CN107925344B - 非对称双极电压供给装置 - Google Patents

Abstract

本发明从一种非对称双极电压供给装置出发，所述非对称双极电压供给装置具有变压器(1)和初级侧电压供给装置(2；25；28)，其中，所述变压器(1)具有至少一个初级绕组(7；26，27；29，30)以及多个次级绕组(8)。根据本发明，所述初级侧电压供给装置(2；25；28)与至少一个直流电压源连接并且如此构造，使得能够在所述变压器(1)中产生两个极性相反的具有不同幅度的绕组电压U_W1和U_W2。

Description

非对称双极电压供给装置

技术领域

本发明涉及一种非对称双极电压供给装置。

背景技术

为进行栅极操控，应作为半导体开关而使用的现代功率半导体需要例如+15V和-5V的非对称双极电压供给。由此应该能够阻止错误接通。如果为了达到接通状态而仅将栅极操控置于零电位上，但该零电位由于干扰而被叠加，则可能会出现这种错误接通。在这种情况下，半导体开关会开始振荡，这将很快导致故障。相反地，如果施加-5V的电压，则即使有干扰也不会妨碍正常的运行。

为了能够操控全桥(或也称为H桥)的半导体开关，基于目前常见的技术需要四个栅极驱动器，其中，每个栅极驱动器与各一个非对称双极电压源连接。在具有功率因数校正(PFC)和连接在后面的全桥电压转换器的新型三相电流供给装置中，对于PFC需要6个半导体开关，对于连接在后面的全桥电压变换器需要4个半导体开关。即需要具有所属的非对称双极电压源的10个栅极驱动器。对于再生式变频器，甚至需要具有上述非对称双极电压源的至少12个栅极驱动器。

通常使用具有相应数量的次级绕组的变压器来构建这样的电压源。对于正电压和负电压分别需要一个独立的绕组，其中，正绕组和负绕组可以具有共同的接地点。通过初级绕组与次级绕组的匝数比来调节输出电压。

这表示，为每个栅极驱动器设置两个次级绕组。因此，在上面提到的全桥电路中就需要8个次级绕组，在上面提到的三相电流供给装置中甚至就需要20个次级绕组。

这样的大量次级绕组导致一种引入高寄生电容的结构尺寸。这些寄生电容会导致由漏电流引起的干扰，并且在最不利的情况下会导致电压供给装置或栅极驱动器损坏。

发明内容

本发明基于如下任务：构造一种非对称双极电压供给装置，使得可以避免上述缺点或至少使上述缺点最小化。

根据本发明的任务通过一种具有本发明的特征的非对称双极电压供给装置来解决。由于初级侧电压供给装置已经与至少一个直流电压源连接并且构造成在变压器中可以产生两种极性相反的具有不同幅度的绕组电压 U_W1和U_W2，所以可以将所需的次级绕组数量减半。因为在根据现有技术的电压供给装置中，只能产生具有相同幅度的极性相反的绕组电压，因此必须在变压器的次级侧产生所需的不同电压。这始终伴随着次级绕组数量增加。相反地，在根据本发明的电压供给装置中，在初级侧就已经产生非对称双极交流电压，所述交流电压分别在次级绕组中被感应出来。因此，在次级绕组上可以获取正范围内和负范围内的具有不同幅度的交流电压。绕组电压可以理解成每个绕组感应出的电压。

本发明的其他细节和优点由本发明的技术方案得出。

在本发明的一种实施方式中，初级侧电压供给装置具有推挽电路，所述推挽电路具有两个初级半导体开关，其中，至少一个初级绕组具有两个初级绕组部分，并且附加地通过初级绕组部分之间的抽头与推挽电路连接。在该实施方式中，虽然仅需要两个半导体开关，但是需要设置具有两个初级绕组部分的初级绕组。在此，由半导体开关的数量少而引起的低开销与由多个初级绕组(这在平面变压器中也需要多个层)而引起的高开销相互对立。该实施方式可以以多个变型方案实现。

在第一变型方案中，初级侧电压供给装置的推挽电路的初级半导体开关与具有不同电压U₁和U₂的两个直流电压源连接，其中，两个初级绕组部分在抽头的两侧具有相同的匝数。因此涉及初级绕组的中心抽头。在此，要么将电压U₁施加到初级绕组的一个初级绕组部分上，要么将不同的电压 U₂反向地(基于绕组极性)施加到初级绕组的另一初级绕组部分上。因此，在此通过交替地施加两个不同的直流电压源而实现初级绕组上的具有不同幅度的双极交流电压。

在第二变型方案中，初级侧电压供给装置的推挽电路的初级半导体开关与同一电压源连接，其中，两个初级绕组部分在抽头的两侧具有不同的匝数。在此，要么将电压施加到初级绕组的一个初级绕组部分上，要么将同一电压反向地(基于绕组极性)施加到初级绕组的另一初级绕组部分上。在这种变型方案中，通过将同一直流电压源交替地施加在不同的初级绕组部分上，并且通过初级绕组部分相对于次级绕组的不同的匝数比来产生具有不同幅度的双极交流电压。

然而，为了在初级侧绕组上产生非对称的双极交流电压，初级侧电压供给装置特别有利地具有全桥电路，所述全桥电路具有四个初级半导体开关，其中，全桥电路的每个支路与另一直流电压源连接。

为了能够省去对次级侧电压的调节，对与初级侧电压供给装置连接的至少一个直流电压源进行调节。这种受调节的直流电压源是常见的，并且因此能够在市场上非常便宜地获得。

在变压器的初级侧产生交流电压时需要注意，在任何时刻都不能达到磁饱和。为此目的，交流电压的变化过程必须满足确定的条件。因此，如此关断初级半导体开关，使得在至少一个初级绕组上，在时间段t₁期间存在绕组电压U_W1，并且在时间段t₂期间存在反向的绕组电压U_W2，其中，绕组电压U_W1在时间段t₁上的积分相应于绕组电压U_W2在时间段t₂上的积分。因为在所产生交流电压的情况下幅度具有不同符号，所以在积分的情况下指的是相应的绝对值。

有利地，在次级侧也设置多个次级半导体开关。这些次级半导体开关中的每个配属有恰好一个次级绕组。因为在初级侧已经产生非对称双极交流电压，所以在次级侧，每个次级半导体开关不需要两个绕组。因此与现有技术相比，可以将次级绕组的数量减半。

每个次级绕组提供一个具有正号的电压以及具有不同幅度且具有负号的第二电压。必须将这两个电压提供给驱动器，使得可以将相应的通断电压施加到次级半导体开关的栅极上。因此，每个次级半导体开关通过配属于其的驱动器来***控。

为了能够将所需的两个通断电压提供给驱动器，每个驱动器的两个电压输入端与配属于该驱动器的具有二极管和电容器的整流器电路的输出端连接。以这种方式，在驱动器的一个电压输入端始终存在具有确定幅度的正电压，而在驱动器的另一电压输入端始终存在具有不同幅度的负电压。

特别有利地，每个次级绕组都给一个整流器电路提供电压。这表示，为每个次级半导体开关设置一个用于操控栅极的特有的电压供给装置。该电压供给装置通过次级绕组馈电并且还具有整流器电路和驱动器。所述电压供给装置对于所有的次级半导体开关都是相同的。

为了能够产生与确定的负载相协调的交流电压，通过控制装置操控每个驱动器。因此通过控制装置确定，是将驱动器上存在的具有确定幅度的正电压还是将驱动器上存在的具有不同幅度的负电压接通到次级半导体开关的栅极上。

有利地，次级半导体开关形成次级全桥电路，通过另一直流电压给该次级全桥电路提供直流电压。在此，对角线的次级半导体开关相同地通断，使得可以将矩形的交流电压施加到所连接的负载上。对于这种应用，需要四个次级绕组和四个次级半导体开关。

对于具有PFC的三相电流供给装置，仅对于PFC就需要每相两个次级半导体开关和两个次级绕组。除了这六个次级绕组和六个次级半导体开关，对于连接在后面的全桥还需要四个另外的次级绕组和次级半导体开关。因此对于这种应用，总共需要十个次级绕组和十个次级半导体开关。

变压器可以构造成常见的绕组变压器(Wickeltransformator)。尤其在需要大量次级绕组的应用中，通过使用平面变压器而得出巨大优势。在这种平面变压器中，为每个绕组(至少一个初级绕组和次级绕组)分别设置多层电路板的一层。因此特别有利地，变压器构造成平面变压器，其中，上层和下层设置有各一个初级绕组，在所述上层与下层之间布置有具有次级绕组的层。

