CN107946421B - 四原色led芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种四原色LED芯片的制备方法，包括：步骤a、制备蓝光结构；步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；步骤f、划片并制作电极。本发明实施例，该四原色LED芯片制备方法将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种四原色LED芯片的制备方法。
背景技术
LED发光芯片，主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅,是液晶显示屏的主要组成部件。四色技术推翻了彩色电视诞生以来所采用的红、绿、蓝三原色组合来表现色彩的显示方式，所谓四色技术，就是指在传统液晶面板的RGB(红、绿、蓝)三原色基础上新增加了一个颜色——黄色。通过四色面板技术和电视机回路技术的组合，实现了高画面质量图像的广色域化和高精细化，还有助于大幅降低能源消耗，四原色技术的问世，使普通三原色很难精确描绘的颜色得以准确表现，这是电视机半个世纪历史的革新。
但现有的四原色LED芯片通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装成一个单独的器件使其发出白色的光，采用封装工艺制备的器件会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题，因此如何研制一种高集成度且发光效率高的四原色LED芯片是目前研究的热点问题。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种四原色LED芯片。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明实施例提供了一种四原色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤a、制备蓝光结构；
步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；
步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；
步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；
步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；
步骤f、划片并制作电极。
在本发明的一个实施例中，步骤a包括：
步骤a1、选取衬底；
步骤a2、在所述衬底上依次生长蓝光CaN缓冲层、蓝光GaN稳定层、蓝光n型GaN层；
步骤a3、在所述蓝光n型GaN层上制备蓝光发光结构；
步骤a4、在所述蓝光发光结构上依次生长蓝光p型AlGaN阻挡层、蓝光p型GaN层形成所述蓝光结构。
在本发明的一个实施例中，所述衬底的材料为蓝宝石或者SiC。
在本发明的一个实施例中，步骤b包括：
步骤b1、在所述蓝光结构上生长第一SiO2层；
步骤b2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第一SiO2层形成红光灯芯窗口；
步骤b3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述红光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内以形成红光灯芯凹槽；
步骤b4、去除所述第一SiO2层；
步骤b5、在所述红光灯芯凹槽红光灯芯凹槽内淀积第二SiO2层；
步骤b6、刻蚀所述第二SiO2层形成所述红光灯芯槽。
在本发明的一个实施例中，步骤c包括：
在所述红光灯芯槽内依次生长红光GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、红光发光结构、p型A1GaInP阻挡层、接触层。
在本发明的一个实施例中，步骤d包括：
步骤d1、在所述蓝光结构上制备第三SiO2层；
步骤d2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第三SiO2层形成绿光灯芯窗口，所述绿光灯芯窗口位于所述红光结构之间；
步骤d3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述绿光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内形成绿光灯芯凹槽；
步骤d4、去掉所述第三SiO2层；
步骤d5、在所述绿光灯芯凹槽内淀积第四SiO2层；
步骤d6、刻蚀所述第四SiO2层以形成所述绿光灯芯槽。
在本发明的一个实施例中，步骤e包括：
在所述绿光灯芯槽内依次生长绿光GaN缓冲层、绿光GaN稳定层、绿光n型GaN层、绿光发光结构、绿光p型AlGaN阻挡层、绿光p型GaN层。
在本发明的一个实施例中，步骤f包括：
步骤f1、在所述芯片表面淀积第五SiO2层并刻蚀形成下电极窗口；
步骤f2、刻蚀所述下电极窗口下的材料直到所述蓝光n型GaN层；
步骤f3、去掉所述第五SiO2层并在所述芯片表面淀积第六SiO2层；
步骤f4、刻蚀所述第六SiO2层分别形成上电极接触窗口和下电极接触窗口；
步骤f5、在所述上电极接触窗口中形成上电极，所述下电极接触窗口中形成下电极；
步骤f6、制备钝化层并划片。
在本发明的一个实施例中，所述红光灯芯窗口和所述绿光灯芯窗口横截面均为矩形。
在本发明的一个实施例中，所述矩形的长和宽均为100微米。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
该四原色LED芯片制备方法将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的蓝光结构的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的蓝光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的红光灯芯槽的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的红光结构的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的红光GalnP/A1GaInP多量子阱的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的绿光灯芯槽的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的绿光结构的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种绿光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的俯视截面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的侧视截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的制备方法的流程示意图。该四原色LED芯片包括如下步骤：
步骤a、制备蓝光结构；
步骤b、在所述蓝光结构上制备依次隔离的红光灯芯槽；
步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；
步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；
步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；
步骤f、划片并制作电极。
本发明实施例的四原色LED芯片制备方法将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。
实施例二
请再次参见图1，本实施例在上述实施例的基础上，重点对四原色LED芯片的制备方法进行详细描述。具体地，包括如下步骤：
步骤a1、选取衬底；
步骤a2、在所述衬底上依次生长蓝光CaN缓冲层、蓝光GaN稳定层、蓝光n型GaN层；
步骤a3、在所述蓝光n型GaN层上制备蓝光发光结构；
步骤a4、在所述蓝光发光结构上依次生长蓝光p型AlGaN阻挡层、蓝光p型GaN层形成所述蓝光结构。
优选地，所述衬底的材料为蓝宝石或者SiC。
其中，步骤b包括：
步骤b1、在所述蓝光结构上生长第一SiO2层；
步骤b2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第一SiO2层形成红光灯芯窗口；
步骤b3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述红光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内以形成红光灯芯凹槽；
步骤b4、去除所述第一SiO2层；
步骤b5、在所述红光灯芯凹槽红光灯芯凹槽内淀积第二SiO2层；
步骤b6、刻蚀所述第二SiO2层形成所述红光灯芯槽。
其中，步骤c包括：
在所述红光灯芯槽内依次生长红光GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、红光发光结构、p型A1GaInP阻挡层、接触层。
其中，步骤d包括：
步骤d1、在所述蓝光结构上制备第三SiO2层；
步骤d2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第三SiO2层形成绿光灯芯窗口，所述绿光灯芯窗口位于所述红光结构之间；
步骤d3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述绿光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内形成绿光灯芯凹槽；
步骤d4、去掉所述第三SiO2层；
步骤d5、在所述绿光灯芯凹槽内淀积第四SiO2层；
步骤d6、刻蚀所述第四SiO2层以形成所述绿光灯芯槽。
其中，步骤e包括：
在所述绿光灯芯槽内依次生长绿光GaN缓冲层、绿光GaN稳定层、绿光n型GaN层、绿光发光结构、绿光p型AlGaN阻挡层、绿光p型GaN层。
其中，步骤f包括：
步骤f1、在所述芯片表面淀积第五SiO2层并刻蚀形成下电极窗口；
步骤f2、刻蚀所述下电极窗口下的材料直到所述蓝光n型GaN层；
步骤f3、去掉所述第五SiO2层并在所述芯片表面淀积第六SiO2层；
步骤f4、刻蚀所述第六SiO2层分别形成上电极接触窗口和下电极接触窗口；
步骤f5、在所述上电极接触窗口中形成上电极，所述下电极接触窗口中形成下电极；
步骤f6、制备钝化层并划片。
其中，所述红光灯芯窗口和所述绿光灯芯窗口横截面均为矩形。
优选地，所述矩形的长和宽均为100微米。
其中，所述红光灯芯窗口和所述绿光灯芯窗口横截面均为矩形。
实施例三
请再次参见图1，本实施例在上述实施例的基础上，重点对四原色LED芯片的制备方法进行详细描述。具体地，包括如下步骤：
方法进行详细描述，包括如下步骤：
S01：制备蓝光结构。请参见图2，图2为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的蓝光结构的结构示意图；具体步骤包括：
S011：选取SiC衬底11，衬底11的材料可以为蓝宝石或者SiC。在衬底11上生长厚度为3000-5000纳米的蓝光GaN缓冲层101，生长温度为400-600℃；
优选地，生长温度为500℃，蓝光GaN缓冲层101的厚度为4000纳米。
S012：升温至900-1050℃，在蓝光GaN缓冲层101上生长厚度为500纳米-1500纳米的蓝光GaN稳定层102；
优选地，蓝光GaN稳定层102的生长温度为1000℃，生长厚度为1000纳米。
S013：保持温度不变，在蓝光GaN稳定层102上生长200-1000纳米掺Si的蓝光n型GaN层103，掺杂浓度为1×1018-5×1019cm-3；
优选地，蓝光n型GaN层103的生长温度为1000℃，蓝光n型GaN层103的厚度为400纳米，掺杂浓度为1×1019cm-3。
S014：请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的蓝光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；在蓝光n型GaN层103上生长蓝光InGaN/GaN多量子阱结构作为蓝光有源层104，其中：蓝光InGaN量子阱104b的生长温度为650-750℃，蓝光GaN势垒104a的生长温度为750-850℃；蓝光InGaN/GaN多量子阱周期为8-30，蓝光InGaN量子阱104b厚度为1.5-3.5纳米，其中In的含量约为10-20％；蓝光GaN势垒104a厚度均为5-10纳米；
优选地，蓝光InGaN量子阱104b的生长温度为750℃，蓝光GaN势垒104a的生长温度为850℃，蓝光InGaN量子阱104b的厚度为2.8纳米，蓝光GaN势垒104a的厚度为5纳米，蓝光InGaN/GaN多量子阱周期为20。
其中，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。
S015：升温至850-950℃，在蓝光InGaN/GaN多量子阱结构上生长10-40纳米蓝光p型AlGaN阻挡层105。
优选地，蓝光p型AlGaN阻挡层105的生长温度为900℃，其厚度为20纳米。
S016：在所述蓝光p型AlGaN阻挡层105上生长100-300纳米的蓝光p型GaN层106，作为接触用。
优选地，蓝光p型AlGaN阻挡层105生长温度为900℃，其厚度为200纳米。
S02：在所述蓝光结构上制备依次隔离的红光灯芯槽；请参见图4和图10，图4为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的红光灯芯槽的结构示意图；图10为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的俯视截面结构示意图；具体步骤包括：
S021：在蓝光p型GaN层106表面用PECVD方法淀积第一SiO2层，厚度为300-800纳米；
优选地，所述第一SiO2层的厚度为500纳米。
S022：在所述第一SiO2层上用湿法刻蚀工艺刻蚀多个红光灯芯窗口，多个红光灯芯窗口之间为依次等间距间隔且设置于同一直线上。
优选地，所述红光灯芯窗口为矩形，多个红光灯芯窗口之间的间隔距离等于矩形的长；
优选地，矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。
优选地，矩形的长和宽相等为100微米。
S023：用干法刻蚀红光灯芯窗口下材料，一直刻蚀到蓝光GaN缓冲层101上；
S024：去掉剩余的第一SiO2层；
S025：在第一SiO2层上淀积第二SiO2层，第二SiO2层厚度为20-100纳米；
优选地，第二SiO2层厚度为50纳米。
S026：用干法刻蚀表面第二SiO2层，在红光灯芯槽四周形成第一SiO2隔离层12。
S03：在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；请参见图5，图5为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的红光结构的结构示意图；具体包括如下步骤：
S031：在红光芯片槽中，生长红光GaN缓冲层201，厚度2000-3000纳米。
优选地，所述红光GaN缓冲层201的厚度为2500纳米。
S032：在所述红光GaN缓冲层201上生长红光n型GaAs缓冲层202，厚度1000-2000纳米，掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3；
优选地，红光n型GaAs缓冲层202厚度为1500纳米，掺杂浓度为5×1017cm-3。
S033：生长红光n型GaAs稳定层203，500纳米-1000纳米的，掺杂浓度为1×1018-5×1019cm-3；
优选地，红光n型GaAs稳定层203的厚度为200纳米，掺杂浓度为1×1019cm-3。
S034：请参见图6，图6为本发明实施例提供的一种红光GalnP/A1GaInP多量子阱结构示意图；在红光n型GaAs稳定层203上生长红光GalnP/A1GaInP多量子阱结构作为红光有源层204，量子阱周期为8-30，红光GalnP量子阱厚度为2-10纳米，红光A1GaInP势垒204b厚度为5-10纳米；其中Al的含量约为10-40％；
优选地，红光GalnP量子阱厚度为7纳米，红光A1GaInP势垒204b的厚度为7纳米，Al含量依据光波长定，含量越高光波波长越长，周期20。
S035：生长红光p型A1GaInP阻挡层205，其中Al的含量大于30％，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度为10-500纳米。
优选地，红光p型A1GaInP阻挡层205中Al的含量为40％，红光p型A1GaInP阻挡层205厚度为100纳米，掺杂浓度为1×1018cm-3。
S036：在红光p型A1GaInP阻挡层205上生长红光p型GaAs层作为红光接触层206，掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度为100-500纳米。
优选地，红光接触层206中，厚度为150纳米，掺杂浓度为1×1018cm-3。
S04：在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；图7为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的绿光灯芯槽的结构示意图；具体步骤包括：
S041：在蓝光p型GaN层106表面用PECVD方法淀积第三SiO2层，厚度为300-800纳米；
优选地，所述第三SiO2层的厚度为500纳米。
S042：在所述第三SiO2层上用湿法刻蚀工艺刻蚀多个绿光灯芯窗口，绿光灯芯窗口与红光灯芯窗口的大小相同，且位于所述红光灯芯窗口之间。
优选地，所述绿光灯芯窗口为矩形，多个绿光灯芯窗口之间与所述红光灯芯窗口之间为交错布置；
优选地，矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。
优选地，矩形的长和宽相等为100微米。
S043：用干法刻蚀绿光灯芯窗口下材料，一直刻蚀到蓝光GaN缓冲层101上；
S044：去掉剩余的第三SiO2层；
S045：在第三SiO2层上淀积第四SiO2层，第四SiO2层厚度为20-100纳米；
优选地，第四SiO2层厚度为50纳米。
S046：用干法刻蚀表面第四SiO2层，在绿光灯芯槽四周形成第SiO2隔离层12。
S05：在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；请参见图8，图8为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的绿光结构的结构示意图。
S051：在绿光灯芯槽中，生长厚度为3000-5000纳米的绿光GaN缓冲层301，生长温度为400-600℃；
优选地，绿光GaN缓冲层301生长温度为500℃，厚度为4000纳米。
S052：升温至900-1050℃，在绿光GaN缓冲层301上生长厚度为500纳米-1500纳米的绿光GaN稳定层302；
优选地，绿光GaN稳定层302生长温度为1000℃，厚度为1000纳米。
S053：温度不变，在绿光GaN稳定层302上生长200-1000纳米掺Si的绿光n型GaN层303，掺杂浓度为1×1018-5×1019cm-3；
优选地，绿光n型GaN层303的生长温度为1000℃，厚度为400纳米，掺杂浓度为1×1019cm-3。
S054：请参考图9，图9为本发明实施例提供的一种绿光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；在绿光n型GaN层303上生长绿光InGaN/GaN多量子阱结构作为绿光有源层304，其中绿光InGaN量子阱304b的生长温度为650-750℃，绿光GaN势垒304a的生长温度为750-850℃；量子阱周期为8-30，绿光InGaN量子阱304b厚度为1.5-3.5纳米，其中In的含量约为30-40％；绿光GaN势垒厚度均为5-10纳米。
优选地，绿光InGaN量子阱304b生长温度为750℃，绿光GaN势垒304a生长温度为850℃、绿光InGaN量子阱304b厚度为2.8纳米，绿光GaN势垒304a厚度为5纳米，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长，量子阱周期为20。
S055：升温至850-950℃，绿光InGaN/GaN多量子阱结构上生长10-40纳米的绿光p型AlGaN阻挡层305。
优选地，绿光p型AlGaN阻挡层305的生长温度为900℃、绿光p型AlGaN阻挡层305的厚度为20纳米。
S056：在绿光p型AlGaN阻挡层305上生长100-300纳米的绿光p型GaN层306，作为接触用。
优选地，绿光p型GaN层306的生长温度为850℃，厚度为200纳米。
S06：划片并制作电极。
S061：在芯片表面采用PECVD淀积第五SiO2层，厚度为300-800纳米，优选地，厚度为500纳米。
S062：应用干法刻蚀工艺，在第五SiO2层上刻蚀共用下电极窗口直到所述蓝光GaN稳定层102。其中，因为所述红光灯芯槽、所述绿光灯芯槽的底部刻蚀到蓝光GaN缓冲层101，蓝光GaN缓冲层101与蓝光GaN稳定层102层均有一定掺杂，因此，所述蓝光灯芯材料、所述红光灯芯材料、可以共用下电极窗口，这样使制作工艺更加简单，结构也更加简单。
S063：请再次参见图10并参见图11，图11为本发明实施例提供的一种四原色LED芯片的侧视截面结构示意图。
去掉表面的第五SiO2层，再淀积第六SiO2层107，厚度为300-800纳米，优选地，第六SiO2层107的厚度为500纳米，在所述第六SiO2层107上依次刻蚀上电极接触窗口，在蓝光GaN稳定层102、红光n型GaAs缓冲层202、绿光GaN稳定层302上分别刻蚀下电极接触窗口。
S064：蒸镀金属Cr/Pt/Au电极，其中，Cr厚度为20-40纳米，Pt厚度为20-40纳米，Au厚度为800-1500纳米；优选地，Cr、Pt、Au的厚度依次为30、30、1200纳米。
S065：对Cr/Pt/Au电极电极进行退火处理，温度为300-500℃，形成金属化合物，并去掉剩余金属；优选地，退火温度为350℃。上电极接触窗口形成上电极引线孔51，下电极接触窗口形成下电极引线孔52。
S066：淀积金属，光刻引线；
S067：采用PECVD工艺淀积SiO2钝化层；
S068：图形光刻，露出电极焊盘所在的区域，以便后续封装引金线；
S069：将SiC衬11底背面减薄至150微米以下；
S0610：背面镀金属反射层，材料可以为Al、Ni、Ti等；
S0611：划片，划片时，一个四原色LED单芯片需要包括依次相邻的第一蓝光结构、第一绿光结构、第一红光结构、第二绿光结构、第二红光结构，这五个结构共同构成一个四原色LED单芯片，其中，第二绿光结构和第二红光结构共同合成黄光。并且五个结构的电极分别单独接电，可以分别调节第二绿光结构、第二红光结构上的电压，调节合成的黄光色温，实现合理的配光，增加色彩丰富度。
本发明实施例该四原色LED芯片制备方法将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，荧光粉用量少，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种四原色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤a、制备蓝光结构；
步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；
步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；
步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；
步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；
步骤f、划片并制作电极；
其中，步骤a包括：
步骤a1、选取衬底；
步骤a2、在所述衬底上依次生长蓝光CaN缓冲层、蓝光GaN稳定层、蓝光n型GaN层；
步骤a3、在所述蓝光n型GaN层上制备蓝光发光结构；
步骤a4、在所述蓝光发光结构上依次生长蓝光p型AlGaN阻挡层、蓝光p型GaN层形成所述蓝光结构；
步骤b包括：
步骤b1、在所述蓝光结构上生长第一SiO2层；
步骤b2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第一SiO2层形成红光灯芯窗口；
步骤b3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述红光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内以形成红光灯芯凹槽；
步骤b4、去除所述第一SiO2层；
步骤b5、在所述红光灯芯凹槽内淀积第二SiO2层；
步骤b6、刻蚀所述第二SiO2层形成所述红光灯芯槽；
步骤c包括：在所述红光灯芯槽内依次生长红光GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、红光发光结构、p型A1GaInP阻挡层、接触层；
步骤d包括：
步骤d1、在所述蓝光结构上制备第三SiO2层；
步骤d2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第三SiO2层形成绿光灯芯窗口，所述绿光灯芯窗口位于所述红光结构之间；
步骤d3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述绿光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内形成绿光灯芯凹槽；
步骤d4、去掉所述第三SiO2层；
步骤d5、在所述绿光灯芯凹槽内淀积第四SiO2层；
步骤d6、刻蚀所述第四SiO2层以形成所述绿光灯芯槽；
步骤e包括：在所述绿光灯芯槽内依次生长绿光GaN缓冲层、绿光GaN稳定层、绿光n型GaN层、绿光发光结构、绿光p型AlGaN阻挡层、绿光p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石或者SiC。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤f包括：
步骤f1、在所述芯片表面淀积第五SiO2层并刻蚀形成下电极窗口；
步骤f2、刻蚀所述下电极窗口下的材料直到所述蓝光n型GaN层；
步骤f3、去掉所述第五SiO2层并在所述芯片表面淀积第六SiO2层；
步骤f4、刻蚀所述第六SiO2层分别形成上电极接触窗口和下电极接触窗口；
步骤f5、在所述上电极接触窗口中形成上电极，所述下电极接触窗口中形成下电极；
步骤f6、制备钝化层并划片。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红光灯芯窗口和所述绿光灯芯窗口横截面均为矩形。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述矩形的长和宽均为100微米。
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