CN107805842A - 一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种快速、准确检测底部籽晶剩余高度的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰上表面的距离为石英棒长度减去籽晶设定厚度表面到密封法兰上表面的距离，石英棒顶部设有限位板，限位板套设在测量支架上且位于上限位装置和下限位装置之间的部分上，上限位装置和下限位装置之间的距离值大于等于结晶后的籽晶上表面到顶部保温层顶面的距离值且小于石英棒的长度值。
Description
技术领域
本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置。
背景技术
在多晶硅半熔铸锭工艺中，使用多晶硅碎片铺在坩埚底部作为籽晶，在熔化过程中控制硅料的熔化速度，在熔化结束步骤中保证底部剩余一定厚度的硅料，剩余的硅料作为长晶所需要的引晶材料，准确测量籽晶熔化程度成为决定硅锭质量的主要因素。
现行的测量方法为，将石英棒***融化的硅液中，随着石英棒的下降作为参照物的扎带随即向上移动，接触籽晶时随即提起石英棒，测量石英棒顶部到扎带的距离，从而间接计算出此时的籽晶剩余高度。但是玻璃棒提时会影响扎带的位置，进而影响测量的准确性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种快速、准确检测底部籽晶剩余高度的晶体高度测量装置。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰上表面的距离为石英棒长度减去籽晶设定厚度表面到密封法兰上表面的距离，石英棒顶部设有限位板，限位板套设在测量支架上且位于上限位装置和下限位装置之间的部分上，上限位装置和下限位装置之间的距离值大于等于结晶后的籽晶上表面到顶部保温层顶面的距离值且小于石英棒的长度值。
本发明的有益效果是：本装置可以快速、准确测量底部籽晶剩余高度的装置，从而能准确做好籽晶预留，保证籽晶在生长过程中既能发挥出好的引晶效果，又能保证产品的良率不能浪费，从而节约成本，而且省时省力。另外，本装置结构简单，易于在原有设备上加装，设备改造成本低。
本装置还能通过调节上限位装置位置来控制玻璃棒裸露在炉体外面的高度，从而避免玻璃棒裸露太多造成石英棒摇晃引起断棒的隐患，或者裸露太短致使玻璃棒根部会温度太高有弯棒的风险。
附图说明
图1是本发明的主视结构示意图。
图1中：1.加热平台，2坩埚，3.籽晶，4.石英棒，5.顶部保温层，6.密封法兰，7.测量支架。
具体实施方式
下面结合附图，详细描述本发明的具体实施方案。
如图1所示，一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰6，密封法兰6中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰6内的测量石英棒4，炉体外侧上部设有测量支架7，测量支架7上设有测量刻度，测量支架7上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架7上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰6上表面的距离为石英棒4长度减去籽晶3设定厚度表面到密封法兰6上表面的距离，石英棒4顶部设有限位板，限位板套设在测量支架7上且位于上限位装置和下限位装置之间的部分上，上限位装置和下限位装置之间的距离值大于等于结晶后的籽晶3上表面到顶部保温层5顶面的距离值且小于石英棒4的长度值。
为计算计算测量装置下限位距离L1，先测量坩埚2底厚度H1、热交换平台到铸锭炉顶部法兰上端距离H2、当前使用的石英棒4高度H3，计算测量装置下限位距离L1＝H1+H3+H-H2。
为解决拔出距离限制，以拔出顶部隔热层为最小拔出距离，可以计算上限位距离，先测量热交换平台到顶部隔热层距离H5、间接计算其拔出上升距离为H4＝H5-H1-H。因此其上限位置最小值设置为L＝H4+L1，其最大值应小于石英棒4高度H3。
上述的实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本发明；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰上表面的距离为石英棒长度减去籽晶设定厚度表面到密封法兰上表面的距离，石英棒顶部设有限位板，限位板套设在测量支架上且位于上限位装置和下限位装置之间的部分上，上限位装置和下限位装置之间的距离值大于等于结晶后的籽晶上表面到顶部保温层顶面的距离值且小于石英棒的长度值。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201801630U (zh) * | 2010-08-23 | 2011-04-20 | 清华大学 | 光伏多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置 |
| WO2013141472A1 (ko) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | (주)세미머티리얼즈 | 탐침봉을 포함하는 실리콘 잉곳 성장 장치 |
| CN104213189A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-12-17 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 一种多晶铸锭炉自动测长晶装置 |
| CN206438202U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-08-25 | 中卫市银阳新能源有限公司 | 一种多晶铸锭炉余料测量装置 |
| CN207877928U (zh) * | 2017-11-13 | 2018-09-18 | 苏州晶樱光电科技股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201801630U (zh) * | 2010-08-23 | 2011-04-20 | 清华大学 | 光伏多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置 |
| WO2013141472A1 (ko) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | (주)세미머티리얼즈 | 탐침봉을 포함하는 실리콘 잉곳 성장 장치 |
| CN104213189A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-12-17 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 一种多晶铸锭炉自动测长晶装置 |
| CN206438202U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-08-25 | 中卫市银阳新能源有限公司 | 一种多晶铸锭炉余料测量装置 |
| CN207877928U (zh) * | 2017-11-13 | 2018-09-18 | 苏州晶樱光电科技股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置 |
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