CN107863801A - 一种充电电路及其充电装置 - Google Patents

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吕鑫
林水明
毕小强
闫蕾
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

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Abstract

本发明涉及充电技术领域，尤其涉及一种充电电路及其充电装置。本发明中，通过设置合适的第一电阻的电阻值能够增加充电电路的输出电流，通过采用上述的技术方案能够在几乎不增加成本前提下，大大增加了充电效率。

Description

一种充电电路及其充电装置
技术领域
本发明涉及充电技术领域，尤其涉及一种充电电路及其充电装置。
背景技术
boost升压电路是一种常见的开关直流升压电路，它可以使输出电压比输入电压高。在利用boost电路进行充电时，现有的充电电路由于充电电流过小，导致使用大电池的项目需要外加充电芯片，增加了成本，也延长了开发过程。
发明内容
针对现有技术存在的问题，现提供了一种充电电路及其充电装置。
具体的技术方案如下：
一种充电电路，应用于boost升压电路中，所述充电电路包括：
第一输入端，输入第一电压信号；
第二输入端，输入第二电压信号；
BJT器件，所述BJT器件的发射极与所述第一输入端连接；
NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述BJT器件的基极连接，所述NMOS管的栅极与所述第一输入端连接，所述NMOS管的源极与所述第二输入端连接；
第一电阻，所述第一电阻的输入端与所述BJT器件的集电极连接；
其中，所述第一电阻的电阻值小于0.2欧姆，并且大于等于0.15欧姆。
优选的，所述第一电阻的电阻值等于0.15欧姆。
优选的，所述NMOS管的栅极通过一第二电阻与所述第一输入端连接。
优选的，流过所述第一电阻的充电电流为800毫安～1安。
优选的，所述第一电阻的输出端与一第一电容的一端连接。
优选的，所述第一电容的相对另一端接地。
优选的，所述第一输入端通过一第二电容接地。
优选的，所述NMOS管的衬底端与所述NMOS管的源极连接。
优选的，所述NMOS管的栅极通过一第三电容接地。
一种充电装置，包括上述的充电电路，还包括与所述充电电路连接的充电线路，所述充电线路可操控的与待充电电池连接；
其中，所述充电线路的宽度大于1毫米。
上述技术方案的有益效果是：
上述技术方案中，通过设置合适的第一电阻的电阻值能够增加充电电路的输出电流，通过采用上述的技术方案能够在在几乎不增加成本前提下，大大增加了充电效率。
附图说明
图1为本发明一种充电电路的实施例的电路连接图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，下述技术方案，技术特征之间可以相互组合。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
本实施例提供了一种充电电路，应用于boost升压电路中，如图1所示，充电电路包括：
第一输入端Vin1，输入第一电压信号；
第二输入端Vin2，输入第二电压信号；
BJT器件，BJT器件的发射极与第一输入端Vin1连接；
NMOS管，NMOS管的漏极与BJT器件的基极连接，NMOS管的栅极与第一输入端Vin1连接，NMOS管的源极与第二输入端Vin2连接；
第一电阻R1，第一电阻R1的输入端与BJT器件的集电极连接；
其中，第一电阻R1的电阻值小于0.2欧姆，并且大于等于0.15欧姆。
本实施例的一个应用场景可以以MTK功能机平台进行举例，例如MT6260，MT6261充电电流过小，导致使用大电池的项目需要外加充电芯片，增加了成本也延长了开发过程；本实施例的充电电路为一种在MTK自带电路，可以增加输出电流的充电电路。
MTK平台充电电路核心器件是一个NMOS管和一个BJT器件，这里的CJMNT33是将两者的功能集成在一起了，上述两个三极管协同软件控制整个充电过程，其中第一电阻R1可以为一个大功率电阻，充电电流流经此处产生电压差，这个电压差被中央处理器读取后计算得出充电电流，由此中央处理器可以适时对充电电流进行调整。
本发明一个较佳的实施例中，第一电阻R1的电阻值等于0.15欧姆。
本发明一个较佳的实施例中，NMOS管的栅极通过一第二电阻R2与第一输入端Vin1连接。
本发明一个较佳的实施例中，流过第一电阻R1的充电电流为800毫安～1安。
上述实施例中，其充电电流可以从原先的450mA，达到峰值的1A，在几乎不增加成本前提下大大增加了充电效率。
本发明一个较佳的实施例中，第一电阻R1的输出端与一第一电容C1的一端连接。
本发明一个较佳的实施例中，第一电容C1的相对另一端接地。
本发明一个较佳的实施例中，第一输入端Vin1通过一第二电容C2接地。
本发明一个较佳的实施例中，NMOS管的衬底端与NMOS管的源极连接。
本发明一个较佳的实施例中，NMOS管的栅极通过一第三电容C3接地。
上述实施例中，MT6260平台对充电电流限制为最大800mA，但是实际使用1A充电是很有必要的，在此，将第一电阻R1的阻值由之前的0.2欧姆修改为0.15欧姆，软件代码将充电电流设定为800mA，此时由于反馈电阻被修改，中央处理器探测到的充电电流和实际充电电流就会有误差，这个误差为：(0.2-0.15)/0.2＝25％，800mA*125％＝1000mA。
本实施例是利用这个误差来适当的突破上述的平台的硬件限制，达到低成本大电流充电的目的。
本实施例提供了一种充电装置，包括上述的充电电路，还包括与充电电路连接的充电线路，充电线路可操控的与待充电电池连接；
其中，充电线路的宽度大于1毫米。
本实施例中，第一电阻R1修改后PCB板上相应的充电线路需要加宽，原先0.5mm的线宽至少增加到1mm线宽，并且周围的铺地(GND)要良好，充电电路输出能力会相应提高，否则充电器(充电电路所在的装置)会出现瓶颈，至少使用1A输出的充电器，另外充电USB线也应当适当加粗，以适应大电流充电。
综上，上述技术方案中，通过设置合适的第一电阻的电阻值能够增加充电电路的输出电流，通过采用上述的技术方案能够在在几乎不增加成本前提下，大大增加了充电效率。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (10)

1.一种充电电路，其特征在于，应用于boost升压电路中，所述充电电路包括：
第一输入端，输入第一电压信号，所述第一电压信号大于等于4V；
第二输入端，输入第二电压信号；
BJT器件，所述BJT器件的发射极与所述第一输入端连接；
NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述BJT器件的基极连接，所述NMOS管的栅极与所述第一输入端连接，所述NMOS管的源极与所述第二输入端连接；
第一电阻，所述第一电阻的输入端与所述BJT器件的集电极连接；
其中，所述第一电阻的电阻值小于0.2欧姆，并且大于等于0.15欧姆。
2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一电阻的电阻值等于0.15欧姆。
3.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述NMOS管的栅极通过一第二电阻与所述第一输入端连接。
4.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，流过所述第一电阻的充电电流为800毫安～1安。
5.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一电阻的输出端与一第一电容的一端连接。
6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述第一电容的相对另一端接地。
7.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一输入端通过一第二电容接地。
8.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述NMOS管的衬底端与所述NMOS管的源极连接。
9.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述NMOS管的栅极通过一第三电容接地。
10.一种充电装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的充电电路，还包括与所述充电电路连接的充电线路，所述充电线路可操控的与待充电电池连接；
其中，所述充电线路的宽度大于1毫米。
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