CN107895760A - 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107895760A
CN107895760A CN201711249673.0A CN201711249673A CN107895760A CN 107895760 A CN107895760 A CN 107895760A CN 201711249673 A CN201711249673 A CN 201711249673A CN 107895760 A CN107895760 A CN 107895760A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
nanowire array
pedot
silicon chip
type silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711249673.0A
Other languages
English (en)
Inventor
张军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Bao Lan Environmental Protection & Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Bao Lan Environmental Protection & Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Bao Lan Environmental Protection & Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Bao Lan Environmental Protection & Technology Co Ltd
Priority to CN201711249673.0A priority Critical patent/CN107895760A/zh
Publication of CN107895760A publication Critical patent/CN107895760A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法包括：n型硅片的清洗；n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；n型硅片表面的钝化处理；硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。通过利用硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层，改善所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的空穴传输性能，进而提高其光电转换效率。

Description

一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着工业的高度发展和人口的持续增长，能源问题将成为制约人类发展的关键问题。太阳能是来自于太阳内部的核聚变所蕴藏着的、并能爆发向外辐射的能量，与传统能源相比，太阳能取之不尽，用之不竭。如何充分利用太阳能，使得太阳能真正取代石化能源，成为全人类的能源消耗的最重要来源，已成为人们的研究重点。目前利用太阳能的主要方式有两种：光热转换和光电转换。光热转换最主要的代表是太阳能热水器，光电转换最好的应用方式就是太阳能电池。
硅基太阳能电池主要包括单晶硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、多晶硅薄膜太阳电池以及有机无机杂化太阳能电池。为了提高有机无机杂化太阳能电池的光电转换效率，通常选择对硅片刻蚀形成纳米结构，以显著提高对太阳能的吸收，降低硅片的反射，从而提高有机无机杂化太阳能电池的光电转换效率，然而硅纳米结构的存在使得在硅片上形成的有机薄膜的质量较差，不能形成良好的肖特基结，因此获得的太阳能电池的光电转换效率相对较低，且稳定性差。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
作为优选，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。
作为优选，在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。
作为优选，在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为5-10mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.05-0.4mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3000-4000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为1-3分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4000-5000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3-5分钟。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度100-110℃，所述第一次退火处理的时间为5-10分钟，所述第二次退火处理的温度为110-120℃，所述第二次退火处理的时间为20-30分钟。
作为优选，在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。
作为优选，在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为100-400纳米。
本发明还提供了一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池，所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池为采用上述方法制备形成的硅纳米线阵列异质结太阳能电池。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明的硅纳米线阵列异质结太阳能电池中，通过利用硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层，改善了PEDOT:PSS层的接触性能和导电性能，使得其薄膜质量好，可以在硅纳米线阵列上形成致密的PEDOT:PSS层，有效避免裸露的硅纳米线与正面电极直接接触，得到质量良好的SiNWs/PEDOT:PSS核壳结构，有效减少漏电流，便于空穴的分离与传输，提高硅纳米线阵列异质结太阳能电池的开路电压和填充因子。
利用本发明的方法形成硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的过程中，由于第一次退火处理可以先在硅纳米线表面形成较为致密的PEDOT:PSS层，可以尽量避免硅钨酸透过PEDOT:PSS层而与硅纳米线阵列直接接触，同时选择多次旋涂硅钨酸溶液和PEDOT:PSS溶液，然后再一起退火处理，且通过优化各步骤的工艺参数，可以使得硅钨酸在PEDOT:PSS层中掺杂均匀，提高PEDOT:PSS层的一致性，进而提高硅纳米线阵列异质结太阳能电池的稳定性。
附图说明
图1为本发明的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
本发明具体实施例提出的一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
其中，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为5-10mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.05-0.4mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3000-4000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为1-3分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4000-5000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3-5分钟。在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度100-110℃，所述第一次退火处理的时间为5-10分钟，所述第二次退火处理的温度为110-120℃，所述第二次退火处理的时间为20-30分钟。在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为100-400纳米。
如图1所示，本发明根据上述方法制备的硅纳米线阵列异质结太阳能电池，所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池从下至上包括背面电极1、n型硅片2、硅纳米线阵列3、硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层4以及正面电极5。
实施例1：
一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
其中，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为7mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.2mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3500转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为2分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4500转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为4分钟。在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度105℃，所述第一次退火处理的时间为8分钟，所述第二次退火处理的温度为115℃，所述第二次退火处理的时间为25分钟。在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为120纳米。在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为300纳米。
上述方法制备的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的开路电压为0.62V，短路电流为36.8mA/cm2，填充因子为0.74，光电转换效率为16.9％。
实施例2
一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
其中，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为10mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.4mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为4000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为3分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为5000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3-5分钟。在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度110℃，所述第一次退火处理的时间为10分钟，所述第二次退火处理的温度为120℃，所述第二次退火处理的时间为30分钟。在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为150纳米。在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为400纳米。
上述方法制备的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的开路电压为0.59V，短路电流为32.5mA/cm2，填充因子为0.72，光电转换效率为13.8％。
实施例3
一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
其中，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为5mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.05mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为1分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3分钟。在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度100℃，所述第一次退火处理的时间为5分钟，所述第二次退火处理的温度为110℃，所述第二次退火处理的时间为20分钟。在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100纳米。在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为100纳米。
上述方法制备的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的开路电压为0.57V，短路电流为31mA/cm2，填充因子为0.65，光电转换效率为11.5％。
对比例：
为了突出本发明的硅纳米线阵列异质结太阳能电池具有优异的光电转换效率，作为对比，一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行退火处理；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
其中，在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为15mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为2000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为2分钟，所述退火处理的温度115℃，所述退火处理的时间为30分钟。在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为120纳米。在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为300纳米。
上述方法制备的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的开路电压为0.56V，短路电流为30.5mA/cm2，填充因子为0.58，光电转换效率为9.9％。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)n型硅片的清洗；
(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；
(3)n型硅片表面的钝化处理；
(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；
(5)正面电极的制备；
(6)背面电极的制备。
2.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。
3.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。
4.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。
5.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为5-10mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.05-0.4mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3000-4000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为1-3分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4000-5000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3-5分钟。
6.根据权利要求5所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度100-110℃，所述第一次退火处理的时间为5-10分钟，所述第二次退火处理的温度为110-120℃，所述第二次退火处理的时间为20-30分钟。
7.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。
8.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为100-400纳米。
9.一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池为采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的硅纳米线阵列异质结太阳能电池。
CN201711249673.0A 2017-12-01 2017-12-01 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法 Pending CN107895760A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711249673.0A CN107895760A (zh) 2017-12-01 2017-12-01 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711249673.0A CN107895760A (zh) 2017-12-01 2017-12-01 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107895760A true CN107895760A (zh) 2018-04-10

Family

ID=61806917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711249673.0A Pending CN107895760A (zh) 2017-12-01 2017-12-01 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107895760A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108539027A (zh) * 2018-05-07 2018-09-14 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108550704A (zh) * 2018-06-21 2018-09-18 苏州宝澜环保科技有限公司 一种Si-P3HT杂化太阳能电池及其制备方法
CN109119539A (zh) * 2018-07-31 2019-01-01 哈尔滨工业大学（深圳） 一种硅纳米线/pedot:pss-dmso有机无机杂化太阳电池及其制备方法
CN109346610A (zh) * 2018-09-18 2019-02-15 张军 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111029433A (zh) * 2019-12-05 2020-04-17 徐州吴瑞信息科技有限公司 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263204A (zh) * 2011-07-20 2011-11-30 苏州大学 一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN102460765A (zh) * 2009-06-19 2012-05-16 大日本印刷株式会社 有机电子器件及其制造方法
WO2014203882A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 日産化学工業株式会社 アニリン誘導体、電荷輸送性ワニス及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102460765A (zh) * 2009-06-19 2012-05-16 大日本印刷株式会社 有机电子器件及其制造方法
CN102263204A (zh) * 2011-07-20 2011-11-30 苏州大学 一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法
WO2014203882A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 日産化学工業株式会社 アニリン誘導体、電荷輸送性ワニス及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108539027A (zh) * 2018-05-07 2018-09-14 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108539027B (zh) * 2018-05-07 2021-04-27 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108550704A (zh) * 2018-06-21 2018-09-18 苏州宝澜环保科技有限公司 一种Si-P3HT杂化太阳能电池及其制备方法
CN109119539A (zh) * 2018-07-31 2019-01-01 哈尔滨工业大学（深圳） 一种硅纳米线/pedot:pss-dmso有机无机杂化太阳电池及其制备方法
CN109346610A (zh) * 2018-09-18 2019-02-15 张军 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111029433A (zh) * 2019-12-05 2020-04-17 徐州吴瑞信息科技有限公司 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
CN111029433B (zh) * 2019-12-05 2021-08-03 吉林省富德嘉合能源科技有限公司 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107895760A (zh) 一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
CN105428438B (zh) 一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN102254963A (zh) 一种石墨烯/硅柱阵列肖特基结光伏电池及其制造方法
CN102738298B (zh) 一种太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法
CN107946470A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN205657066U (zh) 一种背面钝化接触电池电极结构
CN107946471A (zh) 一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法
CN102184975A (zh) 一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法
CN103296123A (zh) P-型碳量子点/n-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
CN103346205A (zh) 一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法
CN106169537A (zh) 一种太阳能电池的制备方法
Wang et al. High-performance Si/organic hybrid solar cells using a novel cone-shaped Si nanoholes structures and back surface passivation layer
CN108258124B (zh) 一种异质结光伏电池及其制备方法
CN106876595B (zh) 一种n型硅异质结太阳能电池及其制备方法
CN104332522B (zh) 一种石墨烯双结太阳能电池及其制备方法
CN106328381A (zh) 一种全固态量子点敏化太阳能电池及其制备方法
CN108023021B (zh) 一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法
Li et al. Performance improvement of PEDOT: PSS/N-Si heterojunction solar cells by alkaline etching
CN104716209A (zh) 基于硅基纳米线的太阳能电池及其制备方法
CN108183150A (zh) 一种异质结光伏电池及其制备方法
CN105244390A (zh) 基于纳米石墨电子传输层的多量子阱光伏电池及制备方法
CN101459206A (zh) 高效多结太阳能电池的制造方法
CN101814541A (zh) 表面分布有金属纳米线的硅太阳电池
CN108695435A (zh) 一种基于超声波退火工艺的有机太阳能电池及其制备方法
CN104078567B (zh) 混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180410