CN107946243A - 一种rc‑igbt的背面设计 - Google Patents
一种rc‑igbt的背面设计 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107946243A CN107946243A CN201711408753.6A CN201711408753A CN107946243A CN 107946243 A CN107946243 A CN 107946243A CN 201711408753 A CN201711408753 A CN 201711408753A CN 107946243 A CN107946243 A CN 107946243A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- back side
- igbt
- layer
- injects
- design
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种RC‑IGBT的背面设计,包括背面注入使用两层光刻版,一层用于N+注入,一层用于P+注入,最终背面N+掺杂区呈T型结构,实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用,两层光刻版,第一层用于阻挡N+注入,未阻挡部分开口尺寸L1,第二层用于阻挡P+注入,阻挡部分开口尺寸L2,L1>L2,通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF,IGBT压降及snapback曲线,本发明结构简单,通过增加一次背面光刻注入工艺,背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合,即可实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用,增加了设计的灵活度。
Description
技术领域
本发明属于RC-IGBT背面技术领域,尤其涉及一种RC-IGBT的背面设计。
背景技术
IGBT既有MOSFET的注入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低等优点,广泛应用于电力电子领域,但是IGBT是一个单向导通器件,应用的时候需要一个反并联二极管来承受反向电压,传统的RC-IGBT将反并联二极管和IGBT集成到一起,通过背面集电极引入局部N+集电极的方法实现,RC-IGBT的提出,使得封装时可以省略单独的续流二极管,降低了芯片成本,也简化了封装工艺,缩小了成品尺寸。但是传统的RC-IGBT在正向导通的时候会出现一个负阻效应(snacpback),为了解决该问题,M.Rahimo等人提出了BIGT的设计,即通过增大原胞面积将它分为IGBT和RC-IGBT,但由于大的原胞尺寸又会增加IGBT关断损耗和电流分布不均匀等问题,使得器件的综合性能需要进一步提高。
本发明提出一种新的RC-IGBT背面工艺和背面版图设计,通过增加一次背面光刻注入工艺,背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合,即可实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用,增加了设计的灵活度。
因此,发明一种RC-IGBT的背面设计显得非常必要。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种RC-IGBT的背面设计,以解决现有因工艺能力、设计规则的限制而导致IGBT或MOSFET元胞尺寸无法再继续缩小问题。
一种RC-IGBT的背面设计,其特征在于,该RC-IGBT的背面设计包括背面注入使用两层光刻版,一层用于N+注入,一层用于P+注入,最终背面N+掺杂区呈T型结构,实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用。
优选地,两层光刻版,第一层用于阻挡N+注入,未阻挡部分开口尺寸L1,第二层用于阻挡P+注入,阻挡部分开口尺寸L2,L1>L2,通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF,IGBT压降及snapback曲线。
优选地,所述L1大于60um且L2小于60um。
先完成背面N+带胶注入,P的注入剂量为1E14-1E15/cm2,注入能量为60-100Kev,再完成背面P+带胶注入,B或BF2的注入剂量为1E13-1E14/cm2,注入能量为20-60Kev,通过此工艺顺序,可以完成背面N+掺杂区形成T型结构掺杂分布。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明结构简单,通过增加一次背面光刻注入工艺,背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合,即可实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用。
附图说明
图1是现有技术RC-IGBT背面结构图。
图2是本发明RC-IGBT背面结构。
图3是本发明背面NFS注入结构图。
图4是本发明利用第一张光刻版注入N+结构图。
图5本发明利用第二张光刻版注入P+结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步描述:
实施例:
如附图1至5所示,本发明提供一种RC-IGBT的背面设计,其特征在于,该RC-IGBT的背面设计包括背面注入使用两层光刻版,一层用于N+注入,一层用于P+注入,最终背面N+掺杂区呈T型结构,实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用;
两层光刻版,第一层用于阻挡N+注入,未阻挡部分开口尺寸L1,第二层用于阻挡P+注入,阻挡部分开口尺寸L2,L1>L2,通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF,IGBT压降及snapback曲线,所述L1大于60um且L2小于60um,先完成背面N+带胶注入,P的注入剂量为1E14-1E15/cm2,注入能量为为60-100Kev,再完成背面P+带胶注入,B或BF2的注入剂量为1E13-1E14/cm2,注入能量为20-60Kev,通过此工艺顺序,可以完成背面N+掺杂区形成T型结构掺杂分布,本发明通过两张光刻版,一次N+注入,一次P+注入,形成N+掺杂T型区结构设计,可以通过调整L1和L2尺寸来调整RC-IGBT的特性,L1可以做大,让电流尽可能均匀,且关断损耗可以大大减小,L2希望尽可能小,保证RC-IGBT压降低的同时,因为P+电阻的增加,加快了背面PN结的导通,有效抑制了snapback现象,将RC-IGBT背面集电极N+一个纬度的调整,通过两张光刻版变为两个纬度的调整,可以分别解决本身互为矛盾的问题。
利用本发明所述的技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种RC-IGBT的背面设计,其特征在于,该RC-IGBT的背面设计包括背面注入使用两层光刻版,一层用于N+注入,一层用于P+注入,最终背面N+掺杂区呈T型结构,实现寄生二极管VF可调,IGBT压降可调,正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用。
2.如权利要求1所述的RC-IGBT的背面设计,其特征在于,两层光刻版,第一层用于阻挡N+注入,未阻挡部分开口尺寸L1,第二层用于阻挡P+注入,阻挡部分开口尺寸L2,L1>L2,通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF,IGBT压降及snapback曲线。
3.如权利要求2所述的RC-IGBT的背面设计,其特征在于,所述L1大于60um且L2小于60um。
4.如权利要求1所述的RC-IGBT的背面设计,其特征在于,先完成背面N+带胶注入,P的注入剂量为1E14-1E15/cm2,注入能量为60-100Kev,再完成背面P+带胶注入,B或BF2的注入剂量为1E13-1E14/cm2,注入能量为20-60Kev,通过此工艺顺序,可以完成背面N+掺杂区形成T型结构掺杂分布。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711408753.6A CN107946243A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种rc‑igbt的背面设计 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711408753.6A CN107946243A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种rc‑igbt的背面设计 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107946243A true CN107946243A (zh) | 2018-04-20 |
Family
ID=61939760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711408753.6A Pending CN107946243A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种rc‑igbt的背面设计 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107946243A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104518016A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 |
JP2016149429A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 逆導通igbt |
CN106098762A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种rc‑igbt器件及其制备方法 |
CN106129110A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-16 | 电子科技大学 | 一种双通道rc‑igbt器件及其制备方法 |
CN107305909A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-10-31 | 全球能源互联网研究院 | 一种逆导型igbt背面结构及其制备方法 |
CN207602542U (zh) * | 2017-12-22 | 2018-07-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种rc-igbt的背面设计 |
-
2017
- 2017-12-22 CN CN201711408753.6A patent/CN107946243A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104518016A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 |
JP2016149429A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 逆導通igbt |
CN107305909A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-10-31 | 全球能源互联网研究院 | 一种逆导型igbt背面结构及其制备方法 |
CN106098762A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种rc‑igbt器件及其制备方法 |
CN106129110A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-16 | 电子科技大学 | 一种双通道rc‑igbt器件及其制备方法 |
CN207602542U (zh) * | 2017-12-22 | 2018-07-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种rc-igbt的背面设计 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103311287B (zh) | 一种具有系列p浮空埋层的rc-igbt | |
CN103383958B (zh) | 一种rc-igbt器件及其制作方法 | |
CN103746002B (zh) | 一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构 | |
CN108321193B (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
CN109065607B (zh) | 一种双极型功率半导体器件及其制备方法 | |
CN102169892B (zh) | 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管 | |
CN105185826A (zh) | 一种横向rc-igbt器件 | |
CN101393928A (zh) | 一种阳极短路的隧道泵igbt | |
CN113571415B (zh) | Igbt器件及其制作方法 | |
CN103268860A (zh) | 一种集成有二极管的igbt器件的制造方法 | |
CN105023943A (zh) | 一种纵向rc-igbt器件 | |
CN207602542U (zh) | 一种rc-igbt的背面设计 | |
CN103560086B (zh) | 可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法 | |
CN110429077A (zh) | 一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构 | |
CN104795438B (zh) | 一种能抑制负阻效应的sa‑ligbt | |
CN103441074B (zh) | 一种制造集成有二极管的igbt器件的方法 | |
CN104091826A (zh) | 一种沟槽隔离igbt器件 | |
CN102637733B (zh) | 一种超结绝缘栅双极型晶体管 | |
CN109087866A (zh) | 一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法 | |
CN107946243A (zh) | 一种rc‑igbt的背面设计 | |
CN104299990A (zh) | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | |
CN104425260A (zh) | 反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法 | |
CN102290436B (zh) | 新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法 | |
CN109817707A (zh) | Rc-igbt结构及其制造方法 | |
CN104167356A (zh) | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |