CN107779946A - 热屏组件及单晶提拉炉热场结构 - Google Patents

热屏组件及单晶提拉炉热场结构 Download PDF

Info

Publication number
CN107779946A
CN107779946A CN201610728299.1A CN201610728299A CN107779946A CN 107779946 A CN107779946 A CN 107779946A CN 201610728299 A CN201610728299 A CN 201610728299A CN 107779946 A CN107779946 A CN 107779946A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat shielding
blast pipe
shielding component
heater
thermal field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610728299.1A
Other languages
English (en)
Inventor
邓先亮
赵向阳
陈强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Zing Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zing Semiconductor Corp filed Critical Zing Semiconductor Corp
Priority to CN201610728299.1A priority Critical patent/CN107779946A/zh
Priority to TW106100335A priority patent/TWI622669B/zh
Publication of CN107779946A publication Critical patent/CN107779946A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏***的排气管。本发明的热屏组件通过在热屏的***设置一组排气管，将所述热屏组件用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，使得氩气在热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件还可以通过改变排气管中的流速，调节热屏附近的温度梯度。

Description

热屏组件及单晶提拉炉热场结构
技术领域
本发明属半导体设备技术领域，特别是涉及一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构。
背景技术
在直拉法制备硅单晶过程中，石英坩埚长时间处于高温环境下发生溶解，产生的氧会在长晶过程中通过熔体对流传输进入晶体中并与晶体中其他缺陷发生反应，严重影响硅片的质量以及后续制备半导体器件的性能。
而石英坩埚溶解进入硅熔体的氧中有超过99％会以SiO的形式从熔体自由表面挥发，所以在硅单晶生长过程中会往炉内通入氩气带走炉体气氛中的SiO，避免氧重新溶入硅熔体中。但到了长晶后期，石英坩埚内熔体量较少，氩气在其中会形成涡旋，导致SiO无法迅速排出，使得硅晶体尾部中氧浓度升高。
目前直拉法制备单晶硅的热场结构如图1所示，由图1可知，所述热场结构在坩埚11中将熔体12直拉形成晶体13，所述坩埚11的上方设有热屏10；图1中的箭头表示所述热场结构内氩气流动路径。在单晶生长后期，由于所述坩埚11内的所述熔体12减少，气相所占体积增大，当氩气流扫过所述熔体12表面后，会在所述坩埚11内的所述熔体12上方形成涡旋，如图2所示，即图2中表示氩气流动路径的箭头呈涡旋状。使得从所述熔体12中挥发的SiO不能及时带走，使得最终的氧浓度偏高。而且SiO会与炉内石墨组件在高温下发生如下反应:SiO+2C＝SiC+CO，生成的CO会增加所述晶体13中的碳浓度。所述晶体13内碳浓度及氧浓度升高，均会对所述晶体13的性能产生不良影响。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构，用于解决现有技术中单晶提拉炉热场结构在单晶生长后期，由于坩埚内的熔体减少，气相所占体积增大，会在坩埚内的熔体上方形成涡旋而无法及时排除，从而导致生长的晶体内氧浓度及碳浓度升高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种热屏组件，适用于单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏***的排气管。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述排气管包括第一段及第二段；所述排气管第一段紧贴所述热屏背面并延伸至所述热屏底部附近；所述排气管第二段平行设置，所述排气管第二段的一端与所述排气管第一段内部相连通，另一端延伸至所述单晶提拉炉热场结构的外部。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述排气管的第一段底部呈喇叭口状。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述排气管为钼管。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述热屏径向截面的形状及所述排气管径向截面的形状均为圆环形。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述热屏组件还包括挡板，所述挡板固定于所述热屏底部，且自所述热屏底部向所述热屏的外侧延伸至所述排气管的下方。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述排气管的第一端在所述挡板上的投影位于所述挡板的表面内，且所述排气管的第一端与所述挡板的上表面相隔一定的间距。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述挡板为钼挡板。
作为本发明的热屏组件的一种优选方案，所述挡板径向截面的形状为圆环形。
本发明还提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：
炉体；
坩埚，位于所述炉体内；
如上述任一方案中所述的热屏组件，位于所述炉体内，且位于所述坩埚上方；所述排气管的第二段延伸至所述炉体的外部。
作为本发明的单晶提拉炉热场结构的一种优选方案，所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：
加热器，位于所述炉体内，且位于所述坩埚***；
石墨结构，位于所述炉体内，且位于所述加热器及所述热屏组件***；
保温层，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构的***；
石墨端盖，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构及所述保温层的顶部；所述排气管的第二端自所述石墨端盖的上表面延伸至所述炉体的外部。
如上所述，本发明的热屏组件及单晶提拉炉热场结构，具有以下有益效果：本发明的热屏组件通过在热屏的***设置一组排气管，将所述热屏组件用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，使得氩气在热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件还可以通过改变排气管中的流速，调节热屏附近的温度梯度。
附图说明
图1显示为现有技术中的单晶提拉炉热场结构的结构示意图。
图2显示为现有技术中的单晶提拉炉热场结构中氩气在坩埚内的熔体表面形成涡旋的结构示意图。
图3显示为本发明实施例一中提供的热屏组件的结构示意图。
图4显示为沿图3中AA’方向的截面结构示意图。
图5显示为本发明实施例一中提供的热屏组件的仰视结构示意图。
图6显示为本发明实施例二中提供的单晶提拉炉热场结构的结构示意图。
图7显示为本发明实施例二中提供的单晶提拉炉热场结构中氩气的流向示意图。
元件标号说明
10 热屏
11 坩埚
12 熔体
13 晶体
20 热屏组件
201 热屏
202 排气管
203 挡板
21 炉体
22 坩埚
221 石墨坩埚
222 石英坩埚
23 加热器
24 石墨结构
25 保温层
26 石墨端盖
27 熔体
28 晶体
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图3至图7，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图3至图4，本发明提供一种热屏组件20，所述热屏组件20适用于单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件20包括热屏201及位于所述热屏201***的排气管202，也可以说所述排气管202位于所述热屏201的背面。通过在所述热屏201的***设置所述排气管202，将所述热屏组件20用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管202可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在所述单晶提拉炉热场结构内流动的路径，使得氩气在所述单晶提拉炉热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件20还可以通过改变所述排气管202中的流速，调节热屏附近的温度梯度。
作为示例，所述排气管202包括第一段及第二段；所述排气管202第一段紧贴所述热屏201背面并延伸至所述热屏201底部附近；所述排气管202第二段平行设置，所述排气管202第二段的一端与所述排气管202第一段内部相连通，另一端延伸至所述单晶提拉炉热场结构的外部。
作为示例，所述排气管202的第一段底部呈喇叭口状，即所述排气管202靠近所述热屏201底部的一端呈喇叭口状。由于所述热屏组件20用于所述单晶提拉炉热场结构时，所述热屏201的底部靠近熔体的表面，将所述排气管202的第一端设置为喇叭口状，可以防止所述排气管202的第一端的气流对所述熔体的液面产生影响，从而避免对生长的晶体的质量造成不良影响。
作为示例，所述排气管202可以为但不仅限于钼管。
作为示例，所述热屏201径向截面的形状可以为但不仅限于圆环形，所述排气管202径向截面的形状可以为但不仅限于圆环形，如图4所示；所述热屏201及所述排气管202的径向截面即为沿图3中AA’方向的截面。当然，在其他示例中，所述热屏201径向截面的形状及所述排气管202径向截面的形状还均可以为矩形、正方形、六边形等等。
作为示例，所述热屏组件20还包括挡板203，所述挡板203固定于所述热屏201底部，且自所述热屏201的底部向所述热屏201的外侧延伸至所述排气管202的下方。在所述热屏201的底部设置所述挡板203，可以进一步防止所述排气管202的第一端的气流对所述熔体的液面产生影响。
作为示例，所述排气管202的第一端在所述挡板203上的投影位于所述挡板203的表面内，且所述排气管202的第一端与所述挡板203的上表面相隔一定的间距；即所述挡板203在竖直方向上完全遮挡所述排气管202的第一端，以尽最大限度防止所述排气管202的第一端的气流对所述熔体的液面产生影响。
作为示例，所述挡板203可以为但不仅限于钼挡板。
作为示例，所述挡板203径向截面的形状可以为但不仅限于圆环形，如图5所示。当然，在其他示例中，所述挡板203径向截面的形状还可以为矩形、正方形、六边形等等。
需要说明的是，图5中所述热屏201及所述排气管202为不可见，但为了便于示意，图5中将所述热屏201及所述排气管202予以示出。
实施例二
请参阅图6，本发明还提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：炉体21；坩埚22，所述坩埚22位于所述炉体21内；如实施例一中所述的热屏组件20，所述热屏组件20位于所述炉体21内，且位于所述坩埚22上方；所述热屏组件20中的所述排气管202的第二段延伸至所述炉体21的外部。所述热屏组件20的具体结构请参阅实施例一，此处不再累述。
作为示例，所述坩埚22包括石墨坩埚221及石英坩埚222，所述石英坩埚222位于所述石墨坩埚221内。
作为示例，所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：加热器23，所述加热器23位于所述炉体21内，且位于所述坩埚22***；石墨结构24，所述石墨结构24位于所述炉体21内，且位于所述加热器23及所述热屏组件20的***；保温层25，所述保温层25位于所述炉体21内，且位于所述石墨结构24的***；所述保温层25可以为但不仅限于石墨保温层；石墨端盖26，所述石墨端盖26位于所述炉体21内，且位于所述石墨结构24及所述保温层25的顶部；所述排气管202的第二端自所述石墨端盖26的上表面延伸至所述炉体21的外部。
如图7所示，本发明的所述单晶提拉炉热场结构通过使用在所述热屏组件20，所述排气管202可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，图7中箭头的方向即为氩气的流动路径，由图7可知，在晶体28生长后期，一部分氩气沿原有路径排除，另一部分氩气经由所述排气管202排出到所述炉体21的外部，使得氩气在所述单晶提拉炉热场结构内熔体27的上方不易形成涡旋。同时可以将从所述熔体27中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入所述熔体27及与所述坩埚22下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，还可以通过改变所述热屏组件20中所述排气管202中的流速，调节热屏附近的温度梯度。
综上所述，本发明提供一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏***的排气管。本发明的热屏组件通过在热屏的***设置一组排气管，将所述热屏组件用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，使得氩气在热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件还可以通过改变排气管中的流速，调节热屏附近的温度梯度。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (11)

1.一种热屏组件，适用于单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏***的排气管。
2.根据权利要求1所述的热屏组件，其特征在于：所述排气管包括第一段及第二段；所述排气管第一段紧贴所述热屏背面并延伸至所述热屏底部附近；所述排气管第二段平行设置，所述排气管第二段的一端与所述排气管第一段内部相连通，另一端延伸至所述单晶提拉炉热场结构的外部。
3.根据权利要求1所述的热屏组件，其特征在于：所述排气管的第一段底部呈喇叭口状。
4.根据权利要求1所述的热屏组件，其特征在于：所述排气管为钼管。
5.根据权利要求1所述的热屏组件，其特征在于：所述热屏径向截面的形状及所述排气管径向截面的形状均为圆环形。
6.根据权利要求1所述的热屏组件，其特征在于：所述热屏组件还包括挡板，所述挡板固定于所述热屏底部，且自所述热屏底部向所述热屏的外侧延伸至所述排气管的下方。
7.根据权利要求6所述的热屏组件，其特征在于：所述排气管的第一端在所述挡板上的投影位于所述挡板的表面内，且所述排气管的第一端与所述挡板的上表面相隔一定的间距。
8.根据权利要求6所述的热屏组件，其特征在于：所述挡板为钼挡板。
9.根据权利要求6所述的热屏组件，其特征在于：所述挡板径向截面的形状为圆环形。
10.一种单晶硅提拉炉热场结构，其特征在于，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：
炉体；
坩埚，位于所述炉体内；
如权利要求1至9中任一项所述的热屏组件，位于所述炉体内，且位于所述坩埚上方；所述排气管的第二段延伸至所述炉体的外部。
11.根据权利要求10所述的单晶硅提拉炉热场结构，其特征在于：所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：
加热器，位于所述炉体内，且位于所述坩埚***；
石墨结构，位于所述炉体内，且位于所述加热器及所述热屏组件***；
保温层，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构的***；
石墨端盖，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构及所述保温层的顶部；所述排气管的第二端自所述石墨端盖的上表面延伸至所述炉体的外部。
CN201610728299.1A 2016-08-25 2016-08-25 热屏组件及单晶提拉炉热场结构 Pending CN107779946A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610728299.1A CN107779946A (zh) 2016-08-25 2016-08-25 热屏组件及单晶提拉炉热场结构
TW106100335A TWI622669B (zh) 2016-08-25 2017-01-05 熱屏組件及單晶提拉爐熱場結構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610728299.1A CN107779946A (zh) 2016-08-25 2016-08-25 热屏组件及单晶提拉炉热场结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107779946A true CN107779946A (zh) 2018-03-09

Family

ID=61439015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610728299.1A Pending CN107779946A (zh) 2016-08-25 2016-08-25 热屏组件及单晶提拉炉热场结构

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107779946A (zh)
TW (1) TWI622669B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112899772A (zh) * 2019-11-19 2021-06-04 Ｆｔｂ研究所株式会社 单晶生长装置、该单晶生长装置的使用方法及单晶

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112760709B (zh) * 2020-12-25 2022-04-08 晶澳太阳能有限公司 一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0819783A1 (de) * 1996-07-17 1998-01-21 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
KR20040049358A (ko) * 2002-12-03 2004-06-12 주식회사 실트론 실리콘 단결정 성장 장치
CN1990918A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 北京有色金属研究总院 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
CN101709505A (zh) * 2009-11-11 2010-05-19 西安隆基硅材料股份有限公司 用于生长硅单晶的节能热场
CN201793813U (zh) * 2010-09-28 2011-04-13 常州天合光能有限公司 低能耗单晶热场
CN102041549A (zh) * 2009-10-22 2011-05-04 芜湖升阳光电科技有限公司 一种单晶硅结晶生长装置
US20130220216A1 (en) * 2009-05-13 2013-08-29 Siltronic Ag Method and an apparatus for growing a silicon single crystal from a melt
CN105369346A (zh) * 2015-12-09 2016-03-02 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置
CN105603520A (zh) * 2016-01-20 2016-05-25 西安交通大学 一种高速单晶生长装置及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11246294A (ja) * 1998-03-05 1999-09-14 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 単結晶引上装置
CN105568368A (zh) * 2015-06-16 2016-05-11 杭州海纳半导体有限公司 保护热场部件减小损耗的热场及方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0819783A1 (de) * 1996-07-17 1998-01-21 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
KR20040049358A (ko) * 2002-12-03 2004-06-12 주식회사 실트론 실리콘 단결정 성장 장치
CN1990918A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 北京有色金属研究总院 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
US20130220216A1 (en) * 2009-05-13 2013-08-29 Siltronic Ag Method and an apparatus for growing a silicon single crystal from a melt
CN102041549A (zh) * 2009-10-22 2011-05-04 芜湖升阳光电科技有限公司 一种单晶硅结晶生长装置
CN101709505A (zh) * 2009-11-11 2010-05-19 西安隆基硅材料股份有限公司 用于生长硅单晶的节能热场
CN201793813U (zh) * 2010-09-28 2011-04-13 常州天合光能有限公司 低能耗单晶热场
CN105369346A (zh) * 2015-12-09 2016-03-02 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置
CN105603520A (zh) * 2016-01-20 2016-05-25 西安交通大学 一种高速单晶生长装置及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112899772A (zh) * 2019-11-19 2021-06-04 Ｆｔｂ研究所株式会社 单晶生长装置、该单晶生长装置的使用方法及单晶
CN112899772B (zh) * 2019-11-19 2024-04-05 Ｆｔｂ研究所株式会社 单晶生长装置、该单晶生长装置的使用方法及单晶

Also Published As

Publication number Publication date
TWI622669B (zh) 2018-05-01
TW201807266A (zh) 2018-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105239150A (zh) 单晶硅生长炉用导流筒及其应用
CN107779946A (zh) 热屏组件及单晶提拉炉热场结构
TW201040329A (en) A method and an apparatus for growing a silicon single crystal from a melt
CN103590103A (zh) 一种多晶硅铸锭炉氩气导流***及其导流方法
JP2013532111A (ja) 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び装置
CN107338474A (zh) 一种降低多晶硅铸锭氧含量方法
CN203613302U (zh) 一种多晶硅铸锭炉氩气导流***
JP2023509531A (ja) 単結晶炉のホットゾーン構造、単結晶炉及び結晶棒
WO2020181795A1 (zh) 直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备
CN109930200A (zh) 热屏及单晶硅生长炉结构
EP2993259B1 (en) Silicon single crystal fabrication method
TWI747780B (zh) 長晶爐
Schwanke et al. Influence of crucible properties and Si3N4-coating composition on the oxygen concentration in multi-crystalline silicon ingots
CN109930197A (zh) 热屏及单晶硅生长炉结构
CN104451069B (zh) 氮气保护非晶铁芯热处理炉
CN109183148A (zh) 一种铸锭炉
CN106894082A (zh) 单晶硅生长炉
CN109666968B (zh) 硅单晶的制造方法
CN109930198A (zh) 热屏及单晶硅生长炉结构
TWI761454B (zh) 單晶矽的製造方法
JPH04331790A (ja) シリコン単結晶製造装置
KR102315982B1 (ko) 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정 인상 장치
KR20100060152A (ko) 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치
TWI695915B (zh) 矽單晶長晶裝置
CN107779945A (zh) 异型加热器及单晶提拉炉热场结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180309