CN107844008A - 阵列基板、阵列基板的检测方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板、阵列基板的检测方法及显示面板，其中，阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区设置有第一端子和第二端子，显示区内包括与数据线相对设置的遮光电极和沿像素电极边缘设置的公共电极线，遮光电极与第一端子电性连通，公共电极线与第二端子电性连通，遮光电极与公共电极线电性绝缘。本发明方便监控遮光电极和像素电极之间是否因导电粒子而发生短路，以便检测和修复，进而提高产品良率。
Description
【技术领域】
本发明涉显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的检测方法及显示面板。
【背景技术】
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。具体而言，TFT-LCD可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、下层的玻璃基板上设置有薄膜晶体管。当电流通过薄膜晶体管时，产生电场变化，电场的变化引起液晶分子偏转，从而来改变光线的偏极性，而实现预期的显示画面。
随着TFT-LCD的快速发展，像素设计也日益精进，陆续出现了3T技术、DBS(DataLine BM Less)技术。
其中，3T技术具体是三个TFT开关经由同一条栅极线(gate line)控制，在gate打开时，其中两个TFT分别给像素电极(Pixel)的主区(main)与子区(sub)充电，同时第三颗TFT会将一部分已经充入子区的电荷漏至阵列基板的公共电极线(Acom)上，拉低子区的电位，即通过保证主区与子区的电位差值来改善大视角。
其中，DBS技术具体是在数据线(Data line)上利用DBS com(DBS电极)的信号线取代传统的BM(Black Matrix，黑矩阵)，从而达到数据线上遮光的效果。DBS技术的应用，可以减小因BM对组不良等因素引起的减小像素开口率的弊端。
当DBS技术与3T技术结合使用时，一般会将Data line上的DBS com与第三颗TFT漏电的Acom通过过孔连接到一起，即给DBS com与Acom相同电位。为了追求更高的开口区面积，DBS电极与像素电极间距离会设计的比较近，当有较大particle(导电粒子)落在两者之间时，DBS电极与像素电极较容易发生short(短路)。尤其是像素电极的Sub区，但是，受第三颗TFT漏电至Acom的影响，无论是Sub区的像素电极还是DBS电极均无法保持恒定电位，使得Sub区像素电极与DBS电极间的short问题，不易检测和修复，造成良率损失。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种阵列基板、阵列基板的检测方法及显示面板，旨在保持像素电极以及DBS电极具有恒定的电位，从而方便监控像素电极短路的问题，以便及时修复，提高产品良率。
为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一端子和第二端子，所述显示区内包括与数据线相对设置的遮光电极和沿像素电极边缘设置的公共电极线，所述遮光电极与所述第一端子电性连通，所述公共电极线与所述第二端子电性连通，所述遮光电极与所述公共电极线电性绝缘。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极与所述像素电极同层设置，所述公共电极线与栅极线同层设置。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极呈网状，包括多个相互平行的水平部和多个相互平行的垂直部，多个所述水平部直接和多个垂直部相互连接，每一所述垂直部均与相邻两侧的所述垂直部连接。
在本发明优选实施例的阵列基板中，多个所述垂直部均与所述第一端子连接。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极还包括一连接部，多个所述垂直部连接于所述连接部，所述连接部和所述第一端子连接。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述连接部和多个所述水平部相互平行，所述连接部和多个所述垂直部相互垂直。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述阵列基板包括：多条栅极线、多条数据线以及多条所述数据线与多条所述栅极线交叉设置限定出的多个像素单元；
所述遮光电极设置在所述数据线上、并遮住所述数据线。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述垂直部设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述水平部设置于所述栅极线和所述像素单元之间。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种如上所述阵列基板的检测方法，所述阵列基板包括：显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一端子和第二端子，所述显示区内包括与数据线相对设置的遮光电极和沿像素电极边缘设置的公共电极线，所述公共电极线与所述第二端子电性连通，所述遮光电极与所述公共电极电性绝缘；
所述检测方法包括：将遮光电极与第一端子电性连通；
检测非显示区是否有异动；
若检测到所述非显示区有异动，则判定出所述遮光电极和像素电极之间有导电粒子。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种显示面板，包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板为如上任一所述的阵列基板，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述第一端子加载的电压与所述公共电极的电压相同。
相对于现有技术，本发明阵列基板在检测过程中，将遮光电极与第一端子电性连通，公共电极线与第二端子电性连通，遮光电极与公共电极线电性绝缘；当检测到阵列基板的非显示区有异动时，则判断出遮光电极和像素电极之间有导电粒子，则遮光电极和像素电极之间发生短路。从而，本发明方便监控遮光电极和像素电极之间是否因导电粒子而发生短路，以便检测和修复，进而提高产品良率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
图2为图1所示显示面板在A-A方向的剖面图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图4为本发明实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。
图5为本发明实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。
图6为本发明实施例提供的第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管三者相互配合的等效电路图。
图7为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的流程示意图。
【具体实施方式】
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相同或相似的单元是以相同标号表示。
下面参考图1至图7描述本发明实施例阵列基板、阵列基板的检测方法及显示面板，以及用于检测所述阵列基板的检测器。
如图1至图7所示，图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图，图2为图1所示显示面板在A-A方向的剖面图，图2中仅示出了显示面板的一种结构，仅示出了显示面板的部分结构，需要说明的是，其并不对显示面板构成限制。图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。图4为本发明实施例提供的阵列基板的另一结构示意图，图5为本发明实施例提供阵列基板的另一结构示意图，具体的是，图5为图4的像素电极和遮光电极之间落有导电粒子产生短路的示意图。图6为本发明实施例提供的第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管三者相互配合的等效电路图。图7为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的流程示意图。
如图1和图2所示，本发明实施例公开了一种显示面板10，所述显示面板10包括彩膜基板200、阵列基板100和液晶300。需要说明的是，本发明实施例的显示面板10可以应用于显示器中，也就是显示器包括该显示面板10。该显示器还可以包括背光模组，背光模组可作为光源，用于供应充足的亮度与分布均匀的光源，本实施例的背光模组可以为前光式，也可以为背光式，需要说明的是，本实施例的背光模组并不限于此。
其中，阵列基板100可以包括第一衬底(图中未示出)、多条数据线110、多条栅极线120和像素单元130，多条数据线110、多条栅极线120和像素单元130均设置在第一衬底上。该第一衬底透明设置，第一衬底可以采用玻璃板，其透光性好，方便设置。需要说明的是，本发明实施例第一衬底的类型并不限于玻璃板，也可以采用其他类型，比如：可挠式板。多条数据线110、多条栅极线120相互交叉限定出多个所述像素单元130，以控制像素单元130显示。
其中，彩膜基板200包括有第二衬底(图中未示出)、彩色光阻(图中未示出)和公共电极(图中未示出)，彩色光阻和公共电极设置在第二衬底上。该第二衬底透明设置，第二衬底可以采用玻璃板，其透光性好，方便设置。需要说明的是，本发明实施例第二衬底的类型并不限于玻璃板，也可以采用其他类型，比如：可挠式板。其中彩色光阻比如红色光阻、绿色光阻、蓝色光阻，需要说明的是，本发明实施例彩色光阻并不限于此，比如：白色光阻。其中公共电极形成在彩色光阻上方。本发明实施例彩膜基板200可以包括BM(Black Matrix，黑矩阵)，也可以不包括BM。当彩膜基板包括BM时，BM间隔设置在彩色光阻之间，以实现遮光的作用。
其中，液晶300设置在阵列基板100和彩膜基板200之间。在一些实施例中，阵列基板100和彩膜基板200相对设置。
其中，显示面板100还包括框胶400，框胶400设置在阵列基板100和彩膜基板200之间，且框胶400设置在阵列基板100和彩膜基板200的边沿，以密封阵列基板100和彩膜基板200，同时对阵列基板100和彩膜基板200的边沿进行遮光。
下面以显示面板10的阵列基板100为例进行详细说明，需要说明的是，以下对阵列基板100结构的描述同样适用于本发明实施例显示面板10和显示器中。
在本发明实施例中，如图3至图6所示，所述阵列基板100包括多条栅极线110、多条数据线120、多个像素单元130。其中，多条数据线120和多条栅极线110相互交叉设置限制出多个像素单元130，多条栅极线110以及多条数据线120分别连接于多个像素单元130，以驱动像素单元130进行显示。
在本发明实施例中，所述像素单元130包括薄膜晶体管、像素电极133、公共电极线132和遮光电极131，遮光电极131与像素电极133同层设置，公共电极线132与栅极线110同层设置。
其中，遮光电极131和数据线120相对设置。具体的，遮光电极131设置于数据线120上，并覆盖住数据线120，以遮住数据线120，实现遮光的目的。其中，遮光电极131与公共电极线132电性绝缘。
在一些实施例中，遮光电极131呈网状结构，遮光电极131包括多个相互平行的水平部1311、多个相互平行的垂直部1312、一连接部1313。
其中，多个水平部1311和多个垂直部1312相互连接，多个垂直部1212连接于连接部1313，连接部1313和一连接线1314连接。进一步的多个水平部1311和连接部1313平行设置，多个水平部1311和多个垂直部1312相互垂直设置，连接部1313和垂直部1312垂直设置。在一些实施例中，每一水平部1311均与相邻两侧的垂直部连接1312。需要说明的是，本发明实施例垂直部1312与水平部1311、连接部1313也可以不垂直设置，以及连接部1313和水平部1311也可以不平行设置。
具体的，多个垂直部1312覆盖于数据线120上，多个水平部1311设置于栅极线110和像素电极133之间。多个水平部1311穿过栅极线110和像素电极133之间直接和多个垂直部1312连接。
在一些实施例中，遮光电极131与公共电极线132电性绝缘。具体的，遮光电极131与公共电极线132相互分开设置，遮光电极131与公共电极线132不连接，无法导通，即使公共电极线132产生电位不稳定，也不会对遮光电极131的电位造成影响。从而，使得遮光电极131的电位稳定。在一些实施例中，遮光电极131的电位与公共电极线132的电位可以不同，也可以相同。
在本发明实施例中，阵列基板100还可以包括显示区101和非显示区102。其中，显示区101用于显示画面、文字等，像素单元130位于显示区101内。其中，非显示区102不显示画面或文字，非显示区102设置有第一端子520和第二端子510。
其中，第一端子520与遮光电极131电性连接。具体的，第一端子520与每一垂直部1312连接，即多个垂直部1312均与第一端子520连接。更具体的，多个垂直部1312均连接到连接部1313，连接部1313与连接线1314电性连接，连接线1314和第一端子520电性连接。从而，通过连接线1314实现第一端子520和遮光电极131的电性连接，可以将第一端子520与遮光电极131电性导通。在一些实施例中，第一端子520加载的电压与公共电极的电压相同。
其中，第二端子510与公共电极线132电性连通。需要说明的是，图中未示出公共电极线132和第二端子510连接的导线。
在一些实施例中，遮光电极131和第一端子520电性连通，遮光电极131的电位和第一端子520的电位相同。第一端子520加载的电位与彩膜基板200的公共电极的电位相同。从而，遮光电极131、第一端子520及公共电极的电位相同。彩膜基板200上的公共电极的电位稳定，使得遮光电极131的电位稳定。从而，在正常情况下遮光电极131的电位不会产生异动，进而，第一端子520的电位不会产生异动，即阵列基板100的非显示区102不会产生异动。一旦阵列基板100的非显示区102产生异动，或者说第一端子520的电位产生异动，则表明遮光电极131和像素电极133之间有导电粒子600而发生短路。
在一些实施例中，遮光电极131的电位和彩膜基板200的公共电极的电位相同，使得遮住于数据线120部分的遮光电极131的垂直部1312和公共电极之间的跨压基本为零，从而使得遮光电极131的垂直部1312和公共电极之间的液晶基本不偏转，从而实现较佳的遮光效果，即使彩膜基板200不设置黑矩阵，同样可以实现较佳的遮光效果。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极131由氧化铟锡材料制成，其导电性好，方便取材；氧化铟锡透明设置，其方便铺设于数据线120上。
其中，像素电极133包括主像素电极1331和子像素电极1332。主像素电极1331和子像素电极1332分别位于栅极线110的两侧。在一些实施例中，水平部1311设置于主像素电极1331和栅极线110之间。需要说明的是，本发明实施例的像素电极133并不限于此。
其中，薄膜晶体管包括有第一薄膜晶体管140、第二薄膜晶体管150和第三薄膜晶体管160。其中，第一薄膜晶体管140和主像素电极1331连接，用于控制主像素电极1331；第二薄膜晶体管150和子像素电极1332连接，用于控制子像素电极1332。
在一些实施例中，阵列基板100还包括第一电容170、第二电容180以及存储电容190。
在一些实施例中，第一薄膜晶体管140包括第一漏极、第一源极和第一栅极；第二晶体管150包括第二漏极、第二源极和第二栅极；第三晶体管160包括第三源极、第三漏极和第三栅极。
具体的，第一电容170与第一漏极连接，第二电容180与第二漏极连接，存储电容和第二漏极连接。第一栅极、第二栅极、第三栅极分别与栅极线110连接，第一源极、第二源极分别和数据线120连接，第二漏极和第三源极连接，第三漏极和公共电极线132通过过孔134连接。
在本发明实施例中，第三薄膜晶体管160通过其第三漏极和公共电极线132连接，将子像素电极1332的部分电荷漏至公共电极线132，从而拉低子像素电极1332的电位，增加公共电极线132的电位。
在本发明优选实施例的阵列基板中，遮光电极131的电位小于公共电极线132的电位。在实际生产过程中，彩膜基板200上的公共电极的电位一般与公共电极线132的电位相同。由于第三晶体管160通过其第三漏极和公共电极线132的连接，将子区像素电极1332的电荷部分漏至公共电极线132，从而拉低子区像素电极1332的电位，增加公共电极线132的电位，使得公共电极的电位小于公共电极线132的电位，进而使得遮光电极的电位小于公共电极线132的电位。
在一些实施例中，遮光电极131通过连接线1314可以与第一端子520连接，以检测阵列基板100的非显示区102是否产生异动，进而判断出像素电极133和遮光电极131之间是否发生短路。本发明实施例方便监控像素电极133和遮光电极131是否发生短路，以便检测和修复，进而提高产品良率。
具体的，通过第一端子520的电位可以检测遮光电极131的电位是否发生波动，若发生波动，则发生短路，若未出现波动，则未发生短路。从而本发明实施例方便监控像素电极133和遮光电极131是否发生短路，以便检测和修复，进而提高产品良率。通过该第一端子520可以检测阵列基板100中的像素电极133和遮光电极131是否发生短路，具体的是检测像素电极133中的子区像素电极1332和遮光电极131是否发生短路，以及检测像素电极133中的主像素电极1331和遮光电极131是否发生短路。
在本发明实施例中，该非显示区102还可以包括蓝色光阻530、绿色光阻540以及红色光阻550。需要说明的是，该非显示区102的设置并不限于此，比如：非显示区102还可以包括白色光阻等。
在本发明实施例中，通过第一端子520对阵列基板100进行检测时，首先将遮光电极131的连接部1313与连接线1314连接，以及将连接线1314与第一端子520连接，使得第一端子520通过连接线1314与遮光电极131电性连通。然后通过第一端子520对阵列基板100中的遮光电极131的电位进行检测，若遮光电极131的电位未发生异动，或者说未发生波动，而保持稳定的电位，则表明遮光电极131未发生短路，遮光电极131和像素电极133之间无导电粒子，可以参阅图4。从而，无需对阵列基板100进行修复。
在检测过程中，而若通过第一端子520检测到遮光电极131的电位发生异动，也就是遮光电极131的电位发生波动，则表明遮光电极131和像素电极133之间有导电粒子600，因导电粒子600而发生短路，可以参阅图5。从而，检修人员可以根据检测结果去除导电粒子600，实现对阵列基板100的修复，以提高产品的良率，提高显示器的显示效果。
在本发明实施例中，在测试遮光电极131和像素电极133之间是否发生短路时，由于遮光电极131本身不会因其电位不稳定而造成检测结果不准确。本发明实施例将遮光电极131的电位与公共电极的电位设置相同，确保遮光电极131的电位稳定，在检测过程中，一旦遮光电极131的电位发生波动，则可以判断遮光电极131和像素电极133之间有导电异物，或者说导电粒子600，使得遮光电极131和像素电极131短路。
如图7所示，本发明实施例还公开了一种阵列基板的检测方法，一并参阅图1至图6，该检测方法用于检测以上任一阵列基板100，该阵列基板100可以参阅以上内容。该检测方法包括以下步骤：
在步骤S101中，将第一端子520与遮光电极131电性连通。
在本发明实施例中，该第一端子520和遮光电极131之间通过一连接线1314连通，以便通过第一端子520进行检测。
在一些实施例中，通过该第一端子520可以检测阵列基板100中的像素电极133和遮光电极131是否发生短路，具体的是检测像素电极133中的子区像素电极1332和遮光电极131是否发生短路，以及检测像素电极133中的主像素电极1331和遮光电极131是否发生短路。
在步骤S102中，检测非显示区102是否有异动。
具体的，本发明实施例通过检测非显示区102中第一端子520的电位是否产生异动，或者说通过第一端子520检测遮光电极131的电位是否产生异动，或者说产生波动，根据遮光电极131的电位进而判断遮光电极131和像素电极133之间是否因导电粒子600而发生短路，进而方便判断出非显示区是否产生异动。
在步骤S103中，若检测到非显示区102有异动，则判定出遮光电极131和像素电极133之间有导电粒子600，可以参阅图5。而若检测到非显示区无异动，则判定出遮光电极131和像素电极133之间无导电粒子，可以参阅图4。
具体的，在通过第一端子520对阵列基板100进行检测时，首先将遮光电极131和第一端子520连通，然后对阵列基板100中的遮光电极131的电位进行检测，若遮光电极131的电位未发生异动，或者说未发生波动，而保持稳定的电位，则表明遮光电极131未发生短路，遮光电极131和像素电极133之间无导电粒子，可以参阅图4。从而，无需对阵列基板100进行修复。
在检测过程中，而若通过第一端子520检测到遮光电极131的电位发生异动，也就是遮光电极131的电位发生波动，则表明遮光电极131和像素电极133之间有导电粒子600，因导电粒子600而发生短路，可以参阅图5。从而，检修人员可以根据检测器500的检测结果去除导电粒子600，实现对阵列基板100的修复，以提高产品的良率，提高显示器的显示效果。
在该阵列基板的检测方法中，该阵列基板可以参阅以上内容，在此不再赘述。
本领域技术人员可以理解，图1和图2中示出的显示面板10的结构并不构成对显示面板10的限定。显示面板10可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一端子和第二端子，所述显示区内包括与数据线相对设置的遮光电极和沿像素电极边缘设置的公共电极线，所述遮光电极与所述第一端子电性连通，所述公共电极线与所述第二端子电性连通，所述遮光电极与所述公共电极线电性绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极与所述像素电极同层设置，所述公共电极线与栅极线同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极呈网状，包括多个相互平行的水平部和多个相互平行的垂直部，每一所述水平部均与相邻两侧的所述垂直部连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，多个所述垂直部均与所述第一端子连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极还包括一连接部，多个所述垂直部连接于所述连接部，所述连接部和所述第一端子连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部和多个所述水平部相互平行，所述连接部和多个所述垂直部相互垂直。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：多条栅极线、多条数据线以及多条所述数据线与多条所述栅极线交叉设置限定出的多个像素单元，所述遮光电极设置于所述数据线上，并遮住所述数据线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述垂直部设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述水平部设置于所述栅极线和所述像素单元之间。
9.一种根据权利要求1至8中任一项所述阵列基板的检测方法，其特征在于，所述阵列基板包括：显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一端子和第二端子，所述显示区内包括与数据线相对设置的遮光电极和沿像素电极边缘设置的公共电极线，所述公共电极线与所述第二端子电性连通，所述遮光电极与所述公共电极线电性绝缘；
所述检测方法包括：将遮光电极和第一端子电性连通；
检测非显示区是否有异动；
若检测到所述非显示区有异动，则判定出所述遮光电极和像素电极之间有导电粒子。
10.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的彩膜基板和如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述第一端子加载的电压与所述公共电极的电压相同。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |