CN107831564B - 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 - Google Patents
一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107831564B CN107831564B CN201710845884.4A CN201710845884A CN107831564B CN 107831564 B CN107831564 B CN 107831564B CN 201710845884 A CN201710845884 A CN 201710845884A CN 107831564 B CN107831564 B CN 107831564B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum oxide
- aluminium
- filter
- thickness
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 27
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Substances [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种铝‑三氧化二铝三明治型红外滤波器，属于热光伏***中红外热辐射谱滤波器技术领域。该铝‑三氧化二铝三明治型红外滤波器，包括三氧化二铝顶层、金属铝中间层、三氧化二铝底层和光学基片，光学基片上顺序沉积三氧化二铝底层、金属铝中间层和三氧化二铝顶层构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层厚度为200～400nm，金属铝中间层厚度为1～4nm，三氧化二铝顶层厚度为50～150nm。本发明通过选用经济性较好的铝及其氧化物作为结构材料来制作滤波器，具有膜层数目少、制作简单、以及成本低廉等技术优势，从而在兼顾热光伏***经济性的同时促进了热光伏***性能的改善。
Description
技术领域
本发明涉及一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，属于热光伏***中红外热辐射谱滤波器技术领域。
背景技术
热光伏技术是一种利用红外光伏电池将辐射器的热辐射能转换为电能的能源转换技术。典型的热光伏***包括4个组成部分，即热辐射器、滤波器、红外光伏电池和散热器，其中滤波器的主要作用是对热辐射器辐射光子进行选择性过滤：能量大于光伏电池材料能隙的光子应通过滤波器到达电池，而能量低于电池材料能隙的光子应被滤波器反射回辐射器。
美国《应用物理杂志》(Journal of Applied Physics，2005，第97卷，文章编号：033529)报道了在硅衬底上交替沉积二氧化硅（折射率约1.5）膜和硅（折射率约3.4）膜形成一维硅/二氧化硅光子晶体的红外滤波特性。为匹配锑化镓电池的光谱响应特性，所采用的光子晶体膜层数为10层，其中硅层厚度均为170 nm，而二氧化硅层除最外层厚度为195 nm外，其余各层厚度均为390 nm。研究表明该结构的通带区域约为0.8-1.8 μm，而高反射带约为1.8-3.3 μm，滤波选择性较为显著；但不足之处在于通带内存在一系列干涉反射峰，使得通带内平均透过率不高，继而抑制了通过滤波器到达锑化镓电池表面的有效辐射光子通量。
据中国专利CN101431109B和《可再生能源》（Renewable Energy，2010，第35卷第1期，页数249-256)介绍，一维硅/二氧化硅光子晶体通带内的系列干涉反射峰可以通过结构改进来抑制。在改进结构中，一维硅/二氧化硅光子晶体仍由共10层交替沉积的硅膜和二氧化硅膜组成，其中第1二氧化硅层厚度为195（1+Δ1）nm，第3二氧化硅层厚度为390（1+Δ1/2）nm，第9二氧化硅层厚度为390（1+Δ2/2）nm，第2硅层厚度为170（1+Δ1）nm，第10硅层厚度为170（1+Δ2）nm，其中Δ1和Δ2为数学小量，0.08≤Δ1≤0.12，0.06≤Δ2≤0.16。
《可再生能源》（Renewable Energy，2012，第45卷，页数245-250）报道了一种由贵金属银和二氧化硅交替沉积形成的金属(M)/电介质(D)复合型光子晶体滤波器。研究表明该结构仅需2-3个周期的简单堆垛就可实现较为显著的滤波效果，有效降低了光子晶体滤波器结构的复杂度。但是，所确定的最优结构中介质膜层数目仍然不低于5，客观上限制了该结构的应用前景。
综上，无论是利用硅/二氧化硅或银/二氧化硅结构来设计光学滤波器，其膜层结构均较为复杂，客观上造成相关结构的制作工艺复杂、周期长、成本高，严重降低了其在实际热光伏***中的应用潜力。
发明内容
针对上述现有技术中的当前光子晶体型滤波器膜层数目较多、结构较为复杂、制作周期长、以及成本高等现实性问题，本发明提供一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器。本发明通过选用经济性较好的铝及其氧化物作为结构材料来制作滤波器，具有膜层数目少、制作简单、以及成本低廉等技术优势，从而在兼顾热光伏***经济性的同时促进了热光伏***性能的改善。本发明通过以下技术方案实现。
一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，包括三氧化二铝顶层1、金属铝中间层2、三氧化二铝底层3和光学基片4，光学基片4上顺序沉积三氧化二铝底层3、金属铝中间层2和三氧化二铝顶层1构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层3厚度为200～400 nm，金属铝中间层2厚度为1～4 nm，三氧化二铝顶层1厚度为50～150 nm。
所述光学基片4为石英片、硅片或锑化镓红外光伏电池。
上述三氧化二铝底层3、金属铝中间层2、三氧化二铝顶层1采用真空蒸发、低压化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积等加工方式顺序沉积到光学基片4上。
本发明1500 K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器光谱效率与顶层三氧化二铝层厚度之间的响应关系图如图2所示，从图2可以观察到三明治型滤波器结构三氧化二铝顶层3的最佳厚度为106 nm，最大光谱效率达32.8%；与无滤波器时孤立锑化镓热光伏电池光谱效率19.85%相比，光谱效率提高了近65%，充分展现了三明治滤波器改善热光伏电池光谱效率的有效性。
本发明1500K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器典型法向反射率（线6）和法向透过率（线5）与辐射光子波长之间的响应关系如图3所示，从图中可以明显观察到三明治型滤波器结构的高反射带为2～4μm，通带为0.5～2μm；特别地，在通带内，平均透过率超过60%；而在高反射波段内，平均反射率高于60%，平均透过率仅为10%左右，直接展现了本发明所述滤波器结构的滤波效果较好。
本发明1500 K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器、单层三氧化二铝结构红外滤波器、无滤波器时孤立锑化镓热光伏电池光谱效率对比图如图4所示，从图中可以明确的观察到该双层结构的最大光谱效率约为31.5%，与单层三氧化二铝结构的最大光谱效率23.4%（线11）和无滤波器时孤立锑化镓热光伏电池的光谱效率19.85%（线12）相比，光谱效率分别提高了34.6%和58.7%，仅略低于三明治型滤波器结构。但考虑到实际应用环境中金属铝层容易氧化的客观实际，铝/三氧化二铝双层滤波结构的稳定性较差。因此，在本发明所述的三明治型滤波器结构中，三氧化二铝顶层的存在不仅在于进一步改善结构光谱效率，还体现在保护金属铝中间层的基础性作用上。
本发明铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器（线13）和一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器（线14）在不同黑体辐照温度下的光谱效率对比图如图5所示，从图中可以观察到，随着辐射器温度的升高，两种滤波器结构的光谱效率均有明显改善。更为重要的是，在1000-1500K辐射温度范围内，本发明所述三明治型滤波器的光谱效率要优于硅/二氧化硅光子晶体型滤波器。在此背景下，考虑到实际热光伏***中辐射器工作温度通常在2000K以内，且硅基光子晶体型滤波器结构具有膜层数目多、制作工作复杂等现实性问题，本发明所述三明治型滤波器在保持与硅基光子晶体滤波器相比拟的性能之外，更具经济性。
本发明的有益效果是：
与背景技术所提到的一维硅/二氧化硅和银/二氧化硅光子晶体滤波器相比，本发明所述滤波器具有结构简单、制作周期短、选材经济性佳等技术优势。将本发明所述滤波器结构与锑化镓热光伏电池相结合，在1000~1200K的热辐射谱辐照下，滤波器的性能是锑化镓电池名义光谱效率的2~3倍；即便在1800K的较高辐照温度下，锑化镓热光伏***的光谱效率也提高了30%，几乎可与既有光子晶体型滤波器的性能相比拟。
附图说明
图1是本发明铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器结构示意图；
图2是本发明1500K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器光谱效率与顶层三氧化二铝层厚度之间的响应关系图，其中金属铝中间层2厚度为2.5nm、三氧化二铝底层3厚度为352nm，光学基片4厚度为锑化镓电池；
图3是本发明1500K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器典型法向反射率（线5）和法向透过率（线6）与辐射光子波长之间的响应关系，其中三氧化二铝顶层1厚度为106nm、金属铝中间层2厚度为2.5nm、三氧化二铝底层3厚度为352nm，光学基片4为锑化镓电池；
图4是本发明1500K黑体辐射谱辐照下铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器、单层三氧化二铝结构红外滤波器、无滤波器时孤立锑化镓热光伏电池光谱效率对比图；其中线7、8、9、10为铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器中金属铝中间层2厚度分别为1nm、2nm、3nm、4nm；线11表示单层三氧化二铝结构结构红外滤波器；线12表示无滤波器时孤立锑化镓热光伏电池；
图5是本发明铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器（线13）和一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器（线14）在不同黑体辐照温度下的光谱效率对比图，其中铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器中三氧化二铝顶层1厚度为106nm、金属铝中间层2厚度为2.5nm、三氧化二铝底层3厚度为352nm，光学基片4为锑化镓电池；一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器为光学基片仍为锑化镓光伏电池，由共10层交替的硅膜(170nm)和二氧化硅膜镀层组成，除最外层二氧化硅膜层为195nm外，其余各层二氧化硅膜的厚度均为390nm。
图中：1-三氧化二铝顶层，2-金属铝中间层，3-三氧化二铝底层，4-光学基片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1所示，该铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，包括三氧化二铝顶层1、金属铝中间层2、三氧化二铝底层3和光学基片4，光学基片4上顺序沉积三氧化二铝底层3、金属铝中间层2和三氧化二铝顶层1构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层3厚度为200nm，金属铝中间层2厚度为1nm，三氧化二铝顶层1厚度为50nm。其中光学基片4为石英片。
实施例2
如图1所示，该铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，包括三氧化二铝顶层1、金属铝中间层2、三氧化二铝底层3和光学基片4，光学基片4上顺序沉积三氧化二铝底层3、金属铝中间层2和三氧化二铝顶层1构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层3厚度为400nm，金属铝中间层2厚度为4nm，三氧化二铝顶层1厚度为150nm。其中光学基片4为硅片。
实施例3
如图1所示，该铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，包括三氧化二铝顶层1、金属铝中间层2、三氧化二铝底层3和光学基片4，光学基片4上顺序沉积三氧化二铝底层3、金属铝中间层2和三氧化二铝顶层1构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层3厚度为300nm，金属铝中间层2厚度为2nm，三氧化二铝顶层1厚度为100nm。其中光学基片4为锑化镓红外光伏电池。
以上结合附图对本发明的具体实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (2)
1.一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，其特征在于：包括三氧化二铝顶层（1）、金属铝中间层（2）、三氧化二铝底层（3）和光学基片（4），光学基片（4）上顺序沉积三氧化二铝底层（3）、金属铝中间层（2）和三氧化二铝顶层（1）构成三明治型结构，其中三氧化二铝底层（3）厚度为200～400nm，金属铝中间层（2）厚度为1～4nm，三氧化二铝顶层（1）厚度为50～150nm，该铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，应用于热光伏技术领域。
2.根据权利要求1所述的铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器，其特征在于：所述光学基片（4）为石英片、硅片或锑化镓红外光伏电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710845884.4A CN107831564B (zh) | 2017-09-19 | 2017-09-19 | 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710845884.4A CN107831564B (zh) | 2017-09-19 | 2017-09-19 | 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107831564A CN107831564A (zh) | 2018-03-23 |
| CN107831564B true CN107831564B (zh) | 2019-11-08 |
Family
ID=61643319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710845884.4A Active CN107831564B (zh) | 2017-09-19 | 2017-09-19 | 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107831564B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11231533B2 (en) | 2018-07-12 | 2022-01-25 | Visera Technologies Company Limited | Optical element having dielectric layers formed by ion-assisted deposition and method for fabricating the same |
| CN111564504A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-08-21 | 南京大学 | 一种日盲紫外探测器及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7273659B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-09-25 | Lintec Corporation | Photochromic film material |
| CN101226244A (zh) * | 2008-02-01 | 2008-07-23 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构 |
| CN203573989U (zh) * | 2013-09-25 | 2014-04-30 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 有三氧化二铝钝化膜的晶体硅 |
| US20160023242A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Osram Sylvania Inc. | Method of making wavelength converters for solid state lighting applications |
| JP6642575B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2020-02-05 | Ａｇｃ株式会社 | 光学フィルタおよび近赤外線カットフィルタ |
-
2017
- 2017-09-19 CN CN201710845884.4A patent/CN107831564B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107831564A (zh) | 2018-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101651157B (zh) | 具有色彩调制的太阳能电池及其制造方法 | |
| Qiu et al. | Structure, thermal stability and chromaticity investigation of TiB2 based high temperature solar selective absorbing coatings | |
| Al-Kuhaili et al. | Energy-saving transparent heat mirrors based on tungsten oxide–gold WO3/Au/WO3 multilayer structures | |
| KR101194257B1 (ko) | 광대역 반사방지 다층코팅을 갖는 태양전지용 투명 기판 및 그 제조방법 | |
| AU2009277894A1 (en) | Broadband reflecting mirror | |
| CN104064620A (zh) | 一种基于mim结构的表面等离激元增强的光电探测器 | |
| KR101788368B1 (ko) | 저방사 코팅막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 창호용 기능성 건축 자재 | |
| O'Brien et al. | Selectively transparent and conducting photonic crystal solar spectrum splitters made of alternating sputtered indium-tin oxide and spin-coated silica nanoparticle layers for enhanced photovoltaics | |
| Yang et al. | Optical properties and thermal stability of colored solar selective absorbing coatings with double-layer antireflection coatings | |
| López-López et al. | Angular response of photonic crystal based dye sensitized solar cells | |
| JP7345793B2 (ja) | 高効率且つ角度に耐性のある太陽光発電デバイス用色付きフィルタ組立体 | |
| Wang et al. | An ultrathin, nanogradient, and substrate‐independent WOx‐based film as a high performance flexible solar absorber | |
| CN103884122B (zh) | 一种太阳能光热转换集热器透明热镜及其制备方法 | |
| WO2016155407A1 (en) | A spectrally selective solar absorbing coating and a method for making it | |
| CN107831564B (zh) | 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 | |
| US20110315211A1 (en) | Solar cell front electrode with an antireflection coating | |
| Zheng et al. | Photovoltaic enhancement due to surface-plasmon assisted visible-light absorption at the inartificial surface of lead zirconate–titanate film | |
| Wu et al. | TiO x/Ag/TiO x multilayer for application as a transparent conductive electrode and heat mirror | |
| Furasova et al. | Nanophotonics for perovskite solar cells | |
| CN103066161B (zh) | 一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺 | |
| KR101194258B1 (ko) | 광대역 반사방지 다층코팅을 갖는 태양전지용 투명 기판 및 그 제조방법 | |
| Ji et al. | High-efficient ultraviolet photodetectors based on TiO 2/Ag/TiO 2 multilayer films | |
| Hu et al. | Enhancement of solar absorption by a surface-roughened metal–dielectric film structure | |
| KR101175712B1 (ko) | 다중금속 나노입자 구조물 및 그 제조방법과 다중금속 나노입자가 집적된 광소자 및 그 제조방법 | |
| CN110634966A (zh) | 一种超薄太阳光黑硅吸波器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |