，静置24小时得到含有石墨烯的分散液，将含石墨烯的分散液进行离心分离处理后得到均匀的石墨烯分散液；3）用铜网作为掩模板，采用真空抽滤的方式将石墨烯沉积在滤膜上，然后将滤膜上的电极分别转移到沉积了ZnO/AZO的衬底上,制得G/ZnO/AZO器件；4）将制得的器件在氮气中300℃，退火5-10 min，经过风冷和水冷快速冷却至室温，得到具有忆阻性能的G/ZnO/AZO器件，即所述氧化物忆阻器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710966487.2A CN107946459B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710966487.2A CN107946459B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107946459A CN107946459A (zh) | 2018-04-20 |
| CN107946459B true CN107946459B (zh) | 2021-10-19 |
Family
ID=61935421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710966487.2A Active CN107946459B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107946459B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108682738B (zh) * | 2018-04-16 | 2022-03-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种全碳忆阻器及其制备方法 |
| CN108447987B (zh) * | 2018-04-27 | 2020-02-14 | 中山大学 | 一种低激活电压阻变器件的制备方法 |
| CN109461812B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-07-29 | 西交利物浦大学 | 基于铝氧化物的rram及其制备方法 |
| CN109560195B (zh) * | 2018-11-15 | 2022-08-30 | 南京邮电大学 | 一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103500796A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-01-08 | 北京大学 | 一种基于氧化物的透明rram及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103346257B (zh) * | 2013-07-09 | 2015-07-29 | 中山大学 | 一种金属氧化物电阻存储单元及其低温光化学制备方法 |
-
2017
- 2017-10-17 CN CN201710966487.2A patent/CN107946459B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103500796A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-01-08 | 北京大学 | 一种基于氧化物的透明rram及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 太阳能电池用透明导电AZO薄膜室温生长及其性能研究;魏启东等;《第十一届中国光伏大会暨展览会会议论文集 上》;20101031;引言部分 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107946459A (zh) | 2018-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107946459B (zh) | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 | |
| CN107887511B (zh) | 一种基于二维材料石墨烯相氮化碳制备钙钛矿太阳能电池的方法 | |
| CN108899420B (zh) | 钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池器件 | |
| Shi et al. | Effects of 4-tert-butylpyridine on perovskite formation and performance of solution-processed perovskite solar cells | |
| CN109980092B (zh) | 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法 | |
| Guo et al. | Vacuum thermal-evaporated SnO2 as uniform electron transport layer and novel management of perovskite intermediates for efficient and stable planar perovskite solar cells | |
| CN113903861B (zh) | 空气中快速退火的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106803601B (zh) | 一种固态电解质锂镧钛氧化合物薄膜的制备方法 | |
| CN109768167B (zh) | 无电流迟滞的钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
| CN106340587A (zh) | 钙钛矿膜的制备方法和钙钛矿太阳能电池 | |
| Wang et al. | Di-isopropyl ether assisted crystallization of organic–inorganic perovskites for efficient and reproducible perovskite solar cells | |
| CN108682738B (zh) | 一种全碳忆阻器及其制备方法 | |
| CN109728111B (zh) | 一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法 | |
| CN107799655B (zh) | 钙钛矿薄膜、太阳能电池器件及制备方法 | |
| Planes et al. | Maturing Effects in Carbon‐Based Perovskite Solar Cells: Understanding and Consequences on Photovoltaic Performances | |
| CN112820824A (zh) | 一种钙钛矿忆阻器及其制备方法 | |
| CN110444670B (zh) | 一种钙钛矿型太阳电池及其制备方法 | |
| Zhang et al. | The disappearing additive: Introducing volatile ethyl acetate into a perovskite precursor for fabricating high efficiency stable devices in open air | |
| CN113380951B (zh) | 一种基于绿色反溶剂法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN210272426U (zh) | 一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器 | |
| CN110010771B (zh) | 钙钛矿器件、钙钛矿薄膜及其制备方法 | |
| CN113903862A (zh) | 基于苯硼酸衍生物修饰的SnO2钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN113035946A (zh) | 掺杂MXene的突触型薄膜晶体管及其制备方法 | |
| Rozhkova et al. | Influence of the environment on the morphology, optical and electrical characteristics of the PEDOT: PSS polymer | |
| CN111293194A (zh) | 一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |