CN107863451A - 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 108
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 160
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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Abstract
本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法，OLED阳极的制备方法包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，阳极膜层的材料为ITO材料；在阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域；对阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除光刻胶半保留区域；采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。本发明可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色现象来实现图形显示的设备。OLED显示装置具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围广等优点，因此OLED显示技术被认为是最有发展前途的新一代显示技术。
OLED显示装置的基本结构包括：阳极层、阴极层、以及夹在阳极层和阴极层之间的有机发光层。通常，有机发光层是经过蒸镀工艺蒸镀在阳极层上的。然而在进行蒸镀时，由于蒸发源的角度有上限，蒸镀后的有机发光层容易出现不均匀的情况。具体如图1所示，阳极层4’穿过平坦层3’与被平坦层3’覆盖的漏极2’点连接，在阳极层4’上的有机发光层6’的两端区域(也即图1所示的b’区域处)材料的厚度要小于中央区域(也即图1所示的a’区域处)的材料厚度，阳极层4’的下方为平坦层3’。这样就导致OLED在发光时容易出现如图2所示的发光单元四周发光不饱和、亮度低于发光单元中间区域的情况，从而导致OLED发光混色，影响显示效果。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法，可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。
本发明提供的一种OLED阳极的制备方法，包括下述步骤：
在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；
在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；
图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；
以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；
去除所述光刻胶半保留区域；
采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；
去除所述光刻胶掩膜图案。
优选地，图形化所述光刻胶膜层，具体为：
采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。
优选地，在基板上形成阳极膜层，具体为：
通过磁控溅射和热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。
优选地，对所述阳极膜层进行刻蚀，具体为：
采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。
优选地，去除所述光刻胶半保留区域，具体为：
采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，去除所述光刻胶半保留区，其中，所述第二气体为SF6和O2的混合气体。
优选地，采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入所述第二气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，处理时间为30～50秒；
其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000～8000W，底部电极功率设为6000～8000W，腔室压力设为200～250mT，所述第二气体中的SF6和O2的气体流量范围分别为50～150sccm、5000～7000sccm。
优选地，采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入所述第一气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第一气体进行电离，并利用电离的第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，以增大所述阳极膜层上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分的功函数，处理的时间为1～3分钟；
其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为1000～5000W，底部电极功率设为0W，腔室压力设为100～300mT，所述第一气体的流量为1000～5000sccm。
本发明还提供一种OLED显示装置的制备方法，包括下述步骤：
在基板上形成TFT阵列层；
在所述基板上形成平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT阵列层；
在平坦层上形成过孔；
采用上述的OLED阳极的制备方法，在所述平坦层上制备阳极，所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成阴极。
优选地，在所述阳极上形成像素界定层，包括下述步骤：
在所述阳极上形成有机绝缘树脂层；
将所述有机绝缘树脂层采用光刻曝光处理，得到所述像素界定层；
在所述有机发光层上形成阴极，具体为：
通过蒸镀的方式在所述有机发光层上形成阴极；
所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接，具体为：
所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层的漏极电连接。
优选地，
在所述像素界定层上形成有机发光层，具体为：
通过蒸镀的方式在所述像素界定层上形成所述有机发光层；
所述有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
实施本发明，具有如下有益效果：在图形化光刻胶膜层的时候，将光刻胶半保留区域设置于光刻胶完全保留区域与光刻胶完全去除区域之间，光刻胶完全去除区域对应的阳极膜层被刻蚀掉，从而将阳极膜层划分为若干个阳极图案，光刻胶半保留区域位于阳极图案周边区域的上方，而光刻胶完全保留区域则位于阳极图案中间区域(即周边区域包围的内部区域)的上方，阳极图案周边区域上方的有机发光层的厚度一般要小于阳极图案中间上方的有机发光层的厚度。本发明将OLED显示装置的有机发光层厚度较小的部分所对应的阳极采用O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体进行等离子体处理，增大有机发光层厚度较小的部分对应的阳极的功函数，从而提高该部分阳极对空穴注入层的注入效率，提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，避免OLED发光混色，从而提高显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的背景技术中OLED显示装置的结构示意图。
图2是本发明提供的背景技术中OLED显示装置的发光示意图。
图3是本发明提供的OLED阳极的制备方法的流程图。
图4a是本发明提供的一实施例中基板和阳极膜层的结构示意图。
图4b是本发明提供的一实施例中平坦层上设置有过孔的结构示意图。
图5是本发明提供的一实施例中基板、阳极膜层和光刻胶膜层的结构示意图。
图6是本发明提供的图形化图5中的光刻胶膜层，得到的光刻胶掩膜图案的示意图。
图7是本发明提供的以光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案的示意图。
图8是本发明提供的去除图7中的光刻胶半保留区域后对应的结构示意图。
图9是本发明提供的采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理的示意图。
图10a是本发明提供的阳极图案分别经O2、CF4和CH4等离子体处理后，OLED显示装置对应的亮度与电压之间关系的特性图。
图10b是本发明提供的阳极图案分别经O2、CF4和CH4等离子体处理后，OLED显示装置对应的亮度与-电流密度之间关系的特性图。
图11是本发明提供的采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理后对应的结构示意图。
图12是本发明提供的OLED显示装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种OLED阳极的制备方法，如图3所示，该方法包括下述步骤：
如图4a所示，在基板1上形成阳极膜层4，其中，阳极膜层4的材料为ITO材料，即氧化铟锡材料；优选地，基板1上还形成有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列层和平坦层3，平坦层3覆盖TFT阵列层2，阳极膜层4位于TFT阵列层2上方；如图4b所示，平坦层3位于TFT阵列层2的漏极21的上方部分还设置有过孔9，阳极膜层4通过过孔9与TFT阵列层2的漏极21电连接。
如图5所示，在阳极膜层4上形成光刻胶膜层5，光刻胶膜层5位于阳极膜层4上方；优选地，通过涂覆的方式在阳极膜层4上制作出光刻胶膜层5。
图形化光刻胶膜层5，得到光刻胶掩膜图案51，如图6所示，光刻胶掩膜图案51包括：光刻胶完全保留区域511、光刻胶半保留区域512、光刻胶完全去除区域513，其中，光刻胶半保留区域512位于光刻胶完全保留区域511与光刻胶完全去除区域513之间。
如图7所示，以光刻胶掩膜图案51作为抗刻蚀层，对阳极膜层4进行刻蚀，得到至少两个阳极图案41。
去除光刻胶半保留区域512；去除光刻胶半保留区域512后对应的光刻胶掩膜图案51如图8所示。
如图9所示，采用第一气体对阳极图案41上位于光刻胶完全保留区域511之外的部分进行等离子体处理，其中，第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除光刻胶掩膜图案51，得到OLED阳极，OLED阳极为经过刻蚀以及经过第一气体进行等离子体处理后的阳极膜层4。OLED阳极包括功函数不变的阳极区域412和功函数增大的阳极区域411。
其中，OLED阳极经过第一气体(例如O2)进行等离子体处理，即将第一气体电离，第一气体在阳极图案41表面吸附后，阳极图案41的电子通过氧化铟、氧化锡表面d轨道转移到第一气体的空的π*反键轨道中，使得OLED阳极上经过第一气体进行等离子体处理的区域中，其表面缺电子，费米能级降低，从而提高该区域中阳极的功函数，减小阳极与空穴注入层间的势垒，提高阳极对空穴注入层的注入效率。
氧化铟(indium oxide，In2O3)是一种被广泛应用于光学器件和电学器件的半导体材料。纯的In2O3晶体导电性能较差，人们通常对其掺杂来提高其导电性能。其中，最常见的掺杂元素锡形成氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)。ITO是高度兼并的n型半导体，费米能级位于导带底之上，由于Sn的替换掺杂，在晶体内部掺杂位处形成多余电子，加上ITO在制备过程中会产生氧空位，因而具有很高的载流子浓度及低电阻率。此外，ITO的带隙较宽，所以ITO薄膜对可见光和近红外光具有很高的透过率。由于以上独特的性质，ITO被广泛应用于有机电致发光器件(OLED)、太阳能电池、平板显示器及透明屏蔽材料等。
其中，最热点的应用研究是将ITO材料作为OLED显示装置的阳极来提供空穴，与金属阴极产生的电子在有机发光中间层中相遇从而受激发射光子。OLED显示装置中载流子在电场作用下从电极注入到发光层中复合发光。阳极材料要求具有高的表面功函数和良好的透光度，以利于OLED显示装置的性能稳定。人们采用了各种表面处理技术和修饰手段对In2O3及ITO表面进行改良，以提高表面功函数，从而促进其在OLED显示装置中的空穴注入能力。
利用氧等离子体溅射ITO薄膜可以证明氧等离子体处理后的In2O3及ITO表面空穴注入效率明显增加，并且器件使用寿命延长2个数量级。而且，用O2和N2O处理的ITO功函数增加，且经N2O处理的ITO功函数大于O2处理的。
对ITO表面进行等离子体处理，目的是提高OLED显示装置的性能。ITO经过O2和CF4处理后制备的OLED显示装置与没有经过等离子体处理制备的OLED显示装置相比，在同样的发光下，具有低的开启电压和低的电流密度，这些特性的改善与ITO表面污染物的去除及功函数增加有关。
如图10a所示，图10a示出了上述的ITO材质的阳极图案41分别经O2、CF4和CH4等离子体处理后，OLED显示装置对应的亮度和电压之间关系的特性图；如图10b所示，图10b示出了上述的阳极图案41分别经O2、CF4和CH4等离子体处理后，OLED显示装置对应的亮度与电流密度之间关系的特性图，由此可知，相比于未经等离子体处理的阳极图案41所制备的OLED显示装置而言，经过O2和CF4等离子体处理后的阳极图案41所制备的OLED显示装置，在相同的电流密度下，亮度更高。
如图11所示，等离子体处理完成后，OLED阳极分成了两部分：被光刻胶完全保留区域511保护的功函数不变的阳极区域412，未被光刻胶完全保留区域511保护的位于发光单元周边部分的功函数增大的阳极区域411。
在图形化光刻胶膜层5的时候，将光刻胶半保留区域512设置于光刻胶完全保留区域511与光刻胶完全去除区域513之间，光刻胶完全去除区域513对应的阳极膜层4被刻蚀掉，从而将阳极膜层4划分为若干个阳极图案41，光刻胶半保留区域512位于阳极图案41周边区域的上方，而光刻胶完全保留区域511则位于阳极图案41中间区域(即周边区域包围的内部区域)的上方，有机发光层7的厚度不均匀，阳极图案41周边区域上方的有机发光层7的厚度一般要小于阳极图案41中间上方的有机发光层7的厚度，如图12所示，被光刻胶完全保留区域511保护的OLED阳极部分上方对应的是有机发光层7厚度较厚部分，如区域a中所示；未被光刻胶完全保留区域511保护的OLED阳极部分上方对应的是有机发光层7材料厚度较小的部分，如区域b中所示；区域a对应的是功函数不变的阳极区域412，区域b对应的是功函数增大的阳极区域411。
在采用第一气体对阳极图案41上位于光刻胶完全保留区域511之外的部分进行等离子体处理时，就能提高该部分阳极图案41对空穴注入层的注入效率，因而能提高阳极图案41的周边区域上方的有机发光层7的亮度，补偿有机发光层7的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。
进一步地，图形化光刻胶膜层5，具体为：
采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对光刻胶膜层5进行曝光，再对曝光的光刻胶膜层5进行显影处理。
进一步地，在基板1上形成阳极膜层4，具体为：
通过磁控溅射和热蒸发工艺在基板1上制备阳极膜层4。
进一步地，对阳极膜层4进行刻蚀，具体为：
采用湿法刻蚀的方式对阳极膜层4进行刻蚀。
进一步地，去除光刻胶半保留区域512，具体为：
采用第二气体对光刻胶掩膜图案51进行等离子体灰化处理，去除光刻胶半保留区，同时其中的光刻胶完全保留区域511也将会被减薄，其中，第二气体为SF6和O2的混合气体。
进一步地，采用第二气体对光刻胶掩膜图案51进行等离子体灰化处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入第二气体，利用等离子体刻蚀设备将第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对光刻胶掩膜图案51进行等离子体灰化处理，处理时间为30～50秒。
其中，等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000～8000W，底部电极功率设为6000～8000W，腔室压力设为200～250mT，第二气体中的SF6和O2的气体流量范围分别为50～150sccm、5000～7000sccm。
优选地，等离子体刻蚀设备的顶部电极功率为7000W，底部电极(偏压)功率为7000W，腔室压力180mT，SF6和O2的气体流量分别为100sccm和6000sccm，处理时间为40s。
进一步地，采用第一气体对阳极图案41上位于光刻胶完全保留区域511之外的部分进行等离子体处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入第一气体，利用等离子体刻蚀设备将第一气体进行电离，并利用电离的第一气体对阳极图案41上位于光刻胶完全保留区域511之外的部分进行等离子体处理，以增大阳极膜层4上位于光刻胶完全保留区域511之外的部分的功函数，处理的时间为1～3分钟。
其中，等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为1000～5000W，底部电极功率设为0W，腔室压力设为100～300mT，第一气体的流量为1000～5000sccm。
上述底部电极(偏压)功率之所以为0，是为了避免等离子体轰击造成基板1上的阳极图案41表面出现损伤缺陷。
本发明还提供一种OLED显示装置的制备方法，该方法包括下述步骤：
如图12所示，在基板1上形成TFT阵列层2；
在基板1上形成平坦层3，且平坦层3覆盖TFT阵列层2；
在平坦层3上形成过孔9；
采用上述的OLED阳极的制备方法，在平坦层3上制备阳极，阳极通过过孔9与TFT阵列层2电连接；
在阳极上形成像素界定层6；
在像素界定层6上形成有机发光层7；
在有机发光层7上形成阴极8。
进一步地，在阳极上形成像素界定层6，包括下述步骤：
在阳极上形成有机绝缘树脂层；
将有机绝缘树脂层采用光刻曝光处理，得到像素界定层6。
在有机发光层7上形成阴极8，具体为：
通过蒸镀的方式在有机发光层7上形成阴极；更具体为：在有机发光层7上蒸镀OLED阴极材料，例如铝或者镁铝合金，形成阴极8。
阳极通过过孔9与TFT阵列层2电连接，具体为：
阳极通过过孔9与TFT阵列层2的漏极21电连接。
进一步地，在像素界定层6上形成有机发光层7，具体为：
通过蒸镀的方式在像素界定层6上形成有机发光层7。
有机发光层7包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
综上所述，本发明将OLED显示装置的有机发光层7厚度较小的部分所对应的阳极采用O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体进行等离子体处理，增大有机发光层7厚度较小的部分对应的阳极的功函数，从而提高该部分阳极对空穴注入层的注入效率，提高有机发光层7上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层7的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED阳极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；
在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；
图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；
以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；
去除所述光刻胶半保留区域；
采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；
去除所述光刻胶掩膜图案。
2.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜层，具体为：
采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。
3.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，在基板上形成阳极膜层，具体为：
通过磁控溅射和热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。
4.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，对所述阳极膜层进行刻蚀，具体为：
采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，去除所述光刻胶半保留区域，具体为：
采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，去除所述光刻胶半保留区，其中，所述第二气体为SF6和O2的混合气体。
6.根据权利要求5所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入所述第二气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，处理时间为30~50秒；
其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000~8000W，底部电极功率设为6000~8000W，腔室压力设为200~250mT，所述第二气体中的SF6和O2的气体流量范围分别为50~150sccm、5000~7000sccm。
7.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，具体为：
往等离子体刻蚀设备中送入所述第一气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第一气体进行电离，并利用电离的第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，以增大所述阳极膜层上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分的功函数，处理的时间为1~3分钟；
其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为1000~5000W，底部电极功率设为0W，腔室压力设为100~300mT，所述第一气体的流量为1000~5000sccm。
8.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
在基板上形成TFT阵列层；
在所述基板上形成平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT阵列层；
在平坦层上形成过孔；
采用权利要求1~7任一项所述的OLED阳极的制备方法，在所述平坦层上制备阳极，所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接；
在所述阳极上形成像素界定层；
在所述像素界定层上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成阴极。
9.根据权利要求8所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，在所述阳极上形成像素界定层，包括下述步骤：
在所述阳极上形成有机绝缘树脂层；
将所述有机绝缘树脂层采用光刻曝光处理，得到所述像素界定层；
在所述有机发光层上形成阴极，具体为：
通过蒸镀的方式在所述有机发光层上形成阴极；
所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接，具体为：
所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层的漏极电连接。
10.根据权利要求8所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，
在所述像素界定层上形成有机发光层，具体为：
通过蒸镀的方式在所述像素界定层上形成所述有机发光层；
所述有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711052745.2A CN107863451B (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
| US15/744,818 US10431743B2 (en) | 2017-10-30 | 2017-11-20 | Manufacturing method of an OLED anode and an OLED display device thereof |
| PCT/CN2017/111885 WO2019085045A1 (zh) | 2017-10-30 | 2017-11-20 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711052745.2A CN107863451B (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107863451A true CN107863451A (zh) | 2018-03-30 |
| CN107863451B CN107863451B (zh) | 2019-06-25 |
Family
ID=61697176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711052745.2A Active CN107863451B (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107863451B (zh) |
| WO (1) | WO2019085045A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987258A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物半导体层的制备方法及装置 |
| CN109273500A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板、显示装置和制作方法 |
| CN109671873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 上海晶合光电科技有限公司 | 一种可分立控制的底电极图案化有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN110739398A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-31 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 微显示器件阳极银反射层及阳极结构的蚀刻方法 |
| CN112670247A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112820845A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-05-18 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 改善oled阴极断裂的阳极结构及其制备方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210088800A (ko) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| CN111506222A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-07 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 触控元件及其加工方法 |
| CN113805442A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-17 | 苏州长瑞光电有限公司 | 一种去除光刻胶的方法 |
| CN116887616A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-10-13 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902677A (en) * | 1996-10-21 | 1999-05-11 | Motorola, Inc | Modified anode for a display device |
| JP2009176589A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 |
| CN102165591A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-08-24 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN104282846A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-01-14 | 张懿强 | 一种ito基底的制作方法、oled装置及其制作方法 |
| CN106104837A (zh) * | 2014-02-20 | 2016-11-09 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 有机发光器件 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8063551B1 (en) * | 2004-12-29 | 2011-11-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pixel intensity homogeneity in organic electronic devices |
| CN102610765A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-07-25 | 复旦大学 | 一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法 |
| CN103928628B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-10-05 | 顾玉奎 | 一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法 |
| KR102348876B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2022-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN105449127B (zh) * | 2016-01-04 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107256878A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
-
2017
- 2017-10-30 CN CN201711052745.2A patent/CN107863451B/zh active Active
- 2017-11-20 WO PCT/CN2017/111885 patent/WO2019085045A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902677A (en) * | 1996-10-21 | 1999-05-11 | Motorola, Inc | Modified anode for a display device |
| JP2009176589A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 |
| CN102165591A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-08-24 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN106104837A (zh) * | 2014-02-20 | 2016-11-09 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 有机发光器件 |
| CN104282846A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-01-14 | 张懿强 | 一种ito基底的制作方法、oled装置及其制作方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987258A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物半导体层的制备方法及装置 |
| US11087978B2 (en) | 2018-07-19 | 2021-08-10 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oxide semiconductor layer and preparation method thereof, device, substrate and means |
| CN109273500A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板、显示装置和制作方法 |
| CN109671873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 上海晶合光电科技有限公司 | 一种可分立控制的底电极图案化有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN110739398A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-31 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 微显示器件阳极银反射层及阳极结构的蚀刻方法 |
| CN112670247A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112670247B (zh) * | 2020-12-23 | 2024-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112820845A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-05-18 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 改善oled阴极断裂的阳极结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019085045A1 (zh) | 2019-05-09 |
| CN107863451B (zh) | 2019-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |