CN107922841A - 液晶介质 - Google Patents

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M·温德赫斯特
C·霍克
A·珀勒
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Abstract

本发明涉及介电正性液晶介质,其包含式I的化合物,其中所述参数具有在权利要求1中给出的含义,和涉及包含这些介质的液晶显示器,尤其涉及有源矩阵显示器,和特别涉及TN和IPS模式显示器。

Description

液晶介质
技术领域
本发明涉及液晶介质和涉及包含这些介质的液晶显示器,尤其涉及通过有源矩阵寻址的显示器,和特别涉及扭转向列或平面转换(IPS)型的显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)广泛用于显示信息。LCD用于直视型显示器以及用于投射型显示器。采用的电光模式例如是扭转向列(TN)-、超扭转向列(STN)-、光学补偿弯曲(OCB)-和电控双折射(ECB)-模式以及它们的各种变型,以及其它模式。所有这些模式采用基本上垂直于基板或液晶层的电场。除了这些模式外,还存在采用基本上平行于基板或液晶层的电场的电光模式,例如平面转换模式(例如公开在DE 40 00 451和EP 0 588 568中的那些)。这种电光模式尤其用于现代桌面显示器和TV应用的LCD。根据本发明的液晶优选用于这种类型的显示器中。
对于这些显示器,需要具有改进性能的新型液晶介质。对于许多类型的应用,尤其必须改进响应时间。因此,需要具有较低粘度(η),尤其具有较低旋转粘度(γ1)的液晶介质。所述旋转粘度应当是80mPa·s或更低,优选70mPa·s或更低和尤其是60mPa·s或更低。除了这个参数外,所述介质还必须表现出合适宽度的向列相范围、合适的双折射(△n)和介电各向异性(△ε)应当足够高以允许合理低的工作电压。优选地,△ε应当高于3和非常优选高于4,然而优选不高于15和特别是不高于12,因为这对于至少合理高的比电阻会是不利的。
根据本发明的显示器优选通过有源矩阵寻址(有源矩阵LCD,缩写为AMD),优选通过薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而,本发明的液晶还可以有益地在采用其它已知寻址方式的显示器中使用。
存在使用低分子量液晶材料以及聚合物材料的复合体系的各种不同的显示器模式。这些是例如聚合物分散液晶(PDLC)-、向列曲线排列相(NCAP)-和聚合物网络(PN)-体系,如例如公开在WO 91/05 029中的那种,或轴对称微区(ASM)体系和其它体系。与这些相反,根据本发明尤其优选的模式使用在表面上定向的液晶介质本身。这些表面通常经预处理以实现所述液晶材料的均匀排列。根据本发明的显示器模式优选使用基本上平行于复合层的电场。
适合于LCD和尤其适合于IPS显示器的液晶组合物是例如从以下文献中已知的:JP07-181 439(A)、EP 0 667 555、EP 0 673 986、DE 195 09 410、DE 195 28 106、DE 195 28107、WO 96/23 851和WO 96/28 521。然而,这些组合物具有显著缺点。除其它缺点外,它们大部分导致不利地长的响应时间,具有太低的电阻率值和/或需要太高的工作电压。
因此,对于具有对于实际应用合适的性能的液晶介质存在显著需求,所述合适性能例如宽的向列相范围,合适的光学各向异性△n,根据使用的显示器模式,高的△ε和尤其低的粘度。
发明内容
令人惊奇地,现在已经发现,通过使用包含一种或多种下式I的化合物的液晶介质,可以实现具有适当高的△ε、合适的相范围和△n的液晶介质,其不表现出现有技术的材料的缺点,或者至少在显著较低的程度上表现出它们。
因此,本发明涉及一种液晶介质,其包含:
-一种或多种式I的化合物
其中
R1指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,优选烷基或烯基,
L1指H或F
-任选地,一种或多种选自式II和III的化合物的化合物
其中
R2和R3彼此独立地指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,优选烷基或烯基,
彼此独立地是
优选
L21、L22、L31和L32彼此独立地指H或F,优选F
X2和X3彼此独立地指卤素、具有1至3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基,优选F、Cl、-OCF3或-CF3,最优选F、Cl或-OCF3
Z3指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-或单键,优选-CH2CH2-、-COO-、反式-CH=CH-或单键和最优选-COO-、反式-CH=CH-或单键,和
l、m、n和o彼此独立地是0或1,和
从其中排除式I的化合物,和
-任选地,一种或多种式IV的化合物
其中
R41和R42彼此独立地具有如上在式II下对于R2给出的含义,优选地,R41是烷基和R42是烷基或烷氧基或R41是烯基和R42是烷基,
彼此独立地,和如果出现两次,这些也彼此独立地是
优选地,中的至少一个是
Z41、Z42彼此独立地,和如果Z41出现两次,这些也彼此独立地,指-CH2CH2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键,优选它们中的至少一个是单键,和
p是0、1或2,优选0或1。
式II的化合物优选选自式II-1至II-3的化合物
其中,所述参数具有如上在式II下给出的各自含义,和在式II-1中,参数L23和L24彼此独立地并且独立于其它参数地指H或F,和在式II-2中,优选
彼此独立地指
在式II-1至II-3中,L21和L22或L23和L24优选二者都是F。
在另一个优选的实施方案中,在式II-1和II-2中,L21、L22、L23和L24都指F。
式II-1的化合物选自式II-1a至II-1g的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义。
在本发明的一个优选实施方案中,所述介质包含选自其中L21和L22或L23和L24二者都是F的式II-1a至II-1g的化合物的化合物。
在另一个优选实施方案中,所述介质包含选自其中L21、L22、L23和L24都是F的式II-1a至II-1g的化合物的化合物。
式II-1的尤其优选的化合物是
其中R2具有如上给出的含义。
优选地,式II-2的化合物选自式II-2a至II-2c的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义,和优选地
L21和L22二者都是F。
优选地,式II-3的化合物选自式II-3a至II-3e的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义,和优选地
L21和L22二者都是F,和L23和L24二者都是H,或
L21、L22、L23和L24都是F。
式II-3的尤其优选的化合物是
其中R2具有如上给出的含义。
在本发明的另一个优选的实施方案中,式III的化合物选自式III-1和III-2
其中所述参数具有如上在式III下给出的各自含义。
优选地,式III-1的化合物选自式III-1a和III-1b的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义,和参数L33和L34彼此独立地和独立于其它参数指H或F。
优选地,式III-2的化合物选自式III-2a至III-2i的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义,和L35和L36彼此独立地指H或F。
式III-1a的化合物优选选自式III-1a-1至III-1a-6的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
在另一个优选的实施方案中,式II-2a的化合物选自式III-2a-1至III-2a-4的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2b的化合物优选选自式III-2b-1和III-2b-2,优选III-2b-2的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式II-2c的化合物优选选自式III-2c-1至III-2c-5的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2d和III-2e的化合物优选选自式III-2d-1和III-2e-1的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2f的化合物优选选自式III-2f-1至III-2f-7的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2g的化合物优选选自式III-2g-1至III-2g-5的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2h的化合物优选选自式III-2h-1至III-2h-3的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
式III-2i的化合物优选选自式III-2i-1至III-2i-6的化合物
其中R3具有如上给出的含义。
替代或附加于式III-1和/或III-2的化合物,根据本发明的介质可包含一种或多种式III-3的化合物
其中所述参数具有如上在式III下给出的各自含义,
和优选式III-3a的化合物,
其中R3具有如上给出的含义。
优选地,根据本发明的液晶介质包含一种或多种式IV的化合物,其优选选自式IV-1至IV-5的化合物
其中R41和R42具有如上在式IV下给出的各自含义,和在式IV-1、IV-4和IV-5中,R41优选是烷基或烯基,优选烯基,和R42优选是烷基或烯基,优选烷基,在式IV-2中,R41和R42优选是烷基,和在式IV-3中,R41优选是烷基或烯基,优选烷基,和R42优选是烷基或烷氧基,优选烷氧基。
在一个优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV-1的化合物,更优选选自式CC-n-V和/或CC-nV-m的其相应的子式的化合物,更优选式CC-n-V的化合物和最优选式CC-3-V的化合物。这些缩写(首字母缩略词)的定义在下表B中给出。
在一个优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV-4的化合物,更优选选自式CCP-V-n和/或CCP-nV-m和/或CCP-Vn-m的其相应的子式的化合物,更优选式CCP-V-n和/或CCP-V2-n的化合物和最优选选自式CCP-V-1和CCP-V2-1的化合物。这些缩写(首字母缩略词)的定义在下表B中给出。
优选地,所述介质包含选自式IV-1、IV-3、IV-4和IV-5的化合物的化合物,优选一种或多种式IV-1的化合物和一种或多种选自式IV-3或IV-4的化合物。
任选地,可能优选的是所述介质进一步包含一种或多种选自式IV-6至IV-13的化合物的式IV的化合物
其中
R41和R42彼此独立地指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,和
L4指H或F。
替代或附加于式II和/或III的化合物,根据本发明的介质可包含一种或多种式V的化合物
其中
R5是具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,和优选是烷基或烯基,
彼此独立地是
L51和L52彼此独立地指H或F,优选L51指F,和
X5指卤素、具有1至3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基,优选F、Cl、-OCF3或-CF3,最优选F、Cl或-OCF3
Z5指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或-CH2O-,优选-CH2CH2-、-COO-或反式-CH=CH-和最优选-COO-或-CH2CH2-,和
q是0或1。
优选地,根据本发明的介质包含一种或多种式V的化合物,其优选选自式V-1和V-2的化合物
其中所述参数具有如上给出的各自含义,和参数L53和L54彼此独立地并且独立于其它参数地,是H或F,和优选Z5是-CH2-CH2-。
优选地,式V-1的化合物选自式V-1a和V-1b的化合物
其中R5具有如上给出的含义。
优选地,式V-2的化合物选自式V-2a至V-2d的化合物
其中R5具有如上给出的含义。
优选地,根据本发明的液晶介质另外包含一种或多种式VI的化合物
其中
R61和R62彼此独立地具有如上在式II下对于R2给出的含义,优选地,R61是烷基和R62是烷基或烯基,
在每次出现时彼此独立地指
Z61和Z62彼此独立地,和如果Z61出现两次,这些也彼此独立地是-CH2CH2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-、-CF2O-或单键,优选它们中的至少一个是单键,和
r是0、1或2,优选0或1。
优选地,式VI的化合物选自式VI-1至VI-4的化合物
其中R61和R62具有如上在式VI下给出的各自含义,和R61优选是烷基,和在式VI-1中,R62优选是烯基,优选-(CH2)2-CH=CH-CH3,和在式VI-2中,R62优选是烯基,优选-(CH2)2-CH=CH2,和在式VI-3和VI-4中,R62优选是烷基。
优选地,所述介质包含一种或多种选自式VI-1至VI-4的化合物的化合物,其中R61优选是烷基,和在式VI-1中,R62优选是烯基,优选-(CH2)2-CH=CH-CH3,和在式VI-2中,R62优选是烯基,优选-(CH2)2-CH=CH2,和在式VI-3和VI-4中,R62优选是烷基。
式VI-1的化合物优选选自其子式PP-n-2Vm,更优选式PP-1-2V1的化合物。这些缩写(首字母缩略词)的定义在下表B中给出。
在一个优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式VI-2的化合物,更优选其子式PGP-n-m的化合物,更优选其子式PGP-2-m和PGP-3-m的化合物,更优选选自式PGP-2-2V、PGP-3-2、PGP-3-3、PGP-3-4、PGP-3-5的化合物。
这些缩写(首字母缩略词)的定义在下表B中给出。
介质
优选地,根据本发明的液晶介质包含一种或多种式I、II、III和IV的化合物。
也可任选和有益地在根据本发明的介质中使用上文没有明确提及的其它介晶化合物。这样的化合物对于本领域技术人员是已知的。
根据本发明的液晶介质的在589nm(NaD)和20℃下的△n优选在0.070或更高至0.145或更低的范围内,更优选在0.080或更高至0.140或更低的范围内,和最优选在0.090或更高至0.135或更低的范围内。
根据本发明的液晶介质的在1kHz和20℃下的△ε优选为4或更高,更优选6或更高,和最优选8或更高。特别地,△ε是14或更低。
优选地,本发明介质的向列相至少从0℃或更低延伸到70℃或更高,更优选至少从-20℃或更低延伸到70℃或更高,最优选至少从-30℃或更低延伸到75℃或更高,并且特别是至少从-40℃或更低延伸到75℃或更高。
在本发明的第一个优选实施方案中,所述液晶介质的△n在0.120或更高至0.150或更低的范围内,更优选在0.125或更高至0.145或更低的范围内,和最优选在0.130或更高至0.140或更低的范围内,同时△ε优选在3或更高至12或更低,优选10或更低的范围内。
在本发明的第二个优选实施方案中,所述液晶介质的△n在0.120或更高至0.150或更低的范围内,更优选在0.125或更高至0.145或更低的范围内,和最优选在0.130或更高至0.140或更低的范围内,同时△ε优选在2或更高至8或更低,优选6或更低的范围内。
在本发明的第三个优选实施方案中,所述液晶介质的△n在0.085或更高至0.130或更低的范围内,更优选在0.090或更高至0.125或更低的范围内,和最优选在0.095或更高至0.120或更低的范围内,同时△ε优选为6或更高,更优选8或更高,甚至更优选11或更高和最优选在11或更高至14或更低的范围内。
在本发明的第四个优选实施方案中,所述液晶介质的△n在0.090或更高至0.135或更低的范围内,更优选在0.095或更高至0.130或更低的范围内,和最优选在0.110或更高至0.125或更低的范围内,同时△ε优选为6或更高,更优选8或更高,甚至更优选11或更高和最优选在11或更高至14或更低的范围内。
在所述介质中的式I化合物的浓度优选在1%至20%,更优选2%至17%和最优选4%至15%的范围内。
在所述介质中的式II和III化合物的总浓度优选在5%至65%,更优选10%至60%和最优选13%至50%的范围内。
式I、II和III化合物的总浓度总计优选在10%至80%,更优选15%至70%和最优选18%至65%的范围内。
式IV化合物的总浓度优选在30%至70%,更优选35%至60%和最优选40%至55%的范围内。
式V化合物的总浓度在0%至35%,更优选1%至30%和最优选5%至30%的范围内。
式VI化合物的浓度在0至40%,优选2至35%和最优选5%至30%的范围内。
任选地,为了调整物理性能,本发明的介质可包含另外的液晶化合物。这样的化合物对于本领域技术人员是已知的。它们在根据本发明的介质中的浓度优选为0%至30%,更优选0.1%至20%,和最优选1%至15%。
在一个优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV的化合物,更优选式IV-1的化合物,更优选选自式CC-n-V和/或CC-n-Vm的其相应子式的化合物,更优选式CC-n-V1和/或CC-n-V的化合物,和最优选选自式CC-3-V、CC-4-V、CC-5-V和CC-3-V1的化合物。
在一个优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式II-1的化合物,优选式II-1a和II1-g的化合物,更优选式II-1-g-1的化合物,优选选自式PGUQU-n-F的其相应子式的化合物,最优选选自式PGUQU-3-F、PGUQU-4-F和PGUQU-5-F的化合物。
这些缩写(首字母缩略词)的定义在下表B中给出。在这个优选的实施方案中,式IV化合物的浓度优选大于40%,更优选大于42%,和最优选大于45%。
优选所述液晶介质含有50%至100%,更优选70%至100%和最优选90%至100%的式I至VI和优选I至IV和VI的化合物。
在本申请中,术语“介电正性”指其中△ε>3.0的化合物或组分,“介电中性”指其中-1.5≤△ε≤3.0的那些,和“介电负性”指其中△ε<-1.5的那些。△ε是在1kHz的频率下和在20℃下测定的。所述各个化合物的介电各向异性是由各个单个化合物在向列型主体混合物中的10%的溶液的结果测定的。如果相应化合物在所述主体混合物中的溶解度小于10%,则将所述浓度降低到5%。所述测试混合物的电容是在具有垂面配向和具有沿面配向的液晶盒二者中测定的。这两种类型的液晶盒的盒厚度为约20μm。施加的电压为矩形波,其具有1kHz的频率和典型地为0.5V至1.0V的均方根值,然而其总是被选择为低于相应测试混合物的电容阈值。
△ε被定义为(ε||),而ε平均是(ε||+2ε)/3。
分别地,对于介电正性化合物,将混合物ZLI-4792用作主体混合物,和对于介电中性以及介电负性化合物,将混合物ZLI-3086用作主体混合物,二者都得自Merck KGaA,德国。所述化合物的介电常数是当添加所关注的化合物时从所述主体混合物的相应值的变化测定的。将所述值外推到100%的所关注的化合物的浓度。
在20℃的测量温度下具有向列相的组分原样测量,所有其它物质如化合物那样进行处理。
对于如下两者,除非另外明确说明,术语“阈值电压”在本申请中涉及光学阈值,并对于10%相对对比度给出(V10,还缩写成V(10,0,20),其指示垂直观察和20℃),和术语“饱和电压”涉及光学饱和度,并且对于90%相对对比度给出(V90,还缩写为V(90,0,20),其指示垂直观察和20℃)。也被称为Freedericksz阈值(VFr)的电容阈值电压(V0)仅如果明确提及时使用。
使用如下缩写:
V工作=工作电压;
t=在打开后直到实现90%的最大对比度的时间,其是从10%的最大对比度测量的;
t=在关闭后直到实现10%的最大对比度的时间,其是从90%的最大对比度测量的;
t总和=t开+t
在本申请中给出的参数的范围全部包括极限值,除非另外明确说明。
在本申请全文中,除非另外明确说明,所有的浓度都以质量百分比给出,并且涉及各自的混合物整体,所有的温度都以摄氏度(℃)给出,并且所有的温度差都以摄氏度给出。所有物理性能都根据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of LiquidCrystals(Merck液晶,液晶的物理性能)”,1997年11月状态(Status),Merck KGaA,德国已经和被测定,并且对于20℃的温度给出,除非另外明确说明。在589.3nm的波长下测定光学各向异性(△n)。在1kHz的频率下测定介电各向异性(△ε)。所述阈值电压,以及所有其它电光性能,都是用在Merck KGaA,德国制备的测试盒测定的。用于测定△ε的测试盒具有约20μm的盒厚度。所述电极是具有1.13cm2面积和保护环的圆形ITO电极。所述取向层,对于垂面取向(ε||),是卵磷脂,和对于沿面取向(ε),是得自Japan Synthetic Rubber的聚酰亚胺AL-1054。使用频率响应分析仪Solatron 1260测定电容,所述Solatron 1260使用采用0.3Vrms电压的正弦波。在电光测量中使用的光是白光。所用的装置是Otsuka,日本的市售设备。特性电压在垂直观测下测定。阈值(V10)-、中灰(V50)-和饱和(V90)电压分别对于10%、50%和90%相对对比度测定。
根据本发明的液晶介质可以通常浓度含有另外的添加剂和手性掺杂剂。这些另外的成分的总浓度在基于总体混合物计的0%至10%,优选0.1%至6%范围内。所用的各个化合物的浓度各自优选在0.1%至3%范围内。对于在本申请中的液晶介质的液晶组分和化合物的浓度值和范围,不考虑这些和类似的添加剂的浓度。
根据本发明的本发明液晶介质由多种化合物组成,优选由3至30,更优选4至20,和最优选4至16种化合物组成。将这些化合物以常规方式混合。通常,将以较小量使用的需要量的化合物溶解在以较大量使用的化合物中。如果所述温度高于以较高浓度使用的化合物的清亮点,则特别容易观察到所述溶解过程的完成。然而,还可以通过其它常规方式制备所述介质,例如使用所谓的预混合物,其可以例如是化合物的同系或共晶混合物,或者使用所谓的“多瓶体系”,其成分自身是随时可用的混合物。
通过添加合适的添加剂,根据本发明的液晶介质可以如下方式改进,使得它们可在所有已知类型的液晶显示器中使用,所述已知类型的液晶显示器要么原样使用所述液晶介质,例如TN、TN-AMD、ECB-AMD、VAN-AMD、IPS和OCB LCD,特别是在复合体系中,如PDLC、NCAP、PN LCD和尤其在ASM-PA LCD中。
所述液晶的熔点T(C,N),从近晶(S)相到向列(N)相的转变点T(S,N)和清亮点T(N,I),都以摄氏度给出。
在本申请中和尤其在如下实施例中,通过也被称为首字母缩略词的缩写表示所述液晶化合物的结构。根据如下两个表A和B,将所述缩写转换成相应结构是直截了当的。所有基团CnH2n+1和CmH2m+1是分别具有n和m个C原子的直链烷基基团。表B的解释是不言自明的。表A仅列举了所述结构的核心的缩写。单个化合物由如下方式指出:所述核心的缩写,后面接着连字符和明确说明取代基R1、R2、L1和L2的编码,如下所述:
表A:
表B:
表C
表C示出了可添加到根据本发明的LC介质中的可能的稳定剂。
(此处n指整数1至12,优选1、2、3、4、5、6、7或8,末端甲基基团未示出)。
所述LC介质优选包含0至10重量%,特别是1ppm至5重量%,特别优选1ppm至1重量%的稳定剂。所述LC介质优选包含一种或多种稳定剂,该稳定剂选自来自表C的化合物。
根据本发明的液晶介质优选含有
-七种或更多种,优选八种或更多种的优选不同式的化合物,其选自表A和B的化合物,和/或
-一种或多种,更优选两种或更多种,优选三种或更多种的优选不同式的化合物,其选自表A的化合物,和/或
-三种或更多种,更优选四种或更多种,更优选五种或更多种的优选不同式的化合物,其选自表B的化合物。
具体实施方式
实施例
在下文中给出的实施例示例性说明了本发明,而不以任何方式限制本发明。
然而,所述物理性能组合物给本领域技术人员例示了可实现什么样的性能,和它们可在什么范围内改进。特别地,对于本领域技术人员,可优选实现的各种性能的组合因此是清晰可辨的。
实施例1
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例2
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例3
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例4
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例5
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例6
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例7
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例8
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例9
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例10
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例11
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例12
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例13
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例14
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例15
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例16
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例17
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例18
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例19
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。
实施例20
实现具有如在下表中给出的组成和性能的液晶混合物。

Claims (15)

1.液晶介质,其特征在于其包含
-式I的化合物
其中
R1指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,
L1指H或F。
2.根据权利要求1的液晶介质,其特征在于在式I中的L1指H。
3.根据权利要求1或2的液晶介质,其特征在于其另外包含一种或多种选自式II和III的化合物的化合物
其中
R2和R3彼此独立地是具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,
彼此独立地是
L21、L22、L31和L32彼此独立地是H或F,
X2和X3彼此独立地是卤素,具有1至3个C原子的卤代烷基或烷氧基,或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基,
Z3是-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-或单键,和
l、m、n和o彼此独立地是0或1,和
从其中排除式I的化合物。
4.根据权利要求1至3的一项或多项的液晶介质,其特征在于其包含一种或多种如在权利要求3中给出的式II的化合物。
5.根据权利要求1至3的一项或多项的液晶介质,其特征在于其包含一种或多种如在权利要求3中给出的式III的化合物。
6.根据权利要求3或4的液晶介质,其特征在于一种或多种式II的化合物选自式II-1g-1的化合物
其中R2是如在权利要求3中给出那样定义的。
7.根据权利要求1至6的一项或多项的液晶介质,其特征在于其另外包含一种或多种式IV的化合物
其中
R41和R42彼此独立地具有在权利要求3中在式II下对于R2给出的含义,
彼此独立地,和如果出现两次,这些也彼此独立地是
Z41和Z42彼此独立地,和如果Z41出现两次,这些也彼此独立地指-CH2CH2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键,和
p是0、1或2。
8.根据权利要求7的液晶介质,其特征在于一种或多种式IV的化合物选自式IV-1至IV-5的化合物
其中R41和R42具有在权利要求7中在式IV下给出的各自含义。
9.根据权利要求1至8的一项或多项的液晶介质,其特征在于其包含一种或多种式VI的化合物
其中
R61和R62彼此独立地具有在权利要求3中在式II下对于R2给出的含义,
在每次出现时彼此独立地指
Z61和Z62彼此独立地指-CH2CH2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键,和
r是0、1或2。
10.根据权利要求9的液晶介质,其特征在于一种或多种式VI的化合物选自式VI-1至VI-4的化合物
其中R61和R62具有在权利要求9中在式VI下给出的各自含义。
11.根据权利要求1至10的一项或多项的液晶介质,其特征在于在所述介质中的式I化合物的总浓度在1%至20%范围内。
12.制备根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质的方法,其特征在于将至少一种式I的化合物与至少一种另外的介晶化合物混合,和任选地添加一种或多种添加剂和/或一种或多种稳定剂。
13.液晶显示器,其特征在于其包含根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质。
14.根据权利要求13的液晶显示器,其特征在于其是通过有源矩阵寻址的。
15.根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质在液晶显示器中的用途。
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