附图说明

本发明的其他细节和优点由对借助附图进一步阐述的实施例的描述得出。

附图示出：

图1示出根据本发明的非对称双极电压供给装置的一种实施例的示意性的电路图；

图2示出用于根据本发明的电压供给装置的平面变压器的示意图；

图3示出初级侧全桥电路的输出电压；

图4示出第一交替初级侧电压供给装置；

图5示出第二交替初级侧电压供给装置。

具体实施方式

对于新型快速半导体开关(例如SiC-FET或GaN-FET)的栅极驱动来说，经常需要双极电压供给装置，该双极电压供给装置既提供+15V的电压，也提供-5V的电压。因此，应参照相应的非对称双极电压供给装置的一个实施例来阐述本发明。图1示出这种电压供给装置的示意性的电路图，其中，省略了对本发明不重要的细节。

该电路具有变压器1，该变压器具有初级绕组7和次级绕组8。在变压器1的初级侧设置有全桥电路2，该全桥电路由四个初级半导体开关10至 13形成。将不同的受调节的直流电压提供给全桥电路2的两个支路。因此，初级侧全桥电路2的左侧示出的支路与受调节的提供+5V直流电压的直流电压源连接，而受调节的直流电压源为初级侧全桥电路2的右侧示出的支路提供+15V的直流电压。未示出初级半导体开关10至13的操控装置，因为这对于本发明不重要。

在次级侧也设置有全桥电路3，该全桥电路由四个次级半导体开关14 至17形成。通过各一个驱动器20来操控次级半导体开关14至17，通过次级绕组8和整流器电路9给该驱动器提供+15V和-5V的非对称双极直流电压。未绘制出驱动器20的操控装置，因为这对于理解本发明不重要。

通过直流电压源5给次级侧的全桥电路3提供直流电压。通过次级侧的全桥电路3可以将直流电压源5的直流电压转换成用于给负载6供电的交流电压。

图2示意性地示出平面变压器，该平面变压器具有E-I型铁芯22以及多层电路板21。铁芯22的E部分23通过多层电路板21的凹槽插接。然后将I部分24与E部分23的分支连接。

在每一层中实现一个绕组，该绕组在理想情况下由唯一的绕组构成。在此示出的实施例中——与根据图1的实施例中不同——设置有两个初级绕组7a和7b。四个次级绕组8布置在两个初级绕组7a与7b之间。以这种方式，由初级绕组7a和7b可以产生非常均匀的磁场，次级绕组8布置在该磁场中。在此示出的示例中，多层电路板21包含六层，并且在上部和下部设有抵靠铁芯22的覆盖物。

两个初级绕组7a和7b可以并联连接，并且可以借助同一初级侧全桥电路供电。然而也存在如下可能性：将两个初级绕组7a与7b串联连接。然而对于这种情况，必须在初级侧设置提供更高电压的直流电压源，即在此给左侧的支路提供10V电压，并且给右侧支路提供30V电压。

示出的平面变压器对于次级侧全桥电路的电路配备有四个次级绕组8。不再如根据现有技术的电路那样需要八个次级绕组。相反地，在(未示出的)具有PFC和连接在后面的全桥电压转换器的新式三相电流供给装置中，为了操控十个必要的半导体开关，也需要设置十个次级绕组(而不是根据现有技术的20个次级绕组)。因此，用于这种应用的平面变压器具有十二层。

通过将次级绕组的数量相对于现有技术减半，也可以显著降低电压供给装置的结构尺寸。然而，因为随着结构尺寸的减小，寄生电容也减小，所以可以确保干扰的大幅度降低并且因此确保错误接通的大幅度降低。此外，随着结构尺寸和所需的层的数量的减小，制造成本也减小。

可以以几百千赫兹、即例如600kHz的频率运行初级侧全桥电路。在此，始终成对地对角地通断初级半导体开关10至13。即例如将初级半导体开关 10和13通断到导通，而同时将初级半导体开关11和12通断到截止。在初级侧全桥电路2的这种第一状态中，初级绕组7的下末端相对于初级绕组7 的上末端存在+5V的电压。如果初级绕组7由唯一的绕组构成，则绕组电压U_W1在该通断状态下是-5V。

在将初级侧全桥电路2通断到第二状态中后，初级半导体开关11和12 通断到导通，而初级半导体开关10和13通断到截止。在这种第二状态中，初级绕组7的上末端相对于初级绕组7的下末端存在+15V的电压。在初级绕组7仅具有一个绕组的情况下，绕组电压U_w2在该通断状态下是+15V。

以下可以这样认为，次级绕组8相对于初级绕组7(图1)的比例是 1:1:1:1:1。在初级侧全桥电路2的两种可能的通断状态中，电流分别在相反的方向上流动。这导致，借助次级绕组8产生如下电压：该电压随着初级侧全桥电路2的通断状态的变换而在+15V与-5V之间变换。因此，产生具有非对称幅度的并且在+15V与-5V之间变换的交流电压。

初级绕组7上的电压变化过程、以及因此次级绕组8上的电压变化过程在图3中示出。在此，涉及具有+15V的第一幅度以及-5V的第二幅度的矩形电压。为了阻止平面变压器1达到磁饱和，必须满足如下条件：

U₁×t₁＝U₂×t₂ (1)。

因此，相应于具有正幅度或具有负幅度的电压的相应积分的面积A₁和A₂必须具有相同的大小。在此示出的示例中，正电压U₁的幅度是负电压 U₂的幅度的三倍。因此，具有负幅度的电压的时间段t₂也必须是具有正幅度的电压的时间段t₁的三倍。

适用的是：

U₁＝3U₂因此代入到(1)中

3U₂×t₁＝U₂×t₂即

t₂＝3t₁

这种非对称的交流电压存在于四个整流器电路9中的每个上。整流二极管18对于当次级绕组的上末端相对于次级绕组的下末端存在正电压(在此+15V)时流过的电流导通，对于当次级绕组的上末端相对于次级绕组的下末端存在负电压(在此-5V)时流过的电流截止。整流二极管19表现得恰好相反。该整流二极管对于当次级绕组的上末端相对于次级绕组的下末端存在正电压(在此+15V)时流过的电流截止，对于当次级绕组的上末端相对于次级绕组的下末端存在负电压(在此-5V)时流过的电流导通。

因此，在时间段t₁内，在驱动器20的上部输入端——即针对正的电压供给的输入端——相对于电压参考点32存在+15V的电压。同时上面的电容器被充电。而相反地，在时间段t₂期间，在驱动器20的下部输入端——即针对负的电压供给的输入端——相对于电压参考点32存在-5V的电压，同时下面的电容被充电。因此，在对两个电容器进行相应的协调的情况下，通过相应的二极管始终使电容器中的一个被充电，同时，感应出的电压存在于驱动器20的相应的输入端上。而在该时间段期间，在驱动器20的相应的另一输入端上存在来自当前未被充电的相应电容器的电压。

因此，持续地将+15V和-5V的非对称双极直流电压提供给驱动器20 中的每个。在此，+15V的电压始终存在于上部输入端，并且-5V的电压始终存在于下部输入端。

应该以交流电压运行负载6，该交流电压通过次级侧全桥电路3产生。次级侧全桥电路3由直流电压源5供电。也成对地对角地通断次级半导体开关14至17，使得半导体开关14和17、或15和16始终处于相同的通断状态中。在此，通过相应的驱动器20操控半导体开关14至17，其中，在半导体开关的栅极上要么存在+15V的电压，要么存在-5V的电压。驱动器又由在此未示出的控制装置以所需的方式和所需的频率来操控。显然，也可以设置电路，以便对于次级侧的全桥电路3的输出信号给定任意的形状，或以便执行脉宽调制，但这在此为清楚起见也未示出。

借助根据本发明的电压供给装置可以通过大幅减少次级绕组8的数量来实现非常小的结构尺寸。以这种方式，可以将寄生电容保持得很小。因此也可以降低制造成本。

可选地，所述任务可以借助以多层电路板技术实现的平面变压器来解决。在这种技术中，为每个绕组使用一个特有的层。

在实现(未在附图中示出的)具有PFC的三相电流供给时，根据传统技术，在使用两个初级绕组的情况下设置具有22层的电路板。借助本发明，可以利用仅具有12层的电路板来实现这种电压供给。由此得出巨大的空间优势和成本优势。

对于不同的正电压和负电压，仅还需要一个次级绕组。如此操控变压器，使得一个周期的两个半波具有不同的幅度。因此，可以实现利用一个次级绕组借助通过两个二极管的分离(Trennung)来产生+15V和-5V。

替代初级侧全桥电路，也可以使用仅具有两个半导体开关以及一个具有抽头的初级绕组的推挽电路。这种替代电路在图4和5中示出。与图1 相同的构件设有相同的附图标记。

图4示出具有双馈推挽电路(doppelt gespeiste Gegentaktschaltung)25 的初级侧电压供给装置。在此，初级绕组7由设计成中心抽头的抽头31两侧的、对称的初级绕组部分26和27形成。两个对称的初级绕组部分26和 27具有相同数量的绕组。在此——如也在根据图1的全桥电路2中那样——需要两个不同的直流电压源。

然而如图1中示出的那样，也可以实现两种通断状态：在第一通断状态中，第一半导体开关10通断到导通，第二半导体开关11通断到截止。在这种通断状态中，在对称的第一初级绕组部分26的上末端存在-5V的电压，而对称的第一初级绕组部分26的下末端通过中心抽头31处于零电位。如果第一初级绕组部分26仅具有一个绕组，则绕组电压U_W1在该通断状态中又为-5V。

在第二通断状态中，第一半导体开关10通断到截止，第二半导体开关 11通断到导通。在第二切换状态中，对称的第二初级绕组部分27的下末端存在-15V的电压，而对称的第二初级绕组部分的上末端又通过中心抽头31 处于零电位。在仅具有一个绕组的第二初级绕组部分27中，绕组电压U_W2在该通断状态中又为+15V。

因此，在此通过推挽电路来实现初级绕组26和27上的非对称双极交流电压，该推挽电路将初级绕组7交替地与直流电压源并且反向地与另一直流电压源连接。直接在次级线圈中感应出这种非对称双极交替电压。

相反地，图5示出一种具有单馈推挽电路(einfachgespeisteGegentaktschaltung)28的初级侧电压供给装置。在此，初级绕组7由抽头 31两侧的、非对称的初级绕组部分29和30形成。两个初级绕组部分29和 30具有不同数量的绕组。在示出的示例中，非对称的第一初级绕组部分29 具有三个绕组，而非对称的第二初级绕组部分30仅具有一个绕组。

在第一通断状态中，第一半导体开关10通断到导通，第二半导体开关 11通断到截止。在这种通断状态下，非对称的第一初级绕组部分29的下末端通过抽头31处于+15V，而非对称的第一初级绕组部分29的上末端处于零电位。通过初级绕组部分29的三个绕组，并且通过电压的极性得出-5V 的负的绕组电压U_W1。因为次级绕组仅具有一个绕组，因此在该通断状态中，在次级绕组中感应出-5V的电压。

在第二通断状态中，第一半导体开关10通断到截止，并且第二半导体开关11通断到导通。在该第二通断状态中，+15V的电压通过抽头31存在于非对称的第二初级绕组部分30的上末端，而非对称的第二初级绕组部分的下末端处于零电位。因为第二初级绕组部分30仅具有一个绕组，因此基于所施加的极性，在该通断状态下产生+15V的正的绕组电压U_W2。因此，在此通过非对称的初级绕组实现变压器的双极非对称磁化。因为次级绕组又仅具有一个绕组，所以在该通断状态下，在次级绕组中感应出+15V的电压。

在次级绕组中感应出的交流电压的非对称性由相应的初级绕组部分29 或30与次级绕组之间的变比所产生。因此，变比在第一通断状态中是3:1，使得在次级绕组中仅感应出-5V的电压。相反地，在第二通断状态中，初级绕组与次级绕组之间的变比是1:1，使得在次级绕组中感应出来自初级绕组的全部+15V。

即使在图4和图5中示出的具有推挽电路以及分别带有抽头的初级绕组26和27或29和30的实施例的情况下，也必须使接通时间匹配于相应的半波电压。因此，在次级绕组中产生5V的幅度的半波所覆盖的时间段是在次级绕组中产生15V的幅度的半波的时间段的三倍长。

应该注意的是，显然也存在使用两个彼此独立的初级绕组的可能性，其中，每个初级绕组与独立的电压供给装置连接。在这种情况下，交替地给初级线圈提供电压。在时间段t₁期间给第一初级绕组施加+15V的矩形脉冲，而不给第二初级绕组提供电压。相反地，在接下来的又是t₁的三倍长的时间段t₂期间，则将第一初级绕组通断到无电压，而给第二初级绕组上施加-5V的电压。

附图标记列表

1 平面变压器

2 初级侧全桥电路

3 次级侧全桥电路

4 铁芯

5 直流电压源

6 负载

7 初级绕组

8 次级绕组

9 整流器电路

10 第一初级半导体开关

11 第二初级半导体开关

12 第三初级半导体开关

13 第四初级半导体开关

14 第一次级半导体开关

15 第二次级半导体开关

16 第三次级半导体开关

17 第四次级半导体开关

18 针对+15V的整流二极管

19 针对-5V的整流二极管

20 驱动器

21 多层电路板

22 E-I式铁芯

23 E部分

24 I部分

25 初级侧双馈推挽电路

26 对称的第一初级绕组部分

27 对称的第二初级绕组部分

28 初级侧单馈推挽电路

29 非对称的第一初级绕组部分

30 非对称的第二初级绕组部分

31 抽头

32 电压参考点

Claims (13)

1.一种非对称双极电压供给装置，其具有变压器(1)和初级侧电压供给装置(2；25；28)，其中，所述变压器(1)具有至少一个初级绕组(7)以及多个次级绕组(8)，其特征在于，所述初级侧电压供给装置(2；25；28)与至少一个直流电压源连接并且如此构造，使得能够在所述变压器(1)中产生两个极性相反的具有不同幅度的绕组电压U_W1和U_W2，其中每个次级绕组(8)给整流器电路(9)提供电压。

2.根据权利要求1所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述初级侧电压供给装置具有推挽电路(25；28)，所述推挽电路具有两个初级半导体开关(10，11)，其中，所述至少一个初级绕组(7)具有两个初级绕组部分(26，27；29，30)并且附加地通过所述初级绕组部分(26，27；29，30)之间的抽头(31)与所述推挽电路(25；28)连接。

3.根据权利要求2所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述初级侧电压供给装置的所述推挽电路(25)的所述初级半导体开关(10-11)与具有不同电压U₁和U₂的两个直流电压源连接，其中，所述两个初级绕组部分(26，27)在所述抽头(31)的两侧具有相同的匝数。

4.根据权利要求2所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述初级侧电压供给装置的所述推挽电路(28)的所述初级半导体开关(10-11)与同一电压源连接，其中，所述两个初级绕组部分(29，30)在所述抽头(31)的两侧具有不同的匝数。

5.根据权利要求1所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述初级侧电压供给装置具有全桥电路(2)，所述全桥电路具有四个初级半导体开关(10-13)，其中，所述全桥电路(2)的每个支路与另一直流电压源连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，与所述初级侧电压供给装置(2)连接的至少一个直流电压源是受调节的。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，如此通断所述初级半导体开关(10-11；10-13)，使得在所述至少一个初级绕组(7；26，27；29，30)上，在时间段t₁期间存在绕组电压U_W1并且在时间段t₂期间存在反向的绕组电压U_W2，其中，所述绕组电压U_W1在所述时间段t₁上的积分相应于所述绕组电压U_W2在所述时间段t₂上的积分。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，在次级侧设置有多个次级半导体开关(14-17)，其中，每个次级半导体开关(14-17)配属有恰好一个次级绕组(8)。

9.根据权利要求8所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，通过配属于每个次级半导体开关(14-17)的驱动器(20)来操控所述每个次级半导体开关。

10.根据权利要求9所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，每个驱动器(20)的两个电压输入端与配属于所述驱动器(20)的具有二极管和电容器的整流器电路(9)的输出端连接。

11.根据权利要求9或10所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，通过控制装置操控每个驱动器(20)。

12.根据权利要求8所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述次级半导体开关(14-17)形成次级侧全桥电路(3)，通过另一直流电压源(5)给所述次级侧全桥电路提供直流电压。

13.根据权利要求1至5中任一项所述的非对称双极电压供给装置，其特征在于，所述变压器(1)构造成平面变压器，其中，上层和下层设置有各一个初级绕组(7a，7b)，在所述上层与所述下层之间布置有具有所述次级绕组(8)的层。

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