CN107904658A - 一种还原炉内壁复合涂层制备方法 - Google Patents

一种还原炉内壁复合涂层制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107904658A
CN107904658A CN201711202339.XA CN201711202339A CN107904658A CN 107904658 A CN107904658 A CN 107904658A CN 201711202339 A CN201711202339 A CN 201711202339A CN 107904658 A CN107904658 A CN 107904658A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
reduction furnace
wall
furnace inner
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711202339.XA
Other languages
English (en)
Inventor
王体虎
黄仁忠
宗冰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Original Assignee
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asia Silicon Qinghai Co Ltd filed Critical Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority to CN201711202339.XA priority Critical patent/CN107904658A/zh
Publication of CN107904658A publication Critical patent/CN107904658A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
    • C30B28/14Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/20Carburising
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种还原炉内壁复合涂层制备方法,往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层。本发明通过采用上述工艺方法,使还原炉内壁银/碳化银复合涂层具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,解决了传统还原炉内壁涂层存在的缺陷,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。且该制备方法具有容易操作、工艺简单、成本低廉等优势,可以实现大规模应用。

Description

一种还原炉内壁复合涂层制备方法
技术领域
本发明涉及多晶硅生产设备技术领域,具体涉及一种制备还原炉内壁涂层的方法。
背景技术
改良西门子法是国际上生产多晶硅的主流技术,其核心设备为还原炉,还原炉的工作原理是通过通电高温硅芯将含硅气体(常用的含硅气体为三氯氢硅和硅烷)与氢气的混和气体反应生成多晶硅并沉积在硅芯上,最终产物是沉积在硅芯上的多晶硅,产品最终以多晶硅棒的形式从还原炉中采出。
在多晶硅生产过程中,需要电能加热将硅棒的温度保持在1000℃-1200℃,还原炉内的热量通过两种方式传递到炉内壁上,一种是高温硅棒通过辐射传热将其热量传递到还原炉内壁上,一种是被加热的反应气体通过对流传热将热量传递到内壁上。多晶硅还原炉主要是由奥氏体不锈钢制作,如果多晶硅还原炉内壁温度过高,一方面会导致奥氏体不锈钢耐压性能下降而产生形变问题;另一方面会导致奥氏体不锈钢中的合金元素逸出,进而会污染产品和破坏不锈钢结构。因此通常利用设置在还原炉夹套内的承压冷却水带走经热辐射和对流传热传递到还原炉内壁表面的热量,使还原炉内壁温度保持在500℃以下,据统计,承压冷却水带走的热量约占还原炉电耗的80%。
当下,多通过还原炉内壁喷涂银涂层,利用银涂层优良的反射红外辐射性能,以提高还原炉内壁对红外辐射的反射率,降低还原炉内的辐射传热,达到减少还原炉内部的能量损失,最终实现多晶硅生产过程中还原工序的节能。目前,还原炉内壁喷涂技术主要热喷涂技术和冷喷涂技术,热喷涂技术是利用特定得热源将喷涂材料加热到熔融或者半熔融状态,然后借助焰流或者工作气体将熔融或半熔融的粒子加速到一定速度后喷涂到待喷涂基体表面,通过粒子连续堆积效应而形成涂层的一种技术。冷喷涂是以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作气体,高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出,以低温、高速和完全固态下碰撞还原炉内壁,原材料颗粒与还原炉内壁同时发生剧烈的塑性变形后沉积在内壁表面,进而通过颗粒的堆积效应形成涂层的技术。在还原炉工作过程中,炉内的高温、腐蚀气氛、气体冲刷以及还原炉清洗操作均会破坏银膜层,导致银膜层的快速耗散或者脱落,单纯银膜层存在的缺陷局限了还原炉节能技术的发展,因此,开发一种结构稳定、具有高热反射性能的还原炉内壁涂层,实现多晶硅还原炉连续稳定节能和高纯多晶硅的稳定生产,是当前急需解决的课题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有技术的缺点,提供一种结构稳定、具有热反射性能,可以解决还原炉内壁单纯银膜层存在的缺陷,实现多晶硅还原炉连续稳定节能和高纯多晶硅稳定生产的还原炉内壁复合涂层制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:一种还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备形成厚度为0.1mm-10mm的还原炉内壁银涂层。
优选地,所述含碳气体为CxH2x+2,其中x≤4,含碳气体具体可为甲烷。
优选地,含碳气体在热氢气中的摩尔含量为0.5%-5%,更佳地,含碳气体在热氢气中的摩尔含量为0.5%-1.2%。
优选地,含有含碳气体的热氢气的工作温度为100℃-1000℃,更佳地,含有含碳气体的热氢气的工作温度为300℃-900℃。
优选地,含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.3MPa-0.8MPa,更佳地,含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.3MPa-0.6MPa,最佳地,含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.5MPa-0.6MPa。
优选地,通过调控含有含碳气体的热氢气的工作温度和含碳气体浓度控制碳化银层的厚度,使碳化银层的厚度为0.05mm-0.1mm。
本发明通过采用上述工艺方法,使还原炉内壁银/碳化银复合涂层具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,解决了传统还原炉内壁涂层存在的缺陷,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。且该制备方法具有容易操作、工艺简单、成本低廉等优势,可以实现大规模应用。
具体实施方式
下面结合具体实施方式做进一步说明:
实施例1
往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备,使还原炉内壁银涂层厚度为0.1mm。
所述含碳气体为甲烷。
所述含碳气体在热氢气中的摩尔含量为0.5%。
所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为600℃。
所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.5MPa。
碳化银层的厚度为0.05mm。
实施例2
往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备,使还原炉内壁银涂层厚度为1mm。
所述含碳气体为甲烷。
所述含碳气体在热氢气中的摩尔含量为5%。
所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为800℃。
所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.8MPa。
所述碳化银层的厚度为0.08mm。
实施例3
往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备,使还原炉内壁银涂层厚度为0.5mm。
所述含碳气体为甲烷。
所述含碳气体在热氢气中的摩尔含量为1%。
所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为900℃。
所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.3MPa。
所述碳化银层的厚度为0.1mm。
实施例4
往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备,使还原炉内壁银涂层厚度为10mm。
所述含碳气体为甲烷。
所述含碳气体在热氢气中的摩尔含量为3%。
所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为100℃。
所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.4MPa。
所述碳化银层的厚度为0.07mm。
实施例5
往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,碳化银是一种不定型结构的白色化合物,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点,可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。
还原炉内壁银涂层通过冷喷涂工艺制备,使还原炉内壁银涂层厚度为8mm。
所述含碳气体为甲烷。
所述含碳气体在热氢气中的摩尔含量为1.2%。
所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为1000℃。
所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.8MPa。
所述碳化银层的厚度为0.1mm。
以上已将本发明做一详细说明,以上所述,仅为本发明之较佳实施例而已,当不能限定本发明的实施范围,即凡依本申请范围所作均等变化与修饰,皆应仍属本发明涵盖范围内。

Claims (8)

1.一种还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气,热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面,进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳,单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银,进而在银层表面形成致密的碳化银层,具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能和高耐冲刷性能的碳化银层形成还原炉内壁复合涂层。
2.根据权利要求1所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:还原炉内壁的银涂层为通过冷喷涂工艺制备形成厚度为0.1mm-10mm的还原炉内壁银涂层。
3.根据权利要求2所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:所述所述含碳气体为CxH2x+2,其中x≤4。
4.根据权利要求3所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:所述含碳气体为甲烷。
5.根据权利要求1所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:所述含碳气体在所述热氢气中的摩尔含量为0.5%-5%。
6.根据权利要求1所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:所述含有含碳气体的热氢气的工作温度为100℃-1000℃。
7.根据权利要求1所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:所述含有含碳气体的热氢气的工作压力为0.3MPa-0.8MPa。
8.根据权利要求1所述的还原炉内壁复合涂层制备方法,其特征在于:通过调控含有含碳气体的热氢气的工作温度和含碳气体浓度控制碳化银层的厚度,使碳化银层的厚度为0.05mm-0.1mm。
CN201711202339.XA 2017-11-27 2017-11-27 一种还原炉内壁复合涂层制备方法 Pending CN107904658A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711202339.XA CN107904658A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种还原炉内壁复合涂层制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711202339.XA CN107904658A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种还原炉内壁复合涂层制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107904658A true CN107904658A (zh) 2018-04-13

Family

ID=61848829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711202339.XA Pending CN107904658A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种还原炉内壁复合涂层制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107904658A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111286731A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法、多晶硅还原炉钟罩内壁涂层的喷涂装置和应用
CN111334788A (zh) * 2020-04-09 2020-06-26 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001294416A (ja) * 2000-04-07 2001-10-23 Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp 多結晶シリコンの製造装置
CN1559896A (zh) * 2004-03-08 2005-01-05 成都蜀菱贸易发展有限公司 多晶硅氢还原炉
CN102674679A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 胡倾宇 一种多晶硅还原炉内衬涂层及其制造方法
WO2016110402A1 (de) * 2015-01-07 2016-07-14 Wacker Chemie Ag Reaktor zur abscheidung von polykristallinem silicium
CN106927466A (zh) * 2017-04-05 2017-07-07 亚洲硅业(青海)有限公司 一种48对棒还原炉炉体结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001294416A (ja) * 2000-04-07 2001-10-23 Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp 多結晶シリコンの製造装置
CN1559896A (zh) * 2004-03-08 2005-01-05 成都蜀菱贸易发展有限公司 多晶硅氢还原炉
CN102674679A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 胡倾宇 一种多晶硅还原炉内衬涂层及其制造方法
WO2016110402A1 (de) * 2015-01-07 2016-07-14 Wacker Chemie Ag Reaktor zur abscheidung von polykristallinem silicium
CN106927466A (zh) * 2017-04-05 2017-07-07 亚洲硅业(青海)有限公司 一种48对棒还原炉炉体结构

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张学铭等: "《化学小辞典(第二版)》", 31 August 1994, 科学技术文献出版社 *
田德余等: "《含能材料及相关物手册》", 31 October 2011, 国防工业出版社 *
郝月等: "《普通化学》", 31 March 2014, 吉林大学出版社 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111286731A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法、多晶硅还原炉钟罩内壁涂层的喷涂装置和应用
CN111286731B (zh) * 2020-02-20 2020-12-15 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法、多晶硅还原炉钟罩内壁涂层的喷涂装置和应用
CN111334788A (zh) * 2020-04-09 2020-06-26 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104070172B (zh) 一种球形铬粉的制备方法
CN102277560B (zh) 化学气相沉积SiC/C梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法
CN102815971B (zh) 一种Hf(Ta)C超高温复相涂层及其制备方法
CN104018156A (zh) 一种金属基/金刚石激光复合涂层及其制备方法
CN107961959A (zh) 一种冷喷涂制备还原炉内壁涂层的方法
CN108705077B (zh) 一种核壳结构铁包覆陶瓷复合粉体的制备方法
CN205575662U (zh) 一种多晶硅还原炉
CN106044771B (zh) 一种基于含钛高炉渣碳化提钛处理的碳化钛制备方法
CN108043611B (zh) 一种还原炉冷喷涂方法
CN100537485C (zh) 碳化硅纳米线的制备方法
CN104775103B (zh) ZrC涂层的制备方法
CN103556002A (zh) 高性能Ni基合金-TiB2纳米粉末及其制备方法
CN111848202B (zh) 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭导流筒及其制备方法
CN107904658A (zh) 一种还原炉内壁复合涂层制备方法
CN102515871B (zh) 一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法
CN103172381B (zh) 冷壁流化床的制备方法及其应用
CN100540511C (zh) 一种复合阻碳涂层材料及其在基体上制备复合阻碳涂层的方法
CN205115285U (zh) 一种用于沉积ovd疏松体的装置
CN101705476B (zh) 一种cvd热板法快速制备高密度各向同性炭的方法
CN103693646B (zh) 一种使碳化硅微粉球形化和纯化的方法
CN107804830A (zh) 氮化钛的制备方法
CN106637037A (zh) 超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用
CN203159237U (zh) 一种高纯多晶硅制备装置
CN101994083A (zh) 以微波为热源生产氮化铬铁的方法
CN105623741B (zh) 制备合成气的方法和电石炉和竖炉联用的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180413