CN107885035A - 一种光刻胶的涂胶工艺 - Google Patents

一种光刻胶的涂胶工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN107885035A
CN107885035A CN201610867848.3A CN201610867848A CN107885035A CN 107885035 A CN107885035 A CN 107885035A CN 201610867848 A CN201610867848 A CN 201610867848A CN 107885035 A CN107885035 A CN 107885035A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
photoresist
coating technique
speed
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610867848.3A
Other languages
English (en)
Inventor
张剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dynax Semiconductor Inc
Original Assignee
Dynax Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dynax Semiconductor Inc filed Critical Dynax Semiconductor Inc
Priority to CN201610867848.3A priority Critical patent/CN107885035A/zh
Publication of CN107885035A publication Critical patent/CN107885035A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆的表面上，所述晶圆置于离心机的真空吸盘上，所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴，所述涂胶工艺包括如下步骤：所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处，同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转；所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态；所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面；其能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。

Description

一种光刻胶的涂胶工艺
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶的涂胶工艺。
背景技术
光刻胶主要是由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)以及溶剂(Solvent)等不同的材料混合而成。其中，树脂是粘合剂(Binder)，感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物，它在光刻胶内的含量与树脂相当，以液态形式保存，以便于使用。负光刻胶在遇光之后会产生链接(Cross Lingking)，使其结构加强而不溶于显影剂。正光刻胶本身难溶于显影剂，但遇光之后会分解成一种易溶于显影剂的结构。
传统的光刻胶的涂胶过程为：先将喷嘴移动至晶圆正中心上方，在晶圆静止时喷胶或高速旋转时喷胶，然后进一步高速旋转甩匀。然而，通过这种方式涂出的胶膜厚受环境温湿度及喷头位置影响很大。另外，现有技术中使用的老式的涂胶机，如SVG88，其涂胶腔体为敞开式的，无温湿度控制***及顶部整流罩，且喷胶管较粗，无法喷出柱状液，喷嘴不能保证每次喷胶时都保持在晶圆正中心上方，同一直径方向膜厚呈W状分布。由于设备的局限，膜厚均匀性较差。
发明内容
本发明的目的在于提出一种光刻胶的涂胶工艺，能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆的表面上，所述晶圆置于离心机的真空吸盘上，所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴，所述涂胶工艺包括如下步骤：
S101、所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处，同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转；
S102、所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态；
S103、所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；
S104、所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面；
其中，所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆的中心的两侧。
作为一种优选，在S101中，所述位置1与所述晶圆的中心之间的水平距离a为0.5～5cm，所述速度1的旋转转速为2000～5000r/min。
作为一种优选，在S102中，所述光刻胶喷头的移动速度为0.5～10cm/s。
作为一种优选，在S103中，所述位置2与所述晶圆的中心之间的水平距离b为0.1～3cm。
作为一种优选，在S103中，所述光刻胶喷嘴在所述位置2处的停留时间为0～2s。
作为一种优选，在S104中，所述速度3的旋转转速为2500～5000r/min。
作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆的中心的左侧时，所述位置2则位于所述晶圆的中心的右侧，所述光刻胶喷头从左向右移动。
作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆的中心的右侧时，所述位置2则位于所述晶圆的中心的左侧，所述光刻胶喷头从右向左移动。
本发明的有益效果为：
本发明的光刻胶的涂胶工艺，其不同于传统的在晶圆的正中心进行喷涂光刻胶，并通过旋转使光刻胶由中心一点向***铺开的方式，通过在位置1和位置2两个位置之间一边喷胶一边从位置1向位置2移动，实现了同步喷胶与移动，降低涂胶设备对光刻胶喷嘴中心与晶圆中心定位稳定性的依赖，因而降低了晶圆表面的光刻胶对环境温湿度、喷嘴喷出的胶柱形状的要求，极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
附图说明
图1是本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图。
图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图。
图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图。
图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。
图中：101-真空吸盘；102-晶圆；103-光刻胶喷嘴。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
图1为本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图，图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图，图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图，图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。
需要说明的是，这些附图仅仅作为实施例，并非用于限定其具体尺寸，不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围的限制。
如图1所示，本发明的光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆102的表面上，所述晶圆102置于离心机的真空吸盘101上，所述晶圆102的上方设置有光刻胶喷嘴103，所述涂胶工艺包括如下步骤：
首先，执行步骤S101、所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆102的上方位置1处，同时所述真空吸盘101带动所述晶圆102以速度1高速旋转；在本实施例中，所述晶圆102的尺寸可以以6英寸为例，在所述S101中，所述位置1与所述晶圆102的中心之间的水平距离a为0.5～5cm，所述速度1的旋转转速为2000～5000r/min。优选的，所述位置1与所述晶圆102的中心之间的水平距离a为1cm，所述速度1的旋转转速为3000r/min。
其次，执行步骤S102、如图3所示，所述光刻胶喷嘴103在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆102的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴103保持喷胶状态；作为一种优选，在所述S102中，所述光刻胶喷头103的移动速度为0.5～10cm/s。进一步优选的，所述光刻胶喷头103的移动速度为1cm/s。
接着，执行步骤S103、如图4所示，所述光刻胶喷嘴103到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；作为一种优选，在所述S103中，所述位置2与所述晶圆102的中心之间的水平距离b为0.1～3cm，所述光刻胶喷嘴103在所述位置2处的停留时间为0～2s。进一步优选的，所述位置2与所述晶圆102的中心之间的水平距离b为0.5cm，所述光刻胶喷嘴103在所述位置2处的停留时间为0.5s。
最后，执行步骤S104、如图4所示，所述真空吸盘101带动所述晶圆102以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆102的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆102的表面；作为一种优选，在所述S104中，所述速度3的旋转转速为2500～5000r/min。进一步优选的，作为一种优选，在所述S104中，所述速度3的旋转转速为4000r/min。
在本实施例中，如图2所示，所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆102的中心的两侧，而且位置1与位置2所在方位可以互换。
作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆102的中心的左侧时，所述位置2则位于所述晶圆102的中心的右侧，所述光刻胶喷头103从左向右移动。
作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆102的中心的右侧时，所述位置2则位于所述晶圆102的中心的左侧，所述光刻胶喷头103从右向左移动。
根据以上描述，本发明的光刻胶的涂胶工艺，其不同于传统的在晶圆的正中心进行喷涂光刻胶、并通过旋转使光刻胶由中心一点向***铺开的方式，通过在位置1和位置2两个位置之间一边喷胶一边从位置1向位置2移动，实现了同步喷胶与移动，降低涂胶设备对光刻胶喷嘴中心与晶圆中心定位稳定性的依赖，因而降低了晶圆表面的光刻胶对环境温湿度、喷嘴喷出的胶柱形状的要求，极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆(102)的表面上，所述晶圆(102)置于离心机的真空吸盘(101)上，所述晶圆(102)的上方设置有光刻胶喷嘴(103)，其特征在于，所述涂胶工艺包括如下步骤：
S101、所述光刻胶喷嘴(103)移动至所述晶圆(102)的上方位置1处，同时所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度1高速旋转；
S102、所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆(102)的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴(103)保持喷胶状态；
S103、所述光刻胶喷嘴(103)到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；
S104、所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆(102)的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆(102)的表面；
其中，所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆(102)的中心的两侧。
2.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，在所述S101中，所述位置1与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离a为0.5～5cm，所述速度1的旋转转速为2000～5000r/min。
3.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，在所述S102中，所述光刻胶喷头(103)的移动速度为0.5～10cm/s。
4.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，在所述S103中，所述位置2与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离b为0.1～3cm。
5.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，在所述S103中，所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置2处的停留时间为0～2s。
6.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，在所述S104中，所述速度3的旋转转速为2500～5000r/min。
7.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的左侧时，所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的右侧，所述光刻胶喷头(103)从左向右移动。
8.根据权利要求1所述的涂胶工艺，其特征在于，当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的右侧时，所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的左侧，所述光刻胶喷头(103)从右向左移动。
CN201610867848.3A 2016-09-30 2016-09-30 一种光刻胶的涂胶工艺 Pending CN107885035A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610867848.3A CN107885035A (zh) 2016-09-30 2016-09-30 一种光刻胶的涂胶工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610867848.3A CN107885035A (zh) 2016-09-30 2016-09-30 一种光刻胶的涂胶工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107885035A true CN107885035A (zh) 2018-04-06

Family

ID=61769046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610867848.3A Pending CN107885035A (zh) 2016-09-30 2016-09-30 一种光刻胶的涂胶工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107885035A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110879509A (zh) * 2019-12-03 2020-03-13 深圳市思坦科技有限公司 涂胶设备和涂胶方法
CN111505906A (zh) * 2020-06-10 2020-08-07 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶方法
CN111672720A (zh) * 2020-06-29 2020-09-18 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 喷涂方法
CN111905988A (zh) * 2020-08-14 2020-11-10 中国科学院微电子研究所 光刻胶的涂胶方法
CN113318941A (zh) * 2020-07-27 2021-08-31 上海先进半导体制造有限公司 在晶圆表面的聚酰亚胺前驱体的旋涂方法和***
CN113894009A (zh) * 2021-10-19 2022-01-07 苏州杉树园半导体设备有限公司 一种涂胶机的控制方法
CN114054288A (zh) * 2020-07-31 2022-02-18 中国科学院微电子研究所 涂胶机的控制方法、涂胶机的控制***以及涂胶机

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1206933A (zh) * 1997-07-25 1999-02-03 三星电子株式会社 光刻胶喷涂的装置及其方法
CN101398627A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质
CN102043340A (zh) * 2010-10-29 2011-05-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种均匀喷涂光刻胶的方法
US20110195183A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Hitachi High-Technologies Corporation Spin coater and method for spin coating
CN102360164A (zh) * 2011-09-28 2012-02-22 上海宏力半导体制造有限公司 喷涂光刻胶的方法
JP2013243262A (ja) * 2012-05-21 2013-12-05 Tokyo Electron Ltd 塗布方法、塗布装置、及びコンピュータ可読記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1206933A (zh) * 1997-07-25 1999-02-03 三星电子株式会社 光刻胶喷涂的装置及其方法
CN101398627A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质
US20110195183A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Hitachi High-Technologies Corporation Spin coater and method for spin coating
CN102043340A (zh) * 2010-10-29 2011-05-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种均匀喷涂光刻胶的方法
CN102360164A (zh) * 2011-09-28 2012-02-22 上海宏力半导体制造有限公司 喷涂光刻胶的方法
JP2013243262A (ja) * 2012-05-21 2013-12-05 Tokyo Electron Ltd 塗布方法、塗布装置、及びコンピュータ可読記憶媒体

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110879509A (zh) * 2019-12-03 2020-03-13 深圳市思坦科技有限公司 涂胶设备和涂胶方法
CN111505906A (zh) * 2020-06-10 2020-08-07 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶方法
CN111505906B (zh) * 2020-06-10 2023-09-05 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶方法
CN111672720A (zh) * 2020-06-29 2020-09-18 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 喷涂方法
CN111672720B (zh) * 2020-06-29 2022-09-06 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 喷涂方法
CN113318941A (zh) * 2020-07-27 2021-08-31 上海先进半导体制造有限公司 在晶圆表面的聚酰亚胺前驱体的旋涂方法和***
CN113318941B (zh) * 2020-07-27 2022-10-14 上海先进半导体制造有限公司 在晶圆表面的聚酰亚胺前驱体的旋涂方法和***
CN114054288A (zh) * 2020-07-31 2022-02-18 中国科学院微电子研究所 涂胶机的控制方法、涂胶机的控制***以及涂胶机
CN111905988A (zh) * 2020-08-14 2020-11-10 中国科学院微电子研究所 光刻胶的涂胶方法
CN111905988B (zh) * 2020-08-14 2022-10-04 中国科学院微电子研究所 光刻胶的涂胶方法
CN113894009A (zh) * 2021-10-19 2022-01-07 苏州杉树园半导体设备有限公司 一种涂胶机的控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107885035A (zh) 一种光刻胶的涂胶工艺
CN104294234A (zh) 一种可自转公转的仿行星式镀膜治具及其使用方法
CN204198846U (zh) 一种可自转公转的仿行星式镀膜治具
US11708495B2 (en) Priming material for substrate coating
CN102294317A (zh) 光刻胶喷涂装置及方法
CN104076609A (zh) 光刻胶的涂胶工艺
US9581939B2 (en) Developing device and developing method
CN203759393U (zh) 基板、显示面板及显示装置
JP4733526B2 (ja) 液体の塗布及び乾燥方法
CN107930917A (zh) 一种光刻胶涂布***及方法
JP2004327963A5 (zh)
CN105457860A (zh) 涂覆衬底的方法和涂覆设备
JP2008036454A (ja) 塗布装置及び電気光学装置の製造方法
CN103838087A (zh) 一种光刻胶做厚的方法
CN104362123A (zh) 一种用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的夹具及方法
CN101833245A (zh) 涂胶装置及方法
US10655019B2 (en) Priming material for substrate coating
CN101759434A (zh) 一种pzt薄膜的制备方法
CN111505906B (zh) 涂胶方法
TWI740154B (zh) 使用液態防焊材料製作電路板防焊層的方法
CN106583186A (zh) 一种双喷嘴三角形喷胶方法
CN113568273A (zh) 一种改善方片边缘膜厚的涂胶方法
CN110879509A (zh) 涂胶设备和涂胶方法
CN204347432U (zh) 光刻胶涂布吸头及光刻胶涂布装置
JP4993915B2 (ja) 液体の塗布及び乾燥方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180406